TW200847352A - Apparatus and method for reduced delamination of an integrated circuit module - Google Patents

Description

200847352 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大體來說係有關於半導體元件，並且 更明確地說’係有關於一種減少積體電路模組脫層的裝置 與方法。 【先前技術】 積體電路和其他半導體元件，例如，射頻（RF)功率放 大器、低雜訊放大器、或其他類似電路，可製作在半導體 基材上。製作在半導體基材上的積體電路通常稱為積體電 路晶粒。含有積體電路晶粒的半導體基材通常稱為半導體 曰曰圓，或簡稱為晶圓。積體電路晶粒可藉由，例如，切割 晶圓以將積體電路晶粒分割為單件來移離晶圓。 .............. Ο =製程包含利帛，例如，環氧材料將積體電路晶粒附 上的黏晶塾上。然後以塑封材料模塑成型該 體封ί的，、形成該塑膠半導體封裝。通常，㉟塑膠半導 行：：：：晶、成型、…(curing)是在高溫環境中執 積體電路晶#、黏晶環氧樹脂、冑封材 材的熱膨脹係數的差異使封裝製 ，、 ’土 產生熱應力。 封裝製知在加熱和冷卻階段期間 一旦完成封裝製程， 以進行最後組裝，例如， 70件的電路板上。但是， 即輸送並交付該塑膠半導體封裝 將該塑膠半導體封裝安裝在無線 在輪送並交付該塑膠半導體封裝 5 200847352 期間，以及在最後組裝之前，該塑膠半導 塑膠半導體封裝暴露在溼氣中的多種環境 氣的暴露增加該塑膠半導體封裝的含水量 製程期間增加該塑膠半導體封裝額外的熱 過由熱膨脹係數差異所導致者。例如，該 内的任何含水量皆在該層壓基材和該積體 黏晶環氧樹脂介面處造成較大的熱膨脹。 此黏晶環氧樹脂介面處的熱膨脹在該 面處產生額外應力。因為該層壓基材係以 型，此額外應力使該黏晶環氧樹脂介面在 程期間破裂或脫層。該黏晶環氧樹脂介面 不良的。 習知層壓基材通常使用鑛金製程在該 表面處理（finish)。但是，雖然該金表面處 電性’但其並不提供該黏晶環氧樹脂介面 此’該黏晶環氧樹脂介面也容易因此原因 在克服黏晶環氧樹脂介面處破裂或脫 前技藝層壓基材嘗試在黏晶墊上使用較優 例如，綠漆（solder mask)。但是，在黏晶 不利的，因為，例如，綠漆是極差的電及 路晶粒和黏晶墊之間的介面理想上不應 性、或熱性能有不利影響。此外，黏晶塾 著在黏晶墊上之積體電路晶粒的高度，並 樹脂介面的抗電及抗熱性。這增加該黏晶 體封裝承受將該 狀態。此對於濕 。這轉而在高溫 應力’超越並高 塑膠半導體封裝 電路晶粒之間的 黏晶環氧樹脂介 塑封材料模塑成 ’例如，高溫製 的破裂或脫層是 黏晶墊外層形成 理提供良好的導 良好的附著。因 而破裂或脫層。 層的努力中，先 良的黏著製程， 墊上使用綠漆是 熱導體。積體電 對黏著性、導電 上的綠漆增加附 增加該黏晶環氧 環氧樹脂介面破 6 200847352 裂及脫層的可能性，並降低該塑膠半導體封裝的整體 度0 【發明内容】 根據本發明之第一實施例，本發明提供一種積 路，其至少包含：一層壓基材；一或多個黏晶墊；一 個金屬氧化物區域，設置在該一或多個黏晶塾上；以 或多個無氧化金屬區域’設置在該一或多個黏晶塾上 根據本發明之第二實施例，本發明提供一種積體 模組，其至少包含：一層壓基材；一或多個積體電路晶 與該層壓基材操作性連結；以及一塑膠半導體封農， 層壓基材模塑成型。 根據本發明之第三實施例，本發明提供一種用以 減少一積體電路脫層的方法，該方法至少包含：以光 蓋一積體電路之一或多個黏晶墊，以P且止電鍍在一或 金屬氧化物區域内；以導電金屬電鍍該一或多個黏晶 無光罩覆蓋區域；從該一或多個黏晶墊上除去光罩； 氧化之表面處理蝕刻該一或多個金屬氧化物區域；以 潔該積體電路。 