TW200904949A - A novel phosphor and fabrication of the same - Google Patents

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Chien-Hao Huang
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Description

200904949 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供一系列新穎化學組成螢光體及其製沒 別是用於發光裝置上之新穎螢光體。 【先前技術】 利用發光二極體（light-emitting diode, LED)產生 陽光色相似之白光，以全面取代傳統日光燈等白光照 源，已是本世紀照明光源科技領域積極硏發的目標。與 光源相比，發光二極體具有體積小、亮度高、比傳統照 備高出1 〇倍以上的使用壽命、在製作過程與廢棄物處 光源成本低廉與環保等優點。因此，發光二極體早已被 下一世代的光源。 目前白光發光二極體之製作技術主要可分爲單晶 多晶片型，其中多晶片型使用紅、綠與藍色三種發光二 混成白光，此方式之優點爲其可視不同需要而調整光色 由於同時要使用多個發光二極體，故其成本較高。而且 種發光二極體所屬材料均不相同，故其驅動電壓亦有 異，而必須設計三套控制電流之電路。此外，三種發光 體晶片之衰減速率、溫度特性及壽命不盡相同，因此將 混成之白光光色隨時間產生變化。所以目前商品化之白 光二極體之產品與未來之趨勢仍以單晶片型爲主流。至 晶片型製作技術主要有下列三種： (1)藍色發光二極體配合黃光螢光體，其係爲利 光發光二極體激發可發黃光之螢光體。其所使用之螢光 ，特 與太 明光 傳統 明設 理上 視爲 片及 極體 ，但 因三 所差 二極 導致 光發 於單 用藍 體主 200904949 要爲釔鋁石榴石結構之YAG螢光體（（Y，Gd)3(Al,Ga)5012:Ce (YAG ： Ce) > Y. Shimizu et al. US Patent 5998925 )，其所發 出的黃光與未被吸收之藍光混合，即可產生白光。目前商品 化之白光發光二極體多屬這種方式製作。此種發光二極體的 優點在於其單一晶片即可發出白光，成本低、製作簡單，但 其卻有發光效率低、演色性差、不同輸出電流導致光色改 變、容易有光色不均等缺點。 (2)藍色發光二極體配合紅光與綠光螢光體，其係利 用藍光發光二極體分別激發可發出紅、綠光之螢光體。所使 用之螢光體組成物主要以含硫之螢光體爲主，其所發出的 紅、綠光與未被吸收之藍光混合，即可產生白光。此種發光 二極體的優點在於其光譜爲三波長分布，因此演色性較高、 光色及色溫可調變。 (3 ) UV-發光二極體配合紅、綠與藍光螢光體，其係利 用UV-發光二極體發射之紫外光同時激發三種或三種以上 可分別發出紅、藍與綠光之螢光體，將所發射出之三色光混 成白光。此一技術產生白光之方式類似日光燈，其具有高演 色性、光色及色溫可調變，使用高轉換效率螢光體可提高其 發光效率、且光色均勻不隨電流變化等優點，但其具有粉體 混合困難，高效率與新穎化學組成之螢光體尋找不易等缺 點。 其中螢光體，亦即所謂的螢光轉換材料（或螢光轉換化 合物）係可將紫外光或藍光轉換爲不同波長的可見光，而其 所產生的可見光顏色則取決於螢光體的特定成份。該螢光體 200904949 可能僅含有單一種螢光體組成或者有兩種或兩種以上的螢 光體組成。若要將發光二極體作爲光源，則需要能夠產生更 亮更白的光線才可以作爲發光二極體燈具使用。因此，通常 將螢光體塗布於發光二極體上以產生白光。而每一種螢光體 在不同的波長激發下均可轉換爲不同的顏色的光，例如在近 紫外光或藍光發光二極體波長365nm〜500nm之激發下，螢 光體可將其轉換爲可見光。而由激發螢光體轉換而成的可見 光具有高發光強度與高亮度的特性。 f 就人類的視覺觀點而言，感覺上同樣的色彩實際上卻有 可能是由不同波長的色光所混合產生的效果，而紅、藍、綠 三原色光按照不同比例的搭配，可以在視覺上感受不同色彩 的光，此乃三原色原理。國際照明委員會（CIE，Commission Internationale de I’Eclairage)確定了原色當量單位，標準的 白光光通量比爲：Φγ: (Dg: (Db=l: 4_5907: 0.0601。 原色光單位確定後，白光Fw的配色關係爲：
