TW200902658A - Dispersion comprising cerium oxide and sheet silicate - Google Patents

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200902658 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種包含氧化鈽粒子及片狀矽酸鹽粒子 之分散液，及其製造方法與用途。 【先前技術】 已知者，氧化鈽分散液可用來拋光玻璃表面、金屬表 面和介電質表面，包括粗拋光（高度材料移除，不規則輪 廓、刮痕）及精細拋光（低材料移除、平滑表面、少刮痕( 若有時））。常見的缺點在於氧化鈽粒子與要拋光的表面各 載不同的電荷且其結果爲彼此吸引。其後果爲難以從被拋 光表面再移除掉氧化姉粒子。 U S 7 1 1 2 1 2 3揭示一種用於拋光玻璃表面 '金屬表面 和介電質表面的分散液，其包含，作爲磨蝕劑者，從0.1 至5 0重量％的氧化鈽粒子及從0 . 1至1 0重量％的黏土磨 蝕劑粒子，90%該黏土磨蝕劑粒子具有從1 〇奈米至1 〇微 米的粒徑且9 0 %該氧化鈽粒子具有從1 〇 〇奈米至1 〇微米 的粒徑。氧化铈粒子，黏土磨蝕劑粒子及作爲要磨鈾表面 的玻璃都具有負表面電荷。此一分散液比只建基於氧化鈽 粒子的分散液可促成明顯更高的材料移除率。不過，此一 分散液會造成高缺陷率。 所需者爲可提供高材料移除率，具有低缺陷率及高選 擇率之分散液。於晶圓經拋光和清潔之後，若有時，也只 有少量的沈積物存在於表面上。 -5- 200902658 【發明內容】 頃發現，令人訝異地，該目的可經由一種包含氧化鈽 粒子及一或多種片狀矽酸鹽的粒子之分散液而達到，其中 -該片狀矽酸鹽粒子的仄他電位係負値且該氧化鈽粒 子的仄他電位爲正値或等於0，且該分散液的仄他電位整 體爲負値， -該氧化铈粒子的平均粒徑與該片狀矽酸鹽粒子的平 均粒徑都不超過200奈米；且 -該分散液的pH爲從7.5至10.5，較佳爲從9至10 〇 粒子表面電荷的一種量度爲厌他電位（zeta potential) 。仄他電位意指在分散液中粒子/電解質之電化學雙層內 於切變層次上之電位。與仄他電位相關聯的一項重要參數 爲一粒子的等電點（IEP)。IEP具體指出仄他電位爲零時的 P Η。仄他電位愈大，分散液愈安定。 在表面上的電荷密度可經由改變電位決定性離子在周 圍電解質中的濃度予以影響。 相同材質的粒子具有相同的表面電荷符號因而彼此互 斥。不過，當仄他電位太小時，其互斥力不能抵過粒子的 凡得瓦耳吸引作用（van der Waals attraction)，且會有粒 子的絮凝及可能的沈著。 仄他電位可經由，例如，測量分散液的膠體振動電流 (CVI)或經由測定電泳移動率予以測定。 200902658 再者，仄他電位可經由利用動電聲幅（ESA)予以測定 〇 氧化鈽粒子本發明分散液中的比例可在廣範圍內變異 。氧化鈽含量較佳可爲以分散液爲基準計從0.01至50重 量％。在想要例如使運送成本最小化時，高含量係合宜者 。於用作拋光劑的情況中，氧化鈽含量較佳爲以分散液爲 基準計從0.1至5重量％且更佳爲從0.2至1重量％。 片狀矽酸鹽的含量較佳爲以分散液爲基準計從0.01 至1 0重量％，且更佳爲從0.0 5至0.5重量％。 此外，經發現當氧化姉/片狀矽酸鹽重量比例爲從1 ‘· 2至1 00 : 1時，有利於拋光程序。特佳爲從10 : 1至2 : 1的重量比例。 再者，較佳的本發明分散液可爲除了氧化鈽粒子與片 狀矽酸鹽粒子之外不含其他粒子者。 於本發明分散液中，氧化鈽粒子的平均粒徑不超過 100奈米。較佳爲從40至90奈米的範圍。在此範圍內， 可在拋光程序中針對材料移除，選擇率及缺陷率得到最佳 結果。 該氧化铈粒子可呈離析的個別粒子形式，或經聚集的 原粒子形式存在。本發明分散液較佳爲包含聚集氧化鈽粒 子，或該等氧化铈粒子可大多數或完全地呈聚集形式。 