根據本發明之第四實施例，本發明提供一種用以 • 減少一積體電路脫層的方法，該方法裏少包含：以導 料電鍍一積體電路之一或多個黏晶墊；以光罩覆蓋該 多個電鍍的黏晶墊，以阻止該導電材科進入一或多個 氧化物區域；以一氧化的表湎，處理蝕刻該一或多個金 可靠 體電 或多 及一 〇 電路 粒， 與該 提供 罩覆 多個 墊之 及清 提供 電材 一或 金屬 屬氧 7 〇 〇 200847352 化物區域；從該一或多個黏晶墊上除去光罩；以及清潔該 積體電路。 【實施方式】 現在將參考如下關於本發明之例示實施例的詳細描 述。熟知技藝者會了解本發明之實施例提供許多創新概念 及新賴特徵，其僅是例示性的且不應理解為限制性。據此， 在此所討論的特定實施例係經由範例的觀點產生，並且不 會限制本發明實施例的範圍。此外，熟知技藝者會理解為 了解釋而提出無數具體細節，但本發明實施例可在無該等 具體細節下執行，並且某些特徵被省略以更清楚示出本發 明之實施例。 第1圖示出根據本發明之一實施例的積體電路i 〇〇之 佈局圖。積體電路100包含一層壓基材110，以及黏晶塾 1 20a-12〇Ct>為了簡明，僅示出並描述暸解本發明所必需的 積體電路100之構造和操作。積體電路丨〇〇其餘的構造和 操作可遵循習知實施。例如，層壓結構丨丨〇可包含導電線 路（conductive traces)、介層洞、綠漆、及其他傳導墊，用 以根據習知實施附加各種被動及主動零組件。 此外，雖然將積體電路100顯示並描述為擁有三個黏 晶墊120a-120c，但本發明實施例預期到任何適當配置、 形狀或組合形狀的任何數量的黏晶塾。 電路100不應被理解為限制可實施本發 類型。 此外’了解到積體 明實施例之應用的 8 200847352 在本發明之一實施例中，層壓基材11 〇是印刷電路板 (PCB)。雖然層壓基材110係經描述為PCB，本發明之實 施例預期到任何適合的電子基材’例如，擁有有機核心以 及一或多層覆蓋該核心或位在其上的介電層之結構，或任 何其他適合的電子基材。 黏晶墊120a-120c包含散佈在黏晶墊120a-120c表面 區域上之高黏著性金屬氧化物1 22和無氧化高傳導性金屬 124&_124〇的圖案，在第3八-3?圖中更詳細描述。如第3八-3? f) 圖所示，某些圖案是高黏著性金屬氧化物1 22和無氧化高 傳導性金屬124a-124c的交錯圖案。基本上，該圖案將黏 晶墊120a-120c分為高黏著性金屬氧化物區域和無氧化高 傳導性金屬區域，其提供積體電路10更佳的黏著、導電 性、和熱性能，並且特別是黏晶墊l2〇a-12〇c。如下面更 詳細探討者’此圖案增加該黏晶環氧樹脂介面的機械強 度’介於該黏晶環氧樹脂和黏晶墊l2〇a-12〇e之間，並減 少該黏晶環氧樹脂介面與任何進入積體電路1〇内之含水 Q 量相關之任何可能的破裂或脫層。 在本發明之另一實施例中，無氧化高傳導性金屬 4C疋金雖然無氧化高傳導性金屬1 24a-1 24c係經 ^述為金，但本發明實施例預期任何適合的無氧化高傳導 金屬例如鈀、銀、銅、或任何其他適合的無氧化高傳 導性金屬。 在本發明之另-實施例中，高黏著性金屬氧化物122 、氧化的表面處理，其加強該黏晶環氧樹脂介面的黏著 9

200847352 性，如下面更詳έ +认 、·对哪者。該氧化的表面處理係在製造層 壓基材11 0期間虚饰 . 馬》理。雖然高黏著性金屬氧化物1 2 2係經 描述為一氧化的砉而_ 表面處理，但本發明實施例預期到任何適 合的兩黏著性今麗每 屬氧化物，例如標色氧化物（brown oxide)、黑色氧化物 (black oxide)、氧化銅、氧化欽、或任 何其他適合的勒vfe I , 者促進材料。此外或做為另一種選擇，高 黏著性金屬氧化物！ 22可以是純金屬或合金，例如鈦、鉻、 鐵鎳鎢、或任何其他適合的黏著促進材料。 本發明實施例提供散佈在黏晶墊12〇&_12〇〇表面區域 上之兩黏著性金屬氧化物122和無氧化高傳導性金屬 124a 124c的圖案。該無氧化高傳導性金屬區域提供該積 體電路晶粒的高頻電流一條低阻抗路徑。雖然該高黏著性 金屬氧化物區域提供增強該黏晶環氧樹脂和黏晶墊 120a-120c之間的黏晶環氧樹脂介面之機械強度的黏著區 域，但該高黏著性金屬氧化物區域也提供高頻電流一條阻 抗較高的路徑，相對於該無氧化高傳導性金屬區域。 