TW200901130A - Driving method for organic electroluminescence light emitting section - Google Patents

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TW200901130A
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TW
Taiwan
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transistor
node
light
driving
source
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TW097107215A
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English (en)
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Tetsuro Yamamoto
Katsuhide Uchino
Naobumi Toyomura
Original Assignee
Sony Corp
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Description

200901130 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此發明係關於一種用於一有機場致發光的^光部份之驅 動方法。 : 本發明包括在2007年3月2〇日向日本專利局申請的曰本 .專利申請案JP 2007-072504的相關標的，該案之全文以引 用的方式併入本文中。 【先前技術】 「'I. " 在一有機場致發光顯示裝置（以下簡稱為有機EL顯示裝 置）中，其中一有機場致發光器件（以下簡稱為有機弘元 件）係用作-發光元#，有機虹元#之亮度受流過有機紅 凡件之電流值控制。則類似於在一液晶顯示裝置中，同樣 在一有機EL顯示裝置中，熟知一簡單矩陣方法與一主動矩 陣方法作為驅動方法。雖然主動矩陣方法具有一缺點，即 比車又簡單矩陣方法中的結構，結構較複雜，但主動矩陣方 ^ 法具有各種優點’即可增加影像亮度。 作為一用於驅動形成一有機EL元件之有機場致發光的發 光部份（以下簡稱為發光部份）之電路，一由五個電晶體與 電谷器部伤所組成之驅動電路（以下稱為5Tr/1 c驅動電 路）為人所熟知並揭示於（例如）日本專利公告案第2〇〇6_ 21 5213號内。參考圖2，顯示所提及的現有驅動電 路該5Tr/l C驅動電路包括五個電晶體，即___影像信號寫 入電晶體TSig、一驅動電晶體丁〇”、一發光控制電晶體 tel_c、一第一節點初始化電晶體Tn⑴及一第二節點初始化 126538.doc 200901130 電晶體τΝ〇2與一電容器部份C|。此處，驅動電晶體Td^之 該等源極/汲極區域之另一者形成一第二節aNE>2，而驅動 電晶體TDrv之閘極電極形成一第一節點NDi。 應注意’下文詳細說明該等電晶體與該電容器部份。 - 例如，該等電晶體係由一 η通道薄臈電晶體（tft)所個別 形成並在一形成以便覆蓋該驅動電路的層間絕緣層等上提 供一發光部份（ELP)。該發光部份ELP之陽極電極係連接至 驅動電晶體TDrv之該等源極/汲極區域之另一者。另一方 面’ 一電壓VCat(例如〇伏特）係施加至該發光部份elp之陰 極電極。參考字元CEL表示發光部份ELP之寄生電容。 一驅動時序圖係如圖4示意性所示，且形成圖2所示驅動 電路之電晶體之接通/截止狀態等係如圖6A至6D與7A至7E 所不。參考圖4，一用於實施一臨界電壓消除程序之預處 理係在一[週期·ΤΡ(5)ι]内執行。特定言之，若第一節點初 始化電晶體TND1與第二初始化電晶體τΝ〇2進入圖6Β所示之 〇 接通狀態，則在第一節點ND1處的電位會變成V〇fs(例如〇 伏特）。另一方面，在第二節點ΝΑ處的電位會變成να(例 ， 如-10伏特）。因此，在驅動電晶體TDrv之閘極電極與驅動 ' 電晶體TDrv之該等源極/汲極區域之另一者之間的電位差變 - 得高於驅動電晶體TDrv之一臨界電壓Vth，故驅動電晶體 TDrv進入—接通狀態。 接著’在[週期-TP(5)2]與[週期-TP(5)3]之週期内實施該 臨界電壓消除程序，如圖4所示。特定言之，如圖61)所 示發光控制電晶體Tel_c進入一接通狀態，同時維持第一 126538.doc 200901130 卽點初始化電晶體TNDi之接通狀態。由此，在第二節點 ND2處的電位朝驅動電晶體之臨界電壓Vth與在第一節 點NDl處電位之電位差而變化。換言之，在處於一浮動狀 態的第二節點NE>2處電位會上升。接著，在驅動電晶體 TDrv之閘極電極與該等源極/汲極區域之另一者之間的電位 差到達臨界電壓Vth時，驅動電晶體凡”進入一截止狀態。 在此狀態下，第二節點NR處電位大約係v〇fs_Vt[^其後， 在[週期-TP(5)3]内，發光控制電晶體Tel—c進入一截止狀 恝，同時仍維持第一節點初始化電晶體Tndi之接通狀態。 接著，在[週期-TP(5)4]内，第一節點初始化電晶體Tn叫進 入一截止狀態。 其後，在[週期-TP(5)5]内’實施一用於驅動電晶體TDrv 之寫入程序，如圖4所示。特定言之，如圖7C所示，在維 持第節點初始化電晶體Tndi、第二節點初始化電晶體 TNDZ與發光控制電晶體Tel—c之截止狀態時，在一資料線 DTL處的電位係設定至一電壓，該電壓對應於影像信號， 即用於控制發光部份ELp亮度之影像信號（驅動信號或亮度 信號）電壓vSig，並接著一掃描線SCL進入一高位準狀態， 使得影像信號寫人電晶體〜進人—接通狀態。由此，在 第一節點1^01處的電位增加至影像信號電壓Vsig。基於第 一節點N D,電位變化數量的電荷係分佈至電容器部份c 1 ' 發光部份ELP之寄生電容&以及在驅動電晶體τ心之問極 電極與源極區域之間的寄生電容。據此1第-節點NDl 處的電位變化’則在第二節點NE>2處的電位也會變化。然 I26538.doc 200901130 而，第二節點ND2之電位變化會隨著發光部份ELp之寄生 容量cE=之電容值增加而減少。一般而言，發光部份咖之 寄生電容CEL之電容值會高於電容器部份Ci之電容値與驅 動電晶體W之寄生電容值。因此，若第二節點仙2之電 位很少n則在驅動電晶體Tr)fv之閘極電極與該等源極/ 汲極區域之另一者之間的電位差係由以下表達式（八）給 出· vgs~VSig-(v〇fs.Vth) …（A) 錢，如圖4所示，在[週期_τρ(5)6]内執行—遷移率校 正程序，其基於-特性（例如驅動電晶體w之遷移率从量 值）來升高在驅動電晶體TDrv之該等源極/汲極區域之另一 者内或在第二節點動2處的電位。特定言之，如請所 -’發光控制電晶〜進入一接通狀態，同時仍维持驅 動電晶體TDrv之接通狀態，接著經過一預定時間週期^之 Ο 後:衫像寫入電晶體Tsig進入一截止狀態。由此，在驅動 電日日體T £) r v之遷移率u僧齡古从卜主 μ值#乂 ibj的丨月況下，在驅動電晶體丁^ 之5亥專源極/沒極區域夕另 L•硃之另一者内之電位的增加數量或 電位校正值會變冥，伯+ A & 仁在驅動電晶體丁Drv之遷移率μ值較 低的情況下，在驅動雷s _ π 日日體TDrv之該等源極/汲極區域之另 者内之電位的增加數詈AV十、帝/上 里△ V或電位校正值會變低。此 處，在驅動電晶體T $ „
Drv之閘極電極與該等源極/汲極區域之 另一者之間的電位差 gs仗表達式（A)變換成下面所給出 另—表達式（B)。應、、*音 如 意，在設計有機顯示裝置時可作 …设計值預先決定該預定時間週期，即在用於執行遷移 I2653S.doc 200901130 率校正程序之[週期-ΤΡ(5)6]内的總時間週期t〇。
vgs^VSig.(V0fs-yth).AV 藉由上述操作，完成該臨界電壓消除程序、寫入程序及 遷移率校正程序。其後，在[週期·ΤΡ(5)7]内 入電晶體、進入-截止狀態而第一節點NDi(即= 體TDrv之閘極電極）進入一浮動狀態，如圖7E所示。另一方 面，發光控制電晶體TEL_c維持接通狀態而發光控制電晶體 Tel_c之該等源極/汲極區域之一係處於_連接至一電壓 Vcc(例如20伏特）電流供應部份之狀態，用於控制發光部 份ELP之光發射。由此，在第二節點νε>2處的電位會增 加，且驅動電晶體TDrv之閘極電極會發生類似於一自舉電 路内現象的一現象且在第一節點NDi處的電位也會增加。 由此，在驅動電晶體TDrv之閘極電極與該等源極/汲極區域 之另一者之間的電位差Vgs維持與獲得自表達式之值相 同的一值。此外’由於流過發光部份ELP之電流係從驅動 電晶體TDrv之汲極流動至源極區域之汲極電流Ids，故該電 流可由一表達式（c)來表示。發光部份ELP發射亮度對應於 沒極電流1^值之光。
Ids=k^-(Vgs.vth)2 =k^-(VSig-V〇fs-AV)2 …（c) 以下還詳細說明上面所概述之5Tr/lc驅動電路之驅動 等。 順便提及，參考圖3，一有機EL顯示裝置包括： (1)一掃描電路101 ; 126538.doc •10- 200901130 (2) —影像信號輸出電路1 〇2 ; (3) 總計NxM個有機EL元件10，其係以一二維矩陣排 列，其中N個有機EL元件10係在一第一方向上配置而肘個 有機EL元件1〇係在一第二方向上，特別係在一垂直於該第 . 一方向之方向上配置，且各包括一有機場致發光的發光部 / 份ELP與—用於驅動該有機場致發光的發光部份ELp之驅 動電路； q (4) Μ個掃描線SCL，其係連接至掃描電路丨〇丨並在該第 一方向上延伸； (5) Ν個資料線DTL，其係連接至影像信號輸出電路1〇2 並在5亥弟一方向上延伸；以及 (6) —電流供應部份1〇〇。 應注意，雖然為了方便說明，在圖3中顯示3x3個有機 EL元件1 〇，但其始終僅作為一範例。 如下文所述，有機EL元件10之每一者包括一 5Tr/lC驅動 f 料與—發光部份ELP。發光控制電晶體TEL—c之操作係由 施加至發光控制電晶體控制線CLel_c之電壓來定義，該發 光控制電曰曰體控制器線係連接至發光控制電晶體控制電路 ^在上述界電壓消除程序中，發光控制電晶體控制 電7 103操作以在[週期_τρ(5)2]内施加一用於使發光控制 電曰曰體丁EL—C進入—接通狀態之預定電壓（例如30伏特）至發 一二制電日g體控制線CLel —C。此外，在[週期⑺3]内施 <使發光控制電晶體Tel』進人—截止狀態之另一預定 電慶（例如_10伏特）至發光控制電晶體控制線CLEL C。而 126538.doc 200901130 且在[週期-τρ(5)6]内及其後，施加用於使發光控制電晶 體TEL C進入一接通狀態之3 〇伏特預定電壓至發光控制電晶 體控制線clel_c。據此’如下文參考圖2〇所述’發光控制 電晶體控制電路103之信號之波形AFq係一矩形波形，其基 本具有-10伏特與3〇伏特的兩個值。 【發明内容】 般而5，一沿一佈線線路傳播之信號之波形會變形並 由於分佈容量等影響而在信號上升及下降邊緣處變遲滯。 變形程度會隨著傳輸該信號所循之路徑長度增加而減少。 例如，若關注發光控制電晶體控制電路1〇3之信號，則最 罪近發光控制電晶體控制電路丨〇3的一有機EL元件丨〇與最 遠離發光控制電晶體控制電路1〇3的另一有機EL元件1〇係 相互不同的。最靠近發光控制電晶體控制電路1〇3的有機 ELτο件1〇係排列於左端的一有機EL元件1〇。最遠離發光 控制電晶體控制電路1 〇 3的另一有機E L元件丨〇係在圖3所示 有機EL顯示裝置中排列於右端的一有機EL元件1〇。特定 言之，其在傳輪一信號所循之路徑長度（或換言之從各有 機EL元件1〇至發光控制電晶體控制電路1〇3之發光控制電 晶體控制線clel_c之一部分之長度）上係不同的。圖19示意 性說明在第一列有機E L元件丨〇、發光控制電晶體控制電路 1 〇3與發光控制電晶體控制線CLel_c中的一關係。 在圖19範例中，有機EL元件1〇1之路徑長度係最小，而 有機EL元件l〇N之路徑長度係最大。據此，發光控制電晶 體控制電路1 03之彳s號之波形AF〇係在一相當大變形狀態下 126538.doc •12· 200901130 傳輸至排列於右端之有機EL元件1〇n。在上文所述該等週 期[週期-ΤΡ(5)2]至[週期_TP(5)7]内沿該有機EL顯示裝置之 發光控制電晶體控制線CLel_c所傳播之一信號之波形 AF〇、AF!及AFN係如圖19示意性所示◊發光控制電晶體控 制電路103之信號之波形AFq係一矩形波形，其具有兩個 值，包括一用於使發光控制電晶體Tel_c進入一接通狀態之 電壓（例如30伏特）與另一用於使發光控制電晶體。進入 一截止狀態之電壓（例如_丨〇伏特）。波形AFg係施加至發光 控制電晶體TEL C之閘極電極。如圖丨9所示，很少從原始波 形之波形AF〇劣化之波形AF!係傳輸至有機EL元件丨〇ι並施 加至有機EL元件10〗之發光控制電晶體Tel c之閘極電極。 另一方面，一變形、實質梯形波形AFn係傳輸至有機£[元 件1〇Ν並施加至有機EL元件1〇Ν之發光控制電晶體Tel c之 閘極電極。圖20說明圖19所示之波形AF〇、AFi及AFn與顯 示在圖4上部分用於比較之時序圖。 此處，檢查在實施上文所述臨界值消除程序之[週期_ τρ(5)2]内、之丽及之後，在上文所述波形AFi係施加至發 光控制電晶體tel c之閘極電極且波形AFn係施加至發光控 制電晶體TEL_c之閘極電極時，發生於發光控制電晶體 TEL_C與驅動電晶體TDrv之間之一節點，更特定言之在下文 所述源極/汲極區域八1與八2之間的電位變化差異。圖21八及 21B說明在上文所述該等週期[週期_τρ(5)2]至[週期_ TP(5)s]内驅動電路之操作。在發光控制電晶體之閘 極電極與源極/汲極區域…之間的寄生電容係由來表 126538.doc -13· 200901130 丁而在驅動電晶體TDrv之閘極電極與源極/汲極區域、之 間的寄生電容係由CA2來表示。 曰如上文所述，在[週期_τρ(5)2]之一初始時序時，驅動電 體Drv係處於一接通狀態。接著，由於發光控制電晶體 TEL—C進入—接通狀態，故在一浮動狀態下的第二節點NE>2 處電位會上升。於是’在驅動電晶體之閘極電極與源 極/及極區域之另一者之間的電位差到達臨界電壓Vth時，
