TW200903657A - Semiconductor device manufacturing method and display device - Google Patents
Semiconductor device manufacturing method and display device Download PDFInfo
- Publication number
- TW200903657A TW200903657A TW097109677A TW97109677A TW200903657A TW 200903657 A TW200903657 A TW 200903657A TW 097109677 A TW097109677 A TW 097109677A TW 97109677 A TW97109677 A TW 97109677A TW 200903657 A TW200903657 A TW 200903657A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- irradiation
- irradiated
- illuminating
- region
- formation region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 76
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 76
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMYIIHDQURVDRB-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethenylbenzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C(=C)C1=CC=CC=C1 ZMYIIHDQURVDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
- H01L27/1285—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor using control of the annealing or irradiation parameters, e.g. using different scanning direction or intensity for different transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
- Y10S117/904—Laser beam
Description
200903657 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於例如適合於使用在液晶顯示裝置、有機電 致發光顯示裝置之薄膜電晶體（Thin Film Transistor ;以下 簡稱「TFT」）基板之製造之半導體裝置之製造方法及包含 - 該方法所製造之半導體膜之顯示裝置。 【先前技術】
欲構成如所謂系統液晶之高附加價值之主動矩陣型液晶 顯不裝置及使用有機電致發光元件（以下稱「有機El元 件」）之有機電致發光顯示裝置（以下稱「有機EL顯示裝 置」）等之情形’一般使用利用結晶性矽之TFT基板。此 TFT基板一般係在基板上形成非晶質或粒徑較小之多結晶 之半導體膜’在該半導體膜照射雷射射束而施行退火處理 後，形成作為驅動元件之TFT。 一作為田射退火裝置之光源，有使用低成本而穩定性高之 一 田射之匱形（例如參照專利文獻1)。但，使用半導體 雷射之情形，射走 ^ 对束點之大小非常小，故導致每單位面積之 ^ 了間、加，生產性之降低及製造成本之增大等。因 配署t成退火處理之高生產率化，有人提議互相接近地 s己罝複數雷射，脸、e & 將複數雷射射束同時照射於非晶質半導體 專:數π刀’以縮短掃描時間而提高生產性（例如參照 寻利文獻2)。 圖14係表示將複數 3 10之圖案之一例。可 ’例如三條雷射射束LB照射於基板 在基板3 1 〇例如形成半導體膜320， 128077.doc 200903657 並設定三個照射區域311A、31 IB、3 11C，將各雷射射束 LB分別分配至此等三個照射區域311a〜311C中之一個，在 對應之照射區域311A〜311C中，一面連續施行線狀掃描， 一面照射。 [專利文獻1]曰本特開2003-332235號公報 [專利文獻2]曰本特開2004-153 150號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 但，使用複數雷射射束之情形，由於照射光學系統之調 整誤差等’例如如圖15(A)所示，在照射光學系統間，雷 射之輸出被認為有可能發生誤差。在照射光學系統間之雷 射之輸出之誤差會導致退火處理後之半導體膜之各照射區 域3 11A、3 11B、3 11 C之結晶粒徑之不同，成為使在各照 射區域311A〜311C所製作之TFT特性發生差異之要因。故 在利用此種TFT基板構成之顯示裝置中，例如如圖15(B)所 不，在各照射區域3ua〜3UC之亮度會發生差異，其境界 線Μ有呈現顯示不均而被辨識之虞。又，有在各照射區域 間之射束形狀之誤差之情形，各照射區域間之接晶粒徑也 會相異，而有辨識到與上述同樣之顯示不均之虞。此等照 射區域間之誤差多半難以完全除去。 本發明係鑑於此問題點而發明者，其目的在於提供在使 用複數之照射光學系統以提高生產性之情形，也可抑制在 各照射光學系狀雷射#束之強度誤差之影響之半導體裝 置之製造彳法及利用㈣以法製造之半導體裝置所構 128077.doc 200903657 成，而可抑制顯示不均，提高顯示品質之顯示裝置。 [解決問題之技術手段] 本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於：對二維圖 案配置有3 /專膜電晶體形成區域之元件形成區域之半導體 膜，施行利用複數照射光學系統照射能量射束之退火步 驟，且在前述退火步驟中，將前述能量射束之照射區域區 分成由前述複數照射光學系統分別單獨照射能量射束之單 -射束照《域與由位於相鄰之單—射束照射區域之間並 施行對該單—射束照射區域照射射束之二個照射光學系統 雙方照射能量射炭之护R序A 、 果之兄界區域，將前述境界區域區分為由 前述二個照射光學系# 、 町尤予糸統之一方照射射束部分之第一照射部 ”由刖述一個妝射光學系統之他方照射射束部分之第二昭 射部，以包含被前述第一照射部照射射束之薄膜電晶體： 成區域、與被前述第：照射部照㈣束之薄膜電晶體形成 區域在前述境界區域上 取 巧上之一維方向分別混在一起之處之方 式，配置前述第一照射邱、
L 曰俨A·, A Ρ Α 〇⑦述第二照射部及前述薄膜電 日曰體形成£域。