據此，黏晶墊120 a-120c上的阻抗區域圖案提供來自 積體電路之高頻電流一條主流路徑，同時提供改善的黏著 水準以減少該黏晶環氧樹脂介面任何可能的破裂或脫層。 例如’該高黏著性金屬氧化物區域可以是散佈在該無氧化 高傳導性金屬區域表面上的交錯圖案，並組成黏晶塾 12 0a-120c表面區域之某個百分比。本發明實施例預期到 任何適合的百分比，例如1 〇 %、2 5 %、5 0 %、7 5 %、9 0 %、 或任何其他適合的表面百分比。 10 200847352 因此’根據本發明之主要實施例，散佈在黏晶墊 120 a-120c表面區域上之高黏著性金屬氧化物122和無氧 化高傳導性金屬124a-124c的圖案提供該黏晶環氧樹脂介 面機械強度的增加’並減少該黏晶環氧樹脂介面任何可能 的破裂或脫層。此外，本發明實施例預期將該等黏晶墊分 為高黏著性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域， 而非僅有高黏著性金屬氧化物黏晶墊或無氧化高傳導性金 屬黏晶墊，如某些先前技藝層壓基材般。除了其他的之外， 這增加該黏晶環氧樹脂介面的機械強度，且不會犧牲與安 裝積體電路晶粒至黏晶墊120a-120c上相關的導電性或熱 性能。此外，這增加積體電路100的整體可靠度。 雖然第1圖之黏晶墊120a-120c係經顯示並描述為擁 有高黏著性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域的 棋盤格圖案。本發明實施例提供任何適合圖案或圖案組 合，其增加黏晶墊120a-120c和積體電路晶粒之間介面的 黏著性、導電性、和熱性能，如在後方參考第3A-3F圖更 詳細描述者。 第2圖示出根據本發明之另一實施例的積體電路模組 200之剖面圖。積體電路模組200包含一層壓基材210、黏 晶墊220a-220c、環氧樹脂230a-230c、積體電路晶粒 240a-240c、以及塑膠半導體封裝250。為了簡明，僅示出 並描述暸解本發明所必需的塑膠半導體封裝250之構造和 操作。塑膠半導體封裝250其餘的構造和操作可遵循習知 實施。 11 200847352 在本發明之一實施例中，積體電路晶粒240a_240c可 利用各種半導體材料製成，例如砷化鎵（GaAs)、磷化銦（InP) 氮化鎵（GaN)、矽（Si)、及前述者之衍生物，例如砷化鋁鎵 (AlGaAs)、砷化銦鎵（InGaAs)、磷化銦鎵（inGaP)、砷化铟 銘（InAlAs)、氮化鋁鎵（AlGaN)、氮化銦鎵（InGaN)、銻化 鎵砷（GaAsSb)、氮化銦鎵砷（inGaAsN)、以及砷化鋁 (AlAs)、例如。在本發明之一實施例中，積體電路晶粒 ◎ 240a-240c係形成在砷化鎵基材上。但是，積體電路晶粒 240a-240c可形成在其他類型的基材上，例如，碌化銦（Inp) 和氮化鎵（GaN)。 如上參考第1圖所討論者，散佈在黏晶塾22〇a-220c 上之兩黏者性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域 的圖案提供增加的黏著性、導電性和熱性能，因此進入積 體電路模組2 0 0的任何溼氣含量減少該黏晶環氧樹脂介面 任何可能的破裂或脫層。 在本發明之一實施例中，積體電路晶粒24〇a_24〇e可 U 安裝在黏晶墊220a-220c環氧樹脂230a-230c上。環氧樹 脂23 0a-2 3 0c可以是填充銀的導電環氧樹脂，例如但不限 於Ablestik 8 4-1LMI。雖然環氧樹脂230a-230c係經描述 為Ablestik 84-1LMI，但本發明實施例預期任何適合的黏 晶材料或任何其他適合的導電環氧樹脂材料。 一旦積體電路晶粒240a-240c已安裝在黏晶墊 220a-220c上，層壓基材21〇可根據習知實施集結其他被 動和主動零組件。然後可模塑成型層壓基材21〇而產生塑 12 200847352 膠半導體封裝_ 250。 此外’雖然塑膠半導體封裝250係經 顯示並描述為以特定方式模塑成型在層壓基材21〇上，但 本發明實施例預期任何類型的模塑成型或任何類型的塑膠 、 封裝此外，了解到塑膠半導體封裝250不應被理 解為限制可實施本發明實施例之應用的類型。