驅動電晶體丁0^進入一截止狀態。因此，如圖21A左側所 示，驅動電晶體TDrv在波形AFl與波形AFn之上升及下降邊 緣均處於一截止狀態。據此，在波形AF!與波形AFn之下 降邊緣，若發光控制電晶體Telc處於一接通狀態、，則該等 源極/汲極區域八,及八2不會處於一浮動狀態，因為電壓Vcc 係施加至其’但若發光控制電晶體Tel』進人—戴止狀態， 則該等源極/汲極區域八〗及、會進入一浮動狀態。當在發 光控制電晶體TEL—c與驅動電晶體TDrv之間（即在該等源極/ 汲極區域八丨及八2處）的節點處於一浮動狀態時，若在發光 控制電晶體TEL_C之閘極電極處的電位變化，則由於寄生電 容CA】之靜電搞合等，在該等源極/汲極區域内、及^的電 位也會變化。 此處，波形afn相對於波形AFi在一下降邊緣展現一遲 滞狀態。出現於圖2G下部分及圖21内的ΛΤί表示直至發光 控制電晶體TEL_C在波形AFi之—下降邊緣在_接通狀態與 一截止狀態之間轉變時間點的一時間週期。若波形AFl具 有-理想矩形波形，則時間ΔΤ]為零。類似地，出現於圖 126538.doc 14 200901130 20下部分及圖21内的Δτη表示直至發光控制電晶體Tel c在 波形AFn之一下降邊緣在一接通狀態與一截止狀態之間轉 變時間點的一時間週期。如圖2〇及21清楚所示， △ T!<ATn。如上文所述，若發光控制電晶體Tel c係處於_ 接通狀態’則電壓Vcc係施加至該等源極/汲極區域A〗及 A2。據此，在波形AFn之_下降邊緣，電壓乂⑶係施加至 該等源極/汲極區域八〗及八2持續ΑίνΔΙ的一時間週期。換 5之’在波形AFN之一下降邊緣，相對於在波形AF1之一 下降邊緣的電位，在該等源極/汲極區域心及心處的電位 係確實維持在電壓Vcc側。因此，如圖21 b所示，在波形 AF,與波形AFn之下降邊緣，由於靜電耦合在該等源極/汲 極區域A!及八2處的電位變化對於波形AFl表現地更加顯 著。更特疋έ之，若相互比較施加波形af !之驅動電路與 知加波形AFN之驅動電路，則在前者驅動電路内，在發光 控制電晶體TEL_C與驅動電晶體丁〇^之間節點處的電位向負 側變化一更大數量。 在發光控制電晶體TEL_C與驅動電晶體TDrv之間節點處的 電位變化由於透過寄生電容Cm之靜電耦合等而最終傳播 至第二節點ND2。因此，一些差異會發生在施加波形AFi 之驅動電路與施加波形AFn之驅動電路之間第二節點ND2 處的電位處。由此，汲極電流值會在[週期_τρ(5)7]内變 化。換g之，該差異出現於左端排列有機E]L元件丨與右 端排列有機EL元件l〇N之間的發光部份ELp之亮度處。此 外，儘管一類似現象也隨同其他有機元件1〇而發生，但 126538.doc •15- 200901130 m在度取決於信號波形變形程度而變化。如上文所 ㈣^波形變形程度取決於從各有機el元件⑺至發光控 制電晶體控制雷& 1Λ。 之發光控制電晶體控制線CLel c之 邛分之長度而變化。畢貴， _ 一 芈兄在圖19所不之範例中，發生一 即有機EL顯示裝置之亮度從螢幕影像左端向右端逐 〉變化。此現象會劣化顯示螢幕影像之亮度均勻性。 口此’而要提供一種用於一有機場致發光的發光部份之 驅動方法’其可抑制由於沿一發光控制電晶體控制線所傳 播之一信號波形變形所引起之—顯示螢幕影像之亮 性劣化。 依據本具體實施例’提供-種用於-有機EL顯示裝置之 一有機場致發光的發光部份之驅動方法，該有機扯顯示裝 置包括： (1) 一掃描電路； (2) —影像信號輸出電路； (3) 總計ΝχΜ個有機場致發光元件，其係以一二維矩陣 佈置，其中N個有機場致發光元件係在一第一方向上排列 而Μ個有機場致發光元件係在一不同於該第一方向的第二 方向上配置且各包括一有機場致發光的發光部份與—用於 驅動該有機場致發光的發光部份之驅動電路。 (4) Μ個掃描線，其係連接至該掃描電路並在該第—方向 上延伸； (5) Ν個資料線，其係連接至該影像信號輸出電路並在該 第二方向上延伸；以及 126538.doc •16- 200901130 (6)—電流供應部份； 該驅動電路包括： (A)—驅動電晶體’其包括源極/汲極區域、一通道形成 區域及一閘極電極； • (B) 一影像信號寫入電晶體’其包括源極/汲極區域、一 / 通道形成區域及一閘極電極； (C) 一發光控制電晶體，其包括源極/汲極區域、一通道 € 形成區域及一閘極電極；以及 (D) —電容器部份，其具有一對電極； 該驅動電晶體係經組態使得： (A-1)该#源極/汲極區域之一第一者係連接至該發光控 制電晶體之§亥專源極/汲極區域之一第二者； (A-2)該等源極/汲極區域之一第二者係連接至提供於該 有機場致發光的發光部份内的一陽極電極並連接至該電容 器部份之s亥等電極之一第一者以形成—第二節點；以及 〇 (A·3)該閘極電極係連接至該影像信號寫入電晶體之該 等源極/汲極區域之一第二者並連接至該電容器部份之該 專電極之一弟二者以形成一第一節點； : 該影像信號寫入電晶體係經組態使得： (B-1)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至—資料 線；以及 ' ' (B-2)該閘極電極係連接至一掃描線； 該發光控制電晶體係經組態使得： (C-1)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至―、古 電供 126538.doc -17- 200901130 應部份；以及 (C-2)該閘極電極係連接至―發光控制電晶體控制線； 該驅動方法包括以下步驟： ⑷實施-預處理，其施加—第—節點初始化電壓至該第 . 一節點並施加一第二節點初始化電壓至該第二節點，使得 ' 纟5亥等第一及第二節點的-電位差超過該驅動電晶體之一 臨界電壓且在該第二節點與該有機場致發光的發光部份之 —陰極電極H電位差*會超過該有機場致發光的發 光部份之一臨界電壓； (b)實施一臨界電壓消除程序，其係用於朝該第一節點 處電位與該驅動電晶體之臨界電遷之一差値電位來改變該 第二節點處的電位，同時仍維持在該第一節點處的電位； (〇)實把一寫入程序，其透過該由於來自該掃描線之一信 號進入一接通狀態之影像信號寫入電晶體，從該資料線施 加一影像信號至該第一節點；以及 O (d)使用一來自該掃描線之信號使該影像信號寫入電晶 體進入一截止狀態以使該第一節點進入一浮動狀態並透過 - 該發光控制電晶體與該驅動電晶體，從該電流供應部份向 : 該有機場致發光的發光部份供應對應於在該第一節點與該 • 第二節點之間電位差之值的電流； 步驟（b)包括以下步驟： (b-Ι)透過該發光控制電晶體控制部分施加一用於使該發 光控制電晶體進入一接通狀態之第一電壓至該發光控制電 晶體之閘極電極，以透過處於接通狀態的該發光控制電晶 126538.doc •18· 200901130 體來連接該驅動電晶體之該等源極/汲極區域之一至該電 流供應部份以設定在該驅動電晶體之源極/汲極區域之該 一者處的電位至一高於在步驟（a)在該第二節點處的電位之 一電位；以及 (b-2)透過該發光控制電晶體控制線來施加一用於使該發 光控制電晶體進入一截止狀態之第二電壓至該發光控制電 晶體之閘極電極； 步驟（d)進一步包括透過該發光控制電晶體控制線施加 一用於使該發光控制電晶體進入一接通狀態之第三電壓至 έ亥發光控制電晶體之閘極電極並透過處於一接通狀態的該 發光控制電晶體來連接該驅動電晶體之該等源極/沒極區 域之該一者至該電流供應部份以供應對應於該第一節點與 該第二節點之間電位差之值的電流至該有機場致發光的發 光部份； 該等第一、第二及第三電壓滿足丨Vi_〇n_V2_qff|<|V3_qn_ V2_OFF卜其中V丨_0N係該第一電壓，I —〇FF係該第二電壓而 v3 0N係該第三電壓。 較佳的係，該驅動方法係經組態使得該驅動電路進一步 包括： (E) —第二節點初始化電晶體，其包括源極/汲極區域、 一通道形成區域及一閘極電極；且在該第二節點初始化電 晶體中： (E-1) s亥等源極/汲極區域之一第一者係連接至一第二節 點初始化電壓供應線； 126538.doc -19- 200901130 (E-2)該等源極/汲極區域之一第二者係連接至該第二節 點；以及 (E-3)該閘極電極係連接至一第—銪 τ疋牧王乐一即點初始化電晶體控制 線；以及 ' 在步驟⑷’透過利用一來自該第二節點初始化電晶體控 制線之信號而進入一接通狀態的該第二節點初始化電晶 體，從該第二節點初始化電壓供應線施加一第二節點初始 ()^匕電壓至該第二節點，接著使用—來自該第二節點初始化 電曰曰體控制線之信號使該第二節點初始化電晶體進入一截 止狀態。 此外較佳的係，該驅動方法係經組態使得該驅動電路進 一步包括： (F)—第一節點初始化電晶體，其包括源極/汲極區域、 一通道形成區域及一閘極電極；且其中在該第一節點初始 化電晶體中： 1 ) (F_ 1)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至一第—節 點初始化電壓供應線； (F-2)該等源極/汲極區域之一第二者係連接至該第一節 點；以及 (F-3)該閘極電極係連接至該第一節點初始化控制線；以及 在步驟（a)，透過利用一來自該第一節點初始化電晶體控 制線之信號而進入一接通狀態的該第一節點初始化電晶 體’從該第一節點初始化電壓供應線施加一第一節點初始 化電壓至該第一節點。 126538.doc -20- 200901130 在忒驅動方法中，第一電壓V10N可依據有機EL顯示裝 置設計來加以適當設定。例如，第一電壓Vl〇n可參考一 臨限值（即該發光控制電晶體之操作從—線性區域轉變至 一未飽和區域的一臨限電壓）來加以設定。若該發光控制 電晶體係（例如）n通道型且該臨限電壓相對於該臨限值散佈 於一設計值土伏特範圍内，則該第一電壓％⑽可泉考一 略低於散佈下限之值（即相對於該臨限電壓t設計值力伏 特)主來加以言史定。類似地，在該發光控制電晶體係P通道型 之丨月況下’第一電壓Vi—〇n可參考一相對於該臨限電壓略 高於設計值+VG伏特之值來加以設定。 在邊驅動方法中，尤丰跡 在V驟（b)，實施該臨界電壓消除程 序，其係用於朝該苐—銪駄虛 C ¥ 即點處電位與該驅動電晶體之臨界 電麗之差異電位來改變今筮-f 老仏 交D玄弟—即點處的電位。定性而全， 在該臨界電壓消险#皮士 ^ ° 均除程序中，在該第-節點與該第-節點之 間的電位差(即在該驅動 …弟-即點之 Ο 之Η的雷办至、 rv之閉極電極與源極區域 ^ ^ 體之界電壓的程度取決 於机界電壓消除程序之 佯用於哕转κτ 像此，例如，其中以一確 保用於就界„消除程序時収夠 節點處的電位會到達 # 形式，在该弟一 臨界電麗之差m ~ @，點處電位與該驅動電晶體之 及·开€位。接菩，六# 之間的電位差合到、t °x弟一節點與該第二節點 動電晶體進入—啬l, 之界電壓，然後該驅 隹兄止狀態。在另一方 一無法避免設定用於 面，例如，其中以另 在該第一節點盥#胃_ 肩除程序時間之形式， 〇该弟二節點之間 位差有時變得大於該 126538.doc -2]- 200901130 驅動電晶體之臨界電壓，因此該職電晶體無法進入一截 止狀態。在本具體實施例之驅動方法中，該驅動電晶體不 必由於該臨界電壓消除程序而進人—截止狀態。 在依據包括該等較佳組態之本具體實施例之用於一有機 場致發光的發光部份之驅動方法中，即在依據本具體實施 例之驅動方法中，第—電壓Vi，、第二電壓％⑽及第三 電壓V3-QN係連續施加至該發光控制電晶體之閉極電極。 該等電麼滿足-關係1Vlff|<|v…。該現 有驅動方㈣應m其中在步驟⑻及⑷兩者中， 在要使該發光控制電晶體進入一接通狀態時，施加第三電 壓V3_0N。對比之下，在依據本具體實施例之驅動方法 中，在該臨界電壓消除程序中，在使該發光控制電晶體進 入-截止狀態之前，施加第一電壓〜⑽至該發光控制電 晶體之閉極電極。接著’如上面所給出之表達式所指示， 在第一電麼v】_0N與第二電塵V2〜〇K㈤的電位差之絕對值 小於在第三電壓v3—0N與第二電整V2_〇FF之間電位差的絕對 值。因此，如圖20及21A所示之時間週期ΔΤη之值可設定至 一較低值。因@，在發練制電晶體Tel』與驅動電晶體 TDrv之間—節點處的電位變化差會減少，故可抑制上述顯 示榮幕影像亮度均勾性劣化。此外，_然在光發射時，:亥 «電晶體便供應由上文給出表達式（〇㈣義之沒極電 流h，但若串列連接至該驅動電晶體之發光控制電晶體之 :極電壓近接該臨限電壓’則由於該發光控制電晶體之電 流容量的一限制而無法供應以上給出表達式（c)所定義之 126538.doc -22- 200901130 值的汲極電"IL ids，從而導致阻礙顯示裝置操作之可能性。 據此，即便由表達式（C)所定義之汲極電流Ids變成一設計 用於,„、員示&置的最大值，該發光控制電晶體仍須能夠無任 何故p早地（、應電流。依據本具體實施例之驅動方法’由於 可作為第二電壓V3_0N來施加可確保一足夠電流容量之值 的電壓至該驅動電晶體之閘極，故根本不會阻礙顯示裝置 之操作。 f') 在本具體實施例之驅動方法中，在步驟（d)，該影像信 號寫入電晶體係利用一來自該掃描線之信號而進入一截止 狀態。在该景^像信號寫入電晶體進入一截止狀態之時序與 訑加§亥第三電壓至該發射控制電晶體之閘極電壓之時間之 間的時間關係可依據有機EL顯示裝置設計來加以適當設 定。例如，該第三電壓可在該影像信號寫入電晶體進入一 截止狀態之後立即或經過時間之後施加至該發光控制電晶 體之閘極電極。或者，該影像信號寫入電晶體可在施加該 (J 第三電壓至該發光控制電晶體之閘極電極之後進入一截止 狀‘恕。應注意，其中以該影像信號寫入電晶體在施加該第 一電壓至该發光控制電晶體之閘極電極之後進入—截止狀 : 態之形式，存在該發光控制電晶體與該影像信號窝入電晶 體兩者展現一接通狀態之一週期。在剛才所述之週期内， 實施該遷移率校正程序之操作，其回應該驅動電晶體特性 來升高該第二節點處的電壓。應注意，還可能在—狀態下 實施步驟（c)，其中施加該第三電壓至該發光控制電晶體之 閘極電極。在此實例中，該遷移率校正程序與該寫入程序 126538.doc -23- 200901130 實質上同時實施。
