TW200848536A - Twin target sputter system for thin film passivation and method of forming film using the same - Google Patents

Description

200848536 九、發明說明： 【相關申請案參照】 本申請案係主張於2007年4月24日申請之韓國專利申請案 第10-2007-39856號之優先權，該申請案並列於此以作參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製作薄膜鈍化之雙靶濺鍍系統以及用該系 統开>成薄膜之方法’其中高密度電漿係產生於彼此相對並具有 相同外型的靶材之間，藉此以高速形成薄膜。 【先前技術】 一般而言’濺鍍亦稱為「物理氣相沉積（pVD)」，並廣泛 地用於製造積體電路中沉積金屬層或是類㈣材料。濺錢步驟 在測試壯沉積姆材料的表面層，如第頂所示，有個磁電 管10設置於濺齡材12後，_加強着速度。磁電管1〇在乾 材12的表面施加磁場14以捕捉電子，並增加電漿密度。一般來 說，磁電管H)包括兩個具有垂直於_12表面的不平行磁極的 磁性物16和18，以及-雜編彡物2()，支撐並以 個磁性物16和18。 同犄，如第2圖所示包括盒狀面向 材雜設備_，_於美__172號_ ❼考第2圖，该盒狀面向把材濺鑛設備爛結構為將革巴 7 200848536 材單元100a和100b附著於長方型框架71 (具有五個侧邊7U至 71e，除了71f為長方形框架71的開口側）中，與開口侧71f相 鄰的四邊71a至71d中相對的71a和71b兩邊上，且71(：至716這三 個側邊係分別以封閉板72c至72e封閉。鈀材單元100a包括靶材 110a以及沿著靶材11〇a設置使用永久磁性物的磁場產生器，而 靶材單元100b包括靶材ii〇b以及沿著靶材11〇b設置使用永久 磁性物的磁場產生器。在盒狀面向靶材形式的濺鍍設備中70 ，開口侧71f面向並接觸真空腔體，而將要形成薄膜的基板則 放·置在真空腔體中並面向開口側71f。 此外’一種使用面向靶材之濺鍍設備來形成有機發光二極 體（OLED)的方法亦揭露在韓國專利公開案第2〇〇6_〇〇647〇2 號（2006年6月13曰）。 如第3圖所示，係揭露於韓國專利公開案第2〇〇6-〇〇647〇2 5虎之面向乾材濺鍍設備包括腔體100、反應氣體供應器130用以 供應例如氬或氧等反應氣體進入腔體100、泵120用來降低腔體 100的壓力及真空，以及鏡面鈀材200和210設置在腔體中並面 對彼此’其中獨立或是同時向靶材200和210供應負向（-)電 源。 6青參照第3圖，相同方向的磁場均勻地形成在靶材200和 210之間°此外，在靶材200和210之間的中間區域則形成穩定 但u弱的正電壓。平板磁性物22〇和23〇也分別設置在鈀材2〇〇 8 200848536 和210之後，並且面對彼此且具有不同的極性以在靶材220和 230之間形成均勻的磁場。此處磁性物220和230係以複數個磁 性球220和230、棒狀磁性物220和230或是可以調整磁場的電磁 物220和230來設置。 f