ϋ 在本發明之另一實施例中，積體電路模組200可安裝 或除此之外連結在一電路板上。例如，積體電路模組200 可在一或多個高溫環境中利用已知焊錫技術安裝或連結在 電路板上。此外’或做為另一種選擇，積體電路模組2〇〇 可在一或多個高溫環境中利用已知環氧樹脂技術安裝或連 結在一電路板上。瞭解到可在本發明實施例範圍内實施其 他安裝技術。也了解到安裝技術的程序可做改變而不會背 離本發明實施例之範圍或宗旨。 本發明實施例結合該高黏著性金屬氧化物區域内的氧 化表面處理之黏著性以及該無氧化高傳導性金屬區域的電 及熱性質操作°例如，散佈在黏晶墊120a-120c上之高黏 著性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域的交錯圖 案增加該黏晶環氧樹脂介面的附著性，並減少與進入積體 電路模紐200之任何溼氣含量相關的該黏晶環氧樹脂介面 的任何可能的破裂或脫層。因此，根據本發明實施例之原 理’積體電路模組200提供強化的黏著性、導電性、和熱 性能，因此在高溫製程前引進的任何溼氣含量，減少該積 體電路晶粒和該黏晶墊之間的黏晶環氧樹脂介面任何可能 的破裂或脫層。 13 200847352 第3A-3F圖示出根據本發明之實施例的 墊120a-12 0c。如上所述，黏晶墊12〇a l2〇c 金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區 外，第3A-3F圖中之高黏著性金屬氧化物區 高黏著性區域，僅做為範例且非經由限制的 化物、黑色氧化物、氧化鋼、氧化鈦、或任 黏者性促進材料。此外或做為另一種選擇， 中’該無氧化高傳導性區域可以是任何高傳 C) 如但不限於，金、鈀、銀、銅、或任何其他 局傳導性金屬β 在第3Α圖中，黏晶墊12〇包含複數個 性金屬氧化物區域3 1 〇和複數個無氧化高傳 3 20。在本發明之一實施例中，方形高黏著性 域310和無氧化高傳導性金屬區域3 20的交 置得使該積體電路晶粒的高頻電流可主要流 導性金屬區域3 2 0 (即，低阻抗路徑）。此外 Q 著性金屬氧化物區域3 1 0的配置提供該黏晶 增強的黏著性和機械強度。 在第3Β圖中，黏晶墊12〇包含複數個 金屬氧化物區域311和複數個無氧化高傳 321°第3Β圖之高黏著性金屬氧化物區域合 圖之高黏著性金屬氧化物區域的配置相同， 金屬氧化物區域之圓形型態之外。 在第3C圖中，黏晶墊120包含散佈在 第1圖之黏晶 包含兩黏著性 域的圖案。此 域可以是任何 方式，棕色氧 何其他適合的 在第3A-3F圖 導性區域，例 適合的無氧化 方形的高黏著 導性金屬區域 金屬氧化物區 錯圖案係經配 經無氧化高傳 ，該方形高黏 環氧樹脂介面 圓形高黏著性 導性金屬區域 Ϊ配置與第3 A 除了高黏著性 無氧化南傳導 14 200847352 性金屬區域322之間的若干水平的矩形高黏著 物區域312。在本發明之另一實施例中，若干 高黏著性金屬氧化物區域312散佈在無氧化高 區域322之間的交錯圖案係經配置得使該積體 高頻電流可主要流經無氧化高傳導性金屬區域 阻抗路徑）。此外，該若干水平的矩形高黏著性 區域312的配置&供該黏晶環氧樹脂介面增強 機械強度。 在第3D圖中，黏晶墊120包含若干水平 著性金屬氧化物區域313，其中該等若干水平 著性金屬氧化物區域的每一個皆被一無氧化高 區域323圍繞。第3D圖中該等若干水平的矩 金屬氧化物區域的配置與第3C圖之該等若干 高黏著性金屬氧化物區域的配置相同，除了該 形高黏著性金屬氧化物區域的尺寸之外。 在第3E圖中’黏晶塾120包含一大型高 氧化物區域314在黏晶墊120中央，其中該大 金屬氧化物區域314更延伸至黏晶墊12〇的每 並且在黏晶塾1 2 0的每一側與無氧化高傳導 3 24接合。