又本如明之顯示裝置之特徵在y 1 / A 丰墓_眩，*〜 ㈣在於.包含在基板上形成 :、、W〜半導體膜形成薄膜電晶體而成之驅動用 ::成於該驅動用基板上之顯示元件，在前述 基板之前述半導辦晦_™ 、—維圖案配置有含前述薄膜電晶體形 成區域之前述顯示元丰 ,,.. 件形成&域，且前述半導體膜係經由 使用複數照射光學系祕职^ ^ 田 '、、先A射犯量射束之退火步驟所形成， 在刖述退火步驟中，將 人 將剛述敗*量射束之照射區域區分成由 128077.doc 200903657 月:j述複數照射光學系統分別單獨照射能量射束之單一射束 照射區域與由位於相鄰之單一射束照射區域之間並施行對 該單一射束照射區域照射射束之二個照射光學系統雙方照 射能罝射束之境界區域，將前述境界區域區分為由前述二 個照射光學系統之一方照射射束部分之第一照射部與由前 述二個照射光學系統之他方照射射束部分之第二照射部， 以包含被前述第一照射部照射射束之薄膜電晶體形成區域 與被則述第二照射部照射射束之薄膜電晶體形成區域在前 述境界區域上之二維方向分別混在一起之處之方式，配置 w述第一照射部、前述第二照射部及前述薄膜電晶體形成 區域，施行利用前述複數照射光學系統之射束照射而形成 如述半導體膜。 依據上述順序之半導體裝置之製造方法及上述構成之顯 不裝置，在境界區域，可藉施行對其兩鄰之單一射束照射 區域照射射束之各照射光學系統照射能量射束。而且，以 包含被各照射光學系統之一方照射射束之薄膜電晶體形成 區域與被他方照射射束之薄膜電晶體形成區域在二維方向 为別混在一起之處之方式，施行由各照射光學系統照射射 束。因此，即使在各照射光學系統之間有能量射束之強度 誤差之情形，在單一射束照射區域間產生之結晶粒徑差引 起之顯示亮度差不是於單一境界線上，而是描繪如於各二 維方向分別混在一起之二維圖案（例如方格花紋圖案或層 次狀圖案）而分佈，起因於能量強度差異之境界變得難以 辨識。 ’ 128077.doc 200903657 [發明之效果] 依據本發明，在使用複數之照射光學系統施行對半導體 臈之退火處理，以提高半導體裝置之生產性之情形，也可 抑制在各照射光學系統間之能量射束之強度誤差之不良影 響。因此，例如在經該退火處理而得之半導體膜形成tft 而構成顯示裝置時，可抑制起因於亮度差之顯示不均之產 生，而實現高的顯示品質。此尤其在適用於容易因TFT之 特性差而使發光性能受影響之有機電致發光顯示裝置之情 形非常有效。 【實施方式】 以下，依據圖式說明有關本發明之半導體裝置之製造方 法及顯示裝置。 [顯示裝置之概略構成] 首先，先列舉有機EL顯示裝置為例說明有關顯示裝置之 概略構成。 圖1係表示有機EL顯示裝置之概略構成例之說明圖。 圖例之顯示裝置例如係使用作為藉TFT驅動之主動矩陣 或被動矩陣型之極薄型有機EI^S示裝置，對向配置有驅動 面板210與封裝面板22〇，中間介著熱硬化型樹脂或紫外線 硬化型樹脂組成之接著層230而將此等貼合所構成。 驅動面板2 1 〇係在驅動用基板2 4 〇上’分別呈矩陣狀二維 圖案配置著產生紅色之光之有機EL元件250R、產生綠色 之光之有機EL元件250G、及產生藍色之光之有機E]L元件 250B所構成。 128077.doc 200903657 驅動用基板240係在基板1 〇上形成半導體膜20所構成， 更在半導體膜20上形成TFT241所構成。即，係用來執行作 為所謂TFT基板之功能。 TFT241係對應於各有機EL元件250R、250G、250B之主 動元件。TFT241之閘極電極（未圖示）連結於未圖示之掃描 電路，源極及沒極（均未圖示）連結於例如介著氧化石夕、氮 化矽、PSG(Phospho Silicate Glass :磷矽酸鹽玻璃），等組 成之層間絕緣膜而設置之作為信號線之布線（均未圖示）。 又，TFT24 1之構成並無特別限定，例如既可維底閘極型， 也可為頂閘極型。 形成於驅動用基板240上之有機EL元件250R、250G、 250B係由驅動用基板240側，中間介著覆蓋層26〇而依序積 層有作為陽極之第1電極251、含發光層之有機層252、及 作為陰極之第2電極253所構成。又，為了阻斷大氣，有機 EL元件250R、250G、250B必要時可利用氧化矽、氮化 矽、樹脂等組成之保護膜270加以覆蓋。 覆蓋層260例如厚度為0.2 μηι〜50 μηι程度，由聚酿亞 胺、聚醯胺、丙烯酸、BCB(苯并環丁烯）、聚醯亞胺醯胺 等之有機感光性材料所構成。 苐1電極25 1兼具有作為反射層之功能，例如由翻、 金（Au)、鉻（Cr)、銀（Ag)、鋁（A1)、鎢（W)等金屬或合金所 構成。又’第1電極251係介著設於覆蓋層260之接觸孔（未 圖示）而連接於TFT241。 有機層2 52之構成因、有機EL元件之發光色而異。有機 128077.doc -10- 200903657 EL元件2观、250G、具有由第1電極25i側依序 電洞輸送層、發光層及電子輸送層之構造，有機發光元件 250G具彳由第！電極251側依序積層電洞輸送層及發光^之 構造。電洞輸送層係用來提高對發光層之電洞注入效率 發光層係藉電子之注入而產生光，電子輸送層係用來提高 對發光層之電子注入效率。在有機£1元件25〇R方面，作 為電洞輸送層之構成材料，例如可列舉雙[(N_萘基苯 基]聯苯胺（a-NPD)，作為發光層之構成材#，^如土可列^ 2,5-雙[4-[N-(4-甲氧苯基）_N_苯基氨]]苯乙稀基苯^，心二猜 (BSB)作為電子輸送層之構成材料，例如可列舉8 —經基 喹啉鋁配位化合物（A1q3)a又，在有機EL元件25〇B方面， 作為電洞輸送層之構成材料，例如可列舉a_NpD，作為發 光層之構成材料，例如可列舉4,4_雙（2,2_二苯基乙烯）二笨 基（DPVBi)，作為電子輸送層之構成材料，例如可列舉 Alq3又在有機EL元件250G方面，作為電洞輸送層之 構成材料，例如可列舉a-NPD，作為發光層之構成材料， 例如可列舉在A1q3中混合i體積％之香豆素6(c6 ; Coumarin6)。 第2電極253係由半穿透性電極所構成，發光層所產生之 光可由第2電極253側被取出。第2電極253例如係由Ag、 A1、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鈉（Na)等金屬或合金所構成。 夾著接著層230而與此種構成之驅動面板2丨〇相對向之封 裝面板220係位於驅動面板21〇之有機el元件250R、 250G、250B側，可與接著層23〇同時封裝有機EL元件 128077.doc 200903657 25OR、250G、25OB。但，封裝面板220係由使有機EL元件 25 0R、250G、250B所產生之光穿透之透明玻璃等透光材 料所構成。又，在封裝面板220，例如設有彩色濾光片（未 圖示），可取出有機EL元件250R、250G、250B所產生之 光，並吸收在有機EL元件250R、250G、250B及其間之布 線所反射之外光，以改善對比度。 在如以上之構成之有機EL顯示裝置中，特定電壓被施加 至第1電極25 1與第2電極253之間時，電流會被注入有機層 r 252之發光層，藉電洞與電子之再耦合而引起發光。此光 k 可穿透第2電極253、保護膜270及封裝面板220被取出。 也就是說，在有機EL顯示裝置中，將由呈矩陣狀被二維 圖案配置之有機EL元件250R、250G、250B所產生之光取 出至外部時，可使各有機EL元件250R、250G、250B執行 作為一個晝素之功能，藉此，可施行圖像之顯示輸出。 [顯示裝置之各晝素區域]