在包括上述各種較佳組態之本具體實施例之驅動方法 中，諸如該掃描電路與該影像信號輸出電路之各種電路、 ，如該等掃描線與該資料線之各種佈線線路、該電流供應 邛伤與忒有機場致發光的發光部份（其可在以下簡稱為發 光部份)可各具有一已知組態或結構。特定言t，各發光 邛伤可能包括(例如)-陽極電極、-電洞運輸層、—發光 層、一電子運輸層、一陰極電極等。 儘管以下說明該驅動電路之細節，但該，驅動電路可（例 如)由一由五個電晶體與-電容器部份所組成之驅動電路 (以下稱為51>/職動電路）、另—由四個電晶體與一電容 器部份所組成之驅動電路（以下稱為湖㈣動電路）及另 一由三個電晶體與—電容器部份所組成之駆動電路（以下 稱為3Tr/lC驅動電路）之任—者所形成。 該驅動電路之該算雷a 丄 罨日日體可由n通道薄膜電晶體（TFT)所 形成。根據場合需|，可使用1通道場效應電晶體，例 t用於峨控制電晶體、該影像信號寫入電晶體等。同 Γ該電容器部份可包括-電極、另一電極及一夹置於該 等電極之間的介電層或 , 、 晶體與該電容器部㈣W動電路的該等電 的特定平面内，且例如）形成於—支撐物上 電晶體與該電容哭份係形成於該驅動電路之該等 於其間。該等驅動U體之(::)具有一層間絕緣層内插 係(例如)透過—接觸孔而、查亥4源極/…域之第二者 連接至提供於該發光部份内的陽 J26538.doc -24* 200901130 極電極《應注意，該等電晶體可形成於一半導體基板等 上。 總而言之，使用該驅動方法，第—電壓、第二電 壓V2_0F及第二電壓Vs—〇n係連續施加至該發光控制電晶體 . 之閑極電極。該等電壓滿足關係IVwV^ + IV^- - V2-〇ff|。因此，圖20及21八所示之時間週期^八之值可設定 至一杈低值，因此在發光控制電晶體Tel_c與驅動電晶體 〇 TDrv之間節點處的電位變化差異會減少。據此，還由於抑 制由於寄生電容靜電耦合等在第二節點處的電位變化差 異，可抑制上面在本發明先前技術中所述之顯示螢幕影像 壳度均勻性劣化。此外，雖然在光發射時，該驅動電晶體 供應由以上給出表達式（c)所定義之汲極電流Ids，但若串 恥連接至β亥驅動電晶體之發光控制電晶體之閘極電壓近接 -亥臨限電壓’則顯不裝置操作有可能由於該發光控制電晶 體之-電流容量限制而受到阻礙。使用本具體實施例之驅 ‘， 動方法，由於可作為第三電壓V3_〇N來施加可確保一足夠 電流容量之值的電壓至該驅動電晶體之閘極，故根本不會 阻礙顯示裝置之操作。 【實施方式】 下列參考本發明之較佳具體實施例來詳細說明本發明。 如圖14之一有機EL電路之一方塊圖内所示，本發明之具 體實施例之一有機EL顯示裝置包括·· (1) 一掃描電路1 〇 1 ; (2) 一影像信號輸出電路102 ; 126538.doc -25· 200901130 (3) 總計ΜχΜ個有機場致發光元件10，其係以一二維矩 陣佈置’其中Ν個有機場致發光元件丨0係在一第一方向上 排列而Μ個有機場致發光元件1〇係在一不同於該第一方向 的第二方向上，特別係在一垂直於該第一方向之方向上排 列，且各包括一有機場致發光的發光部份elp與一用於驅 動該有機場致發光的發光部份ELP之驅動電路； (4) Μ個掃描線scL ’其係連接至掃描電路1 〇 1並在該第 一方向上延伸； (5) Ν個資料線dtL，其係連接至影像信號輸出電路1 〇2 並在該第二方向上延伸；以及 (6) —電流供應部份丨〇〇。 應注意’雖然在圖14或圖3及9中顯示3 X 3個有機EL元件 1 0，但其始終僅係說明性的。 如上文所述’有機EL元件1〇之每一者包括一驅動電路與 一發光部份ELP。該發光部份elp具有一已知組態及結 構’包括（例如）一陽極電極、一電洞運輸層、一發光層、 一電子運輸層及一陰極電極。此外，掃描電路1 〇丨係提供 於該等掃描線SCL之一末端處。掃描電路1〇ι、影像信號 輸出電路102、掃描線SCL、資料線及電流供應部份 1 00可個別具有一已知組態與結構。
該驅動電路係基本組態成一 3Tr/lc驅動電路，其包括三 個電晶體與一電容器部份Cl。特定言之，參考圖丨3，在該 具體實施例内的該驅動電路包括一驅動電晶體TDrv、 (B) —影像信號寫入電晶體Tsig、（c)一發光控制電路TEL_C 126538.doc -26· 200901130 及（D)—電容器部份Cl，其具有一對電極。應注意，如圖8 厅示之驅動電路係形成為_ 4Tr/丨c驅動電路，其額外包括 (E)—第二節點初始化電晶體“Μ。此外，圖2所示之驅動 電路係形成為-5Tf/lC駆動電路，除了該第二節點初始化 . 電晶體Tnd2外，其進一步包括（F)—第一節點初始化電晶體 ·_ TND1 〇 上面所提及的驅動電晶體TDrv、影像信號寫入電晶體 〇 Tsig、發光控制電路丁紅―C、第一節點初始化電晶體TND1及 第二節點初始化電晶體Tm>2之每一者係形成為一 n通道 TFT，其具有源極/汲極區域、一通道形成區域及一閘極電 極。此點也類似地適用於下文所述的本發明之其他具體實 細*例。應注意，影像信號寫入電晶體Tsig、發光控制電晶 體TEL_C、第一節點初始化電晶體以⑴及第二節點初始化電 晶體TNE>2之每一者可能另外由一 p通道TFT形成。 此處，驅動電晶體TDrv係經組態使得： O (A_1)該等源極/汲極區域之—第一者係連接至發光控制 電晶體TEl_C 之該等源極/汲極區域之一第二者； (A-2)該等源極/汲極區域之—第二者係連接至提供於該 ： 有機場致發光的發光部份ELP内的一陽極電極並連接至電 容器部份C〗之該等電極之一第一者以形成一第二節點 nd2 ;以及 (A-3)該閘極電極係連接至影像信號寫入電晶體丁s之兮 等源極/汲極區域之一第二者並連接至電容器部份c丨之嗜 等電極之一第二者以形成一第一節點NDi。 126538.doc -27- 200901130 同時’影像信號寫入電晶體TSig係經組態使得： (B-1)該等源極/汲極區域之—第一者係連接至一資料線 DTL ;以及 (B-2)該閘極電極係連接至—掃描線SCL。該掃描線 係連接至掃描電路101。 此外’發光控制電晶體TSig係經組態使得： (C-1)該等源極/汲極區域之—第—者係連接至—電流供 應部份100 ;以及 (C-2)該閑極電極係連接至一發光控制電晶體控制線 CLel_c。發光控制電晶體控制線CLel—c係連接至一光發射 控制電晶體控制電路1 03。 應注意，圖8所示之4Tr/lC驅動電路與圖2所示之5Tr/lc 驅動電路進一步包括一第二節點初始化電晶體。第二 卵點初始化電晶體Tnd：2係經組態使得 (E-1)該等源極/汲極區域之一第—者係連接至一第二節 點初始化電壓供應線PSND2 ; (E-2)該等源極/汲極區域之一第二者係連接至第二節點 nd2 ;以及 (E-3)該閘極電極係連接至一第二節點初始化電晶體控制 線azn〇2。第二節點初始化電晶體控制線ΑΖν〇2係連接至第 ^一郎點初始化電晶體控制電路1 〇 5。 此外，圖2所示之5 Tr/ 1C驅動電路進一步包括一第一節 點初始化電晶體TND1。第一節點初始化電晶體Tndi係經組 態使得 126538.doc 28- 200901130 (F-1)該等源極/汲極區域之—第一者係連接至一第一節 點初始化電壓供應線PSND1 ; (F-2)該等源極/汲極區域之—第二者係連接至第一節點 ND丨；以及 (F-3)該閘極電極係連接至第一節點初始化控制線 aznd1。第一節點初始化電晶體控制線aZndi係連接至一第 一節點初始化電晶體控制電路丨〇4。 如圖18所示，其顯示一有機£乙元件部分之一示意性斷 面，形成一驅動電路之該等電晶體與電容器部份q係形成 一支撐物20上。同時’該發光部份ELp係形成於形成該驅 動電路的該等電晶體與該等電容器部份^上，一層間絕緣 層40内插於其間。同時，驅動電晶體“η之源極區域係透 過一接觸孔而連接至提供於該發光部份ELp上的陽極電 極。應注意，圖18僅顯示‘驅動f晶體TDrvQ除驅動電晶體 TDrv外的該等電晶體隱藏，故無法看見。 更明確而言，驅動電晶體T〇rv包括一閘極電極3丨、一閘 極絕緣層32、-半導體層33、提供於半導體層33上的源極/ 汲極區域3 5及在該等源極/汲極區域3 5之間由一半導體層 33之一部分所提供的一通道形成區域34。同時，電容器部 份〇】包括一電極36、一由閘極絕緣層“之延伸部分所形成 之介電層及對應於一第二節點ND2的另一電極37。形成電 容器部份(^的閘極電極31、閘極絕緣層32部分及電極％係 形成於一基板20上。驅動電晶體丁 之該等源極/汲極區域 35之一係連接至一佈線線路38，而該等源極^及極區域乃 126538.doc '29- 200901130 之另一者係連接至對應於第二節點ne>2的電極37。驅動電 曰曰體TDrv、電容器部份c!等係由層間絕緣層4〇覆蓋。一發 光部份ELP係提供於層間絕緣層4〇上並包括一陽極電極 51、一電洞運輸層、一發光層、一電子運輸層及一陰極電 極53。應注意，在圖18中，該電洞運輸層、發光層及電子 運輸層係由一層52來表示。在上面不提供發光部份ELp的 層間絕緣層40之一部分上，提供一第二層間絕緣層54，並 在第二層間絕緣層54與陰極電極53上佈置一基板21，使得 從該發光層所發射之光會透過基板21而發射至外面。應注 意，電極37或第二節sND2及陽極電極51係透過一形成於 層間絕緣層40内的接觸孔而相互連接。此外，陰極電極53 係为別透過形成於第二層間絕緣層54與層間絕緣層4〇内的 接觸孔56及55而連接至提供於閘極絕緣層32之延伸部分上 的一佈線線路3 9。 該有機EL顯示裝置及用於驅動本具體實施例所應用之發 光部份ELP之驅動電路組態係如上所述。 如圖1及5所示’依據本具體實施例所應用之驅動方法， 攸^光控制電晶體控制線ClEL-C施加一電壓至各有機el元 件10 ’該電壓係由波形BF〇至BFn指示並由一第一電壓 V丨_〇N 第一電壓V2_OFF及一第三電壓V3_〇N組成。現有 驅動方法對應於一形式，其中第三電壓V3_〇N與第二電壓 V2_0FF係連續施加至發光控制電路tel_c之閘極電極。依據 该具體實施例之驅動方法，當實施一臨界電壓消除程序 時，在發光控制電路Tel—c進入一截止狀態之前，施加第一 126538.doc •30- 200901130 電廢v,_0N至發光控制電路Tel_c的閘極。此外，所提及的 該等電壓滿足一關係|Vl_0N_V2—〇ffNV3_〇n_V2_〇ff卜 儘管下面說明依據該具體實施例之驅動方法，但為了方 便與上文在本發明之先前技術令所述之驅動電路之操作做 比較’說明圖2所示之5Tr/l C驅動電路之操作。 圖1示意性說明在本具體實施例之驅動方法中，在圖4所 示週期[週期-TP(5)2]至[週期_TP(5)7]内沿該有機EL顯示裝 置之發光控制電晶體控制線CLel—c所發射之一信號之波形 BF〇 及BFN。s亥5Tr/lC驅動電路之一等效電路圖係如 圖2所示；該有機EL顯示裝置之一方塊圖係如圖3所示，·而 驅動該5Tr/1 C驅動電路之一時序圖係如圖4所示。圖$對應 於上文在本發明先前技術說明中所參考之圖2〇並顯示圖工 所示之波形BF〇、：8?1及8叩與在圖4時序圖上部分所示之波 形。此外，該5Tr/lC驅動電路之電晶體之接通/截止狀態等 係如圖6A至6D及7A至7E示意性所示。 如上文在本發明先前技術中簡略所述，本具體實施例之 驅動方法包括以下步驟： ⑷實施-預處ί里，其施加一第一節點初始化電壓至該第 一節點Nh並施加一第二節點初始化電壓至該第二節點 NE>2，使得在第一節點ND與第節 平即點WD2之間的一電位差 超過該驅動電晶體TDrv之一臨界電壓v 电i v th丘在第二節點ne>2 與發光部份ELP之一陰極電極之間的一 J 07冤位差不會超過發 光部份ELP之一臨界電壓vth_EL^ (b)實施一臨界電壓消除程序，豆 八你用於朝驅動電晶體 126538.doc -31 · 200901130 TDrv之臨界電壓Vth與第—節 改變第二節點NE>2處的電位 處的電位； 點ND!處電位之一差異電位來 ’同時仍維持在第一節點NDj π㈠實施’寫入备序’其透過利用來自掃描線SCL之一信 、進接通狀愁之影像信號寫入電晶體TSig從資料線 DTL施加一影像信號至第一節點NDi ;以及 ⑷使用-來自掃描線咖之信號使影像信號寫入電晶體 丁 Sig進入一截止狀態以使第一節點NDi進入一浮動狀態並 透過發光控制電晶體Tel_c與驅動電晶體，從該電流 供應部份1GG向該有機場致發光的發光部份ELp供應對應於 在第—節點NDl與第二節點葡2之間電位差之值的電流以 驅動該發光部份ELP。 應注意，為了促進理解本發明，以下參考圖4及6八至6c 說明上述步驟（a)及步驟（(^之細節。 為了方便說明’假定在下列說明中，發光控制電路h e 之操作橫跨至發光控制電路Tel_c之閘極電極的2〇伏特電壓 從在一線性區域内的操作轉變成在一未飽和區域内的操 作。 如上文本發明發明内容中所述，在圖4所示之[週期_ TP(5)2]内之則及之後實施一臨界電壓消除程序。在現有 驅動方法中，發光控制電晶體控制電路i 〇3之一信號之波 形AF0係一矩形波形’其具有兩個值，包括一用於使發光 控制電晶體TELC進入一接通狀態之電壓（例如3〇伏特）與另 用於使I光控制電晶體Tel_c進入一截止狀態之電壓（例 126538.doc -32- 200901130 如-10伏特），如圖20所示。 另—方面，在本具體實施例中，用於實施該臨界電壓消 除程序之步驟（b)包括下述兩個步驟（b-1)與（b-2)。 [步驟（b-1)] . 在[週期_ΤΡ(5)2]之一起始時序，發光控制電晶體控制電 • 路103操作以透過發光控制電晶體控制線CLel—c施加用於 使發光控制電路TEL_c進入一接通狀態之第—電壓Vi 〇N (例 P 如18伏特）至發光控制電路TEL C之閘極電極。接著，透過 處於接通狀態的發光控制電路TEL_C，驅動電晶體TDrv之該 等源極/汲極區域之一係電性連接至電流供應部份1〇〇，使 得在驅動電晶體TDrv之該等源極/汲極區域之該—者處的電 位係設定高於在上文所述步驟⑷在第二節點ND2處的電 位。更特定言之，一高於驅動驅動電晶體TDrv之臨界電壓
