TW200844361A - Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber - Google Patents
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Description
200844361 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明的實施例一般涉及用於控制流到處理腔室的氣 々丨L之方法和設備。 【先前技術】 對於許多微電子元件製程來說,氣流的精確控制是重 〇 要的製程控制因素。在半導體處理腔室中而於基板和基板 支撐件之間提供氣體是一種用於改善基板和基板支撐件之 間的熱傳遞並從而增強基板溫度控制的精確性和均勻性的 已知方法。另外,爲了獲得所需的處理結果,特別是隨著 關鍵尺寸和薄膜厚度縮小,則需要對於流到處理腔室中的 製程氣流進行精確控制。並且,可以將氣體添加到處理腔 室流出物流(effluent stream),以減輕基板處理對於環境的 影響。對於添加到流出物流中的氣體必須要有良好的控 制’從而確保成本效益和適當的橋正措施。 ί、 % 與半導體處理腔室一同使用的傳統氣體輸送系統一般 包括氣體質量流量計(mass gas fi〇w meter,MFC )作爲主 要的流量調整器件。然而,MFC的精確度可能受到引起實 際氣流的不確定性之多個因素影響。例如,MFc的精確性 通常將隨溫度、輸送管路壓力和容量(v〇lume )的變化而 改變。由於MFC之不準確所引起的從氣流設定點的偏差將 會引起處理缺陷、不良的排放控制和昂貴氣體的無效浪費。 儘管傳統的壓力控制系統已經證明為相當地可靠,但 5 200844361 是利用現有技術的現場試驗已經增加了對於流 確測量的要求。例如,在背側基板冷卻應用中 流之不良控制將導致不良的基板溫度控制,從 . 的薄膜沉積或#刻結果,這在下一代線路設5十 忍的。 然而,傳統的氣體輸送系統一般具有固定 於將氣體從氣體源導引至處理腔室中。因而, 〇 合的製程氣體可在任意時間被傳送到處理腔室 的氣體輸送路徑妨礙了製程彈性。例如,具有 送路徑的處理腔室不能容納需要不同製程氣體 或修改的製程配方(process recipe)。另外, 計以輸送一種製程氣體組合從而執行第一製程 不能執行利用不同氣體組合的第二製程,因而 室用於其他製程,並使晶圓廠(FAB)擁有者投 定設備(capitol equipment)。因而,期望設計 隹利用彈性的氣體輸送系統。 ϋ 因此,需要一種用於控制流到半導體處理 輪送之改進的方法和設備。 【發明内容】 本發明提供一種用於將氣體輸送到半導體 方法和設備。在一個實施例中,一種用於將氣 導體處理系統的設備包括:多個氣體輪入管路 具有一入口;以及多個氣體輸出管路,各個管 量進行更準 所使用的氣 而導致不良 中是無法容 的導管,用 只有預定組 中。該固定 固定氣體輸 組合的新的 一種具有設 的處理腔室 妨礙處理腔 資額外的固 一種具有較 系統的氣體 處理系統的 體輸送到半 ,各個管路 路具有一出 6 200844361 口。並提供有耦接各對氣體輸入和 接管路。 氣體輸出管路的多個連
多個氣體 量0 一種用於控制流到處理系統的
將一種或多種氣體流入處理腔室中。 在另一實施例中,提供一種用 氣流之方法,其中該處理系統包括 設備排氣裝置的一處理腔室,該方 在另實施例中,提供了 一種用於控制流到處理系統 的氣流之方法’該處理系統包括經過前級管路而耦接到設 備排氣裝置的處理腔室。該方法包括:將來自第一氣體源 的第一氣體流入具有至少一第一出口 、第二出口、第三出 〇 口和第四出口的歧管中;將來自第二氣體源的第二氣體流 入歧官,選擇歧管内之闊的操作狀態,以在處理模式下使 第一和第二氣體經過第二或第三出口的至少其中之一者而 離開;使第一和第二氣體流經歧管,並且繞過處理腔室而 進入前級管路直到獲得歧管内氣體的預定狀態;在已經獲 得預定狀態之後,將離開歧管的第一和第二氣體導引進入 到處理腔室中;以及處理所述處理腔室内的基板。 