而，在有機EL顯示裝置中，如上所述，為了施行圖像之 〇 顯示輸出，將對應於紅（R)、綠（G)、藍（B)各色之有機EL 元件250R、250G、250B二維圖案配置成矩陣狀，更設有 . TFT241作為各有機EL元件250R、250G、250B之主動元 件。因此，在驅動用基板240上，也以對應於各有機EL元 件25 0R、25 0G、250B之配置方式，將TFT241二維圖案配 置成矩陣狀。也就是說，將一個TFT24 1配置於配設有各色 之有機EL元件25 0R、25 0G、25 0B中之一之一個晝素區域 (=元件形成區域）附近。 128077.doc •12- 200903657 圖2係表示元件形成區域之一具體例之平面圖。 如圖例所示，在驅動用基板240上，更詳言之，在形成 於基板10之半導體膜20上，在相當於一個畫素區域之元件 形成區域400内’存在有TFT形成區域4〇1。TFT形成區域 401係形成TFT241之區域。
C
但，在一個元件形成區域4〇〇内，除了TFT形成區域4〇1 以外，也存在著電容形成區域4〇2。電容形成區域4〇2係形 成驅動有機EL元件250R、250G、250B所需之電容（但未圖 不）等之電路構成零件之區域。χ，有關以形成於此電容 形成區域402之電容為首之電路構成零件，只要利用習知 之技術構成即可，故在此省略其詳細說明。 [顯示裝置之製造順序] 其次，說明如以上之構成之有機EL顯示裝置之製造順 序。有機EL顯示裝置例如可考慮利用以下所述之步驟製 造0 首先，利用成膜於基板10上之半導體臈2〇形成 TFT24!，並形成電性連接於該汀丁241之布線等，藉以構 成驅動用基板240。 、著合’!如利用自旋式塗佈法，例如藉施行上述材料之 塗佈：曝光、顯影，以形成上述厚度之覆蓋層26〇。 、接者’在覆盍層26G上’例如藉讀法成膜上述材料構 成之第1電極251，例如利用微影技術選擇地餘刻，將其圖 2成特定形狀。其後，利㈣Μ法逐次歧上述材料 構成之有機層252及第2電極⑸，形成有機EL元件250r、 128077.doc 200903657 250G、250B。藉此，構成驅動面板21〇。 其後，以上述材料構成之保護臈27〇覆蓋有機EL元件 250R、250G、250Β，再於保護膜27〇上形成接著層23()。 而，準備依需要設有彩色濾光片之封裝面板22〇,中間介 著接著層230而貼合驅動面板21〇與封裝面板22〇。 藉以上之步驟，完成圖1所示之有機EL·顯示裝置。 [半導體裝置之製造方法] 在此，在有機EL顯示裝置之製造順序中，更詳細地說明 有關驅動用基板240之製造順序。以下說明之驅動用基板 2 4 0之製造順序相當於本發明之半導體裝置之製造方法之 一具體例。 圖3係表示本發明之半導體裝置之製造方法之—具體例 之驅動用基板製造順序之概略的流程之流程圖。 如圖例所示，驅動用基板240之製造順序係包含在基板 10成膜半導體膜20之成膜步驟（步驟101，以下將步驟簡稱 為「S」）、與對半導體膜2〇例如照射雷射射束而改性該半 導體膜20之退火步驟（S 102)。 圖4係說明成膜步驟用之平面圖。 如圖例所示，在成膜步驟中，在玻璃等絕緣材料構成之 矩：狀(例如長方形狀)之基板1〇上，形成厚度5〇⑽而由 非晶質或粒徑較小之多結晶之邦〇構成之半導體膜 半導體膜20之平面形狀並無特別限定，例如在顯示裝置用 =驅動用基板240之情形，含有形成於基板1〇之中央部之 晝素部形成預定區域2〇A、與以帶狀形成在其周圍之.驅動 128077.doc 14 200903657 電路、靜電破壞保護電路、引出布線及引出墊部形成預定 區域20B。 而，在基板10形成半導體膜20後，在退火步驟中，將雷 射射束LB照射於該半導體膜20，使該半導體臈2〇結晶化。 圖5係表示使用於退火步驟之雷射退火裝置之一例之說 明圖。圖例之雷射退火裝置具有複數個，例如三個照射光 學系統11 0A、11 OB、110C ’可將來自此等照射光學系統 110A〜110C之雷射射束LB同時照射於基板10上之半導體膜 2〇之相異之三處。照射光學系統110A〜110C分別例如係由 產生雷射射束LB之雷射產生源m、及向基板1〇改變來自 此雷射產生源111之雷射射束LB之行進方向之反射鏡112所 構成。 圖6係表示圖5之雷射退火裝置之雷射射束之掃描圖案之 一例之平面圖。如圖例所示，來自此照射光學系統 110A〜110C之雷射射束LB係以退火寬度（雷射射束LB之光 點最大徑）d、間距p之多數密接之平行線圖案p，通常一面 向平行於基板10之長邊之方向掃描，一面被照射。又，平 行線圖案P之間距P最好與畫素間距一致，且退火寬度d為 p/2以下。 圖7係表示圖5之雷射退火裝置之雷射射束之照射區域之 一例之平面圖。如圖例所示，在退火步驟中，以對平行線 圖尔p平行之境界線Μ將基板1 〇分為複數個，例如三個單 一射束照射區域（以下僅稱為「單一區域」）11A、ub、 lie、與此等之中前二者間之境界區域12ΑΒ及後二者間之 128077.doc 15 200903657 境界區域12BC。由照射光學系統110A、照射光學系統 110B及照射光學系統11 〇C分別將雷射射束LB照射至單一 區域11A、單一區域ΠΒ及單一區域lie。又，由照射光學 系統110A、110B將雷射射束LB照射至境界區域12 AB，由 照射光學系統110B、110C將雷射射束LB照射至境界區域 12BC。也就是說，將雷射射束LB之照射區域分為各照射 ' 光學系統110A〜11 oc各單獨地施行射束照射之單一區域 11A、11B、11C、與由二個照射光學系統11()八、li〇B或照 ( 射光學系統110B、11〇C依照雷射射束LB之每1照射線賦予 一定規則而一面使其混合，一面施行射束照射之境界區域 12AB、12BC。 藉此’在此退火步驟中，可藉三個照射光學系統 11 0A〜11 OC之利用，縮短掃描時間而提高生產性。 而且，在各單一區域11A、UB、11C間，配置有被各照 射光學系統110A〜110C中之二個施行射束照射之境界區域 12AB、12BC，故即使各照射光學系統u〇A〜u〇c之雷射 射束LB之強度有誤差，也可緩和該強度誤差引起之結晶粒 徑之差所產生之顯示亮度之差之辨識性。 然而，在構成有機EL顯示裝置之情形下，各晝素區域之 間隔例如也有可能達到〇·3 mm以上。