Fw= 1 [R] + 1 [G] + [B] I 其中R代表紅光，G代表綠光，B代表藍光。 對任意彩色光F而言，其配方程式爲Fw=r[R]+g[G] + b[B]，其中r、g、b爲紅、藍、綠三色係數（可由配色實 驗測得），其對應的光通量（Φ)爲：φ = 6 80(R+ 4.5 907G + 0.060 1 B)流明（lumen，簡稱，爲照度單位），其中r、g、b 的比例關係決定了所配色的光之色彩度（色彩飽和程度），它 們的數値則決定了所配成彩色光的亮度。r[R]、g[G]、b[B] 通稱爲物理三原色，三色係數間的關係，可以利用矩陣加以 200904949 表示，經過標準化（normalization)之後可以寫成：Fw=X[X] + Y[Y] + Z[Z] = m{x[X] + y[Y] + z[Z]}，其中 m = X + Y + Z 且x=(X/m)、y = (Y/m)、z = (Z/m)。每一個發光波長都分別有 對應的r、g、b値，將可見光區範圍的r値相加總合設爲X， g値相加總合設爲Y，b値相加總合設爲Z，因此我們可以使 用X、y直角座標來表示螢光粉發光的色度，這就是我們所 謂C.I.E.1931標準色度學系統，簡稱C.I.E.色度座標。當光 譜量測後，計算各個波長光線對光譜的貢獻，找出X、y値 後，在色度座標圖上標定出正確的座標位置，也就可以定義 出螢光粉所發出光之色度値。 然而，在利用藍光發光二極體以及黃光螢光體以製作成 白光發光二極體的應用上，現有的黃光螢光體在演色性上缺 少紅光頻譜之貢獻，而具有光色不均與發光效率低等缺點。 有鑑於此，若能提供一種具改善之光源演色係數、高穩定性 以及成本低廉之螢光體，並使其能應用於白光發光二極體裝 置之螢光層，則能對白光發光二極體的色溫進行調控，並有 效提升其演色性，並可用以取代現今市售之發光二極體的螢 光轉換材料。 【發明內容】 本發明揭露一種製備成本低廉、材料穩定，且具有新穎 化學配方之黃光螢光體，其可被發射藍光之發光二極體或雷 射二極體激發而產生黃光，並與未被吸收之藍光混合產生白 光。本發明亦提供一種高演色性之白光發光裝置。 本發明係提供完全不同於YAG : Ce或矽酸鹽類螢光體 200904949 之一系列新穎化學組成螢光體，其係摻雜三價铈離子之鍺酸 鹽類材料，且爲下列一般式所示：
Am(B i-xCex)nGeyOz 其中A爲選自於Mg、Zn之至少一元素；B爲選自於 La、Y、Gd所組成之群組中至少一*元素；m、η、y、z分別 爲大於〇之數値，且符合2m + 3n + 4y = 2z之計算式；以及χ 之數値範圔爲〇<x<l，較佳爲0.005SxS0.1，更佳爲0.01 SxSO.l ’最佳爲〇.〇3SxS0.05。更具體而言，該螢光材料 可爲下列一般式MgdY^CexhGesO^所表示，其中X之數 値範圍爲〇·〇〇〇1$χ€〇·8，較佳爲ο.οι$χ$〇·〇5，更佳爲 X = 0.0 3 0 該螢光體可藉由一發光元件所發射之一次輻射而激發 該螢光體產生二次輻射，其中該發光元件所發射之一次輻射 的波長範圍係在45 0ηπι〜5 00nm，且該螢光體所被激發的二 次輻射波長係較該發光元件之一次輻射的波長更長。 具體而言，該發光元件所發射之一次輻射的波長較佳係 在460nm〜480nm之範圍，而該受激發之螢光體所發射的二 次輻射之波長範圍係在500nm〜7〇Onm，CIE色度座標値 (1,少）之範圍係〇.40$：(：$〇.60，0.40$少$〇.60，在（：1£色 度座標中爲黃光。 此外，該發光元件所發射之一次輻射的之波長更佳爲在 460 nm〜470 nm之範圍，而該受激發之螢光體所發射之二次 輻射的波長範圍係在550nm〜570nm，CIE色度座標 値爲0.45SxS0_55’ 〇.45€少客0.55，在CIE色度座標中爲 200904949 黃光。 