在包括兩個靶材200和210的濺鍍源是可以移動的情況下 ，濺鑛源藉由掃描整個形成有有機薄膜並包括發光層的大尺寸 基板110的整個表面來移動形成電極膜。此外，如果環繞著靶 材200和210設置遮罩240，靶材2〇〇和210的材料就不會放射到 其他的方向，而只會射向基板110，換言之，堆疊材料只會射 向一個方向，並因此形成一種「濺鍍搶」。 為製造有機發光二極體（OLED)或有機薄膜電晶體（ FT)品要包覆製程以保護二極體或電晶體免於 氧槪氣穿透進入有機薄膜。 孔體中的 η々一般來說，用於〇LED或0TFT的有機薄膜會和氣體中的 使得材料劣化。為了避衫化，就需要使用金 罐或溥玻埚基板進行包覆製程。 ，制，而在使用金屬罐或薄玻璃基板進行包覆製程的情況下 =造二極體的過程不只變得複雜也需要更多的時間。 裝置製造大尺寸0LED或0tft的包覆製程或包覆 置也疋個問4。為解決此問題，在金屬罐或麵基板之外， 9 200848536 例如玻璃基板這類具有透明陶竞特性的無機薄膜卿成在 OLED或OTFT上’如第4_示。如此—來，眾觸目的薄膜 鈍化就成為替代現有包覆製程的新包覆方法。 為了進行此細聽，很多研絲U由化學氣相沉積（ CVD) ’例如電漿強化化學氣相沉積（pECVD)、電致搞人電 雜學氣相沉積（ICP_CVD)、電衆強化原子層沉積（pea°ld )等’以及物理氣相沉積，例如射頻（RF) /直流電（DC)濺 般備等來沉積例如Si〇x、SiNx、Si〇Nx、A12〇3等無機薄膜於 OLED上來強化特性。然而，因為這些方法大部 OLED會因暴露於電漿而受損。 $ 尤其是’因為最常使職美國的Vitex公司所提供的薄膜 鈍化「Barix多層鍍膜」係使用裝有A1靶材的％濺鍍設備透過 反應濺鍍方法來進行Al2〇3薄膜鍍層。如第5圖所示，在此方法 ’產生電漿且Ar離子在電漿中撞擊A1乾材，並濺出A1粒子。濺 ^ 出來的A1粒子和氧氣反應，因而在〇LED上形成Al2〇3薄膜。此 時，存在於電漿中的粒子具有很高的能量，而濺起來的ai粒子 也具有很高的能量，因此會對OLED的特性產生影響。 這些具有高能量的粒子撞擊基板，且將能量傳至基板，使 基板的溫度升高到20(TC，並因此損壞有機薄膜特性。尤其是 當具有100eV或更高能量的顆粒撞擊有機薄膜時，有機薄膜的 結構、光學和電子特性會衰退。此外，如果〇(：：電源持續以高 10 200848536 速成長薄膜，曝露於電漿的效果就會變得更加明顯，因此加速 有機薄膜衰退，所以DC/RF濺鍍設備一般很難以高速成長。

為解決這個問題，如第6圖所示，Philips公司提出使用 PECVD的SiN/SiOx/SiN/SiOx/SiN (ΝΟΝΟΝ)結構作為多重薄 膜鈍化結構。在這種情況下，氮化薄膜和氧化薄膜交替沉積以 形成厚薄膜，但是薄膜的密度會降低，因為薄膜都是在低即 強度下沉積，製程很複雜所以要大量製造有其困難。 韓國電子和軌研究院（ETRI)也提dJ-翻用電浆強 化原子層沉積方法（PEALD)來形·2〇3義作騎膜純化 的方法^祕財法巾，因為薄麟在單位原子層中輪流喷 射出A1前驅物和〇前驅物所形成，成長薄膜的速度相 、 因此很難進行量產。 因此’例如濺鍍這樣的物理氣相沉積（PVD)方法必續爾 來成長細，以完成高密度的薄義彳 、 =r:損壞。然而，尚未有新的麵方法== 1鈍化’ ^可以進行濺鍍卻不會有暴露 以有必要進行相關的開發。 ㈣問靖’所 【發明内容】 膜鈍化的雙1_系統:广成： 200848536 磁性物係設置中央成階梯狀，以增加中央的電聚密度，盘 麵搶不同’因此不止可以達到沒有電_害的“ 製程，亦可高速成長薄膜。 X 製程 • ^發·他的目的將在接下來的描述中闡述，且可從描述 中更楚了解，或可從實施本發明中學習到。 ，發明揭露-種用於製作薄膜純化之雙械鑛系統，包 .