7 200844361 【實施方式】 第1圖描述了氣體輸送系統丨0〇的簡要 將氣體供應到示例性的半導體處理腔室1 j 4 可用於執行化學氣相沉積(c VD )、物理氣相 蝕刻處理、離子佈植、熱處理、灰化、除氣 ' 真空處理技術。控制器150耦接到處理腔室 送系統1 00,以控制其操作。控制器丨5〇 一 ^ 支援線路和記憶體。 Ο 位於處理腔室11 4外部的氣體輸送系統 到氣體歧管1 3 4的多個氣體源。歧管丨3 4包 合的氣體源耦接到處理腔室11 4的多個闕 論)。歧管134還用於允許獨立的系統部件和 放和流量校驗(flow verification )。儘管系 爲與任意數目的氣體源相接,但是在第i圖 例中示出了六個氣體源102A-F。 每個氣體源102A-F耦接到各個歧管入 止闊142和質量流量計(MFC ) 170設置 CJ 1 A-F和相應的歧管入口 1 04 A-F之間,以 體源102A-F進入到歧管134的氣體之流量 括多個歧管出口 l〇6A_F,其可經過歧管入〔 擇性地搞接到氣體源1 〇 2 a - F的任意一個。 出口 106A-F可耦接到校準線路i44和/或淨 在第1圖所示出的實施例中,提供了 106A-F。第一氣體輸送出口 i〇6a輕接到校与 校準線路1 44係用於精確測量氣流。校準線 視圖,其用於 >處理腔室114 沉積(PVD)、 、定向或其他 114和氣體輸 :包括處理器、 1〇〇包括耦接 括能使任意組 (將在以下討 導管的快速排 統1 0 0可配置 中示出的實施 口 104A-F。截 在每個氣體源 控制從每個氣 。歧管134包 f 104A-F 而選 至少一個歧管 ib管路1 5 4。 六個氣體出口 I線路144,該 路144包括孔 200844361 130 (orifice),其尺寸之設計係用以提供阻流條件(ch〇cked flow condition)。在一個實施例中,孔13〇的大小係經設 計,從而提供實質等於處理腔室的限制之限制。孔丨3〇在 歧管1 3 4中産生之流動條件係類似於當氣體流入處理腔室 114中時存在的條件。校準線路144可用於執行mfc或其 他系統部件的流量校驗,同時不需要流入實際的處理腔室 114。孔130可通過實驗、經驗分析或通過其他適當的方法 而確疋。在一實施例中,孔丨3 〇可以通過測量孔丨3 〇的壓 力下斿(pressure downstream )以及調整孔尺寸直到實現 所需的壓力而確定。 在一實施例中’校準線路丨44包括氣體源、分流閥 (diverter valve )、孔、調節裝置和感應線路。調節裝置係 OIL體1*生地輕接在氣體源和分流闊的入口之間。孔係流體性 地耦接到分流閥的第一出口並具有與處理腔室實質相同的 Μ動阻力。感應線路係配置以接收經過孔的氣體流量。在 另實施例中’校準線路1 44利用已校準過的容積而接收 氣流。通過已校準容積中的氣體所測量得到的特性和/或屬 性則可檢驗進入感應線路的氣體的流速和/或壓力。在另 只施例中,校準線路144利用未校準的容積而接收氣 流。通過測量在未校準容積中氣體的特性和/或屬性隨著時 間的變化’則可檢驗進入感應線路的氣體之流速和/或壓 力在又一實施例中,校準線路1 44包括設置在已校準容 積中的振動構件。在其他實施例+,校準線路⑷可包括 感應& ’ λ配置以檢測設置在已校準容積中的氣體之電特 ]·生或磁特陡中至少之一者。在再一實施例中,校準線路1 Ο 9 200844361 a秸田m霄所支撐的槽(tank)。 離開校準線路1 44的流體藉由 線路出口管路146 而搞接到淨化管路154。隔離閥14〇 、擇性地隔離校準 路144與淨化管路154。淨化管 準線
塔i 34耦接到離開處理胪 室114而連接到設備排氣裝置136的前級管路處理L 出口 106B-E耦接到處理腔宮 n 至14的一個或多個入 口 ’以供應來自氣體源i 02a_f