本發明亦提供一種製造上述螢光體的方法，係包括下列 步驟： 依化學計量秤取材料（A)至少一種選自Mg〇或ZnO之氧 化物、（B)至少一種選自Y2O3或La2〇3、Gd2〇3之氧化物、 (C)Ce02、以及（D)Ge02; 將所秤取之材料予以硏磨並均勻混合； 將如此所獲得的混合物置入氧化鋁舟型坩堝中，於1200 〜140 0 °C進行固態合成，反應時間爲4〜10小時。 本發明更進一歩提供一種發光裝置，係包含發光元件及 螢光體，其中，該發光元件所發射之一次輻射的波長係介於 45 Onm〜48 Onm，以及螢光體係可藉由吸收部份該發光元件 所發出的一次輻射而被激發，進而發射出與所吸收一次輻射 之波長相異之二次輻射，且該螢光體係可選自於本發明前述 之螢光體。 該發光元件可爲半導體光源、發光二極體或有機發光裝 置，且該螢光體係塗布於該發光元件之表面或上方。該螢光 體被激發出之二次輻射波長較該發光元件之一次輻射波長 更長。此外，該發光裝置更包括將該螢光體予以封裝於該發 光元件之上方或表面而形成者，而經該發光元件所發射之一 次輻射激發後，可與未被吸收之一次輻射混合產生白光。 【實施方式】 爲使該所屬技術領域中具有通常知識者能更進一步瞭 解本發明之組成成分及其特性，茲配合具體實施例與圖式詳 -10- 200904949 加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其 所達成之功效。 實例 1 MeWYi .xCex)2Ge301?. 依MgdYhxCexhGesO^之化學組成，計量秤取MgO、 Υ2〇3 ' Ge〇2 以及 Ce〇2，其中 x 爲 0.005、〇.〇1、〇.〇3、0.05 以及〇. 1。將所秤取的材料予以硏磨並充份混合，之後將所 得到的混合物置入氧化鋁舟型坩堝，將其送入高溫爐中’於 1 2 0 0〜1 4 0 0 °c下反應4〜1 0小時進行固態合成。 ί 將所合成之營光體Mg3(Yi.xCex)2Ge3〇i2’利用X先繞 射儀（Bruker AXS D8 advance type)確認晶相之純度，結 構分析如第1圖所示。由該X光繞射圖譜中發現其並無雜 相，亦證實本發明所合成之螢光體係爲純物質。 亦於不同合成溫度對本發明之一較佳實施例 MgHYo.^Ceo.cnhGqOu螢光體進行X光繞射測量，結果示 於第2圖。由該X光繞射圖譜中發現其並無雜相，亦證實本 發明所合成之螢光體係爲純物質。 由於藍光發光二極體之發光波長介於450 nm〜500 nm 之間，因此可以使用具有相同波長之氙燈作爲實驗的激發光 源，以進行測試本發明之螢光體之發光特性。 利用配備有450W的氙燈之Spex Fluorolog-3螢光光 譜儀（美國 Jobin-Yvon Spex S.A,公司）進行螢光體 MgVY^xCexhGegO^的螢光發射光譜與激發光譜之測量，結 果如第3圖所不’在藍光及近紫外區域有一寬帶吸收，發射 帶之波長係集中在約爲562nm，其帶寬約爲250nm。此發射 200904949 帶係顯示Ce3 +之5d— 2F5/2與5d— 2F7/2的躍遷，證實本發明 之螢光體可被藍光激發並搭配螢光體本身放射黃光而組合 成白光。 利用色彩分析儀（DT-100 color Analyzer 日本LAIKO 公司製造）搭配螢光光譜儀測量螢光體之輝度與色度。 第4圖顯示MgHY^xCe^ + hGesOu螢光體在不同Ce3 + 的摻雜濃度下，其發光強度與相對輝度之關係。左箭頭（圓 點實線）所代表的線條係爲發光強度，而右箭頭（方點虛線） 所代表的線條係爲輝度。其結果顯示Ce3 +在摻雜濃度3莫耳 %時具有最高的發光強度與輝度。 利用U-3010紫外-可見光光譜儀（日本Hitachi公司製造） 以190nm至 lOOOnm的波長掃瞄本發明之一較佳螢光體 Mg3(YQ.97CeQ.Q3)2Ge30丨2 與未摻雜 Ce3 +離子之主體 Mg3Y2Ge3012, 進行反射光譜測試，以觀察螢光體的吸收波段，結果如第5 圖所示。