在本發明之另一實施例中，該大型 屬氧化物區域3 1 4係經配置而在黏晶墊丨2〇中 增強的黏著性和機械強度。此外，該配置容許 粒的高頻電流主要流經位於黏晶墊1 2 〇側邊部 高傳導性金屬區域3 24(即，低阻抗路徑）。 性金屬氧化 水平的矩形 傳導性金屬 電路晶粒的 322(即，低 金屬氧化物 的黏著性和 的矩形高黏 的矩形高黏 傳導性金屬 形高黏著性 水平的矩形 等水平的矩 黏著性金屬 型高黏著性 一個角落， 性金屬區域 高黏著性金 央部分提供 積體電路晶 分的無氧化 15 200847352 在第3F圖中，黏晶墊120包含一大型高黏著性金屬 氧化物區域315在黏晶墊120中央，其中該大型高黏著性 金屬氧化物區域315被一無氧化高傳導性金屬區域325圍 繞。該大型南黏著性金屬氧化物區域315的配置與第3e 圖的大型高黏著性金屬氧化物區域314的配置相同，除了 該大型高黏著性金屬氧化物區域的尺寸之外。 雖然黏晶墊1 20係經顯示並描述為擁有特定的高黏著 ^ 度金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域的配置，但 本發明實施例預期到此間高黏著度金屬氧化物區域和無氧 化高傳導性金屬區域的任何配置及/或此間高黏著度金屬 氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域的任何組合，以減 少積體電路晶粒和黏晶墊1 2 0之間的黏晶環氧樹脂介面之 破裂或脫層。 第4圖示出根據本發明實施例之減少積體電路之脫層 的製程之流程圖400。如上所述，層壓基材可以是任 何適合的電子基材，例如PCB、擁有有機核心以及一或多 (J 層覆蓋該核心或位在其上的介電層之結構，或任何其他適 合的電子基材。 流程圖400在402開始。在404，判定是否需在施加 兩黏者性金屬氧化物區域之前先施加無氧化高傳導性金屬 至黏晶塾120。若需在高黏著性金屬氧化物區域之前先行 施加無氧化高傳導性金屬，製程繼續至4丨4。另一方面， 若需在無氧化雨傳導性金屬之前先在黏晶墊丨2 〇上施加高 黏著性金屬氧化物區域，製程在406繼續。 16 200847352 在4 0 6，以光罩覆蓋黏晶墊1 2 0以阻斷該高黏著性金 屬氧化物區域。可以光罩覆蓋層壓基材110的其他部分而 不會背離本發明實施例的精神和範圍。如上所述，該無氧 化高傳導性金屬區域可以是任何適合的無氧化高傳導性金 屬，例如金、鈀、銀、銅、或任何其他適合的無氧化高傳 導性金屬。 在4 0 8，以無氧化高傳導性金屬電鍍黏晶墊1 2 〇。可以 無氧化高傳導性金屬電鍍層壓基材110的其他部分而不會 〇 背離本發明實施例的精神和範圍。製程在4 1 0繼續，其中 從黏晶墊120上除去在406時施加的光罩。在412，將層 壓基材11 0浸入化學品中以蝕刻（即，粗糙化）並氧化在406 被遮蔽住的高黏著性金屬氧化物區域。因為該等化學品不 會影響無氧化高傳導性金屬區域。如上所述，該等高黏著 性金屬氧化物區域可以是任何氧化的表面處理，其增強黏 晶環氧樹脂表面的黏著性。該氧化的表面處理可以是任何 適合的高黏著性金屬氧化物，例如但不限於，棕色氧化物、 CJ 黑色氧化物、氧化銅、氧化鈦、或任何其他適合的黏著性 促進材料。 但是，若如上來自問題404的討論般，需在高黏著性 金屬氧化物區域之前先在黏晶墊12〇上施加無氧化高傳導 性金屬，則製程從問題404繼續至414。在414，以該無氧 化高傳導性金屬電鍍含有黏晶墊12〇的層壓基材11〇。在 416’以光罩覆蓋黏晶墊12〇以暴露出高黏著性金屬氧化物 中的無氧化高傳導性金屬。可以光罩覆蓋層壓基材n〇的 17 200847352 其它部分而不會背離本發明實施例的精神及範圍。在 4 1 8，將層壓基材11 〇浸入化學品中，以除去該高傳導性金 屬並#刻（即’粗糙化）及氧化未被光罩覆蓋的高黏著性金 屬氧化物區域。該製程在420繼續，其中從黏晶墊12〇除 去在416施加的光罩。 