該情形，境界區域 12AB、12BC中，依照雷射射束LB之每夏照射線賦予一定 規則而一面使其混合時，被認為可辨識到線狀之亮度差。 因此，在對境界區域12八3、12BC之雷射射束lB之照射 之際’利用如以下所述之方式施行該照射。 128077.doc 200903657 例如，著眼於境界區域12AB時，在該境界區域12八8， 利用一個照射光學系統110A、110B照射雷射射束，在 其照射之際，將境界區域丨2 AB區分為由一方照射光學系 、’先110 A形成之射束照射部分之第一照射部、與由他方照射 光學系統110B形成之射束照射部分之第二照射部。而，以 包含在境界區域12AB上之二維方向分別並存有被第一照 射部射束照射之半導體膜2〇之TFT形成區域4〇1、與被第二 照射部射束照射之半導體膜2〇2TFT形成區域4〇1之處之方 式 面考慮與TFT形成區域401之關係位置，一面圖案配 置第一照射部及第二照射部。 此情形在境界區域12BC方面，也完全相同。 風/ 在各扰界區域12AB、12BC中，即使在各照射光 予/系、、先110A〜li〇C之間有雷射射束⑶之強度誤差，在結晶 粒k之差引起之顯不亮度之差也並存在於單一境界線上， 而^現料如分別並存於各：維方向之二維圖案（例如方 格化紋圖案或層次狀圖案)而分散存在。因此，使能量強 度之差異引起之境界變得難以辨識，尤其在各畫素區域之 間隔例如達到〇.3 _以上之情形非常有效。 [圖案分配之第一具體例] 在此，列舉夹在單一區域11A 12AB為你卜具體地說明有關第一 圖案配置(圖案分配)之第-具體例 、11B之間之境界區域 照射部及第二照射部之 圖8係表示第— 具體例之說明圖 *’、、射。卩及苐一照射部之圖案分配之第_ 如圖例所示，在境界區域12AB中，在 128077.doc •17- 200903657 向/〇著單一區域11A、11B及境界區域12AB之間之境界線 Μ之方向延伸之單—掃描線内交互混合地配置由照射光學 系、”先1 lOAfe射雷射射束lB之第一照射部ρΑ、與由照射光 予系統11 〇B照射雷射射束LB之第二照射部PB。另外，在 /、肩境界線正交之方向，也在同一線内交互混合地配置第 …射°卩PA與第二照射部PB。也就是說，以包含在二維 方向分別並存之處之方式，使第一照射部PA與第二照射部 PB並存配置成描繪方格花紋之圖案狀。
P 此種圖案配置可藉切換控制照射光學系統1 l〇A、110B 之啟動/關閉加以實現。即，依存於掃描線上之主掃描位 置及副掃描位置而切換第一照射部pA與第二照射部PB2 各射束照射之啟動/關閉時，可在境界區域12八3上使被射 束照射作為第一照射部pA之半導體膜2〇之TFT形成區域 401、與被射束照射作為第二照射部pB之半導體膜2〇之 TFT形成區域401並存成方格花紋圖案狀。又，射束照射之 啟動/關閉切換控制只要利用習知技術執行即可，故在此 0 省略其說明。 又，上述圖案配置也可藉對由照射光學系統U0A、 110B之各雷射射束LB之遮蔽/非遮蔽之切換控制加以實 現。即，例如在照射光學系統11 〇A、11 〇B與被射束照射 之半導體膜2 0之間配置遮罩’並切換利用該遮罩對由照射 光學系統110A、110B之雷射射束LB之遮蔽或使其穿透 時’可在境界區域12 AB上使被射束照射作為第一照射部 PA之半導體膜20之TFT形成區域401、與被射束照射作為 128077.doc 200903657 第二照射部PB之半導體膜2〇之TFT形成區域401並存成方 格花紋圖案狀。又，射束照射之遮蔽/非遮蔽之切換控制 除了利用該遮罩之情形以外，也可利用習知之光閘機構加 以實現。又，另外也有利用反射及折射而使能量不照射至 對象物之方法。射束照射之遮蔽/非遮蔽之切換控制並非 特別限定於該方法。 圖9係表示依據圖8之圖案分配之雷射射束之能量強度之 例之說明圖。 使第一照射部PA與第二照射部PB並存成方格花紋圖案 狀之情形，如圖例所示，照射於境界區域12ab之雷射射 束LB之平均強度近似於各單一區域nA、UB之強度之中 間程度。此事意味著單一區域丨丨入、11B之雷射射束lb之 強度差可被境界區域12AB緩和成一半程度。也就是說， 透過i兄界區域12 AB對單一區域ha、11B之間之強度差之 緩和，可使單一區域HA、11B與境界區域12AB之各其間 之梃界變得難以辨識。因此，若在經上述圖案分配所得之 半導體膜20形成TFT241，並構成驅動用基板24〇，則可製 逆可抑制冗度差引起之顯示不均而實現高的顯示品質之有 機EL顯示裝置。 又，境界區域12AB之寬度D12可考慮依照單一區域 UA、11B之寬度Dn及雷射射束LB之強度差…加以設定。 具體上，顯示強度差愈大時，也愈能大幅確保境界區域 12AB之寬度D12之情形。 又，在半導體膜20之畫素部形成預定區域2〇A内形成境 128077.doc 1Λ 200903657 界區域12AB、12BC之情形’具有各畫素依r、g、b之各 色順序排列之一定重複構造時，可考慮將此重複構造作為 一個單位加以處理’在談單位内不施行圖案分配。此係由 於在通常之顯示元件中’利用R、G、B之3色組成之子晝 素構成1個畫素（Pixel) ’需依據來自此3子畫素之亮度規定 色度之故。更詳言之，此係由於：假設在相同畫素内，使 用在R強度較強之雷射射束，在(3及B強度較弱之雷射射束 時，在欲顯示白色之情形，會顯示出帶紅之白色，但在相 门旦素内’使用相同強度之雷射射束時，即使亮度與鄰接 畫素有變化，色度也不會變化之故。 [圖案分配之第二具體例] 其次，說明有關第一照射部及第二照射部之圖案配置 (圖案分配）之第二具體例。在此，也列舉境界區域12ab為 例，而施行具體之說明。 在境界區域12AB之第-照射部PA與第二照射部pB之圖 案分配也可如上述第 單一區域11A、11B』 一具體例般採用一樣之配置，但為使
射部PB之分佈密度。 案分配也可如上izli篦一且越办,丨奴__ _
12AB中，由一方側之單一區 此伃地配置成在境界區域 區域11A向他方側之單一區域 128077.doc •20· 200903657 ㈣Hi # PA與第二照射部pB之各分佈密度徐徐 砰δ之，呈現使第一照射部PA或第二照射部PB 方之刀佈松、度徐徐變高，且使他方之分佈密度徐徐 -之所吻層次狀。藉此，可以包含在境界區域ΐ2Αβ之 ，維方向並存有第一照射部ΡΑ與第二照射部ρΒ之處之 方式，將第一照射部ρΑ與第二照射部ρΒ之圖案分配。 ^ /、要包含並存之處即可，例如如圖丨〇(b)所示，有第一 照射部PA與第二照射部PB未並存之線（僅由第一照射部pA 或第二照射部PB中之一方構成之線)存在也無妨。 此種圖案配置也與上述第一具體例知情形同樣地，可藉 切換控制照射光學系統i丨〇A、i i 〇B之啟動/關閉，或對由 照射光學系統110A、110B之各雷射射束LB之遮蔽/非遮蔽 之切換控制加以實現。 圖11係表示依據圖10之圖案分配之雷射射束之能量強度 之例之說明圖。 