真空腔體；基板支撐肋在真空雜中支錄板；一對难 鑛2刀別面對基板，並包括輛形板對一侧或相對側開放，以 =复數個磁性物峨律_隔設置_形板;姆分別附著該 ，輛=板上；搶支卿以支撐該對濺鍍槍；以及—電源供應器 ( 以3供電流至乾材’其中複數個磁性物各包括上部及下部， 上部及下部形成m且彼此具有不⑽雖，且複數 個磁性物對準-直線；以及其中搶支樓或基板支撐可移動於腔 體0 該對濺錢搶可以彼此相對。 靶材係可分別附著於該對濺鍍搶之相對側。 12 200848536 基板可包括一有機發光二極體之一大尺寸基板。 搶支撐或基板支撐以一可調整速度移動，該可調整速度係 決疋於该等靶材之間的距離、靶材與基板之間的距離、注入腔 體之反應氣體之比例、或供應自電源供應器之電源。 於基板上形成一薄膜之速度係可調整，該形成速度係決定 於该等靶材之間的距離、該靶材與該基板之間的距離、注入該 腔體之反應氣體之比例、或供應自該電源供應器之電源。 本發明進一步揭露一種用於製作薄膜鈍化之雙靶濺鍍系 統，包括：一真空腔體；複數個基板支撐用以分別支撐該腔體 中之複數個基板；一對濺鍍搶，每一該濺鍍槍面對各基板，且 包括一軛形板對一側或相對側開放，以及複數個磁性物以規律 的間隔設置於該軛形板上；靶材分別附著於該對軛形板；一搶 支f用以支撐該對濺鍍搶；以及一電源供應器用以提供電源至 "亥等靶材，其中該複數個磁性物各包括上部及下部，上部及下 部形成一單一本體，且彼此具有不同的磁性，而且複數個磁性 物對準直線，以及其中該搶支撐或該基板支撐係可在該腔體 中移動以對每一基板進行薄膜鈍化。 ^濺鍍搶之移動速度係可調整，該速度係決定於基板上之薄 膜之形成速度及均勻度、該等靶材之間的距離、靶材與基板之 13 200848536 間的距離、注入腔體之反應氣體之比例、或供應自電源供應器 之電源。 本發明亦揭露一種以超高速形成薄膜鈍化之雙靶濺鍍系 統，包括··真空腔體；基板支撐用以在該真空腔體中支撐^板 ,衩數個錢鍵槍，分別面對該基板，且包括一轆形板對一侧或 相對侧開放’以及複數個磁性物以規律的間隔設置於該輛形板 上，乾材分別附著該對輛形板上；複數個搶支撐分別支撐複數 個濺鍍搶；以及電源供應器用以提供電流至靶材；其中複數個 磁性物各包括上部及下部，上部及下部形成一單一本體，且彼 此具有不同的磁性，而且複數個磁性物對準一直線；以及其中 基板在腔體中移動，以接受各濺鍍搶之薄膜鈍化。 基板之速度係可調整，該速度係決定於濺鍍槍之數目、基 板上之薄膜之形成速度及均勻度、該等乾材之間的距離、輕材 與基板之間的距離、注入腔體之反應氣體之比例、或供應自電 源供應器之電源。 複數個濺鑛搶係分別以相同的材料附著。 複數個濺鑛搶係分別以不同的材料附著。 基板之薄膜鈍化包括多重層。 14 200848536 )/氣氮切（簡）/氧切_ /氮化石夕（ )/乳化矽（SiO)薄臈。 A1 0^ίΑ，2°3 ' ^ ' Si〇N ' Si〇2 ' αι2〇3·ν_ ’母—薄膜具有1G奈米或更厚之厚度。 以及括—結構’該結構係重獅成—透明無機薄膜 =重層包括-Μ混合_，財有機薄膜以及一 或夕層k自下狀域義：A12Q3、siNX、s伽、Si02、Mg0