特別適當的氧化铈粒子經發現爲在彼等的表面及接近 表面層中含有碳酸根者，尤其是在DE-A-102005038136 中所揭示者。此等爲下述之氧化鈽粒子 200902658 -具有從25至150平方米/克之BET表面積’ -原粒子具有從5至50奈米之平均直徑， -接近表面的原粒子層具有約5奈米之深度’ -於接近表面的層中，碳酸根濃度係從碳酸根濃度最 筒的表面朝內部遞減， -在源自碳酸根的表面上之碳含量爲從5至5 0面積％ 且，在接近表面的層中，於約5奈米深度內爲從0至3 0 面積％， -以Ce02計算且以粉末爲基準計的氧化铈之含量爲至 少9 9.5重量％，且 -包含有機和無機碳的碳含量爲以粉末爲基準計從 0.0 1至0.3重量％。 碳酸根可在氧化铈粒子的表面及深達約5奈米的深度 內偵測到。該等碳酸根係經化學鍵結且可，例如，排列成 結構a - c。

〇 碳酸根可用’例如XPS/ESCA分析予以偵測。要偵測 在接近表面的層中之碳酸根，可利用氬離子撞擊消除某些 表面’且出現的新表面同樣可利用XPS/ESCA予以分析 200902658 (XPS = X-射線光電子能譜術。ESCA =化學分析用電子能譜 術）。 鈉的含量通常不超過5ppm且氯含量不超過20PPme 所提及的元素在化學機械拋光中通常只能容許少量存在。 所用的氧化铈粒子較佳爲具有從3 0至1 0 0平方米/克 且更佳爲40-80平方米/克之BET表面積。 本發明分散液包含與氧化铈粒子一起存在之片狀矽酸 鹽粒子。 於片狀矽酸鹽中，每一四面體都已通過三個角結合到 三個鄰接的四面體。該鍵聯係經完成以形成二維上無限的 四面體網路，在彼等之間配置著被CT和（〇H)_八面體方式 包圍的陽離子層，例如K+、Li+、Mg2+、Zn2+、Fe2+、 Fe3+、Mn2+。於此四面體層中，所有游離四面體尖端都指 向一個方向。 當一層的四面體接合形成個別或雙重6-員環網路之 時，即產生六方系或假六方系礦物質’如在雲母族（白雲 母（muscovite)、黑雲母（biotite)，綠泥石系列（chlorite series)(斜綠泥石（clinochlore))及筒嶺石-蛇紋石族（纖蛇紋 石（chrysotile)、高嶺石）。相較之下，當該層係由4-員環 所組成時，該礦物質即爲四方或假四方系（如，魚眼石 (apophyllite)。 該片狀矽酸鹽包括滑石、雲母組（綠鱗石（seladonite) 、鈉雲母（paragonite)、白雲母、金雲母（Phl〇g〇pite)、鐵 雲母（annite)/黑雲母、鋰白雲母（trilithionite)、鋰雲母 200902658 (lepidolite) '珍珠雲母（margarite))，黏土礦物質（蒙脫土 組（montmorillonite group)、綠泥石組、高嶺石組、蛇紋 石組、海泡石組（sepiolite)、白耗沸石（gyrolite)、水砂訊 耗石（cavansite)、五角石（pentagonite)。 較佳地，本發明分散液包含成片狀矽酸鹽。此較佳地 選自天然和合成蒙脫土、膨潤土、水輝石、綠土和滑石所 組成的群組。 在本發明分散液中所含片狀矽酸鹽粒子較佳爲具有在 從5至100奈米範圍內之平均直徑。該片狀矽酸鹽的平均 粒徑應理解爲意指在縱向，即在粒子最大展幅方向上的直 徑。 再者，該片狀矽酸鹽粒子的縱橫比，即縱向尺寸對厚 度的比例，較佳地爲大於5且更佳爲大於20。 特佳的本發明分散液爲其中該片狀矽酸鹽爲具有下述 組成的合成矽酸鋰鎂：59±2重量％的Si02、27±2重量％ 的 MgO、0.7±0.2 重量 ％的 Li02，3 _0±0.5 重量 ％的 Na02 和< 1 0重量％的Η 2 〇。 更爲理想的本發明分散液爲該片狀矽酸鹽係以具有從 10至200奈米的粒徑和從1至10奈米的厚度之蒙脫土爲 基底者。此片狀矽酸鹽的縱橫比較佳地爲> 1 00。 於本發明分散液中，氧化铈粒子的平均粒徑較佳爲大 於該片狀矽酸鹽粒子的平均粒徑。 本發明分散液的特徵在於’例如’該氧化鈽粒子的平 均粒徑與該片狀矽酸鹽粒子的平均粒徑都不超過200奈米 -10- 200902658 。