當主體Mg3Y2Ge3〇i2未摻雜Ce3 +時，僅在200nm 〜300nm出現吸收波段，此波段係爲其主體之吸收波段，當 摻雜入Ce3 +離子後，可觀察到在400nm〜500nm的藍光波段 出現一寬帶吸收，從而得知本發明之螢光體能有效地吸收藍 光。 第6圖顯示較佳實施例MgdYo.wCemhGoO^與一般 市售商品 YAG : Ce (日本日亞化學公司之商品）之光致發 光與激發光譜。比較結果發現本發明之螢光體較一般市售之 商品YAG : Ce有更高的激發效率。 第 7 圖顯示 Mg3(Y〇.97Ce〇.()3)2Ge3〇i2 之 CIE 色度座標 200904949 圖，其係於波長4 6 7 n m的光激發下測量，所得到之色度座標 値爲（0.506,0.465)。相較於一般市售之商品YAG : Ce，本發 明之螢光體更爲接近黃光，色飽和度更高。 對其他摻雜不同濃度之Ce3 +離子之螢光體，依上述方 式進行測量，結果示於表1。 貫例 2 M g ^ Γ Y n 〇.vCevLan ι) ? G e ^ Ο 1 ? 除了加入1 〇莫耳％之La2O3之外，製備條件係與實例1 相同。測量結果示於表1。 弟 8 圖顯 75 Mg3(YG.9-xCexLa〇.i)2Ge3〇i2 營光體之 X 光 繞射圖譜。由該X光繞射圖譜中發現其並無雜相，亦證實本 發明所合成之螢光體係爲純物質。 第9圖顯示MgdYu-xCexLao.^GqOu螢光體之螢光 發射光譜與激發光譜。 第10圖顯不Mg3(Y〇.9-xCexLa〇.i)2Ge3〇i2螢光體在不同 Ce3 +的摻雜濃度下之發光強度。 貫例 3 MgdYo Q.yCeYGdn 除了加入10莫耳％之Gd203之外，製備條件係與實例1 相同。測量結果示於表1。 第 1 1 圖顯不 M g 3 (Y Q. 9 _ x c e x G d 〇. 1) 2 G e 3 〇 12 營光體之 X 光 繞射圖譜。由該X光繞射圖譜中發現其並無雜相，亦證實本 發明所合成之螢光體係爲純物質。 第12圖顯示MgWYnxCexGdnhGesOu螢光體之螢光 發射光譜與激發光譜。 貫便1——_( M g 1 - X Zjl 3l)L3_1_Y.〇 QoCcn ni)Gc^Oi? 200904949 依（Mgi.xZnx)3(Y〇.99Ce〇.()i)Ge3〇i2 之化學組成’ §十量坪 取 MgO、ZnO、Y203、Ge02 以及 Ce02，其中 x 爲 〇.〇1、〇·〇3 以及ο _ ο 5。除此之外與與實例1相同之條件進行製備。結果 示於表1。 % 13 圖顯不（Mgi.xZnx)3(Y〇.99Ce().()i)Ge3〇i2 爱;7t 體之 X 光繞射圖譜。由該X光繞射圖譜中發現其並無雜相’亦證實 本發明所合成之螢光體係爲純物質。 第 14 圖顯不（Mgi-xZnx)3(YG.99Ce〇.()i)Ge3〇i2 營先體之 螢光發射光譜與激發光譜。 第 15 圖顯示（MgbxZnxMYo.MCeo.oOGesOu 螢光體在 不同Zn2 +的摻雜濃度下之發光強度。 表1
No. 螢光體 X 激發波長 (nm) 放射波長 (nm) CIE座標 (x,y) 相對輝度 (cd/m2) 實例1 Mg3(Yi-xCex)2Ge3〇i2 0.005 467 560 (0.497,0.465) 26.9 0.01 467 561 (0.498,0.465) 34.8 0.03 467 559 (0.506,0.465) 43.9 0.05 467 560 (0.508,0.465) 40.8 0.1 467 561 (0.509,0.465) 34 實例2 Mg3(Y〇.9-xCexLa〇.i)2Ge3〇i2 0.005 467 564 (0.513,0.458) 32.8 0.01 467 564 (0.516,0.458) 35.5 0.03 467 565 (0.521,0.458) 42 0.05 467 568 (0.523,0.458) 39.3 0.1 467 569 (0.530,0.446) 28.2 實例3 Mg3(Y〇.9-xCexGd〇.i)2Ge3〇i2 0.005 467 562 (0.502,0.458) 25.9 0.01 467 563 (0.502,0.458) 29.2 0.03 467 568 (0.510,0.463) 34.9 0.05 467 568 (0.514,0.462) 39.4 0.1 467 569 (0.517,0.458) 33.2 實例4 (Mgi-xZnx)3(Y〇.99Ce〇.