Vth與在以上步驟（a)第二節點NE>2處電位之總和電壓之電壓 係從電流供應部份100施加至驅動電晶體TDrv之該等源極/ Ο 及極區域之δ亥一者。由此，第二節點ND2處的電位朝驅動 電aa體TDrv之臨界電廢vth與第一節點nd丨處電位之差異之 ' 電位變化。 : [步驟（b-2)] • 接著，在[週期-τρ(5)3]之一起始時序，發光控制電晶體 控制電路103操作以透過發光控制電晶體控制線CLel_c施 用於使發光控制電路TELC進入一截止狀態之第二電壓 V2-〇FF(例如_1 0伏特）至發光控制電路TEL_C之閘極電極。 接著，在步驟（d)，透過發光控制電晶體控制線CL& c施 126538.doc •33- 200901130 加用於使發光控制電路Tel c進入一接通狀態之第三電壓 0N(例如30伏特）至發光控制電路Tel—c之閘極電極。接 著，在[週期-TP(5)7]内，驅動電晶體TDrv之該等源極/汲極 區域之一係透過處於接通狀態之發光控制電路Τα;電性連 接至電流供應部份100，使得對應於第一節點^^^與第二節 點ND2之間電位差之值的電流係供應至發光部份ELp。應 注意，在本具體實施例中，在第一節點NDi進入一浮動狀 態之前開始施加第三電壓V、〇N至發光控制電路Tel_c之閘 極電極以實施上文所述之遷移率校正程序。 以下參考圖4、6D及7A至7E說明在步驟（b-Ι)及（b-2)與步 驟（d)該驅動電路之操作細節。 發光控制電晶體控制電路103之信號之波形81^具有以上 對應於步驟（b-1)、（b-2)及（d)所述之第一電壓γ10Ν、第二 電壓V2—0FF及第三電壓⑽的三個值’如圖5所示。該等 電壓具有一關係 |Vi_on-V2_off|<|v3_on-V2_〇ff|。 類似於在上文本發明先前技術說明中，波形Bf〇也會變 形並在其沿發光控制電晶體控制線Clel_c傳播時在其上升 及下降邊緣處變得遲滯。類似於圖19及20所示波形AFi及 AFN，圖1及5所示波形BFi&BFn分別指示施加至最靠近發 光控制電晶體控制電路103的左端有機EL元件10!與最遠離 發光控制電晶體控制電路103間隔的右端有機El元件1〇1^之 波形。在圖1下部分及在圖5内所示之參考字元at〆表示直 至發光控制電路TEL_c在波形BFi之一下降邊緣在一接通狀 態與一截止狀態之間轉變的一時間週期。理想上，時間週 126538.doc •34. 200901130 期Δ7Υ為零。同時，參考字元ΔΊγ表示直至發光控制電路 Tel_c在波形BFN之一下降邊緣在一接通狀態與一截止狀態 之間轉變的一時間週期。 在現有驅動方法中，在步驟（b)發光控制電路TEL_C進入 一截止狀態之前，在發光控制電路Tel—c之閘極電極處的電 壓係3 0伏特。另一方面，在本具體實施例之驅動方法中， 在發光控制電路TEL C進入一截止狀態之前，發光控制電路 TEL_C之閘極電極之電壓係Vi_〇n，其係18伏特。據此，如 圖5所不，在[週期_τρ(5)2]内，在波形BFn之一下降邊緣的 時間週期ATn’係短於圖2〇之時間週期ΔΤη。特定言之，該 等％間週期Δίγ及Δτη'與該等時間週期八71及ΔΤη具有一關 係丨ΔΤη-ΔΤ^ΐΔΤν-ΔΤνΐ。換言之，在該等源極/汲極區域 A1及八2内的該等電位在該波形之一下降邊緣保持在電壓 Vcc側上的時間週期差會減少。由此，在左端有機el元件 1〇ι之發光控制電路TEL_C與驅動電晶體TDrv之間節點處的 電位差與在右端有機EL元件i 〇n之發光控制電路Τα;與驅 動電晶體TDrv之間節點處的電位變化會減少。 士上文本發明先‘技術說明中所述，在發光控制電路 Tel_c與驅動電晶體TDrv之間節點處的電位變化最終會傳播 至第二節點ΝΕ>2。接著，由於此類電位變化傳播，在[週 期-ΤΡ(5)7]内汲極電流值會變化。在本具體實施例中，在 最靠近發光控制電晶體控制電路1〇3的左端有機EL元件1〇1 與最遠離發光控制電晶體控制電路丨〇3佈置的右端有機EL 元件1〇n之間的電位變化差異會減少。此也類似適用於其 126538.doc -35· 200901130 他有機EL元件10。據此，在[週期_τρ(5)7]内汲極電流值變 化會減少，故可抑制顯示螢幕影像亮度均勻性劣化。 此外，如圊5及20所示，在[週期_τρ(5)7]内，為了接通 發光控制電路TEL C，類似於現有驅動方法中值之一值的第 三電壓V1 2_0N係施加至發光控制電路丁以―c之閘極電極。據 此，在步驟（d)該發光控制電晶體之電流容量最終具有一類
似於現有驅動方法中值的值，故不會影響該發光部份之發 光亮度。 X 上面說明本具體實施例之驅動方法。 隹下列5Tr/1C驅動電路中，說明使用此類驅動電路之 4Tr/lC駆動電路、3T]：/1C驅動電路及發光部份Ε[ρ。 該有機EL顯示褒置包括以一二維矩陣排列的Ν/3χΜ個像 = .、、、而在下列#明中，假定_像素係、由三個子像素組 -36- 1 ’包括—用於發紅光的發紅光子像素、-用於發綠光的 么綠光子像素與-用於發藍光的發藍光子像素。此外，形 成=等像素之該等有機EL元件1〇係線序驅動且顯示框率係 人^7 °特疋言之’該等有機EL元件10係同時驅動，該 素，即_子傻音^ ，，2, 排列之N/3個像 2 中，以、換2之，在形成一列的有機EL元件1〇 中以該專有機EL元件1〇所眉之 „ 光/不 /所収-料早位來控制該等發 、序。應注意，一寫入一影像 之像素的程序(以下稱為同時寫入程序=至形成-列 影像信號至所有像辛内之/皮 ）了犯係同時寫入一 至該等像^ 程序或—依序寫人—影像信號 像素内之程序（以下僅稱為依序寫入程序）。該等實 126538,d〇c 200901130 —可基於驅動電路組態來加以適 際所要應用的寫入程序之 當選擇。 :處為-代表來說明關於一有機el元件丨。之驅動及 操作，该有航元件形成在一位於第m列第η行（其中n = 1， 2’ 3，…，N)像素内的—士役本 一 +像素。如剛才所提及之此類子像 '、5 EL兀件1〇係以下稱為第（n，m)個子像素或第（η m)個有機EL元件1〇。在用於冲 ’ 在用於排列於弟m列之該等有機£[元 件1〇之一水平掃描週期（即—第m個水平掃描週期）結束之 前，實施包括以下所述之—臨界電㈣除程序、一寫入程 序及一遷移率校正程序的各種程序。應注意，’必需在第m 個水平掃描週期内實施該寫人程序與該遷移率校正程序。 另-方面’取決於驅動電路類型，可在第爪個水平掃描週 期之前實施該臨界電壓消除程序與用於該臨界電壓消除程 序的一預處理。 接著在所有上述程序結束之後，驅動排列於第瓜列的 該等有機EL元件H)之該等發光部份來發光。應注意，該等 發光部份可在所有上述程序結束之後立即發光或可在經過 -預定時間週期之後（例如在所有程序結束之後經過用於 -預定數目列的-水平掃描週期)發光。該預定時間週期 可依據有機EL顯不裝置規格、驅動電路組態等來加以適當 地設定U意’在下列說明中，為了方便說明，假定該 等發光部份在該等程序結束之後立即發光。接著，形成排 列於第m列之各有機ELS件1〇之發光部份之光發射繼續， 直至緊接用於排列於第（m+m，）列之有機EL元件1〇之一水平 126538.doc -37- 200901130 "週屑之岫的一日寸間點開始。此處，「m'」係取決於有 機器設計規格來加以決冑。特定言之，形成排列於 一特疋顯不訊框之第m列内的有機EL元件1〇之每一者之發 光部份之光發射繼續直至第㈦+⑹」）列。同時，形成排列 • 於第爪列之有機EL元件10之每一者的發光部份從第（m+m，) ·· ㈤水平掃描週期之-起始點至在用訂-I貝示框之第爪個 水平週期内完成該寫入程序與該遷移率校正程序的另一時 c Μ點保持其不發光狀態。在提供上述不發射任何光的週期 (其可在以下簡稱為不發光週期）之情況下，會減少由於在 主動矩陣驅動中所涉及之一殘像所引起之模糊，因此可 改良移動圖像品質。然而，該等子像素或有機EL元件10之 發光狀態/不發光狀態不限於上述狀態。此外，一水平掃 描週期之時間長度小於1/frx1/m#。在m+m，值超過河之情 況下’在下一顯示框内處理水平掃描週期之多餘部分。 在一電晶體之兩個源極/汲極區域之間的術語「一源極/ 汲極區域J有時係用以表示連接至一電源供應部份的該等 源極/汲極區域之該一者。此外，一電晶體處於一接通狀 悲表示其中在該等源極/汲極區域之間形成一通道之一狀 態。在此實例電流是否會從一源極/汲極區域流動至 該電晶體之另一源極/汲極區域並不重要。另一方面，電 晶體處於一截止狀態表示其中在該等源極/汲極區域之間 不形成一通道之一狀態。此外，一特定電晶體之一源極/ 汲極區域係連接至另一電晶體之一源極/汲極區域表示— 形式’其中該特定電晶體之源極/汲極區域與另—電晶體 126538.doc -38· 200901130 之源極/液極區域佔據相同區域。而且，該等源極/没極區 域可不僅由-傳導物質（例如含雜質的多晶石夕或非晶石夕）形 成，還可由金屬、合金、傳導顆粒、—堆疊結構（包括此 類金屬、纟金或傳導顆粒)或—由一有機材料或傳導聚合 物所形成之層所形成。此外，在下列說明中所使用之時序 圖中，指示週期的橫座標軸長度(即時間長度)僅係示意 性，並不指示不同週期之間的時間長度比率。
[5Tr/lC驅動電路] 如上文所述，該5Tr/lC驅動電路之一等效電路圖係如圖 2所示；該有機EL顯示裝置之一方塊圖係如圖3所示；驅動 該5Tr/lC驅動電路之一時序圖係如圖4所示；及該5Tr/ic 驅動電路之電晶體之接通/截止狀態係如圖6八至6〇及圖7a 至7E示意性所示。 參考圖2至4及7A至7E，該5Tr/1C驅動電路包括五個電晶 體包括於像彳5號寫入電晶體TSig、一驅動電晶體 TDrv、一發光控制電晶體TEL_C、一第一節點初始化電晶體 TND,及一第二節點初始化電晶體Τν〇2並進一步包括一電容 益部份C丨。 [發光控制電晶體TElj_c] 發光控制電晶體TEL_C之一源極/汲極區域係連接至用於 供應一電壓Vcc之電流供應部份1〇〇，而發光控制電晶體 Tel_c之另一源極/汲極係連接至驅動電晶體之一源極/汲極 區域。發光控制電晶體TEL_C之接通/截止操作係受一連接 至發光控制電晶體TEL_C之閘極電極的發光控制電晶體控制 126538.doc -39- 200901130 線CLel_c控制。應注意，電流供應部份loo係提供以便供 應電流至有機EL元件10之發光部份ELP以控制發光部份 ELP之光發射。此外，發光控制電晶體控制線CLEL C係連 接至光發射控制電晶體控制電路103。 [驅動電晶體Tdi^v] 如上所述，驅動電晶體TDrv之一源極/汲極區域係連接至 發光控制電晶體TEl_C之另一源極/没極區域。特定言之， 驅動電晶體TDrv之一源極/没極區域係透過發光控制電晶體 TEL_C而連接至電流供應單元1〇〇。同時，驅動電晶體TDrv 之另一源極/汲極區域係連接至 (1) 發光部份ELP之陽極電極， (2) 第一節點初始化電晶體tND2之另一源極/汲極區域， 以及 (3) 電容器部份C!之電極之一， 並形成第二節點ND2。同時，驅動電晶體TDrv之閘極電極 係連接至 (1) 影像信號寫入電晶體TSig之另—源極，汲極區域， (2) 第一節點初始化電晶體TND1之另一源極/汲極區域， 以及 (3) 電谷益部分c丨之另一電極 並形成一第一節點ND!。 …⑴ 當有機EL元件10處於一發光狀態時，馬區動電晶體τ心係 驅動以便依據下列表達式（1)來供應汲極電流。^。 U=k^.{vgs-vthy 126538.doc -40- 200901130 其中 μ :有效遷移率 L :通道長度 W:通道寬度 . Vgs .在閘極電極與用作一源極區域之另一源極/閘極區域 ： 之間的電位差
Vth :臨界電壓
Cm :(閘極絕緣層之相對介電常數真空介電常數閘極 絕緣層厚度） k=(l/2)-(W/L)-Cox 在有機EL元件10之發光狀態下，驅動電晶體TDrv之源極/汲 極區域之一用作一汲極區域而其另一源極/汲極區域用作 一源極區域。為了方便說明，在下列說明中，驅動電晶體 TDrv之該一源極/没極區域有時簡稱為汲極區域而另一源極/ 汲極區域有時簡稱為源極區域。 當汲極電流Ids流過有機EL元件10之發光部份ELP時，有 機EL元件10之發光部份ELP會發射光。此外，有機el元件 1 〇之發光部份ELP之發光狀態（即發光亮度）係受汲極電流 Ids値之量值控制。 [影像信號寫入電晶體TSig] 如上所述，影像信號寫入電晶體TSig之另一源極/汲極區 域係連接至驅動電晶體T d r v之間極電極。同時，影像信號 寫入電晶體T S i g之該一源極/没極區域係連接至一資料線 DTL，使得用於控制發光部份ELP亮度之一影像信號vsig係 126538.doc -41 - 200901130 透過資料線DTL而從影像信號輪出電路丨〇2供應至該一源 極/汲極區域。應注意，各種信號或電壓（例如一用於預充 電驅動之信號）與各種參考電壓可透過資料線DLT來供應至 該一源極/汲極區域。影像信號寫入電晶體Tsig之接通/截止 操作係由一掃描線SCL控制，該掃描線係連接至影像信號 寫入電晶體Tsig之閘極電極。 [第一節點初始化電晶體TND1] 如上所述，第一節點初始化電晶體Tndi之另一源極/汲極 區域係連接至驅動電晶體TDrv之閘極電極。同時，用於初 始化第一節點ND,處電位的—電壓v〇fs(即在驅動電晶體 TDrv之閘極電極處電位）係供應至第一節點初始化電晶體 tnd1之該一源極/汲極區域。第—節點初始化電晶體⑴之 接通/截止操作係受一第一節點初始化電晶體控制線Ah⑴ 控制，該控制線係連接至第一節點初始化電晶體Τν⑴之閘 極電極。第一節點初始化電晶體控制線AZND1係連接至一 第一節點初始化電晶體控制電路1 〇4。 [第二節點初始化電晶體tnd2] 第一節點初始化電晶體Tn〇2之另一源極/汲極區域係連接 至驅動電晶體TDrv之源極區域。同時，用於初始化第二節 點ND2處電位的一電壓Vss(即在驅動電晶體之源極電極 處電位）係供應至第二節點初始化電晶體ΤΝ的之該一源極/ ,極區域。此外，第二節點初始化電晶體Tnw之接通/截止 操作係文一第二節點初始化電晶體控制線AZND2控制，該 控制線係連接至第二節點初始化電晶體Tnm之閘極電極。 126538.doc -42· 200901130 弟·一貞卩點初始化電晶體控制線AZnD2係連接至一宽一味机 氺一即點 初始化電晶體控制電路1 05。 [發光部份ELP] 如上所述’發光部份ELP之陽極電極係連接至驅動電晶 體Tdtv之源極區域。同時，一電壓VCat係施加至發光部份 ELP之陰極電極。發光部份ELP之寄生電容係表示為參考 字元CEL。此外’用於發光部份ELP光發射所需之臨界電壓 係表示成Vth-EL。特定言之，在發光部份ELP之陽極電極與 陰極電極之間施加一高於電壓Vth EL之電壓時，發光部份 ELP會發光^ 雖然在下列說明中，施加具有以下給出值的電壓或電 位’但其始終係用於解釋的值’而該等電壓或電位值並不 限於該等給定值。 VSig:用於控制發光部份ELP亮度之影像信號 … 0至10伏特 vcc .用於控制發光部份ELP光發射之電流供應部份之電壓 …20伏特 v0fs :用於初始化驅動電晶體TDrv之閘極電極處電位（第一 節點ND!處電位）的電壓 …〇伏特
Vss .用於初始化驅動電晶體丁^之源極區域處電位（第二 郎點ND2之電位）的電壓 …-10伏特
Vth:用於驅動電晶體T〇rv之臨界電壓 126538,doc •43- 200901130 ··· 3伏特
Vcat :施加至發光部份ELP之陰極電極的電壓 …0伏特
Vth-EL :發光部份ELP之臨界電壓 …3伏特
Vlon :用於使該發光控制電晶體進入一接通狀態之第一 電壓 …18伏特 V2 —OFF :用於使該發光控制電晶體進入一截止狀態之第二 電壓 ··· -10伏特 V3_〇N :用於使該發光控制電晶體進入一接通狀態之第三 電壓 ··· 30伏特 在下文中’說明該5Tr/l C驅動電路之操作。應注意，儘 管假定—發光狀態在如上述完成所有各種程序（包括一臨 界電壓消除程序、一寫入程序及一遷移率校正程序）之後 立即開始，但該5Tr/lC驅動電路之操作不限於此。此點也 類似適用於該4IY/1C驅動電路與該3Tr/lc驅動電路之 明。 ° 應注意，在現有驅動方法中的操作實質上類似於上述操 作，除了在[週期·ΤΡ(5)2]1^在步驟㈣用第三
取代第，Vl_0N。 3-〇N
[週％ ·ΤΡ(5)-]](參考圖 4及 6A) 126538.doc -44- 200901130 此[週期-TPPU係在一先前操作循環内的各種程序作為 先前顯示框内的操作完成之後第（n，m)個有機EL元件1〇仍 處於一發光狀態的一週期。特定言之，基於下文所給出之 一表達式（5)之汲極電流i'ds流過包含第（n，m)個子像素之有 機EL元件10之發光部份ELp，且形成（n,㈣個子像素之有 機ELtg件10之亮度具有對應於汲極電流的一值。此 處，影像信號寫入電晶體Tsig、第一節點初始化電晶體
V 丁NDI及第二節點初始化電晶體Τν〇2均處於一截止狀態，而 發光控制電晶體Tel_c與驅動電晶體TDrv均處於一接通狀 態。第（n, m)個有機EL元件10之發光狀態繼續直至用於排 列於第（m+m )列的該等有機EL元件之一水平掃描週期開始 的一時間·點。應注意’可應用另-組態，其中在目前顯示 4内的第m個水平掃描週期内包括週期[週期_τρ(5)ι]至 期-ΤΡ(5)4]。 一在^所示該等週期[週期_τρ(5)〇]至[週期_τρ(5)4]内，在 ；)操作循環内各種程序完成之後的—發光狀態結束之 後，實施直至勢-r- ^ … 家接下一寫入程序之前—時間點的操作。特 2 =，該等週期[週期_TP(5)。]至[週期_τρ(5)4]具有_時
間長度*例如j pa j, v.A 掃描週期之： —先前顯示框内的第(m+m,)個水平 掃描週：二束=至一目前_^ m個水平掃描週期：另外=思，可在目前顯示框内的第 τρ(5)4]。 』内另外包括週期[週期至[週期_ “’在㈣週期[週期·τρ(5)。]至[週期_τρ叫内，第 J26538.doc •45· 200901130 (n, m)個有機EL元件10係處於一不發光狀態。特定言之， 在該等週期[週期-TP(5)。]至[週期_τρ(5)ι]與該等週期[週 期-ΤΡ(5)3]至[·_ΤΡ(5)4]内，由於發光控制電晶 處於一截止狀態，故該等有機EL元件丨〇不會發光。應注 意:在[週期-耶)2]内，發光控制電晶體k。展現—接通 狀態。，然）¾，在此週期β，了文所述臨界電壓消除程序正 在實施中。儘管在該臨界電壓消除程序說明中已給出詳細 說明，但若假定滿足下文所給出之表達式（2)，則有機el 元件10不會發光。 在下文中，先說明該等週期[週期_τρ(5)〇]至[週期_ ΤΡ(5)4]。應注意，可依據有機此顯示裝置設計來適當設 定[週期-Tppwi起始時序與該等週期[週期_τρ(5)ι]至[週 期-ΤΡ(5)4]之長度。 [遇期-ΤΡ(5)〇] 如上文所述，在[週期_ΤΡ(5)〇]内，第（n，m)個有機此元 件10係處於一不發光狀態。影像信號寫入電晶體Tsig、第 -節點初始化電晶體TND1及第二節點初始化電晶體丁咖係 處於一截止狀態。同時，在從[週期_τρ(5)1]變成[週期_ ΤΡ(5)〇]之一時間點，發光控制電晶體丁弘』進入一截止狀 態。因此’纟第二節點叫（即驅動冑晶體^之源極區域 或發光部份ELP之陽極電極）處的電位下降至， 故發光部份ELP進入一不發弁妝雉 卜放九狀態。此外，處於一浮動狀 態的第·一節點ND1 (即在驅動雷曰种τ %勒冤日日體T〇rv之閘極電極）處的電 位也以一方式下降以便跟隨第二節點ND2處的電位下降。 126538.doc -46- 200901130 [週期-TPy)!](參考圖4、5、6Β及6C) 在该週期内，實施步驟（a)，即上文所述預處理。下列詳 細說明該預處理。 特定言之，在[週期_TP(5)1]起始時，第一節點初始化電 晶體控制電路104與第二節點初始化電晶體控制電路1〇5操 作以設定第一節點初始化電晶體控制線ΑΖν〇ι與第二節點 初始化電晶體控制線AZnd2至高位準則吏帛一節點初始化
Ο 電晶體tnd1與第二節點初始化電晶體Tnd2進入一接通狀 態。應注意，第-節點初始化電晶體第二節點初始 化電晶體TND2可同時進入一接通狀態或第一節點初始化電 晶體TND1可先進入一接通狀態或反之第二節點初始化電晶 體丁’可先進人-接通狀態。接著，透過進人—接通狀態 的第節初始化電晶體Tndi，從第一節點初始化電壓供應 線PSND1供應該第一節點初始化電壓至第—節點，然後 透過處於一接通狀態的第二節點初始化電晶體ΑΝ，從第 一節點初始化電壓供應線PSnD2施加該第二節點初始化電 壓至第二節點nd2。 电 由此，在第一節點ND,處的電位變成電壓¥〇“或〇伏特。 同時，在第二節點ΝΑ處的電位變成_1〇伏特電壓V 。 s s 〇 由 於在第-節點ND i與第二節點ND 2之間的電位差係i 〇 且驅動電晶體TDrv之臨界電壓〜係3伏特，故驅動電晶體 T…進入-接通狀態’應、注意，在該第二節點與發光:; ELP之陰極電極之間的電位差係]Q伏特，故不超過々 份ELP之臨界電壓vth EL。 ° l2653S.doc -47- 200901130 读 1 、各、 34程序’在驅動電晶體TDrv之閘極區域與源極區 域之間的電位差變得高於臨界電壓，故驅動電晶體TDrv 展現一接通狀態。 在凡成[週期_TP(5)1]之前，第二節點初始化電晶體控制 電路1 05知作以設定第二節點初始化電晶體控制線入“…至 低位準以使第二節點初始化電晶體Tnd2進入一截止狀態。 週期[週期-TP(5)2]至[週期_Τρ(5)3](參考 圖4、5、6D及 7E) 在該等週期内，實施由上述步驟（b)(更明確而言步驟（b- 1)及（b-2))所提供之臨界電壓消除程序。下列詳細說明該 臨界電塵消除程序。 首先’執行上文所述之步驟特定言之，維持第一 節點初始化電晶體Tndi之接通狀態時，在[週期_τρ(5)2]之 一起始時序，發光控制電晶體控制電路1〇3操作以透過發 光控制電a3體控制線CLel_c施加用於使發光控制電路丁以〇 進入一接通狀態的第一電壓Vl—⑽至發光控制電路丁紅c之 閘極電極，藉此使發光控制電路進入一接通狀態。由 此在弟一節點處電位ND^不變化，而維持電壓v〇fs=〇伏 特日守，第二節點Ν〇2處的電位朝第一節點ND]處電位與驅 動電晶體TDrv之臨界電壓Vth之差値電位變化。換言之，處 於浮動狀恶的第二節點NDz處電位會上升。接著，在驅 動電晶體T D r v之閘極電極與源極區域之間的電位差到達臨 界電壓vth時，驅動電晶體TDrv進入一截止狀態。特定言 之，在第二節點ND2處的電位接近v〇fs_Vth=_3伏特>Vss: 126538.doc •48· 200901130 最終變成等於v0fs-Vth。此處，若確保以下給出的表達式 (2)，即若選擇並決定該等電位以便滿足表達式（2)，則發 光部份ELP不會發光。 (V〇fs-Vth)<(Vth.EL+vcat)... (2) • 接著，執行下文所述程序沙-2)。特定言之，維持第一節 : 點初始化電晶體TND1之接通狀態時，在[週期_τρ(5)3]之— 初始時序，發光控制電晶體控制電路103操作以透過發光 f l 控制電晶體控制線CLel_c施加用於使發光控制電晶體丁虹c 進入一截止狀態的第二電壓Vz—〇FF至發光控制電路 閑極電極。在第一節點NDl處的電位不會變化，而維持電 壓V0fs = 〇伏特，且處於一浮動狀態的第二節點NR處電位 實質也維持V0fs-Vth=-3伏特。 如上文所述，在第二節點ΝΕ>2處的電位透過步驟（b_l)及 0-2)最終變成等於v〇fs_Vth。特定言之，在第二節點nd2處 的電位僅取決於驅動電晶體T D r v之臨界電壓v t h與用於初始 化驅動電晶體TDrv之閘極電極之電壓V0fs。因此，在第二 節點ND2處的電位獨立於發光部份jgLp之臨界電壓u。 [週期-ΤΡ(5)4](參考圖7B) 接著，第一節點初始化電晶體控制電路1〇4操作以設定 第一節點初始化電晶體控制線八^⑴至低位準以使第一節 點初始化電晶體TND】進入一截止狀態，在第—節點^^^與 第二節點ND2處的該等電位實質上不會變化。儘管實際上 寄生電容靜電耦合等會引起—電位變化，但通常可忽略該 變化。 〜 ^ 126538.doc -49· 200901130 現在，說明在該等週期[週期-ΤΡ(5)5]至[週期_ΤΡ(5)7]内 的操作。應注意，如下文所述，在[週期_τρ(5)5]内，實施 該寫入程序，並在[週期_τρ(5)6]内，實施該遷移率校正程 序。如上文所述，必需在第m個水平掃描週期内執行所提 . 及的該等程序。為了方便說明，假定[週期-TP(5)5]之一起 : 始時序舆[週期-ΤΡ(5)6]之一結束時序分別符合第m個水平 掃描週期之一開始時序與一結束時序。 [週期_TP(5)5](參考圖4及7C) 在此週期内，以下列方式實施步驟（c)，即上文所述寫入 處里特疋§之’在維持第一節點初始化電晶體tnd1、第 一谛點初始化電晶體TND2及發光控制電路TEL_C之截止狀態 時，影像信號輸出電路1〇2操作以設定資料線dtl處的電 位至用於控制發光部份ELP亮度之影像信號電壓Vsig。接 著，掃描電路1 〇 1操作以設定掃描線SCL至高位準以使影 像信號寫入電晶體Tsig進入一接通狀態。由此，在第一節 I，’點ND,處的電位上升至影像信號VSig。 此處，電容器部份Cl之電容係〜而寄生電容cel之電容 係cEL接著在驅動電晶體TDrv之閘極電極與源極區域之間 • 的寄生電容係表示成cgs。當在驅動電晶體TDrv之閘極電極 2的電位從電壓VQfs變成影像信號V% (〉u時，在電容 益。卩伤C!相對端的電位（即在第一節點與第二節點 处的電位）原則上會變化。特定言之，基於驅動電晶體k “閘極電極處（即在第—節點處）電位變化Vyg.Vofs的電 係刀佈至電谷器部份Ci、發光部份之寄生電容C弘以 126538.doc -50- 200901130 及在驅動電晶體TDrv之閘極電極與源極區域之間的寄生電 容。然而’若比較該等值wCgs，寄生電容&係足夠 南，則基於驅動電晶體TDrv之間極電極處電位變化％ V⑽的在驅動電晶體TDrv之源極區域内(即在第^節二 處）的電位變化係較+。一般而言，發光部份ELP之寄生電 容CEL之電容值CEL高於電容值Ci與驅動t晶體丁^之寄生電 容值Cgs。因此，為了方便說明，除了特殊情形外，係在不 將由於第-節點N D,處電位變化所引起的第二節點N D 2處 電位變化考量在内的情況下來提供說明。此點也適用於其 他驅動電路。應注意，也在不將由於第一節點皿】處電位 交化所引起之第二節點NE>2處電位變化考量在内的情況下 來說明圖4所示之驅動時序圖。在驅動電晶體了…之閉極電 極處（即在第一節點^^^處）的電位係表示成％且在驅動電 晶體TDrv之源極區域（即在第二節點NR處）的電位係表示成 Vs之隋/兄下，该等電位、及％之值係由以下表達式（3)來給 '因此，在第一節點ND!與第二節點nd2之間的電位 ' 「驅動電aa體TDrv之閘極電極與源極區域之間的電位 差Vgs，可由下列等式（3)來表示：