該氧化鈽粒子的平均粒徑較佳爲大於該片狀矽酸鹽的平 均粒徑。尤其是，本發明分散液的一較佳具體實例爲其中 該氧化铈粒子的平均粒徑爲從40至90奈米且該片狀矽酸 鹽的平均粒徑爲從5至15奈米。 經發現，特別有利者爲該氧化铈粒子在彼等的表面上 及在接近表面的層中，都包含碳酸根且該分散液的pH爲 從9至10 。 本發明分散液較佳爲具有從-20至- lOOmV的仄他電位 ，更佳者從-25至-50mV的仄他電位。 本發明分散液的液相包含水、有機溶劑及水/有機溶 劑混合物。通常，其主要組成分爲水，佔該液相的>90重 量％之含量。 此外，本發明分散液也可包含酸、鹼、鹽。其pH可 利用酸或鹼來調整。所用的酸可爲無機酸、有機酸或它們 的混合物。所用無機酸可特別爲磷酸、亞磷酸、硝酸、硫 酸、彼等的混合物，及彼等的酸性鹽。所用的有機酸較佳 爲通式 CnH2n+iC〇2H(其中 n = 0- 6 或 n=8、10、12、14、 16)的羧酸，或具有通式H02C(CH2)nC02H(其中n = 0-4)的 二羧酸，或通式 RiR2C(0H)C02H(其中 Ri = H、R2 = CH3; ch2co2h，ch(oh)co2h)的羥基羧酸，或酞酸或柳酸，或 上述酸的酸性鹽或上述酸和彼等的鹽之混合物。pH可經 由添加氨、鹼金屬氫氧化物或胺予以提高。 於特別應用中，使本發明分散液含有0.3-20重量％的 氧化劑可爲有利者。爲此目的，可以使用過氧化氫；過氧 -11 - 200902658 化氫加成物，例如脲加成物；有機過酸；無機過酸；亞胺 酸；過硫酸鹽；過硼酸鹽；過碳酸鹽；氧化性金屬鹽類及 /或上述之混合物。更佳者，可以使用過氧化氫。由於某 些氧化劑對本發明分散液其他組成分會減低安定性，所以 最好在分散液立即使用之前才添加彼等。 本發明分散液可進一步包含氧化活化劑。適當的氧化 活化劑可爲 Ag、Co、Cr、Cu、Fe' Mo、Mn、Ni、Os、 Pd ' Ru、Sn、Ti、V的金屬鹽及彼此的混合物。其他適當 者爲羧酸、腈類、脲素、醯胺類及酯類。硝酸鐵（II)可爲 特別較佳者。氧化催化劑的濃度可依氧化劑和拋光工作而 定，在介於0 · 0 0 1與2重量％之間的範圍內變異。更佳者 ，該範圍可爲在0.0 1與0.0 5重量％之間。 於本發明分散液中通常以從0.0 0 1至2重量％的含量 存在的腐蝕抑制劑可爲含氮的雜環類，諸如苯并三唑、經 取代苯并咪唑、經取代吡哄、經取代吡唑及彼等的混合物 〇 本發明進一步提供一種方法，其中 a) -將各呈粉末形式的氧化姉粒子和片狀矽酸鹽粒子 分散在液相中；或 b) -將呈粉末形式的片狀矽酸鹽粒子導入且隨後分散 在包含氧化姉粒子的預分散液中；或 c) -將呈粉末形式的氧化铈粒子’導入且隨後分散在包 含片狀矽酸鹽粒子的預分散液中；或 d) -將包含氧化鈽粒子的預分散液和包含片狀矽酸鹽 -12- 200902658 粒子的預分散液合倂且隨後分散；且 e)-於變異形式a)至d)的分散步驟之後隨意地添加氧 化劑、氧化催化劑及/或腐鈾抑制劑。 適用的分散單元特別爲可產生至少200kJ/m3的能量 輸入者。此等包括以轉子-定子（rotor-stator)原理運作的 系統，例如Ultra-Turrax機，或攪拌球磨機。使用行星型 捏合器/混合器可能有更高的能量輸入。不過，此系統的 效率要結合所處理的混合物之充分尚黏度以將所需的局切 變能量導入來分開該等粒子。 高壓均質機係用來在高壓力下透過噴嘴將兩道預分散 的懸浮液流解壓縮。該兩道分散液噴流彼此正面地會合且 將彼等粒子彼此硏磨。於另一具體實例中，同樣是將該預 分散液置於高壓下，但粒子係撞到鎧裝壁（armored wall) 區。該操作可視需要重複多次以得到更小的粒子尺寸。 再者，能量輸入也可利用超聲波來促成。 分散和硏磨裝置也可組合使用。氧化劑和添加劑可於 不同時間添加到分散液。也較有利的是，例如，直到分散 結束時才以視需要的較低能量輸入來摻入氧化劑和氧化活 化劑。 所用片狀矽酸鹽粒子的仄他電位較佳爲在從7.5至 10.5 的 pH 下爲從-20 至-100mV。 所用氧化鈽粒子的仄他電位較佳爲在從7.5至10.5 的pH下爲從0至40mV。 本發明進一步提供本發明分散液於拋光上之用途。 -13- 200902658 【實施方式】 實施例 分析 比表面積係根據DIN 66 1 3 1測定。 表面性質係以大面積（1平方公分）XPS/ESCA分析 (XPS = X-射線光電子能譜術；ESCA=化學分析用的電子能 譜術）予以測定。該評定係以U.K.Teddington的國家物理 實驗室（the National Physics Laboratory)之 DIN Technical Report No.39，DMA(A)97之一般建議，及至今爲止有關 “Surface and Micro Range Analyses” 操作委員會 NMP816(DIN)的開發-伴隨標準化之發現爲基礎。此外， 也慮及從技術文獻可取得之每一情況的比較光譜。諸數値 係經由考慮每一情況中所報告出的電子能階之相對敏感因 數，減除背景値而計算者。精確度經估計爲+/-5%相對値 〇 仄他電位係在3-12的pH範圍內利用動電聲幅（ESA) 予以測定。於此目的，係製備包含1 %氧化姉的懸浮液。 分散係用超聲波探器（400W)完成。將該懸浮液用磁攪拌器 攪拌後，利用蠕動泵予以泵取通過Matec ESA-8000儀器 的PPL-80感測器。從起始pH起，用5M NaOH開始電位 計滴定到高達pH12。再用5M HN〇3逆滴定到PH4。其評 定係利用儀器軟體版本Pcava 5.94完成。 -14- 200902658 ESd-η ζ= 一·· 0-Lp-c\G(a)\-e-s· ζ 爲仄他電位 Φ 體積分率 △Ρ 粒子與液體之間的密度差値 C 爲聲音在懸浮液中的速度 η 液體的黏度 ε 懸浮液的介電常數 IG(a)I 爲慣性修正量 平均粒徑係用Η o r i b a L B - 5 0 0粒度分析儀予以測定。 原料 製備分散液所用原料爲在DE-A-l〇2〇〇5〇38136的實 施例2中所述的熱解生成氧化鈽，且合成片狀矽酸鹽爲得 自 Stid-Chemie 的 Optigel® SH，及得自 Southern Clay

Products的Laponite® D。表1中示出此等物質的重要物 理化學參數。 表1 :原料 BET 仄他電位 粒徑 粒子厚度 平方米/克 MV(Ph) 奈米 奈米 氧化鈽 60 5(9.5) 65a) Optigel® SH • -40(9.5) 100 約1 Laponite® D -58(9.5) 10 約1 a)用Horiba LB-5 00粒度分析儀測定 -15- 200902658 該氧化鈽另外具有下列値：99.79重量％的Ce02， 0.14重量％的c，在pH = 5的仄他電位爲48mV，pH = 9.8 的IEP，Cls合成/濺鍍19.0/11.2面積％(濺鍍：在用氬離 子撞擊消去表面後，5keV，約10分鐘；碳酸根C:結合 能爲約2 8 9 e V)。 晶圓/墊： 二氧化矽（200毫米，層厚度1 000奈米，熱氧化物， 得自 SiMat)及氮化矽（200毫米，層厚度 160奈米， LPCVD，得自 SiMat)。

Redel IC 1 000-A3 墊。 分散液之製備 D 1 :此分散液係經由添加氧化鈽粉末於水中，且用 超聲波指施以超聲波處理（得自 Bandelin UW2200/DH13G ，第8階，1 00% ; 5分鐘）而予以分散而得。隨後，用氨 水將pH調整到7.5。 D2，D3 :此等分散液係經由將氧化鈽和水組成的預 分散液與片狀矽酸鹽和水組成的預分散液混合，用超聲波 指施以超聲波處理（得自Bandelin UW2200/DH13G，第8 階，100% ; 5分鐘）而予以分散，且隨後用氨水調整到 pH9.5而得。表2示出所得分散液的重要參數。 -16- 200902658 表2 :分散液 分散液 D1 D2 D3 氧化鈽 重量％ 0.5 0.5 0.5 片狀矽酸鹽 重量％ - Optigel® Laponite® 0 SH D 0.1 0.07 pH 7.5 9.5 9.5 仄他電位 mV 27 -31 -28 粒徑* 7d 奈米 65 85 71 粒徑* 44d 奈米 _ 117 113 *針對粒子數目加權。 表3 :拋光結果 分散液 D1 D2 D3 RRSi02 奈米/分 295 201 245 RR Si3N4 奈米/分 製成後 88 84 67 Si02/Si3N4 3.4 2.4 3.7 RRSi02 奈米/分 • 207 157 RR Si3N4 奈米/分 14天後 84 76 Si02/Si3N4 _ 2.5 2.1 RRSi02 奈米/分 一 245 245 RR Si3N4 奈米/分 44天後 _ 76 101 Si02/Si3N4 . 3.2 2.4 表3顯示在分散液製成後，1 4天後及4 4天後所得拋 光消除速率及選擇率。本發明分散液的使用導致相對於不 含任何片狀矽酸鹽的分散液（D 1 )在消除速率上的減低。不 -17- 200902658 過，此相較於先前技藝已知的包含有機添加劑之分散液， 仍視爲係令人滿意者。 在晶圓和墊上的拋光殘餘物之評估 拋光殘餘物係經由目視評估（也可用光學顯微鏡在高 達64-倍放大倍率範圍內評估）。 於此目的，係在拋光後直接分析分散液D 1 (比較樣） 和D3(本發明）的粒子尺寸： -D1早在數分鐘後就不安定且沈著。所測量到的粒子 尺寸明顯高於一微米。 -D3，相較之下，即使在拋光後仍爲安定者且其粒子 尺寸，針對粒子數目加權後爲約1 0 6奈米。此意謂著在本 發明分散液的情況中沒有形成大黏聚物。用D3拋光過的 晶圓展現出顯著較少的殘餘物含量。 添加帶負電之片狀矽酸鹽粒子可經由減低拋光殘餘物 的比例以正面方式影響包含氧化鈽的分散液之拋光品質。 可能的機制包括帶正電的氧化铈粒子被帶負電的片狀 矽酸鹽粒子向外遮蔽，而確保氧化鈽粒子的電荷之有效逆 反。由於此種電荷逆反的結果，本發明分散液可提供例如 在接近純氧化鈽的IE P之p Η値下進行拋光之可能性。由 於該交互作用爲靜電交互作用，因此該片狀矽酸鹽粒子可 在拋光操作中被剪除（sheared off)，使得氧化铈的拋光作 用得以維持。結果，在整個拋光操作期間，所有粒子都是 向外帶負電，且之後顯著地減少黏聚物形成。長期分析 -18- 200902658 顯示，即使在長時間之後，仍然維持其安定性和拋光性質 -19-

Claims (1)

1. 200902658 十、申請專利範圍 1 . 一種包含氧化姉粒子及一或多種片狀矽酸鹽的粒子 之分散液，其中 -該片狀矽酸鹽粒子的仄他電位（zeta potential)係負値 且該氧化铈粒子的仄他電位爲正値或等於〇，且該分散液 的仄他電位整體爲負値， -該氧化铈粒子的平均粒徑與該片狀矽酸鹽粒子的平 均粒徑都不超過20 0奈米；且 -該分散液的pH爲從7.5至10.5。 2 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化铈的 含量爲從〇.〇1至50重量％。 3 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化姉的 含量爲以該分散液爲基準計從0.1至5重量％。 4. 如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽的含量爲以該分散液爲基準計從0.01至10重量％。 5. 如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化铈/片 狀矽酸鹽重量比例爲從1 : 2至100 : 1。 6 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中氧化姉粒子 和片狀矽酸鹽粒子爲該分散液中僅有的粒子。 7 _如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化鈽粒 子的平均粒徑爲從40至90奈米。 8. 如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化铈粒 子係以經聚集的原粒子之形式存在。 9. 如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化鈽粒 -20- 200902658 子在其表面上和靠近表面的層中含有碳酸根。 1 0 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽粒子具有從5至100奈米之平均粒徑。 1 1 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽粒子的縱橫比爲大於5且更佳爲大於20。 1 2 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽爲合成片狀矽酸鹽。 1 3 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽係選自天然和合成蒙脫土（montmorillonite)、膨潤土 (bentonite)、水輝石（hectorite)、綠土（smectite)和滑石所 組成的群組。 1 4 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽爲具有下述組成的合成矽酸鋰鎂：59±2重量％的Si〇2’ 27士2重量％ 的 MgO，0.7±0_2重量％ 的 Li20’ 3.0±0.5重量％ 的N a2 Ο和< 1 0重量％的Η 2 Ο。 1 5 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該片狀矽酸 鹽係以具有從1 0至2 0 0奈米的粒徑和從1至1 〇奈米的厚度之 蒙脫土爲基底者。 16.如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化铈粒 子的平均粒徑大於該片狀矽酸鹽粒子的平均粒徑。 1 7 .如申請專利範圍第1項之分散液，其中該氧化姉粒 子的平均粒徑爲從40至90奈米且該片狀矽酸鹽粒子的平均 粒徑爲從5至1 5奈米。 1 8 .如申請專利範圍第1項之分散液’其中該氧化鈽粒 -21 - 200902658 子在其表面上和靠近表面的層中含有碳酸根且該分散液的 pH爲從9至10。 1 9 ·如申g靑專利範圍第1項之分散液，其中該分散液的 仄他電位爲從-20至- loo mV。 2〇_如申請專利範圍第1項之分散液，其中水爲該分散 液的液相之主要組成分。 2 1 ·如申請專利範圍第1項之分散液，其包含酸、鹼、 鹽 '氧化劑、氧化催化劑及/或腐鈾抑制劑。 22. —種製造如申請專利範圍第]至2 1項之分散液的方 法，其包括 a) 將各呈粉末形式的氧化铈粒子和片狀矽酸鹽粒子分 散在液相中；或 b) 將呈粉末形式的片狀矽酸鹽粒子導入且隨後分散在 包含氧化鈽粒子的預分散液中；或 c) 將呈粉末形式的氧化鈽粒子導入且隨後分散在包含 片狀矽酸鹽粒子的預分散液中；或 d) 將包含氧化鈽粒子的預分散液和包含片狀矽酸鹽粒 子的預分散液合倂且隨後分散；且 e) 於變異形式a)至d)的分散步驟之後隨意地添加氧化 劑、氧化催化劑及/或腐蝕抑制劑。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中該片狀矽酸 鹽粒子在從7.5至10.5的pH下之仄他電位爲從-20至-100 mV。 24. 如申請專利範圍第22項之方法’其中該氧化铈粒 -22- 200902658 子在從7.5至10.5的pH下之仄他電位爲從0至40 mV。 25 . —種申請專利範圍第1至2 1項之分散液於拋光上 之用途。 200902658 明 說 單 無簡 為符 圖件 表元 代之 定圖 :指表 圖案代 表本本 無 定一二 指CC 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：無