〇i)Ge3〇i2 0.01 467 558 (0.495,0.468) 43 0.03 467 555 (0.495,0.467) 42.7 0.05 467 555 (0.499,0.465) 41.6 200904949 如第16、17圖所示’本發明之摻雜Ce3 +離子之新穎螢 光體’具有高發光強度以及輝度。較佳爲Ce3 +離子濃度係在 0_5〜1 0莫耳％、更佳爲丨〜1 〇莫耳％、最佳爲3〜$莫耳％ 此外，本發明之螢光體，其可用於發光二極體，特別是 白光發光二極體。爲了達到較佳的光色效果，其可爲單獨使 用’或者爲了其他顯色目的而與其他紅光螢光體或藍光螢光 體搭配使用。 本發明較佳實施例之一爲發光裝置，係包括發光元件， 其可爲一半導體光源，也就是發光二極體晶片，以及連接於 該發光二極體晶片上之電性導引線。該電性導引線可由薄片 狀電板予以支持，其係用以提供電流給予發光二極體而使之 發出輻射線。該發光裝置可包含任何一種半導體藍光光源， 其所產生的輻射線係直接照射在混合有本發明之螢光體組 成物上而產生白光。 在本發明之一較佳實施例中，發光二極體可摻雜各種雜 質。該發光二極體可包含各種適合的III-V、II-VI或IV-IV 半導體層，其發射之輻射波長較佳爲250〜5 00nm。該發光 二極體包括至少由GaN、ZnSe或SiC所構成之半導體層。 例如：由通式 IiMGajAlkN(其中 OS i ; OS j ; OS k 而 i+j+k=l ) 氮化物所組成之發光二極體，其所激發的波長範圍介於2 5 0 nm〜5 0 0 nm。這種發光二極體半導體係習知之技術，而本發 明係可以利用這樣的發光二極體作爲激發光源。然而本發明 所能使用的激發光源不僅限定於上述發光二極體，所有半導 體所能發射的光源均可以使用，包括半導體雷射光源。 200904949 一般而言，所述之發光二極體係指無機發另 所屬技術領域中具有通常知識應可以輕易的瞭 光二極體晶片係可由有機發光二極體或者其他 取代，且將混有本發明之螢光體係塗佈於該發夕 並利用發光二極體光源作爲激發光源，而產生 此，從上述較佳實施例中可以得知：本發明之螢 一般市售商品 YAG: Ce，其可產生的發光輝度 相當優良之黃光。 (: 習於此技術領域者將能輕易地瞭解其他的 方式。因此，本發明在廣義上來看並非侷限於本 的特定細節與示範性的實施例。因此，可以有各 更方式而不會偏離在申請專利範圍和其等同意 一般發明槪念之精神和範疇。 【圖式簡單說明】 第1圖 本發明實例1之X光繞射圖譜。 第2圖 本發明較佳實施例於不同合成溫虔 X光繞射圖譜之比較。 第3圖 本發明實例1之螢光體在不同Ce3 之螢光發射光譜與激發光譜圖。 第4圖 本發明較佳實施例之螢光體在不同 度下之發光強度與輝度的關係圖。 第5圖 本發明較佳實施例之反射光譜圖 第6圖 本發明較佳實施例與市售商品之i 與激發光譜之比較圖。 ;二極體，但 解前述之發 輻射來源所 i二極體上， 出白光。因 光體相較於 與色飽和度 優點及變更 文中所描述 種不同的變 義所定義之 :所得樣品之 +摻雜濃度下 丨Ce3 +摻雜濃 光發射光譜 200904949 第7圖本發明較佳實施例之CIE色度座標圖。 第8圖 本發明實例2之X光繞射圖譜。 第9圖本發明實例2之螢光體在不同Ce3 +摻雜濃度下 之螢光發射光譜與激發光譜圖。 第1〇圖 本發明實例2在不同Ce3 +摻雜濃度下之發光 強度關係圖。 第1 1圖 本發明實例3之X光繞射圖譜。 第12圖 本發明實例3之螢光體在不同Ce3 +摻雜濃度 C 下之螢光發射光譜與激發光譜圖。 第13圖 本發明實例4之X光繞射圖譜。 第14圖 本發明實例4之螢光體在不同Zn2 +摻雜濃度 下之螢光發射光譜與激發光譜圖。 第15圖 本發明實例4在不同Zn2 +摻雜濃度下之發光 強度關係圖。 第16圖 本發明實例1〜3在不同Ce3 +摻雜濃度下之發 光強度關係圖。 ί · 第17圖 本發明實例1〜3在不同Ce3 +摻雜濃度下之輝 度關係圖。