TaO以及A1203.N ’各該薄膜具有⑴奈米或更厚之厚度。 本發明也揭露-種使用—製作薄膜齡之勉濺鍵系統 以形成薄膜的方法。雙械鍍系統包括真空腔體；基板支樓用 以在真麵财支撐基板；濺鑛搶，面對基板·，且包括一輕形 板對-側或崎_放’以及複數個磁性物以規律的間隔設置 於軛形板；乾材分別附著輛形板對；搶支撐用以支樓濺鍛搶； 以及電源供應H肋提供電流綠材，該方法包括：附著基板 至基板支撐上，根據基板的大小和數目調整濺鍍搶之數目、磁 性物之數目以及磁性物之間的間隔；施加電流錄#;藉由乾 材及濺鑛槍㈣雜材之巾^纽絲；以絲據基板和藏鑛 搶的情況移動基板或滅鑛搶。 15 200848536 本發明之想法係如下所述： ’ ^根據本發明和使用該系統形成薄膜的方法的實施例之 製作薄膜鈍化之雙㈣麟祕巾，雜物係赠獅式設置， 而且輛^板係具有上部和下部，如此不只使得磁力線在輕材之 成單方向，也表大化磁力線的密度，如此就可以高速進 行薄膜鈍化製程，這是以傳統面向練濺鍵裝置所报難達到的 。、如第7圖口所#，如果磁性物係以階梯的形式設置，中央的部 份’也就是在一般面對靶材濺鍍裝置中呈現中空的部份，則填 滿了磁性物，因此可以增加在中央的磁力線密度。 、、 ^艮據本t明的另—個實施侧提供了—個新的賤鍵系統 /中具有高能量而且使用賴設備所進行的薄膜鈍驟所 2賴粒被限制桃材之間，如此就可以進行沒有電聚損害 綠―私° &外’階梯形式的磁性物加到中心以最大化中心磁力 :這個和一般面向靶材舰搶的差異，就可以高速來成 以歹^=對她賤鑛裝置（FTS)不同，根據本發明之實 =的錄濺鍍裝置（TTS)為進行薄觀化的新系統，其中 叹置了階獅式的磁性物以增錄材中心的㈣ 度也因此增加。此外，在濺峨Γ中產生 =制Γ二的帶電微粒以形成妹㈣ 影響。此外’雙酬搶侧継使得大尺寸的== 200848536 以藉由移動基板或是模組化的雙把濺鑛搶來進行。 根據本發明的實施例’當要使用雙乾激鑛裝置在〇Led或 OTFT上形成厚度為l〇〇nm或更厚的Al2〇3、SiNx、；SiONx、MgO 和SiOx透明薄膜的情況下，可以進行薄膜鈍化以具有高品質而 且不會因為暴露於電漿而有損壞。接著，以前述方法以薄膜包 覆的OLED或OTFT則被保護免於來自外部的水氣或氣體的滲 透，如此就可以移除現有為了包覆的玻璃基板或金屬罐， OLED或OTFT也可以做得更薄。此外，薄膜是以高速形成， 所以可以較現有的薄膜鈍化製程更快地進行薄膜鈍化製程，如 此就降低了生產二極體所花費的生產成本以及生產時間。 使用這種設定的雙靶濺鍍裝置，就可以用高速用薄膜包覆 =LED和OTFT，而不會因為曝露於電漿而損壞，也減少製造 高品質OLED和OTFT所需要的時間，並且加速〇LED尺寸的成 長。 需了解的是，上述概述以及以下詳細描述皆為範例，係提 供以進一步說明申請專利範圍。 【實施方法】 本發明將參考所附的圖式做更完整的描述，其中會敘述本 發明=範的實施例。然而，本發明可以不_形式來實施，不 應限定於此處所提出用絲範的實施你卜這些示範的實施例僅 200848536 供使本説明書更完整，並使熟知此技藝者可完全了解本發明範 圍。在圖示中，層和區域的尺寸及相對尺寸可能為了說明而誇 圖式中類似的標號係表示類似的單元。 第7圖係根據本發明的實施例顯示不會有電漿損壞的濺鍍 搶，其具有階梯形式的磁性物陣列，而第8圖則顯示在靶材中 心的磁力線之密度分佈。 s —片薄每鐵輛形板附著於磁性陣列的上部和下部以達 到磁力線的均勻分布，高密度的磁力線就會均勻地形成在靶材 之間。根據本發明的實施例，濺鍍槍包括輛形板開口於一側或 相對侧，以及複數個磁性物以規律的間隙設置於軛形板上。複 數個磁性物每個具有上部和下部，上部和下部形成一單一本體 ，不過彼此具有不同的磁極。 複數個磁性物係對準於一直線。 此時，當DC或RF源同時供應至雙靶材，就會在靶材的中 心形成高密度電漿，如此就可根據高密度電漿產生高速濺鍍。 