使第一照射部PA或第二照射部PB並存成層次狀之情 形，如圖例所示，可藉連結各單一區域^八、11β之強度 之曲線近似地顯示照射於境界區域12 AB之照射雷射射束 LB之強度。此事意味著單一區域丨丨八、UB之雷射射束lb 之強度會在境界區域12 AB中徐徐演變而維持各其連續 性。也就是說，在藉境界區域12Ab —直維持單一區域 11A、11B之間之強度之狀態下，二維地緩和其強度差， 其結果使彳于單一區域11A、11B與境界區域12 ab之各其間 之境界變得難以辨識。因此，若在經上述層次狀之圖案分 128077.doc -21 - 200903657 配所得之半導體膜20形成TFT241，並構成驅動用基板 240，則可製造比方格花紋圖案狀之情形更能抑制亮度差 引起之顯示不均而實現更高的顯示品質之有機心：裝 置。 一又’層次狀之圖案分配只要屬於在人體工學上難以辨識 亮度差引起之顯示不均之態樣，並無特別限定。 又’在施行層次狀之圖案分配之情形，有關對應於強度 差ΔΙ之境界區域12AB之寬度D12之設定、及r、〇、b之各 色重複構造作為-個單位加以處理等，與上述第一具體例 之情形完全相同。 [圖案分配之第三具體例] 其次，說明第一照射部及第二照射部之圖案配置(圖案 分配）之第三具體例。在此，也列舉境界區域CAB為例， 而施行具體之說明。 在上述圖案分配之第—具體例及第二具體例中，由於使 第一照射部PA與第二照射部PB描繪成如分別並存於各二 維方向之二維圖案而分散存在，故有必要實現可在極短時 間可施行光學的或電氣的照射光學系統uga〜iigc之啟動/ 關閉之切換控制，或在照射光學系統110A〜110C與照射對 象之半導體媒20之間設置遮罩等光遮蔽物之構成。也就是 說’被4為有可能導致雷射射束⑶之照射裝置知機構或其 附設之機構之複雜化。 因此，在第三具體例令，藉由變更元件形成區域400中 之TFT形成區域4〇1之配置，即可不需要雷射射束⑶之啟 128077.doc -22· 200903657 /摄哥 ^ a 才之切換控制或遮蔽/非遮蔽之切換控制等，而實現 第照射部PA與第二照射部pb之圖案分配。 圖12係表不第—照射部及第二照射部之圖案分配之第三 具體例之說明圖。施行圖例之圖案分配之情形，不施行如 上述第~具體例或第二具體例之啟動/關閉之切換控制或 遮蔽/非遮蔽之切換控制等。但，由鄰接於境界區域12AB 一 早—區域11A、11B所使用之二個照射光學系統 11〇A 11 〇B並行地施行射束照射。詳言之，將元件形成 區域400分割成單一區域丨丨A側與單一區域11 b側，以一方 側（例如單一區域丨1B側）為施行對單一區域11A之射束照射 之照射光學系統110A之射束照射區域404，並以他方側（例 如單一區域11A側）為施行對單一區域11B之射束照射之照 射光學系統110B之射束照射區域4〇5，可分別並行地施行 射束LB照射，將線狀之射束照射區域4〇4、4〇5並排配置。 在由各照射光學系統110A、11〇B並行地施行射束照射 之兀*件形成區域400，存在有TFT形成區域4〇1與電容形成 區域402。此等之中，TFT形成區域4〇1需要利用雷射射束 LB之照射施行半導體膜2〇之改性，但在電容形成區域 402，並不特別需要利用雷射射束LB之照射施行半導體膜 20之改性。也就是說，利用雷射射束LB之照射之退火處理 至少只要對το件形成區域4〇〇内之中之TFT形成區域4〇1施 行即可。 因此，並行地施行由照射光學系統11〇八之射束照射與由 照射光學系統110B之射束照射之情形，變更元件形成區域 128077.doc -23 - 200903657 即可施行對該TFT形 ’就某元件形成區域 區域11B側方式，配 400中之TFT形成區域401之配置時， 成區域401之選擇的射束照射。例如 400 ’以使TFT形成區域4〇1位於單一 置該TFT形成區域401及電容形成區域4〇2，由照射光學系 統110A對該TFT形成區域401施行射束照射。藉此，該 束照射部分之 形成區域401便屬於照射光學系統u〇A之射 第一照射部PA。又 就有別於此之元件形成區域4〇〇，以 使TFT形成區域401位於單一區域UA侧方式，配置該tft 形成區域4〇1及電容形成區域4〇2,由照射光學系統丨^^對 該TFT形成區域401施行射束照射。藉此，該TFT形成區域 401便屬於照射光學系統丨丨〇B之射束照射部分之第二照射 部PB ^也就是說，在各元件形成區域4〇〇中使在該元件 形成區域400内之TFT形成區域401之位置相異時，即可將 境界區域12AB分成第一照射部pa與第二照射部pB。 此時，具有各晝素依R、G、B之各色順序排列之一定重 複構造時，一面將該重複構造作為一個單位加以處理，一
面使其具有一定之規則而施行TFT形成區域401之配置之變 更。作為一定之規則，可列舉如第一具體例所說明之方格 化紋圖案狀、及如第二具體例所說明之層次圖案狀。也就 是說’在各單位一面使其具有一定之規則，一面變更各元 件形成區域400中之TFT形成區域401之配置時，即可將被 第—照射部PA射束照射之丁FT形成區域401、與被第二照 射部PB射束照射之TFT形成區域4〇〗並存配置成方格花紋 圖案狀或層次圖案狀。 128077.doc -24- 200903657 圖13係更詳細表示圖案分配之第三具體例之說明圖。在 圖例中’對配置成矩陣狀之各元件形成區域4〇〇，使由照 射光學系統U0A之射束照射靠近元件形成區域4〇〇之一方 側，又使由照射光學系統110Β之射束照射靠近元件形成區 域400之他方側，分別在雙方並行地執行，並將構成r、 G、B之三色重複構造之三個元件形成區域4〇〇作為一個單 位，就某單位，將TFT形成區域401配置於被照射光學系統 110B射束照射之位置，並就另一單位，將tFT形成區域 401配置於被照射光學系統110八射束照射之位置，顯示以 在各單位交互重複其配置切換之方式被圖案分配之情形。 此種TFT形成區域401之配置之變更態樣需預先在晝素 設計階段預先決定。在畫素設計階段預先決定時，隨著 TFT形成區域401之配置之變更，所需之配置構造之變更修 正也可容易加以應付。又，有關TFT形成區域4〇1之配置之 ft:更，即到底要配置在單一區域i i A側或配置在單一區域 11B側，只要利用習知技術予以實現即可，故在此省略其 說明。 在施行此種圖案分配之情形，也可藉由境界區域丨2AB 之存在’而緩和單-區域11A、11B之雷射射束LB之強度 差。因此，單一區域11A、11B與境界區域12八3之各其間 之境界會變得難以辨識。因此，可製造可抑制亮度差引起 之顯示不均之發生，實現高的顯示品質之有機EL顯示裝 置。而且，因此，也不需要雷射射束LB之啟動/關閉之切 換控制及遮蔽/非遮蔽之切換控制。 128077.doc >25. 200903657 在此’雖列舉隔著1線（例如ABABAB · ·)施行在境界區 域12AB之各射束照射之情形為例，但隔著複數線（例如 ABB A AB ··之隔著二線）施行也無妨。 