Claims (1)

  1. 200904949 十、申請專利範圍： 1- 一種螢光體，係爲慘雜三價铈離子鍺酸鹽類所構成，爲 下列一般式所示： Am(Bi_xCex)nGeyOz 其中A爲選自於Mg、Zn之至少一元素；b爲選自於La、 Y、Gd所組成之群組中至少一元素：m、 n、y、z分別爲 大於o之數値，且符合2m + 3n + 4y = 2z之外暂—. 口丨昇式，以及X 之範圍爲〇<χ<1 。
    2.如申請專利範圍第1項之螢光體，其中χ之@ g M 0.005 S x g 0. 1。 3 ·如申請專利範圍第2項之螢光體，其中χ zmm ^ 0.0 1 S X S 0_ 1。 之範圍爲 4.如申請專利範圍第3項之螢光體，其中 0_03 Sx $ 0_05。 5 ·如申請專利範圍第1項之螢光體，其係由下列—般式 Mg3(Yi-xCex)2Ge3〇i2所表不，其中 χ 之範圍爲 0.000 1 ^ χ ^ 0.8 6.如申請專利範圍第5項之螢光體，其中χ之範圍爲 0.005 S χ $ 0.1。 7.如申請專利範圍第6項之螢光體，其中χ = 〇.〇3。 8 ·如申請專利範圍第1項之螢光體，其可藉由發光元件所 發射之一次輻射激發，而產生二次輻射。 9.如申請專利範圍第8項之螢光體，其中該一次輻射的波 長係在450nm〜500nm之範圍，而該二次輻射之波長較該 200904949 一次輻射的波長更長。 1 〇 .如申請專利範圍第9項之螢光體，其中該一次輻射 長範圍係在460nm〜480nm，而該二次輻射之波長範 500nm〜700nm，CIE 色度座標値（χ,γ) 之範 0.40 ^ 0.60 - 0.40 S 0.60。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之螢光體，其中該一次輻射 長範圍係在 460nm〜470nm，而該二次輻射之波 550nm〜570nm，CIE 色度座標値之範 0.45 S X $ 5 5，0.45 S 0.55。 1 2. —種製造如申請專利範圍第1至1 1項中任一項之螢 的方法，係包括下列步驟： 依化學計量秤取材料（A)至少一種選自MgO或Zn0 化物、（B)至少一種選自Y203或La203、Gd203之氧伯 (C) Ce02、以及（D)Ge02 ; 將所秤取之材料予以硏磨並均勻混合； 將如此所獲得的混合物置入氧化鋁舟型坩堝中，於 〜1 400°C進行固態合成。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該固態合成時 4〜1 0小時。 14. 一種發光裝置，係包含發光元件及螢光體，其中該 元件可發射波長範圍在450nm〜48 0nm之一次輻射， 光體爲如申請專利範圍第1至8項任一項之螢光體 該螢光體可吸收部份該一次輻射而發出與一次輻射 長相異之二次輻射。 的波 圍爲 圍爲 的波 長爲 圍爲 光體 之氧 :物、 1200 間爲 發光 該螢 ，且 之波 -19- 200904949 15. 如申請專利範圍第14項之發光裝置’其中該二次輻射之 波長較該一次輻射之波長更長。 16. 如申請專利範圍第14項之發光裝置’其中該發光元件可 爲半導體光源、發光二極體、雷射二極體或有機發光裝 置。 I7·如申請專利範圍第14項之發光裝置，其中該螢光體係塗 布於該發光元件之表面或上方。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項之發光裝置，其將該螢光體予以 封裝於該發光元件之表面或上方。 -20 -
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