在422清潔層壓基材11〇，並且製程在424結束。如 上所述’本發明實施例結合散佈在黏晶墊丨2〇表面區域上 的南黏著性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域之 父錯圖案操作。因此，根據本發明實施例的原理，高黏著 性金屬氧化物區域和無氧化高傳導性金屬區域之交錯圖案 提供減少的黏晶環氧樹脂介面的破裂和脫層，並在黏晶墊 120和積體電路晶粒之間提供增強的黏著性、導電性、和 熱性質。 别面說明書中的參照“一個實施例，，或“一實施例，，表示 關於該實施例描述的一種特定特徵、結構、或特性被包含 在本發明之至少一實施例中。在說明書的多個場合出現之 在一實施例中’’此句並不必然所有皆參照相同的實施例。 雖然已示出並描述本發明之例示實施例，但可了解對 於別述實施例做Φ的各種改變和調整對熟知技藝者而言會 變得顯而易見，而不會背離本發明之精神及範圍。據此， 本發明並不限於所揭示實施例，❿是由附屬申請專利範圍 及其等效物限制。 【圖式簡單說明】 18 200847352 咸信是本發明實施例之特性的新穎特徵在附屬申請專 利範圍中提出。但是，本發明之實施例可藉由參考上述詳 細說明的同時合併附圖而有最佳的了解’其中本發明之實 施例在附圖圖式中經由範例方式示出’而非經由限制方 式，其中相似的元件符號表示相同元件。 第1圖示出根據本發明之一實施例的積體電路之佈局 园 · 圖， 第2圖示出根據本發明之另一實施例的積體電路模組 之剖面圖； 第3A-3F圖示出根據本發明之實施例之第1圖的黏晶 墊；以及 第4圖示出根據本發明之實施例之減少積體電路脫層 之製程的流程圖。 【主要元件符號說明】 100 積體電路 110 層壓基材

Cj 120a-120c> 220a-220c 黏晶墊 12 2 高黏著性金屬氧化物 124a-124c無氧化高傳導性金屬 200積體電路模組 21〇層壓基材 230a-230c環氧樹脂 240a-240c積體電路晶粒 250 塑膠半導體封裝 310、311、312、313、314、315高黏著性金屬氧化物區 域 19 200847352 ί 320、321、322、323、324、325 無氧化高傳導性金屬、區 域 400 流程圖 20

Claims (1)

1. 200847352 十、申請專利範圍： 1. 一種積體電路，其至少包含： 一層壓基材； 一或多個黏晶墊； 一或多個金屬氧化物區域，設置在該一或多個黏晶墊 上；以及 一或多個無氧化金屬區域，設置在該一或多個黏晶墊 〇 上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域和一或多個無氧化金屬區域係以一圖案 設置在該一或多個黏晶墊上。 3. 如申請專利範圍第2項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域和一或多個無氧化金屬區域之圖案提供 高頻電流在該一或多個黏晶墊上的主要路徑。 4·如申請專利範圍第2項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域的圖案包含複數個方形金屬氧化物區 域。 5.如申請專利範圍第2項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域的圖案包含複數個圓形金屬氧化物區 21 200847352 域。 6. 如申請專利範圍第2項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域的圖案包含複數個矩形金屬氧化物區 域。 7. 如申請專利範圍第6項所述之電路，其中上述之複數個 f" 矩形金屬氧化物區域係設置在該一或多個黏晶墊之第一邊 和該一或多個黏晶墊之第二邊之間。 8. 如申請專利範圍第2項所述之電路，其中上述之一或多 個金屬氧化物區域的圖案包含一設置在該一或多個黏晶墊 中央之大型金屬氧化物區域。 9. 