又’在此，雖將各元件形成區域4〇〇分成TFT形成區域 401與電容形成區域4〇2而加以說明，但在晝素電路内有特 性块差也無妨之TFT存在之情形，將該tFT配置於電容形 成區域402也無妨。 另外’在此，雖列舉使靠近元件形成區域4〇〇之一方側 配置TFT形成區域4〇1之單位、與靠近他方側配置TFT形成 區域40 1之單位對射束掃描方向之軸呈現線對稱之情形為 例，但未必有其必要❶更詳言之’僅TFT之通道部最好採 用線對稱配置，但若TFT之通道部包含於能量射束照射之 寬度之中，則其他元件及圖案並不需要採用線對稱配置。 以上’雖列舉實施型態而說明本發明，但本發明並不限 定於上述實施型態，可實施種種變形。 例如’在上述實施型態中，雖說明照射光學系統 U0A〜li〇c與單一區域11A〜11C同數之情形，但此等未必 *要同數。但在此等非同數之情形，也最好將互異之照射 光學系統之雷射射束照射至中間介著一個境界區域而相鄰 之二個單一區域。 又，在上述實施型態中，雖列舉將元件形成區域4〇〇二 分割成TFT形成區域401與電容形成區域4〇2，但只要將要 求特性均勻性之至少畫素内之丨個T F τ形成區域被分割於晝 素内上下，則其他之元件採用任何配置均無妨。 128077.doc -26- 200903657 又，本發明也可在退火步驟中，適用於使用電子束、紅 外線或各種燈等雷射射束以外之能量射束之情形。 、’ 另外，例如，在上述實施型態中所說明之各層之材料及 厚度、或成膜方法及成膜條件等不受限定，既可採用其他 材料及厚度，也可採用其他成膜方法及成膜條件。 加之，在上述實施型態中，雖具體地列舉有機el元件 250R、250B、250G加以說明，但並無必要具備全部之 層’且也可進一步具備其他之層。 再者，在上述實施型態中，雖說明有關中間介著接著層 230而全面地貼合驅動面板21〇與封裝面板22〇之情形但 本發明也可適用於例如僅在驅動面板2丨〇之周緣部形成接 著層而貼合封裝面板220等僅在驅動面板21 〇與封裝面板 220之一部分形成接著層230之情形。 加之’除了有機EL顯示元件以外，本發明也可適用於使 用無機電致發光顯示元件、液晶顯示元件、或電解澱積型 或電致變色型之顯示元件等其他顯示元件之顯示裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示有機EL顯示裝置之概略構成例之說明圖。 圖2係表示元件形成區域之一具體例之平面圖。 圖3係表示本發明之半導體裝置之製造方法之一具體例 之驅動用基板製造順序之概略的流程之流程圖。 圖4係說明成膜步驟用之平面圖。 圖5係表示使用於退火步驟之雷射退火裝置之一例之說 明圖。 128077.doc -27· 200903657 圖6係表示圖5之雷射退火裝置之雷射射束之掃描圖案之 一例之平面圖。 圖7係表示圖5之雷射退火裝置之雷射射束之照射區域之 一例之平面圖。 圖8係表示第一照射部及第二照射部之圖案分配之第一 具體例之說明圖。 圖9係表示依據圖8之圖案分配之雷射射束之能量強度之 例之說明圖。
圖10(a)、10(b)係表示第一照射部及第二照射部之圖案 分配之第二具體例之說明圖。 圖11係表示依據圖10之圖案分配之雷射射束之能量強度 之例之說明圖。 圖12係表示第一照射部及第二照射部之圖案分配之第三 具體例之說明圖。 圖13係更詳細表示圖案分配之第三具體例之說明圖。 圖14係說明以往之雷射退火方法之說明圖。 圖15(A)、15(B)係圖14所示之雷射退火方法之問題點之 說明圖。 【主要元件符號說明】 10
11A、11B、11C
12AB ' 12BC 20 100 基板 單一區域 境界區域 半導體膜 雷射退火裝置 128077.doc -28- 200903657 110A 、110B 、 110C 照射光學系統 210 驅動面板 220 封裝面板 221 封裝用基板 230 接著層 240 驅動用基板 241 TFT 250R 、250G、250B 有機EL元件 400 元件形成區域 401 TFT形成區域 402 電容形成區域 404、 405 射束照射區域 PA 第一照射部 PB 第二照射部 128077.doc -29-
Claims (1)
- 200903657 十、申請專利範圍： 1， 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於：對半導體 膜，施行利用複數照射光學系統照射能量射束之退火步 驟，該半導體膜二維圖案配置有含薄臈電晶體形成區域 之元件形成區域，且 ' 在前述退火步驟中， - 將前述能量射束之照射區域區分成單一射束照射區域 及境界區域，該單一射束照射區域由前述複數照射光學 (> 系統分別單獨照射能量射束，該境界區域由位於相鄰之 單一射束照射區域之間並施行對該單一射束照射區域之 射束照射之二個照射光學系統雙方照射能量射束； 將前述境界區域區分為第一照射部及第二照射部，該 第一照射部係前述二個照射光學系统之一方的射束照射 部分，該第二照射部係前述二個照射光學系統之他方的 射束照射部分； 以如下方式，配置前述第一照射部、前述第二照射部 I 、〗述薄臈電體形成區域：包含被前述第一照射部射 束照射之薄膜電晶體形成區域、與被前述第二照射部射 束’、、、射之薄膜電晶體形成區域在前述境界區域上之二維 方向分別混在一起之處之方式。 — 2.如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中 以如下方式’配置前述第一照射部、前述第二照射邱 及前述薄膜電晶體形成區域：在前: 罝一 土 v 1 /、月’』迷 、束照射區域及前述境界區域之境界線正交之方 128077.doc 200903657 向’被前述第-照射部及前述第二照射部射束照射之各 薄膜電晶體形成區域之分佈密度可變之方式。 3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中 猎前述第一照射部及前述第二照射部之各射束照射之 開/關切換，而使被前述第一照射部射束照射之薄膜電晶 體形成區域、與被前述第二照射部射束照射之薄膜電^ 體形成區域混在一起。 阳 4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中 藉對作為前述第一照射部及前述第二照射部所照射之 各能量射束之遮蔽/非遮蔽切換，而使被前述第一照射部 射束照射之薄膜電晶體形成區域、與被前述第二=射部 射束照射之薄膜電晶體形成區域混在一起。 5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中 藉變更在前述元件形成區$中之前述薄膜電晶體形成 區域之配置，而使被前述第—照射部射束照射之薄膜電 晶體形成區域、與被前述第二照射邱鼾由 L· “、、町砟射束照射之薄膜電 晶體形成區域混在一起。 