尤其因為靶材以形成在中央的高密度電漿濺鍍，就增加靶材使 用效率。此外，因為磁力線集中，帶電的顆粒可以較面向革巴材 錢鍍設備更有效地被限制’且同時以高速形成薄膜。因此，可 18 200848536 解決現行面向妹舰設射的低速_成長的問題。 第9圖顯示根據本發明實施例之薄膜純化之雙 濺鍍槍3_進行高速薄膜成長，心圖 少:X康本毛明的實施例顯不在雙靶濺鍍系統以搶模組進行掃 ^9圖和第賴結構中，在搶模組的結構中，姆揭 附者在第7圖之雙靶濺鍍搶300上。 請參考第9圖和第1〇圖，製作薄膜鈍化之雙靶濺鍍系統包 括填滿反應氣體的真空腔體400;基板支撐4〇2用以支撐真空腔 體400中的基板401 ;濺鍍搶300係面向基板4(Η，並向一侧或相 對側開口；靶材31〇分別附著於一對軛形板；搶支撐（未繪示 )用以支撐濺鍍搶3〇〇 ;以及電源供應器500用以提供電流至把 材 310 〇 如第9圖和第1〇圖所示，乾材31〇分別附著於該對錢鑛槍 300的相對側。在搶模組的内部安裝薄膜鈍化所需的靶材31〇 的材料（Si、Α卜Ta、Si02、Α12〇3、MgO和TaO)，並將製程 氣體(Ar、〇2、N2、N20、He和H2)注入腔體400之後，當rf或

DC源同時供應雙靶材310時，高密度電漿就產生在靶材之間。 所產生的電漿導致在靶材上的濺鍍，而被濺起的粒子和製程氣 體在基板上反應，因此在基板401，即有機發光二極體（OLED 19 200848536 )形成薄膜鈍化。 此時，薄膜的成長速度係根據靶材之間的距離、靶材和基 板之間的距離、注入腔體4〇〇的反應氣體比例或是來自電源的 月匕里來調整。鈍氣（Ar、Ne、Xe、Kr和He)透過安震在乾材 之間的氣體喷嘴射入並將濺起的顆粒送到基板4〇1，因此以高 速形成薄膜。基板401或搶模組以傳輸單元（未繪示）進行直 線移動，因此確保有大尺寸均勻薄膜。 如第10圖所示，如果模組化的雙靶搶進行掃描，就可以馬 上對大尺寸OLED或複數個0LEDs進行薄膜鈍化。此時，掃描 速度是控制薄膜成長速度和薄膜均勻度的因素。 *若需要以超高速形成薄膜，可以如第u圖所示提供複數個 模組化雙德於_巾。第n_示根據本發明之實施例的複 數個模組雙靶搶附著於系統中内部。 在考量所需要的薄膜成長速度後決定使用相同材料的雙 靶搶數目時，當附著在基板支撐402的OUED以直線移動時， 可在短時咖戦較厚_翻絲働都進行高速麵步 驟。此時，因為雙械鑛搶限制住電漿，不會有東西可以增加 基板的溫度，因此OLED不會因為暴露於電漿而導致衰退。 根據本發明的實施例的雙革巴濺鑛設備亦可使用不同的材 20 200848536 料以應用於多重鍍膜。 舉例來說，如第12圖所示，其中顯示使用多重層製作薄膜 鈍化之雙靶濺鍍系統，薄膜鈍化的模組搶分別附著不同材料， 以形成SiO和SiN薄膜成為多重層（siN/SiO/SiN/SiO)，並掃描 OLED，如此可不用複數個腔體來達成使用多重層的薄膜鈍 化。 第13圖顯示根據本發明之實施例的應用於混合薄膜鈍化 之雙乾賤錢設備。 首先’根據本發明實施例以雙靶濺鍍設備形成透明的無機 薄膜，接著傳送二極體到單體腔體並將裝置鍍上單體。鍍上單 體的二極體在熟化腔體中熟化，然後返回雙靶濺鍍設備，並鍍 上透明無機薄膜。會重覆進行此步驟以達到混合薄膜鈍化。此 時，雙乾濺鍍設備以高速進行透明無機薄膜鑛層製程，以達成 高速混合薄膜鈍化。 參考第14圖，係根據本發明實施例之透過前述的雙靶濺鍍 设備所製造以薄膜鈍化所包覆的OLED，與沒有薄膜鈍化的 OLK)在延長壽命上作比較。 