Vg=vsie
Vs~v〇fs-Vth V^"Vsig-(V〇fs-Vth) ... (3) 4寺定士
、s之，在用於驅動電晶體TDrv之寫入處理中所獲得 之電位差V gs僅依賴於用於控制發光部份ELP亮度之影像信 號Vs,g、驅動電晶體T〇rv之臨界電壓Vth及用於初始化驅動 126538.doc 200901130
電晶體TDrv之閉極電極的電壓v〇fs。則電位差^獨立於發 光部份ELP之臨界電壓Vth_EL 〇 X
[週期-TP(5)6](參考圖7D) 其後，實施基於驅動電晶體TDrv之遷移率0量值來校正驅 動電晶體TDrv之源極區域内（即在第二節aw%處）電位，即 遷移率校正程序。 一般而言’在驅動電晶體TDrv係由一多晶矽薄臈電晶體 等所形成之情況下，無法避免在電晶體中發生遷移率 佈。據此，即使施加一等值影像信號Vsig至遷移率^不同的 複數個驅動電晶體TDrv之閘極電極，在流過一具有一較高 遷移率μ之驅動電晶體TDrv與另一具有—較低遷移率μ之驅 動電晶體TDrv的汲極電流ids之間仍會出現差異。接著，若 出現剛才所述的此類差異時，則會損害有機EL顯示裝置之 螢幕影像均勻性。 因此，在維持驅動電晶體TDrv之接通狀態時，發光控制 電晶體控制電路103操作以透過發光控制電晶體控制線 clel_c來施加用於使發光控制電路tel c進入一接通狀態之 弟一電壓V3_0N至發光控制電路tel_c之閘極電極。接著， 在經過預定時間tG之後，掃描電路101操作以設定掃描線 SCL至低位準以使影像信號寫入電晶體Tsig進入一截止狀 態，藉此使第一節點NDK即驅動電晶體TDrv之閘極電極）進 入一浮動狀態。由此，在驅動電晶體丁Drv之遷移率μ值較 咼的清况下，在驅動電晶體TDrv之源極内的電位遞增數量 △V或電位校正值會變大，但在驅動電晶體之遷移率p 126538.doc -52- 200901130 值較低的情況下，在聰办 曰 洛“ 纟動電曰曰體Drv之源極區域内的電位 遞增數量或電位校正值 的電位 T ^ ΡΒ ^ , 此處’在驅動電晶體 TDrv之閘極電極與源極域 矣、…κ门的電位差vgs係由藉由變換 表達式（3)所獲得之下列表達式來給出：
VgS~VSig-(V〇fs-Yth^_Ay … （4)
應注意，在設計有機EL顯示裝置時可作為—設計值預先 決定執行遷移率校正程序之預定時間[週期·ΤΡ(5)6]之總時 間^此外’決定[週期_ΤΡ(5)6]之總時⑴。，以便此處在驅 動電晶體TDrv之源極區域内的電位υ—Δν滿足下列表 達式（2，）。接著，還藉由該遷移率校正程序來同時實施係 數 (l/2).(W/L).C〇x)散佈校正。 V〇fs-Vth+AV<Vth.EL+Vcat ... (2，} [週期_τρ(5)7](參考圖4、5及7E) 藉由上述操作’完成該臨界電壓消除程序、寫入程序及 遷移率校正程序。其後，在[週期_τρ(5)7]内，以下列方式 實施上文所述步驟（d)。特定言之，掃描電路1〇1操作以設 定掃描線SCL至低位準以使影像信號寫入電晶體τ叫進入 一截止狀態，藉此使第一節點NDi(即驅動電晶體之閘 極電極）進入一浮動狀態。接著，為了使發光控制電路 Tel—c進入一接通狀態，透過發光控制電晶體控制線 CLel—c，施加第三電壓V3—〇n至發光控制電路c之閘極 電極’接著維持第三電壓V3_〇N之施加狀態。同時，在一 狀態下維持發光控制電路Tel_c之汲極區域，其中其係連接 至用於控制發光部份ELP光發射之電壓vcc(例如20伏特）的 126538.doc •53· 200901130 電流供應部份100 位會上升。 由於該等操作，在第二節 點ΝΓ>2處的電
此處，由於如上述驅動電晶體k之閘極電極處於—浮 動狀態且此外存在電容器部份Ci，則驅動電晶體了。”之門 極電極會發生類似於—自舉電路之現象的一現象。因此: 在第-節點NDl處的電位也會上升。由此，在驅動電晶體 TDrv之閘㈣極肖源極區域之間的電位差I維 ： (4)之值。 八 此外，由於在第二節點ND2處的電位上升並超過乂峨作〜， 故發光部份ELP會開始發光。此時，由於流過發光部份 ELP之電流係從驅動電晶體了…之沒極區域流動至源極區 域之汲極電流Ids，故該電流可由一表達式（1)來表示。此 處’根據表達式⑴及（4)，表達式⑴可變換成下列表達式 (5)：
Ids=k^-(VSig_v〇fs_AV)2 …（4) 據此，在電壓^係設定至〇伏特之情況τ，流過發光部 份ELP之汲極電流Ids與由於驅動電晶體遷移率^所引起 的用於第二節點ΝΑ(即用於驅動電晶體之源極）之電壓 校正值ΔΥ值與用於控㈣光部份ELp亮度之影像信號、 值之差值平方Μ例而遞增。換言之，流過發光部份㈣ 之汲極電流Ids既不取決於發光部份ELp之臨界電壓， 也不取決於驅動電晶體TDrv之臨界電壓Vth。因此，發光部 伤ELP之發光數直（即売度）既不受發光部份之臨界電壓 Vth-EL影響，也不會受驅動電晶體之臨界電壓影 126538.doc -54- 200901130 響。因而，第(n，m)個有機EL元件1〇之亮度具有對應於汲 極電流。的一值。 此外，由於電位校正值隨著驅動電晶體之遷移率 μ遞增而遞增，故表達式⑷左懸會減少。據此，即使遷 • 移率μ值在表達式（5)内較高，仍可校正沒極電流Ids，因為 : (Vsig_v〇fs_AV)2值減少。換言之，即使驅動電晶體TDrv具有 一不同遷移率μ ’若影像信號乂叫值相等，則汲極電流一會 艾得H質相等，並因此均勻化流過發光部份ELP以控制發 光邛伤ELP宂度之汲極電流Ids。換言之，可校正由於遷移 率μ散佈所引起之發光部份亮度散佈以及因此係數k散佈。 發光部份ELP之發光狀態繼續直至第水平掃 描週期。此時間點對應於[週期_τρ(5) ι]結束。 於是完成有機EL元件1 〇(即第（η，⑷個子像素（有機El元 件10))之發光操作。 現在’說明該4Tr/1C驅動電路。 j [4Tr/lC驅動電路] s亥4Tr/1 C驅動電路之一等效電路圖係如圖8所示；該有 機EL顯示裝置之一方塊圖係如圖9所示；而驅動該4Tr/1C 驅動電路的一時序圖係如圖1〇所示。此外，該4Tr/lc驅動 電路之電晶體之接通/截止狀態等係如圖丨丨A至丨丨d及1 2 A 至12E中示意性所示。 在該4Tr/lC驅動電路中，從上文所述5Tr/lC驅動電路中 省略第一節點初始化電晶體Tndi。特定言之，該4丁1>/1(：;驅 動電路包括四個電晶體，包括一影像信號寫入電晶體 126538.doc •55- 200901130 TSig、一驅動電晶體TDrv、一發光控制電晶體丁弘』及一第 一節點初始化電晶體TND2並進一步包括一電容器部份a。 [發光控制電晶體Tel_c] 發光控制電晶體丁^3具有與在該5Tr/lC驅動電路說明中 上文所述發光控制電晶體Tel c組態相同的一組態。因此，
本文中省略發光控制電晶體Tel_c之重複說明以免冗餘。 [驅動電晶體TmvJ 驅動電aa體TDrv具有與在該5Tr/lc驅動電路說明中上文 所述之驅動電晶體TDrv組態相同的一組態。因此，本文中 省略驅動電晶體丁…之重複說明以免冗餘。 [第二節點初始化電晶體tND2] 弟一初始化電晶體ΤΝΕ>2具有與在該5Tr/1C驅動電路說明 中上文所述第二節點初始化電晶體Tnm組態相同的一組 悲。因此，本文中省略第二節點初始化電晶體Tnw之重複 說明以免冗餘。 [影像信號寫入電晶體丁^^ 影像信號寫入電晶體Tsig具有與在該5Tr/lc驅動電路說 明中上文所述影像信號寫入電晶體丁叫組態相同的一組 態。因此，本文中省略影像信號寫入電晶體τ叫之重複說 明以免冗餘。然而，應注意，儘管影像信號寫入電晶體 Ts丨g之該等源極/汲極區域之一係連接至資料線D，但從 影像k號輸出電路102至該源極/汲極區域不僅供應用於控 制發光部份ELP亮度之影像信號Vsig，而且還供應用於初 始化驅動電晶體TDrv閘極電極的電壓V0f〆在此方面，影 126538.doc -56- 200901130 像信號寫入電晶體TSig之操作不同於在該51：171(；:驅動電路 說明中上文所述之影像信號寫入電晶體TSig之操作。應注 思，一不同於景像k號vSig或電壓vofs(例如一用於預充電 驅動之信號）之信號或電壓可透過資料線D T L從影像信號輸 出電路10 2供應至§亥荨源極/;及極區域之一。 [發光部份ELP]
發光部份ELP具有與在該51>/1(：：驅動電路說明中上文所 述發光部份ELP組態相同的一組態。因此，本文中省略發 光部份ELP之重複說明以免冗餘。 下列說明該4Tr/lC驅動電路之操作。 [週期-tpg)·】](參考圖10&11A) 在此[週期-TP(4)·,]内’例如實施用於—先前顯示框之操 作。在此實例中的操作與在該5Tr/lc驅動電路說明中上文 所述[週期的操作相同。 圖1〇所示該等週期[週期_TP(4)。]至[週期·ΤΡ(4)4]分別對 應於圖4所示該等週期[週期_τρ(5)。]至[週期_τρ叫，且係 至緊接實施下一寫入程序之前一時序的操作週期。類似於 在該订咖‘驅動電路内，在該等週期[週期-TP(4)G]至[週 期TP(4)4]内’第（n，m)個有機肛元们㈣處於—不發光狀 態:然:’該伽㈣㈣路之操作μ於該5wic驅動 作’在於在圖1〇所示之“個水平掃描週期内不 ==該等週期[週期仰)5]至[週期_τρ⑷6]，而且還包 明Γ假^^週期_卵)2]至[週期-τρ(4)4]。為了方便說 X疋週期-ΤΡ(4)2：Ι之一起始時序與[週期_τρ⑷之— I26538.doc -57- 200901130 結束時序分別符合第m個水平掃描週期之—開始時序與— 結束時序。 下列說明在該等週期[週期_τρ(4)〇]至[週期_τρ⑷^内的 操作。應注意，類似於在該5TiVlc驅動電路之前述說明 内，可依據有機EL顯示裝置設計來適當設幻週期Μ% 之起始時序與該等週期[週期·τρ(4)ι]至[週期_τρ(4)4]之長 度。 [週期-ΤΡ(4)0] 在從前一顯示框變成一目前顯示框時實施在此[週期_ ΤΡ(4)0]内的操作且實質上與在該5Tr/lc驅動電路說明中上 文所述之[週期-TP(5)〇]内的操作相同。 週期[週期-丁？(4)〗]至[週期_τρ(4)2](參考圖UB及uc) 在該等週期内，實施步驟（a)，即上文所述預處理。以下 詳細說明該預處理。 [週期_ΤΡ(4)ι](參考圖11B) 此[週期-丁？（4)】]對應於該5丁以1(：驅動電路說明中上文所 述之「週期_Τρ(5)】」。在開始[週期_τρ⑷」之前，第二節 點初始化電晶體控制電路丨〇5操作以設定第二節點初始化 電晶體控制線AZN〇2至高位準以使第二節點初始化電晶體 TN〇2進入一接通狀態。由此，在該第二節點處的電位 變成等於電壓Vss，其係（例如）_1〇伏特。處於一浮動狀態 的第一郎點ND1處（即在驅動電晶體TDrv之閘極電極處）的電 位也下降以便跟隨第二節點ΝΑ處的電位下降。應注意， 由於在[週期_TP(4)〗]内在第一節點NR處的電位取決於在 126538.doc -58- 200901130 [週期-ΤΡ(4)…内在第一節點]^〇1處的電位，其進一步取決 於在先前訊框中的影像信號乂…值，故其不會採取一固定 值。 [週期-Τρ(4)2](參考圖11C)
其後，於像jg號輸出電路i 02操作以設定在資料線DTL 之電位至電壓v0fs而掃描電路101操作以設定掃描線scL至 高位準以使影像信號寫入電晶體^進入一接通狀態。由 此’在第二節點NDl處的電位變成等於電壓V⑽，其可能 係（例如）0伏特。在第二節點Nc>2處的電位維持在電壓 vss’其可能係（例如HO伏特。其後，第二節點初始化電 晶體控制電路105操作以設定第二節點初始化電晶體控制 線azND2至低位準以使第二節點初始化電晶體丁_進入一 截止狀態。 應注意，影像信號寫入電晶體Tsig可與[週期_τρ(4川起 始同時或在[週期-τρ(4)1]期間進入一接通狀離。 藉由上述程序，在驅動電晶射⑽之閘極區域與源極區 域之間的電位差變得大於臨界 ^ ，故驅動電晶體TDrv 展現一接通狀態。
週期[週期-ΤΡ(4)3]至[週期_TPM 卜" LWfP(4)4](參考圖 11D 及 12A) 在该等週期内，實施由上述 nM。、、1 ^驟（b)(更明確而言步驟（b- υ及（b-2))所提供之臨界電 臨界電_㈣序。㈣除衫°下料細說明該 [週期-ΤΡ(4)3](參考圖11D) 首先，執行上文所述步驟（b_ ；特疋s之，在維持影像 J26538.doc -59· 200901130 L號寫入電晶體Tsig之接通狀態時，發光控制電晶體控制 電路1〇3在[週期_τρ(4)狀_初始時序操作以透過發光控 制電晶體控制線CLel_c施加用於使發光控帝J電路Tel c進入 一接通狀態的第一電壓％_训至發光控制電路了弘―C之間極 電極以使發光控制電路Tel_g進人—接通狀態。由此，儘管 在第一節點NDl處的電位不變化，而維持電壓v〇fs=〇，但 在第二節點ND2處的電位朝第一節點NDi處電位與驅動電 晶體TDrv之臨界電壓Vth之差値電位而變化。換言之，處於 一浮動狀態之第二節點ND2處的電位會上升。接著，在驅 動電晶體TDrv之閘極電極與源極區域之間的電位差到達臨 界電壓Vth時’驅動電晶體TDrv進入一截止狀態。特定言 之，在處於一浮動狀態之第二節點ND2處的電位接近v〇fs_