6. -種顯示裝置’其特徵在於··包含在基板上形成半導體 膜，並在該+導體膜形成薄膜電晶體而成之驅動用基 板、與形成於該驅動用基板上之 〈顯不几件，在前述驅動 用基板之前述半導體膜二維圖荦配番女人a丄 u系配置有含前述薄膜電晶 體形成區域之前述顯示元件形成區域，且 前述半導體膜係經由使用複數昭M k组/ 吸歎照射光學系統照射能量 射束之退火步驟所形成； 128077.doc 200903657 在前述退火步驟中， 將丽述能量射束之照射區麟分成單一射束照射區域 及境界區&，該單一#束照㈣域由前述複數照射光學 系統刀別單獨照'射能量射束’肖境界區域由位於相鄰之 早一射束照射區域之間並施行對該單—射束照射區域射 束照射之二個照射光學系統雙方照射能量射束； 々將前述境界區域區分為第一照射部及第二照射部該第一照射部係前述二個照射光學系統之—方射束照射部 分’該第二照射部係前述二個照射光學系統之他方 照射部分； | 从如卜方式，配置前述第 刁、J苷卜 及前述薄膜電晶體形成區域：包含被前述第一照射部射 束照射之薄膜電晶體形成區域、與被前述第二照射 束照射之薄膜電晶體形成區域在前述境界區域上 方向分別混在一起之處之方式；施行利用前述複數照射光學系 述半導體膜。 統之射束照射而形成前 128077.doc
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007111793A JP2008270540A (ja) | 2007-04-20 | 2007-04-20 | 半導体装置の製造方法および表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200903657A true TW200903657A (en) | 2009-01-16 |
| TWI360847B TWI360847B (zh) | 2012-03-21 |
Family
ID=39871309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097109677A TW200903657A (en) | 2007-04-20 | 2008-03-19 | Semiconductor device manufacturing method and display device |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7919399B2 (zh) |
| JP (1) | JP2008270540A (zh) |
| KR (1) | KR20080094605A (zh) |
| CN (1) | CN101291554B (zh) |
| TW (1) | TW200903657A (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5703251B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-04-15 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法 |
| KR20140008127A (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 결정화 장치 및 방법 |
| KR102240894B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2021-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20170029037A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20210022215A (ko) | 2019-08-19 | 2021-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 어닐 장치 및 레이저 어닐 장치를 이용한 박막 결정화 방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04282869A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | G T C:Kk | 薄膜半導体装置の製造方法及びこれを実施するための装置 |
| KR100269350B1 (ko) * | 1991-11-26 | 2000-10-16 | 구본준 | 박막트랜지스터의제조방법 |
| JPH08203822A (ja) * | 1995-01-20 | 1996-08-09 | Ricoh Co Ltd | 薄膜半導体材料形成装置 |
| KR100671212B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2007-01-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 폴리실리콘 형성방법 |
| KR100473245B1 (ko) * | 2000-10-06 | 2005-03-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 다결정 실리콘막의 제조 방법, 제조 장치 및 반도체장치의 제조 방법 |
| JP2002141301A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | レーザアニーリング用光学系とこれを用いたレーザアニーリング装置 |
| US6621044B2 (en) * | 2001-01-18 | 2003-09-16 | Anvik Corporation | Dual-beam materials-processing system |
| TW521310B (en) * | 2001-02-08 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | Laser processing method and apparatus |
| JP2002366057A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| TWI289896B (en) * | 2001-11-09 | 2007-11-11 | Semiconductor Energy Lab | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP4668508B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2011-04-13 | シャープ株式会社 | 半導体結晶化方法 |