第14圖係顯示取樣qlED和根據本發明之實施例利用雙 靶濺鍍設備製作薄膜鈍化OLED間之延長壽命比較結果。 21 200848536 如第14圖所示，在根據本發明的實施例利用雙靶濺鍍設備 在OLED或OTFT上沉積高品質透明無機薄膜的情況中，所具 有的壽命較參考的取樣OLED或OTFT為長。 上述根據本發明實施例方法，可以任何儲存媒體的形式儲 存’例如CD-ROM、RAM、ROM、軟碟機、硬碟機或光磁碟 ’或是任何電腦可以讀取的形式，例如排列成可執行程式的電 腦碼。熟知_技術者均已知對於儲存本發明之示範的實 的方法，所以在此省略說明。 統，： = 提供製作薄膜鈍化之雙軸鑛系 f使用糸統形成薄膜的方法，其中OLED和0TFT可以 Ξΐ的程製造’而不需要使用金屬罐或玻璃基板的包覆 ^ ’如此就簡化了製程並且降低了製造0遍的初期投2 程，用來开本發明之實施例的贿系統用於薄膜鈍化製 雙乾濺鑛設備使用可以透過高速薄膜成長來縮短。因為 ，且《氣體料的χ伽=對树雜設備為高的電漿密度 的時間，來形成溥膜，因此不只縮短形成_ 成巧獪度的透明無機薄膜。 毛月之貫施例的濺鍍系統可更有效限制具有高沪 22 200848536 量的帶電粒子，因此舰了在—_C/RF麵設備的薄膜純化 製耘中所發生的電漿損壞。舉例來說，階梯狀的磁性物陣列增 加了中央的磁力線密度並且集中了在中央的磁力線密度，使得 具有高能量的帶電粒子被限制在靶材之間。如此一來，即使在

DC/RF電源报高的情況下也可以達到沒有電漿損壞的濺铲 程。 X

( 此外’當根據本發明之實施例的濺鍍系統備用於在0LED 和OTFT上沉積高品質的透明無機薄膜時，可以製作出較長壽 命的OLED和OTFT。以高密度電漿沉積的無機薄膜也具有高 密度使得外部的濕氣和氧不會滲透，因此增加了二極&的备 命。 可 同時，使用根據本發明之實施例的濺鍍系統所製作的薄膜 純化可以應用於大尺寸有機發光二極體顯示裝置的製作過 程。使用現有金屬罐或玻璃基板的包覆製程無法應用於大於四 〇 代生產線的基板，因為沒有設備而且製程相當困難。另一方 面’根據本發明之實施例的減鏟系統可用於製作大尺寸qLed 的薄膜鈍化，因為搶模組的尺寸可以根據磁性物陣列自由地改 變。 此外’根據本發明的實施例’可以藉由左右移動濺鍍搶或 是基板來製作大尺寸的OLED。 23 200848536 此外’如果在雙械鑛系統中有提供複數個__&， 高速度形成大尺寸薄膜，也因此可以超高速進行薄膜 μ 卜當在雙械射、統巾提供複數個職麵㈣，如 崎料的婦以及對應的製程氣體， 腔體中進行成長不同材料之多層薄膜的製程。在早個 f袖知蝴技術者可了解本發明可在不偏離本發明的 =二進行不同之修改與更動。因此，本發明包含此修 是其镇更射包含辦料概_範圍或 【圖式簡單說明】 ( 說明蚩:之係用以提供對本發明更進-步的說明，並作為 解===種=示範說說明本發明實施例，並詳細說明 第1圖係磁電管裝置的原理； t圖係傳統盒狀_崎贿組成的示意圖； f圖係組成傳統面向姆濺鏟設備的剖面圖； 二極體H特性的無機薄膜並傳統形成在有機發光 屬罐或破板，·薄膜電晶體（OTFT)上用以取代金 第5圖係以傳統薄膜鈍化方法形成的鑛層，· 24 200848536 第6圖係以傳統多層薄膜鈍化方法所形成的鍍層； 第7圖顯示不會被電漿損壞的驗搶，其巾根據本發明的 實施例具有階梯狀的磁性陣列； 第8圖係顯示在靶材中心的磁性線密度分佈的圖式； 第9圖係說明根據本發明的實施例製作薄膜鈍化之 鑛系統的設定； 第10圖係顯示根據本發明之實施例以搶模組進行掃描之 雙靶濺鍍系統的設定； 第11圖係顯示根據本發蚊實關之附著在彳、統内之複 數個模組化雙靶搶； 第I2圖係顯碰賤層麵行賴鈍化之她濺鑛系統； 第I3圖係說雜縣翻之實施姻於混合薄膜鈍化之 雙靶濺鍍設備； 第14圖係齡參考取樣QLEDH經過根據本發明實施 例的雙靶濺鍍設備的薄膜鈍化製程的〇LED之間的壽命結果 比較圖。 