Vth=-3伏特並最終變成等於v〇fs_Vth。此處，若確保以上給 出的表達式（2)，，戈換言之若選擇並決定該#電位以便滿足 表達式（2) ’則發光部份ELP不會發光。 [週期-ΤΡ(4)4](參考圖12A) 接著，執行上文所述步驟（b_2)。特定言之，在維持影像 ^號寫入電晶體TSig之接通狀態時，發光控制電晶體控制 電路103在[週期_TP(4)4]之一初始時序操作以透過發光控 制電晶體控制線CLel_c施加用於使發光控制電路c進入 -截止狀態的第二電壓v2』FF至發光控制電路Tel』之間極 電極。由A ’發光控制電路Tel_c進人—截止狀態。在第一 節點ND,處的電位不會變化，而維持電壓v^=〇伏特，且 處於一浮動狀態的第二節點ΝΕ>2處電位實質維持v〇yVth=_3 126538.doc •60- 200901130 伏特。 如上所述’在第二筋點NFi ★ u 即點ΝΕ>2處的電位透過程序（b-丨）及（b_ 2)最終變成等於V0fs-Vth。特定丄今 士斤 th特疋吕之’在第二節點ND2處的 電位僅依賴於駆動電晶體TDrv之臨界電壓〜與驅動電晶體 k之閘極電極。因此，在第二節點恥2處的電位獨立於 發光部份ELP之臨界電壓vth_EL。 現在，說明在該等週期[週期_τρ(4)5]至[週期_τρ⑷7]内 的操作。在該等週期内的操作實質上與在該制C驅動電 路說明中上文所述該等週期[週期·τρ(5)5]至[週期_Τρ⑺7] 内的操作相同。 [週期-ΤΡ(4)5](參考圖12Β) 在此週期内’實施步驟⑷，即上文所述寫人程序。特定 言之，在維持影像信號寫入電晶體、之接通狀態以及第 二節點初始化電晶體Τ_之截止狀態並維持發光控制電路 TEL_c時，影像信號輸出電路1()2操作以將資料線飢處的 電位從電壓v0fs變換至用於控制發光部份ELp亮度之影像 信號電塵VSig。由此，在第—節點吨處的電位上升至影 像信號電壓Vsig。應注意，影像信號寫人電晶體U能以 前進入一戴止狀態、，使得在維持影像信號寫人電晶體 Tsig、第二節點初始化電晶體Tnd2及發光控制電路Tel 〇之 截止狀心、時衫像#號輸出電流1 〇2操作以將資料線dtl 處的電位變換至用於控制發光部份ELp亮度之影像信號電 麼vSig，隨後，在維持第二節點初始化電晶體丁 nd2與發光 控制電路TEL—c之截止狀態時’掃描線SCL係設定至高位準 126538.doc •61 - 200901130 以使影像信號寫入電晶體Tsig進入一接通狀態。 使用該程序，類似於在上文所述5 Tr/1 C驅動電路情況 下，在第一節點ND】與第二節點ND2之間的電位差（即在驅 動電晶體TDrv之閘極電極與源極區域之間的電位差ygs)變 得等於從上文所給出等式（3)所獲得之值。
換言之，同樣在該4Tr/lC驅動電路内，用於驅動電晶體 TDrv之寫入處理中所獲得之電位差Vgs僅依賴於用於控制發 光部份ELP亮度之影像信號Vsig、驅動電晶體TDrv之臨界電 壓Vth及用於初始化驅動電晶體TDrv之閘極電極的電壓 V〇fs。換言之，電位差乂83獨立於發光部份ELP之臨界電壓 Vth-EL ° [週期-ΤΡ(4)6](參考圖12C) 其後，執行基於驅動電晶體TDrv之遷移率|_1量值來校正驅 動電晶體TDrv節點區域處（即在第二節點ΝΕ>2處）的電位，即 —遷移率校正程序。特定言之，可實施與上文結合該 5Tr/lC驅動電路所述[週期心以叫内操作相g的操作。應 注意，在設計有機EL顯示裝置時可作為一設計值預先決= 用於執行該遷移率校正程序之[週期_τρ⑷6]之預定時間之 總時間週期t〇。 [週期-TP(4)7](參考圖〗2D) 藉由上述操作，完成該臨界電壓消除程序、寫人 校正/寫入程序。其後，在[週期-嶋實施2 斤述乂驟⑷。其後’實施與在該5Tr/lc弓區動雷故％ mr’比驅動電路說明中 文所她期·ΤΡ(5)7]内程序相同的—程序。因此，由 126538.doc •62. 200901130 於在第二節點ΝΑ處的電位上升並很快超過EL+Vcat， 故發光部份ELP開始光發射。此時，由於流過發光部份 ELP之電流可從上文所給出之表達式（5)獲得，故流過發光 部份ELPU極電流Ids不會依賴於發光部份ELp之臨界電 • 壓Vth-EL與驅動電晶體TDrv之臨界電壓％之任一者。換言 ； 之，發光部份ELP之發光數量或亮度不受發光部份ELP之 臨界電壓vth-EL與驅動電晶體T〇rv之臨界電壓Vth之任一者 () 影響。此外，可抑制由於驅動電晶體TDrv之遷移率〆散佈所 引起之汲極電流Ids之一散佈出現。 接著，發光部份ELP之發光狀態繼續直至第㈦+以」）個 水平掃描週期。此時間點對應於[週期_τρ(4)_」結束。 於是完成有機EL元件1〇(即第（η，叫個子像素或有機E]L 元件10)之發光操作。 現在，說明該3 Tr/1C驅動電路。 [3Tr/lC驅動電路] C; 該3Tr/lc驅動電路之一等效電路圖係如圖13所示；該有 機EL顯示裝置之一方塊圖係如圖14所示；驅動該3Tr/l C驅 . 動電路之一時序圖係如圖15所示；及該3Tr/lC驅動電路之 - 電a曰體專之接通/截止狀態等係如圖16 A至1 6D及圖17 A至 . 17E示意性所示。 在該3Tr/lC驅動電路中，從上文所述5Tr/ic驅動電路中 省略包括第一節點初始化電晶體Tnd !與第二節點初始化電 晶體TND2兩個電晶體。特定言之，該3Tr/lc驅動電路包括 三個電晶體，包括一影像信號寫入電晶體Tsig、一發光控 126538,doc -63- 200901130 制電晶體TEL_C及一驅動電晶體TDrv並進一步包括一電容器 部份C!。 [發光控制電晶體TE1^ d
發光控制電晶體TEL_C具有與在該5Tr/lC驅動電路說明中 上文所述备光控制電晶體TEL_C組態相同的一組態。因此， 本文中省略發光控制電晶體TEL_C2重複說明以免冗餘。 [驅動電晶體Tmv；J 驅動電晶體TDrv具有與在該5Tr/lC驅動電路說明中上文 所述之驅動電晶體TDrv組態相同的一組態。因此，本文中 省略驅動電晶體TDrv之重複說明以免冗餘。 [影像信號寫入電晶體Tsig] 影像信號寫入電晶體TSig具有與在該5Tr/lC驅動電路說 明中上文所述影像信號寫入電晶體Tsig組態相同的一組 態。因此’本文中省略影像信號寫入電晶體丁叫之重複說 明以免冗餘。然而，應注意，儘管影像信號寫入電晶體 Tsig之該等源極/汲極區域之一係連接至資料線DTL，但從 影像信號輸出電路102至該源極/汲極區域不僅供應用於控 制發光部份ELP亮度之影像信號vSig，而且還供應用於初 始化驅動電晶體TDrv之閘極電極的電壓v〇fs_H。在此方面， 影像信號寫入電晶體TSig之操作不同於在該5Tr/lC驅動電 路說明中上文所述之影像信號寫入電晶體Tsig之操作。應 注意’一不同於影像信號vsig或電壓v〇fs H/v〇fs L之信號 或電壓（例如一用於預充電驅動之信號）可透過資料線DTL 而從影像信號輸出電路102供應至該等源極/汲極區域之 126538.doc -64- 200901130
係（例如）， V〇fs-H=大約3 0伏特 V〇fs-L=大約0伏特
[寄生電容cEL與電容c]之值關係] 下文所述在5亥3 Tr/1 C驅動電路中’必需利用資料線 寄生電容CEL具有—足夠高的值且不將基於驅動電晶 DTL來改變在第二節點nD2處的電位。 路與β亥4Tr/lC驅動電路說明内說明， 。在該5Tr/lC驅動電 ’比較一值c 1與一值
源極區域内（即在第二節點ΝΑ處）的電位變化考量在内。 另方面在該3 Tr/ 1C驅動電路内，值(^係設定至一高於 其他驅動電路之該等值的—值，例如至寄生電容Cm之大 、”勺1M至1/3，具體視設計而定。據此’由第一節點膽丨處 電位變化所引起之第二節點ΝΕ>2處電位變化程度係高於其 (j 他驅動電路之該等電位變化程度。因此，在該3Tr/l C驅動 電路之下列說明中，將由於第一節點NDi電位變化所引起 之第二節點ND2電位變化考量在内。應注意，還將由於第 - —節點NDi處電位變化所引起之第二節點ND2處電位變化 . 考量在内來說明圖1 5所示驅動之驅動時序圖。 [發光部份ELP]
發光部份ELP具有與在該5Tr/1C^g動電路說明中上文所 述發光部份ELP組態相同的一組態。因此，本文中省略發 光部份ELP之重複說明以免冗餘。 X ]26538,doc -65 - 200901130 下列說明該3Tr/1C驅動電路之操作。 [週期-TP(3)_1](參考圖16a) 在此[週期-TP⑷内，例如實施用於 作。在該週期中的操作與在該咖IC驅動電路:：:夕 文所述[週期,叫内的操作相同。動電路說明中在上 圖15所示該等週期[週期,)叫週期-TP⑷3]分別對 應於圖1所示該等週期[週期仰)〇]至[週期-τρ(5)4]，且係 至緊接實施一後續寫入程序之前一時序的操作週期。類似 於在該5Tr/lc驅動電路内，在該等週期[週期_τρ⑷〇】至[週 期-τρ(3)3]内’第（n，m)個有機EL元件丨崎處於—不發光狀 態。然而，該3Tr/1C驅動電路之操作不同於該5Tr/ic凝動 電"α之操4乍纟於在圖i 5所示之第讯個水平掃描週期内不 僅包括該等週期[週期，3)5]至[週期_τρ(3)6]，而且還包 括該等週期[週期_ΤΡ(3)1]至[週期-ΤΡ(3)4]。為了方便說 明’假定[週期-τΡ(3)&—起始時序與[週期_τρ⑺6]之一 結束時序分別符合第m個水平掃描週期之—開始時序與一 結束時序。 ' 下列說明在該等週期[週_ -TP(3)0]至[週期_τρ(3)4]内的 操作應主‘各，類似於在該5Tr/1 c驅動電路之前述說明 内可依據有機EL顯示裝置設計來適當設定該等週期[週 期-TP(3)〗]至[週期_τρ(3)4]之長度。 [週期-TP(3)0](參考圖16B) 在從一先前顯示框變成一目前顯示框時實施在此[週期_ TP(3)0]内的操作且實質上與在該5Tr/lc驅動電路說明中上 126538.doc • 66 - 200901130 文所述[週期-ΤΡ(5)〇]内的操作相同。 週期[週期'ΤΡ(3)ι]至[週期-ΤΡ(3)2](參考圖16C及10D) 在該等週期内，執行程序（a)，即上文所述預處理。下列 詳細說明該預處理。 [週期-TP(3),](參見圖16C)
ϋ 接著，在目前顯示框内的第m個水平掃描週期開始。在 起始[週期_TP(3)1]時，影像信號輸出電路102操作以設定 在貪料線DTL處電位至用於初始化驅動電晶體之閘極 電極的電壓v〇fs_H而掃描電路101操作以設定掃描線scl至 高位準以使影像信號寫入電晶體Tsig進入一接通狀態。由 此，在第一節點NDl處的電位變得等於v〇fs H。由於取決於 上述6又叶，電容器部份Ci之值Ci係設定高於其他驅動電路 之該等值，故在驅動電晶體TDrv之源極區域内的電位（即在 第二節點ND2處的電位）會上升。接著，由於橫跨發光部份 ELP之電位差最終超過臨界電壓ία，發光部份犯進入 傳導狀態。然而，在驅動電晶體TDrv之源極區域内的電 位立即再次下降至Vth EL+Vcat。應注意，在此程序内，儘 官發光部份ELP可能會發光，但此類發光在瞬間發生，故 在實IV、使用中並不重要。另一方自，驅動電晶體I之閘 極電極維持電壓。 [週期-TP(3)2](參見圖16D) 其後，影像信號輸出電路102操作以將資料線£)1^處電 :從用於初始化驅動電晶體TDrv之閘極電極之電壓V。㈣設 叱至電壓v0fs-L，因此在第一節點ND〗處的電位變得等於電 J26538.doc -67- 200901130 點ND,處的電位下降，在第 特定言之，基於驅動電晶 Ofs-L_V0fs_H的電荷係分佈至 壓V〇fs-L。接著，隨同在第一節 二節點ND2處的電位也會下降。 體TDrv之閘極電極處電位變化v ，容器部份Cl、發光部份ELp之寄生電容&以及在驅動電 j體TDrv之閘極電極與源極區域之間的寄生電容。應注 忍’作為用於下文所述[週期_τρ(3)3]内操作的一必要前 提，必需使第二節點ND2處#電位在[週期_τρ(3)2]之一結 束μ序時低於vQf“_Vth。設^該等電壓v⑽·Η值等係設定 以便滿足此要求。因而，藉由上述程序，在驅動電晶體 TDrv之閘極區域與源極區域之間的電位差變得大於臨界電