| JP2004119971A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-04-15 | Sharp Corp | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| JP4772261B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2011-09-14 | シャープ株式会社 | 表示装置の基板の製造方法及び結晶化装置 |
| US7919726B2 (en) * | 2002-11-29 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device |
| TWI353467B (en) * | 2003-01-08 | 2011-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Polysilicon thin film transistor array panel and m |
-
2007
- 2007-04-20 JP JP2007111793A patent/JP2008270540A/ja active Pending
-
2008
- 2008-03-19 TW TW097109677A patent/TW200903657A/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-04-11 US US12/101,574 patent/US7919399B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-18 KR KR1020080036075A patent/KR20080094605A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-04-21 CN CN2008100912168A patent/CN101291554B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080094605A (ko) | 2008-10-23 |
| TWI360847B (zh) | 2012-03-21 |
| CN101291554B (zh) | 2013-03-06 |
| CN101291554A (zh) | 2008-10-22 |
| US20080258154A1 (en) | 2008-10-23 |
| JP2008270540A (ja) | 2008-11-06 |
| US7919399B2 (en) | 2011-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6970790B2 (ja) | 発光素子および半導体デバイス | |
| US8292684B2 (en) | Method of manufacturing flat panel display device | |
| CN103579290B (zh) | 发光装置和电子设备 | |
| US8587194B2 (en) | Top emission type organic electroluminescent display device and method of fabricating the same | |
| US9853249B2 (en) | Display device including reflecting layer | |
| US20080308819A1 (en) | Light-Emitting Diode Arrays and Methods of Manufacture | |
| US20060273712A1 (en) | Organic electroluminescence display apparatus | |
| US20150014658A1 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| US8283688B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR20160110669A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR101580827B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| KR20150102180A (ko) | 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| JP6318665B2 (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 | |
| JP2005005227A (ja) | 有機ｅｌ発光表示装置 | |
| JP5695620B2 (ja) | 表示装置 | |
| US7902752B2 (en) | Organic light-emitting substrate, method for manufacturing the same, and organic light-emitting display apparatus having the same | |
| KR20150026480A (ko) | 밀봉재를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| TW200903657A (en) | Semiconductor device manufacturing method and display device | |
| CN106098725B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| JP2011258492A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP2018142442A (ja) | 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置 | |
| CN114664890A (zh) | 显示装置 | |
| JP4895106B2 (ja) | 半導体膜の製造方法および表示装置の製造方法 | |
| KR102401010B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| KR20230136897A (ko) | 레이저 빔 조사 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |