TW200905743A - Plasma processing apparatus - Google Patents

Description

200905743 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電漿虛理壯 於-種用於乾侧製程之電 置更特別的是，本發明關 【先前技術】 Ο ϋ 的技體以及液晶顯示器製程中，湘電漿來進行乾姓刻 崎_處理不但可用於-般的 加’特別是在薄膜電晶體液;;示圍：的增 細，常常使用電紧處理來進行陣列㈣ 中產，處理Μ在—反應空間(通常為一真空腔） 圖i地使用所產生的電漿進行餘刻或沉積。 真*腔、Γ2杨丁乾1虫刻之習知電漿處理裝置10，其包含一 下♦二，極14、—下電極16及一基座18。上電極 雛以 ==:基板)放在下電㈣上， 熟習相關技藝者可知，在習知電漿處理裝置10中，下雷 ，16與基座18下方的空間較為狹I1益，亦需設置許多真空管線 (二列如排氣孔13)與傳動機構(未圖示）’不易清潔，因此容易有 」矢與反應副產物堆積。當電漿處理裝置10進行電漿侧或

AU0702007 ; 4ADT/07009TW 200905743 沉積時，整個真空月空^乃處於適當的低壓狀態，特別是真空 月空12内的氣體不斷地經由真空腔12底部之排氣孔13而被抽 離真空腔12 ’這時堆積於下電極16與基座18下方之塵埃與 反應副產物很容易被氣流(如箭號A所示)帶起， 個真空腔12之潔淨度，甚至可能飄移至茲 S的蝕刻或沉積效果，進而造成基板s的缺陷（例如 E-AS-Residue 缺陷）。 因此，目前迫切需要一種新的電漿處理裝置，可以解決上 ^的問題。特別是’這種裝置不會大幅地增加成本，且又容易 實施。 【發明内容】 有鐘於先前技藝之缺失，本發明提出一種電漿處理裝置， 其特點之-在於：此電黎處理裝置減少了真空腔中塵埃與副產 物飄f至絲賴會；另—特點在於減少真空腔巾之擾流效 (j 應^升基板姓刻或沉積的均一性(uniformity)。 根據本發明之實施例，此種電漿處理裝置包含一真空腔、 -上電極、-下電極及一基座。上電極與下電極係設置於真空 腔内。真空腔包含-底部，而基座設置於該底部，下電極則設 置於真空腔之底部上。基賴真空腔之底部職—基座空間， 而基座空間内之氣流與真空腔之氣流實質上隔絕。 根據本發明電漿處理裳置之另一實施例，前述真空腔之底 部可包含-排氣孔，且基座空_之氣流與排氣孔實質上隔 絕0

AU0702007 ； 4ADT/07009TW 200905743 =據本發漿處縣£之另—實關，前述基座可包含 =部與—織’切部供支撐下電極，_板位於支樓部 與底部之間。 藉由以下之較佳貫施例之敘述並配合圖式說明，本發明之 目的、特徵與優點將更為清楚。 【實施方式】 Ο 圖^顯示本發明電漿處理裝置之—實施例。電漿處理裝 2S。:各真空腔22、一上電極24、一下電極26及一基座 置2G可應用於反應離子__)、電感耦合 二电水IM(icp)、高f絲合式賴爛(Ε(χρ傅，但不以 二=’ T關於電漿處理裝置20的應用，應為習此技 六者所熟知，在此不加贅述。 在較佳實施例中，真空腔r的材料是紹。真空腔2 2面通常鱗極氧化處理，而形成轉極氧 餘。上電極24與下電極26係設置於真空腔22内， 頻㈣電源(未圖示)連結，獲得一電壓差。在侧 斤提供之電壓差用以激發真空腔22内之氣體分子而產 在較佳實施例中，下電極％也是使用叙為材 接受陶宪融射處理，基板S乃放在下電極26上 表面可 蝕刻或沉積。真空腔22具有一底部B，而基座烈電漿 部B，下電極26則設置於基座28上。 叹置於此底

AU0702007 ; 4ADT/07009TW 200905743 如圖2Α所示’基座μ包含—支撐部加與一對垂直側 板284 ’支撐部观係水平設置以支稽下電極％，垂直側板 部282與底部Β之間’而支禮部撕與側板辦 的材質較佳為非導體材料。 =2Α所示’支標部282、側板m與底部Β界定出一 Γ ^較佳實施例中，基座空間SP中設置有供輸人 KHe)的管線，以及耗接於下電極％之匹配線 不）。藉由上述侧板284的設置，基座介門 。 腔22之氣流實質上隔絕，藉此基座介 ^ 不會進人到真空Μ22 _，彳之塵埃或粒子， 也減少造成基板S缺陷的機合避空腔22的潔淨度， 你、me γ 咖械3在較佳實施例中，側板284 係/口者下電極26之周圍設置，或是沿著 置，並以盡量擴大基座空間Sp為 ° 〇Χ 管線與其他祕並增加隔原f容輯需之真空 如圖2A所示，電漿處理裝置2〇在 至少-排氣孔23。排氣孔23*冰如、腔底㈣汉置 用以將真空腔22中之:：=== 連結’ 氣孔23附近的氣流強度通常 ^適备的工作氟壓。排 板284與底部B之設置，電由上述支撐部282、側 之氣流與排_實質上^^=^内 成的氣流將基座空間SP内的塵埃== 不良的影響，嘛侧少她W伽效應成 視圖處理裝置烈之俯 ^板286，水平地覆蓋於真

AU0702007 ； 4ADT/07009TW 200905743 空腔22之底部Β上。在較佳實施例中，蓋板286 t蓋於底部 ^上未設置基座28的部分，但蓋板鳥具有—開口 〇p以暴 f出排氣孔23。另外’蓋板挪的材質較佳為非導體材料。 蓋板286可防止在電裝爛過程中侧生成物的沉積。 Ο 藉由以上所述之實施例，本發明提出一種電浆處理裝置， 其令下電極下方的空間係魅空腔實f隔絕。她於習知設 計’本發财會大幅地增加成本，且又料實施。本發明之一 k點在於’藉由上述之隔絕設計，堆積於下電極與基座下方之 塵埃與反制產物;f會受職空腔中之氣朗影響而進入至 真空腔中，因此可以鱗真空腔潔淨度，

產物飄移至基板S上的機會。 每/、反應田|J 以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用 發明之申請專觀目；凡其它未麟本發 完成之等效改變或修飾’均她含在下述之申請翻内 【圖式簡單說明】 圖1為習知電漿處理裝置之示意圖； 圖2A為本發明電槳處理裝置實施例之側視圖； 圖2B為本發明電漿處理裝置實施例之俯視圖。 【主要元件符號說明】

電漿處理裝置 10 真空腔 12 排氣孔 13 上電極 14 下電極 16 電漿處理裝置 20 AU0702007 : 4ADT/07009TW 200905743

真空腔 22 上電極 24 基座 28 側板 284 底部 B 氣流 A

排氣孔 23 下電極 26 支撐部 282 蓋板 286 開口 OP 基板 S

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Claims (1)

1. 200905743 十、申請專利範圍： 1. 一種電漿處理裝置，包含： 一真空腔，該真空腔具有一底部； 一上電極與一下電極’設置於該真空腔内；以及 -基座，設置於該真空腔之底部，該下電極言史置於該基座 上’該基座與真空腔之底部形成一基座空間，其中該基座空 間内之氣流與該真空腔之氣流實質上隔絕。 〇 2. ，請求項1所述之電漿處理裝置，其中該真空腔之底部具有一 排氣孔’其中該基座空間内之氣流與該排氣孔實質上隔絕。 3. 如„月求項1所述之電漿處理裝置，其中該基座包含一支撐部與 -侧板’該支料供支撐該下電極，鋪板位於該支#部與該底 部之間。 一 I 4. u項3所述之電漿處理裝置’其巾該側板沿著該下電極之 周圍設置。 5.如请求項1所述之電浆處理震 部上未设置該基座的部分。 置’另包含一蓋板，覆蓋於該底 6.如請求項5所述之電漿處理|置，其找基座包含—支樓部與 側板。亥支知雜支樓該下電極，該側板位於該支撑部與該底 部之間，而該蓋板與該側板連結。 AU0702007 ： 4ADT/07009TW 200905743 7.如請求項5所述之電漿處理裝置，其中該底部具有一排氣孔， 其中該蓋板與該基座連結，且該蓋板具有一開口以暴露出該排氣 孔。

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