壓Vth 因此驅動電晶體TDrv進入一接通狀態。 週期[週期-TP(3)3]至[週期_τρ(3)4](參考圖17A及17B) ，在該等週期Θ，實施由上文所述步驟⑻，即臨界電壓 消除私序’包括上文所述之步驟（b_i)及（b_2)。下列詳細說 明該臨界電壓消除程序。 [週期-ΤΡ(3)3](參考圖17A) 首先，執订上文所述步驟（b—”。特定言之，在維持影像 信號寫入電晶體Tsig之接通狀態時，t光控制電晶體控制 電路103在[週期_TI>(3)3]t _初始時序操作以透^發光控 制電a日體控制線CLel_c施加用於使發光控制電路進入 接通狀癌的第-電壓^―⑽至發光控制電路h—c之閉極 電極。接著，發光控制電路VC進入-接通狀態。由此， 儘管在第-節點ND t處的電位不變化，轉持電壓v⑽·l=〇， 但在第二節點葡2處的電位朝驅動電晶體之臨界電壓 126538.doc 6S- 200901130 vth與第-節點NDl處電位之差而變化。換言之，處於一浮 動狀之第二節點ND2處的電位會上升。接著，在驅動電 晶體mi極電極與源極區域之間的電位差到達臨界電 昼〜時，驅動電晶體TDrv進入一截止狀態'。更特定令之， 處於-浮動狀態之第二節點ND2處的電位接近 伏特並最終變成等於v_Vt「此處1確保以上給出的 表達式⑺，或換言之若選擇並決定該等電位以便滿足表達 式（2)，則發光部份ELP不會發光。 [週期-ΤΡ(3)4](參考圖17B) Ο 接著’執行上文所述步驟（b_2)。特定言之，在維持影像 信號寫人電晶體TSig之接通狀㈣，發光控制電晶體控制 電路103在[週期·ΤΡ(3)4]之—初始時序操作以透過發光控 制電晶體控制線CLel_c施加用於使發光控制電路Tel c進入 一截止狀態的第二電壓V2_〇FF至發光控制電路Tel—c之閘極 電極。由此，發光控制電路丁^—c進入一截止狀態。在第一 節點ND】處的電位不會變化，而維持電壓ν〇“=〇伏特，且 處於一浮動狀態的第二節點NR處電位實質維持v〇fs_Vth=_3 伏特。 如上所述，在第二節點ΝΕ>2處的電位透過程序（bd)及（b_ 2)最終變成等於V0fs-Vth。因而，在第二節點ΝΕ>2處的電位 僅依賴於驅動電晶體TDrv之臨界電壓Vth與驅動電晶體 之閘極電極。因此，在第二節點ΝΑ處的電位獨立於發光 部份ELP之臨界電壓ν$Ε1^。 現在，說明在該等週期[週期冴以”^至[週期_τρ(3)7]内 126538.doc •69- 200901130 的操作。在該等週期内的操作實質上與在該5Tr/lc驅動電 路說明中上文所述I；週期_τρ(5)5]至[週期_τρ(5)7]内的操作 相同。 [週期-TP(3)5](參考圖17c) ' 在此週期内，實施步驟（c)，即上文所述寫入程序。特定 : έ之，在維持影像信號寫入電晶體TSig之接通狀態並維持 發光控制電路tel_c之截止狀態時，影像信號輸出電路1〇2 Γ) 操作以將在寊料線01^處的電位從電壓v0fs設定至用於控 制發光部份ELP亮度之影像信號電壓Vsig。由此，在第_ 郎點NDl處的電位上升至影像信號電壓VSig。應注意，影 像仏號寫入電晶體Tsig可能以前進入一截止狀態，使得在 維持衫像彳§號寫入電晶體TSig及發光控制電路c之戴止 狀態時，改變在資料線DTL處的電位至用於控制發光部份 ELP冗度之影像信號電壓Vsig，隨後，在維持發光控制電 路tel c之截止狀態時，設定掃描線SCL至高位準以使影像 〇 信號寫入電晶體TSig進入一接通狀態。 在[週期-ΤΡ(3)5]内，在第一節點NDi處的電位上升至影 • 像仏號Vsig。因此，在將由於第一節點ND!處電位變化所 - 引起之第二節點NE>2處電位變化考量在内的情況下，在第 • 二節點ΝΕ>2處的電位也會略微上升。因此，在第二節點 _2處的電位可表示成v〇fs_L—Vth+a.(Vsig_v⑽l)。此處，^ 值滿足〇<α<1並取決於電容器部份與發光部份之寄 生電容CEL·。 因此，類似於在該5 Tr/ 1C驅動電路之前述說明中，在第 126538.doc •70· 200901130 —節點ND]與第二節點ND2之間的電位差（即在驅動電晶體 TDrv之閘極電極與源極區域之間的電位差Vgs)可能具有由 下列表達式（3)所給出的一值：
Vgs~VSig-(V〇fs-L-Vth)-a-(VSig-V〇fs.L) …（3，） ‘ 因而’同樣在該3Tr/lC驅動電路内，在用於驅動電晶體 • TDrv之寫入處理中所獲得之電位差Vgs僅依賴於用於控制發 光部份ELP亮度之影像信號vsig、驅動電晶體丁⑽之臨界電 壓Vth及用於初始化驅動電晶體TDrv閘極電極的電壓 V0fs_L。因此，電位差Vgs獨立於發光部份ELp之臨界電壓 Vth-EL 0 [週期-TP(3)6](參考圖17D) 接著，實施基於驅動電晶體TDrv之遷移率μ量值來校正驅 動電晶體TDrv之源極區域處（即在第二節點]^〇2處）的電位， 即-遷移率校正程序。換言之，執行一遷移率校正/寫入 程序。特定言之，可執行與在上文結合該5Tr/lc驅動電路 〇 說明所述[週期-tp(5)6]内操作相同的操作。隸意，在設 計有機EL顯示裝置時可作為—設計值預先決Μ於執㈣ • W校正程序之預定時間’即[週期，⑷。之總時間 I週期-ΤΡ(3)7](參考圖17Ε) :::述操作’完成該臨界電壓消除程序、寫入 遷移率校正/寫人程序。其後，在該週期心下列 施上文所述的程序（d)。 者 式實 電路，明“ + 疋5之、施與在該5Tr/1C驅動 路說明'上述[週期，]内程序相同的—程序。因 126538.doc 200901130 此，由於在第二節點ΝΕ>2處的電位上升並超過v^EL + Vcat， 故發光部份ELP開始光發射。此時，由於流過發光部份 BLP之電流可從上文所給出之表達式（5)中獲得，故流過發 光部份ELP之及極電流Ids不會依賴於臨界電壓與驅動 電晶體TDrv之臨界電壓Vth。換言之，發光部份ELp之發光 數量或亮度不受發光部份ELP之臨界電壓與驅動電晶 體TDrv之臨界電壓Vth之任一者影響。此外，可抑制由於驅
動電晶體TDrv之遷移率μ散#所引起之祕電流^之一散佈 出現。 接著’發光部份ELP之發光狀態繼續直至第一心）個 水平掃描週期。此時間點對應於[週期_τρ(3)·ι]結束。 於是完成有機EL元们0(即第（n，m)個子像素或有機紅 元件10)之發光操作。 哗热匕便用将足術語來說明本發明之一較佳具體實施 例，但此類說明僅用於說明目的，且應明白，可進行多個 改造及變化而不脫離本發明之精神或範疇。特定言之，該 有機EL顯示裝置之各種組件之組態及結構、上文結合本發 明之具體實施例所述之有機肛元件及驅動電路以及用於該 發光部份之驅動方法之步驟係說明性且可加以適當修改。 【圖式簡單說明】 > 内沿一有機EL顯示裝 之一信號之波形的一 圖1係示意性顯示在數個時間週期 置之一發光控制電晶體控制線所發射 示意圖； 器部份所組態之一驅動 圖2係基本由5個電晶體與1電容 126538.doc -72- 200901130 電路之一等效電路圖； 圖3係一有機EL顯示裝置之—方塊圖； 圖4係說明圖2所示之驅動電路之驅動之—時序圖； 圖5係說明圖1所示波形與出於比較顯示於圖4上部分之 波形的一波形圖； • 圖从錢係說明形成圖2所示驅動電路之電晶體之接通/ 截止狀態等之電路圖； 〇 請基本由4個電晶體與1電容器部份所組態之另一驅 動電路之一等效電路圖； 圖9係包括圖8所示驅動電路之-顯示裝置之一方塊圖； 圖10係忒明圖8所不驅動電路之驅動之—時序圖； 圖11Α至12D係說明形成圖8所 通，截止狀態等之電路圖； ％動電路之電晶體之接 圖13係基本由3個電晶體與1電容器部份所組態H驅 動電路之一等效電路圖； " ^圖圖14係包括圖13所示驅動電路之-顯以置之一方塊 1 5係說明圖丨3所示驅動f路之驅動之 圖16A至™說明形成圖所示驅動電：序圖’ 接通/截止狀態等之電路圖； 路之電晶體之 圖18係示意性顯示一有機場致 圖； 1刀之一部分斷面 圖19係示意性顯示在數個時間週期内沿 置之一發光栌制雷曰遍 ° 有機EL顯示裝 I I尤控制電晶體控制線所發射之 15唬之波形的一 126538.doc -73- 200901130 不意圖， 圖20係說明圖19所示波形與出於比較顯示於圖4上部分 之波形的一波形圖； 圖21A及21B係說明圖19有機EL顯示裝置之一驅動電路 之操作的等效電路圖。 【主要元件符號說明】 10 有機EL元件 10, 有機EL元件 1 〇N 有機EL元件 20 支撐/基板 21 基板 31 間極電極 32 閘極絕緣層 33 半導體層 34 通道形成區域 35 源極/汲·極區域 36 電極 37 電極 38 佈線線路 39 佈線線路 40 層間絕緣層 51 陽極電極 52 層 53 陰極電極 126538.doc -74- 200901130 54 第二層間絕緣層 55 接觸孔 56 接觸孔 100 電流供應部份 101 掃描電路 102 影像信號輸出電路 103 發光控制電晶體控制電路 104 第一節點初始化電晶體控制電路 105 第二節點初始化電晶體控制電路 Αι 源極/沒極區域 A2 源極/汲極區域 ΑΖν〇ι 第一節點初始化控制線 AZnd2 第二節點初始化電晶體控制線 C! 電容器部份 CLEl_c 發光控制電晶體控制線 DTL 資料線 ELP 有機場致發光部分 Ids 汲極電流 ND, 第一節點 nd2 第二節點 PSnD2 第二節點初始化電壓供應線 SCL 掃描線 T Drv 驅動電晶體 Tel c 發光控制電晶體 126538.doc -75 - 200901130 tnd1 第一節點初始化電晶體 tND2 第二節點初始化電晶體
Tsig 影像信號寫入電晶體
Vsig 影像信號
126538.doc • 76-

Claims (1)

  1. 200901130 十、申請專利範圍： 1. 種用於有機EL顯示裝置之—有機場致發光的發光部 份之驅動方法，該有機EL顯示裝置包括 (1) 一掃描電路； (2) —影像信號輸出電路； (3) 總計NxM個有機場致發光元件，其係以一二維矩陣 佈置，其中N個有機場致發光元件係在一第一方向上排 列而M個有機場致發光元件係在一不同於該第一方向的 第二方向上排列且各包括一有機場致發光的發光部份與 一用於驅動該有機場致發光的發光部份之驅動電路； (4) Μ個掃描線，其係連接至該掃描電路並在該第一方 向上延伸； (5) Ν個資料線，其係連接至該影像信號輸出電路並在 該第二方向上延伸；以及 (6) —電流供應部份， 該驅動電路包括 (Α) —驅動電晶體，其包括源極/汲極區域、一通道形 成區域及一閘極電極； (Β) —影像信號寫入電晶體，其包括源極/汲極區域、 一通道形成區域及一閘極電極； (C) 一發光控制電晶體，其包括源極/汲極區域、一通 道形成區域及一閘極電極；以及 (D) —電容器部份，其具有一對電極， 該驅動電晶體係經組態使得 126538.doc 200901130 (A-l)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至該發光 控制電晶體之該等源極/沒極區域之—第二者； (A-2)該等源極/汲極區域之一第二者係連接至提供於 該有機％致發光的發光部份内的一陽極電極並連接至該 電容器部份之該等電極之一第一者以形成一第二節點； 以及 (A-3)該閘極電極係連接至該影像信號寫入電晶體之該 等源極/汲極區域之一第二者並連接至該電容器部份之該 等電極之一第二者以形成一第一節點； 該影像信號寫入電晶體係經組態使得 (B-1)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至一資料 線；以及 (B-2)該閘極電極係連接至一掃描線， 該發光控制電晶體係經組態使得 (C - 1 ) a亥荨源極/没極區域之一第—者係連接至一電流 供應部份；以及 (C-2)該閘極電極係連接至一發光控制電晶體控制線， 用於該有機EL顯示裝置之有機場致發光的發光部份之 驅動方法包含以下步驟： Ο)實施一預處理，其施加一第一節點初始化電壓至該 第一即點並施加一第二節點初始化電壓至該第二節點， 使得在該等第一及第二節點的一電位差超過該驅動電晶 體之一臨界電壓且在該有機場致發光的發光部份之該第 筇點與一陰極電極之間的一電位差不會超過該有機場 126538.doc 200901130 臨界電壓； 除％序，其係用於朝該驅動電晶 節點處電位之差的一電位改變在 同時仍維持在該第一節點處的電 ^ ,.. ，其透過該由於來自該掃描線之一 仏號進入一接通狀離 .„ , _ m 衫像信號寫入電晶體從該資料線
    她加-衫像仏號至該第一節點；以及 (d)使用一來自該掃描 田線之彳&诡使该影像信號寫入電晶 體進入一截止狀態以使 ^ 使《亥第一即點進入一浮動狀態並透 過該發光控制電晶體盘Br_ & & -、δ亥驅動電晶體，從該電流供應部 份向該有機場致發朵&文欠丨，Α S九的發先部份供應對應於在該第一節 點與該第二節點之間雷你呈# & + <间¥位差值的電流以驅動該有機場致 發光的發光部份； 步驟（b)包括以下步驟： U 致發光的發光部份之— (b)實施一臨界電壓消 體之臨界電壓與·|亥_ 呑玄弟一"郎點處的電位 位； η (b-1)透過該發光控制電晶體控制部分施加一用於使該 發光控制電晶體進入一接通狀態之第一電壓至該發光控 制電晶體之閘極電極，以透過處於接通狀態的該發光控 制電晶體來連接該驅動電晶體之該等源極/汲極區域之一 至該電流供應部份以設定在該驅動電晶體之源極/汲極區 域之該一者處的電位至一高於在步驟（a)在該第二節點處 的電位之電位；以及 (b-2)透過該發光控制電晶體控制線來施加一用於使該 發光控制電晶體進入一截止狀態之第二電壓至該發光控 126538.doc 200901130 制電晶體之閘極電極； 步驟(句進―步包括透過該發光控制電晶體控制線施加 -用於使該發光控制電晶體進入一接通狀態之第三電磨 至該發光控制電0日0體之閘極電極並透過處於_接通狀態 的4發光控制電晶體來連接該驅動電晶體之該等源極/沒 極區域之該一者至該電流供應部份以供應對應於該第一 印點與該第二節點之間電位差之值的電流至該有機場致 發光的發光部份； 該等第-、第二及第三電壓滿^ |Vi—⑽^—㈤叫^舞 V2_0FF丨，其中ν10Ν係該第一電壓，v2 〇FF係該第二電壓 而V3_ON係該第三電壓。 2 ·如請求項1之驅動方法，其中該驅動電路進一步包括 (E) —第二節點初始化電晶體，其包括源極/汲極區 域、一通道形成區域及一閘極電極， 在該第二節點初始化電晶體中： (E-1)該等源極/汲極區域之一第一者係連接至一第二 節點初始化電壓供應線； (E-2)該等源極/沒極區域之一第二者係連接至該第二 節點；以及 (E-3)該閘極電極係連接至一第二節點初始化電晶體控 制線； 在步驟（a)，透過由於一來自該第二節點初始化電晶體 控制線之信號而進入一接通狀態的該第二節點初始化電 晶體，從該第二節點初始化電壓供應線施加一第二節點 126538.doc 200901130 初始化電壓至該第二節點，接著使用一來自該第二節點 初始化電晶體控制線之信號使該第二節點初始化電晶體 進入一截止狀態。 3.如請求項2之驅動方法，其中該驅動電路進一步包括 (F)第—節點初始化電晶體，其包括源極/汲極區 域、一通道形成區域及一閘極電極， 在該第一節點初始化電晶體中： (F-1) δ亥荨源極/及極區域之一第一者係連接至一第一 節點初始化電壓供應線； (F-2)該專源極/汲極區域之一第二者係連接至該第一 節點；以及 (F-3)該閘極電極係連接至該第一節點初始化控制線； 在步驟（a)，透過由於一來自該第一節點初始化電晶體 控制線之信號而進入一接通狀態的該第一節點初始化電 晶體’從該第一節點初始化電壓供應線施加一第一節點 初始化電壓至該第一節點。 126538.doc
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