【主要元件符號說明】 10 磁電管 12 濺鍍靶材 14 磁場 16、18磁性物 20 軛形物 71 框架 200848536 71a、71b、71c、71d、71e、71f 側邊 72c、72d、72e 封閉板 100腔體 100a、100b靶材單元 110基板 110a、110b 靶材 120泵 130反應氣體供應器 200、210 鏡面鈀材 220、230 磁性物 300雙靶濺鍍槍 310靶材 400 真空腔體 401基板 402基板支撐 500 電源供應器 26

Claims (1)

1. 200848536 十、申請專利範圍： 包括： 1. 一種用於形成薄膜鈍化之雙乾濺鑛系統 一真空腔體； 一基板支撐用以在該真空腔體中支撐一美板. 板 二對贿搶，係分別面對該基板，且包‘娜板對一側 或相對側開放，以及複數個磁性物以規律的間隔設置於該輛形

   靶材分別附著該對軛形板； 一搶支撐，用以支撐該對濺鍍搶；以及 一電源供應器，用以提供電流至該靶材； 其中每-該複數伽性物包括—上部及―下部，該上部及該下 部形成-單-本體，且彼此具林_雜，且該複數個磁性 物係對準一直線；以及 其中5亥杨支撐或該基板支撐係可移動於該腔體中。 2·如申明專利範圍第1項之雙靶濺鑛系統，其中該對濺鑛槍係 彼此相對。 3. 如申請專利範圍第2項之雙乾濺鑛系統，其中該歡材係分別 附著於該對濺鍍槍之相對側。 4. 如申請專利範圍第3項之雙靶濺鍍系統’其中該基板包括一 有機發光二極體之一大尺寸基板。 27 200848536 5· 基，㈣峨或該 雍㈣夕―: 與基板之間的距離、注人該腔體之反 體 _、或供應自該電源供應器之電源。 範圍第4項之雙麵鍍系統，其中於該基板上- ===速度係可調整，該形成速度絲定於該等範材之 >雜夕一、練材與職板之間的轉、注人職體之反應 耽體之-·比例、或供應自該電源供應器之電源。 Μ 7, -種用於形成_鈍化之雙蝴鍍系統，包括： 一真空腔體； 基蚊撐，肋相續該巾之複數個基板； 料感2,槍’每一該錢鑛搶係、面對每一基板，且包括一輛 置於該姆綱放，⑽魏伽絲贿律的間隔設 c. 靶材，係分別附著於該對軛形板； —搶支撐，係用以支撐該對賤鑛搶；以及 電祕應n ’伽以提供電源魏等乾材； 部^每:，數r性物包括—上部及—下部，該上部及該下 性彼此具有㈣的雜，且該複數個磁 注物係對準一直線；以及 進或該餘支#舞祕該雜巾靖各該基板 28 200848536 8.如申請專利範圍第7項之雙靶濺鍍系統，其中該對濺鍍搶係 彼此相對。 9·如申請專利範圍第8項之雙靶濺鍍系統，其中該等靶材係分 別附著於該對濺鍍搶之相對側。 10·如申請專利範圍第9項之雙靶濺鑛系統，其中該基板包括 一有機發光二極體基板。 11·如申請專利範圍第1〇項之雙靶濺鍍系統，其中該濺鍍搶之 一移動速度係可調整，該移動速度係決定於該基板上之一薄膜 之一形成速度及均勻度、該等靶材之間的一距離、該等靶材與 該基板之間的距離、注入該腔體之反應氣體之一比例、或供應 自該電源供應器之電源。 ^ 12· 一種以超高速形成薄膜鈍化之雙靶濺鍍系統，包括： 一真空腔體； ‘ 基板支樓用以在該真空腔體中支撐一基板； ，數個雜搶，分別面對絲板，並包括—_板對 開放’以及複數個磁性物以規律的間㉟設置於該輕形 靶材分別附著該對軛形板上； 複數個搶支撐分別支撐該複數個藏鍍搶 ;以及 29 200848536 一電源供應器用以提供電流至該乾材； 其中每-該複數個磁性物包括-上部及—下部，該上部及該下 部形成-單-本體，且彼此具有不同的磁性，而 性物係對準一直線；以及 其中該基板軸_雜，轉妙—軸麟^膜純化。