如申請專利範圍第8項所述之電路，其中上述之大型金 屬氧化物區域更延伸至該一或多個黏晶墊的每一個角落。 10. 如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之一或 多個無氧化金屬區域包含一導電材料。 11. 如申請專利範圍第10項所述之電路，其中上述之一或 多個無氧化金屬區域係選自由以下構成的群組·· 金； 22 200847352 鈀； 銀；以及 銅0 12.如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之一或 多個金屬氧化物區域係以一氧化的表面處理（finish)蝕刻。 (、 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之電路，其中上述之氧化 的表面處理係選自由以下構成的群組： 棕色氧化物； 黑色氧化物； 氧化銅；以及 氧化鈦。 14.如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之一或 多個金屬氧化物區域包含一種金屬，該金屬係選自由以下 構成的群組： 鈦； 鉻； 鐵； 鎳；以及 鎢0 23 200847352 15·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之一或 少個無乳化金屬區域為高頻電流提供一低阻抗路徑。 16·如申請專利範圍第i項所述之電路，其中上述之一或 多個金屬氧化物區域為高頻電流提供一高阻抗路徑。 17·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之層壓 基材包含： 一有機核心；以及 一或多層介電層，其位在該有機核心上。 18 ·如申請專利範圍第1項所述之電路，其中上述之層壓 基材係一印刷電路板。 19· 一種積體電路模組，其至少包含： 一層壓基材； 一或多個積體電路晶粒，與該層壓基材操作性連結； 以及 一塑膠半導體封裝，與該層壓基材模塑成型。 20·如申請專利範圍第19項所述之模組，其中上述之層壓 基材包含： 一或多個黏晶墊； 24 200847352 一或多個金屬氧化物區域，設置在該一或多個黏晶墊 上；以及 一或多個無氧化金屬區域，設置在該一或多個黏晶墊 上。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之模組，更包含一黏晶環 氧樹脂介面，其位在該一或多個積體電路晶粒和該一或多 個黏晶墊之間。 22. 如申請專利範圍第19項所述之模組，其中上述之一或 多個積體電路晶粒係透過一填充銀的導電環氧樹脂與該一 或多個黏晶墊操作性連結。 23. 如申請專利範圍第22項所述之模組，其中上述之一或 多個金屬氧化物區域提供一黏著區域，以增加該黏晶環氧 樹脂介面的機械強度。 24. 如申請專利範圍第1 9項所述之模組，其中上述之積體 電路模組與一無線元件電路板操作性連結。 25. 如申請專利範圍第19項所述之模組，其中上述之一或 多個積體電路晶粒包含選自由以下構成的群組之材料： 砷化鎵； 25 200847352 石夕； 磷化銦； 氮化鎵； 砷化鋁鎵； 砷化銦鎵； 磷化銦鎵； 砷化銦鋁； fl 氮化銘鎵； 氮化銦鎵； 銻化鎵砷； 氮化銦鎵砷；以及 神化銘。 26.—種用以提供減少一積體電路脫層的方法，該方法至少 包含： 以光罩覆蓋一積體電路之一或多個黏晶墊，以阻止電 鍍在一或多個金屬氧化物區域内； 以導電金屬電鍍該一或多個黏晶墊之無光罩覆蓋區 域； 從該一或多個黏晶墊上除去光罩； 以一氧化之表面處理蝕刻該一或多個金屬氧化物區 域；以及 清潔該積體電路。 26 200847352 27. —種用以提供減少一積體電路脫層的方法，該方法至 少包含： 以導電材料電鍍一積體電路之一或多個黏晶墊； 以光罩覆蓋該一或多個電鑛的黏晶塾*以阻止該導電 材料進入一或多個金屬氧化物區域； 以一氧化的表面處理蝕刻該一或多個金屬氧化物區 〇 域； 從該一或多個黏晶墊上除去光罩；以及 清潔該積體電路。 27