   13·如申睛專利範圍第12項之雙乾賤鍍系統 係彼此相對。 ’其中該對濺鑛槍 14·如申請專利範圍第13項之雙靶濺鑛系統，其中該等靶材 分別附著於該對濺鍍搶之相對侧。 15·如申請專利範圍第η項之雙靶濺鍍系統，其_該基板勹 一有機發光二極體之一大尺寸基板。 16·如申請專利範圍第15項之雙靶濺鍍系統，其中該基板之一 移動速度係可調整，該移動速度係決定於濺鍍搶之數目、該美 板上之一薄膜之一形成速度及均勻度、該等靶材之間的一距離 、該靶材與該基板之間的距離、注入該腔體之反應氣體之一比 例、或供應自該電源供應器之電源。 17·如申請專利範圍第16項之雙靶濺鍍系統，其中該複數個濺 鑛搶係分別以相同的材料附著。 30 200848536 18·如申請專利範圍第17項之雙靶濺鍍系統，其中該複數個濺 鍍搶係分別以不同的材料附著。 19.如申請專利範圍第18項之雙靶濺鍍系統，其中該基板之該 薄膜純化包括多重層。 20·如申請專利範圍第19項之雙靶濺鍍系統，其中該多重層包 括氮化矽（SiN) /氧化矽（SiO) /氮化矽（SiN) /氧化矽（SiO )薄膜。 - 21·如申請專利範圍第19項之雙靶濺鍍系統，其中該多重層包 括Al2〇3、SiNx、SiON、Si〇2、MgO、TaO以及A1203:N薄膜， 每一該薄膜係具有10奈米或更厚之一厚度。 22·如申請專利範圍第19項之雙靶濺鍍系統，其中該多重層包 括一結構，在此結構中係重複形成一透明無機薄膜.以及一單體 鍍膜。 23·如申請專利範圍第19項之雙把濺鍍系統，其中該多重層包 括一混合薄膜，該混合薄膜包含一有機薄膜以及一或多層選自 下列之無機薄膜：Al2〇3、SiNx、SiON、Si02、MgO、TaO以 及Α12〇3··Ν薄膜，每一該薄膜係具有10奈米或更厚之一厚度。 24· -種使用一製作薄膜鈍化之雙粑濺鑛系統以形成一薄膜 200848536 之方法’該雙乾濺錢系統包括一真空腔體；一基板支樓，用以 支撐該真空腔體中之_基板；—續搶，面對該基板，且包括 -輛形板’對-側或相對側開放，以及複數個磁性物以規律的 間歐置職娜板；植悔材，齡獅絲飾形板上 ，-搶支撐，係用以支撐該濺鑛搶；以及一電源供應器，係用 以提供電流至該靶材，該方法包括： 附著一基板至該基板支撐； 根據該基板的大小和數目調整離搶數目、磁性物之數目 以及磁性物之間的間隔； 施加一電流至該靶材； 藉由該靶材及該濺鍍搶於該等耙材之中心產生電漿 ;以及 根據該基板和該雜_纽義該基域該濺鍍搶。 ^如t/月專利範圍第24項之方法，其中該基板包括一有機發 光顯示器之一大尺寸基板。 申請專利範圍第24項之方法，其中該基板或該麵槍係 可務愈7。 ί其第％項之方法’其中濺鑛搶之數目係根據 〜土之5亥薄膜之-形成速度或均勻度增加或減少。 2而8且=1專利範圍第27項之方法，其中具有複數個賴槍， 而且该硬數個濺鑛槍係分別以相同的材料附著。 32 200848536 29.如申請專利範圍第27項之方法，其中具有複數個濺鍍槍， 且該複數個濺鍍槍係分別以不同的材料附著。 33