Ο 的各種製程氣體。在第H 圖中不出的實施例中’出口 106…分別輕接到處理腔室 ⑴的入σ 110A_D。多個最終^16可分別輕接在歧管出 口 106B-E和腔室入口 110A-D之問,以田备 炙間,以用作進入處理腔室 Π 4的氣流之開/關流量控制。 第六出口 1〇6F透過隔離閥172而輕接到淨化管路 154。當隔離閥172開啟時,淨化管路154提供快速排放路 徑,其有助於從氣體歧管134有效地去除氣體以及有助於 氣體進入到設備排氣裝置136。節流閥156可用於控制從 歧管134經過淨化管路154的氣體之流量。快速排放路徑 允許在氣體之間的串擾最小的情況下實現快速氣體變化。二 快速排放路徑還可選擇性耦接到歧管出口 1〇6Α_Ε孝 校準線路144。在第1圖示出的實施例中,旁通闊1〇8a e 設置在歧管出口 106A-E和淨化管路U4之間。套、s 万通閥 1 0 8 A - E可選擇性操作,以將出口 1 〇 6 A - E耦接到前級管路 138。例如,旁通闕1〇8A可選擇性操作以導引從歧管出口 106A排出的氣體進入淨化管路154而繞過校準線路144。 在另一實施例中,旁通閥108B-E可選擇性地操作以導弓丨 從歧管出口 106B-E排出的氣體進入淨化管路154而繞過 10 200844361 處理腔室114。隔離闕172控制從歧管134的第六出口 1〇6f 進入淨化管路1 5 4的流量。 亦可在氣體輸送系統1 00中的多個位置處提供减應^
Ο 1 9 0,以提供表示在系統1 0 0内氣流和/或化學物質% _ 量。控制器150可以利用由感應器190提供的度量以調^ 氣體輸送系統1〇〇的MFC 170或其他元件的輸出,從而使 得具有所需組成、壓力、速度或體積的氣體提供到腔^ 114。感應器190可以是壓力感應器、化學物質咸應器 (chemistry sensor)、流速感應器等等。 第2圖是在第1圖中示出的歧管134的一個音 耳苑例的 簡要視圖。每個歧管入口 104A-F分別耦接到氣體輪入& 路220A-F,以有助於將氣體從氣體源1〇2Α_ρ傳送到歧二 134中。每個歧管出口 106A_F分別耦接到氣體輸出管^ 232A-F。每個氣體輸出管路232A_F可選擇性耦接到一個 或多個入口氣體輸入管路220A-F。儘管歧管134可配置爲 與任意數目的氣體輸入、氣體輸出管路接合,但是在第2 圖中示出的實施方式中示出了六個氣體輸入管路220 A-F 和六個氣體輸出管路23 2 A-F。通常,氣體輸入管路的數目 與氣體源的數目相當。 氣體輸入管路220 A包括多個連接管路25〇A_F,其將 氣體輸入管路220A耦接到各個氣體輸出管路232A-F。根 據閥204A-F的所選操作狀態,連接閥2〇4a_f設置爲與連 接管路250A-F為連通,並且可操作以透過氣體輸入管路 220A而將氣體輸入管路220A流體性地耦接到一個或多個 氣體輸出管路232A-F。連接閥204A-F將氣體源102A選 11 200844361 擇性地耦接到所選的出口 106A_F,從而控制從氣體源1〇2八 提供的氣體通過歧管134的路線。例如,如果連接閾2 〇4a 處於開啟操作狀態,且同時連接閥204B-F保持關閉,則 來自氣體源1 02 A的氣體會經過出口 1 〇6a而至校準線路 144。在另一實施例中,如果連接閥2〇4B_c處於開啟操作 • 狀態,且同時連接閥2〇4A、D-F保持關閉,來自氣體源1〇2八 的氣體則會經過出口 106B-C。其他氣體輸入管路22〇B-F 的每一個都類似地配置有連接管路250A-F和閥204A-F, ‘ 用於將氣體輸入管路22〇B-F耦接到各個氣體輸出管路 232A-F。省略與氣體輸入管路22〇B-f相關的元件符號 250A-F和204A-F,以避免第2圖的混亂。 第3圖描述了氣體歧管3 34的可選實施例。氣體歧管 334實質類似於在第2圖中描述的氣體歧管134,除了其中 氣體歧管334包括多個可變連接閥3 04 A-F,其將氣體輸入 管路220A輕接到每個氣體輸出管路232A-F。可變連接閥 3 04 A-F可經過調整以允許經過氣體輸入管路22〇a的一定 比例之流量進入各個氣體輸出管路。可變連接閥304A-F 〇 可以是比例闊、夾管閥、節流閥、質量流量控制器、針閥 或適於調節氣體輸入和輸出管路之間的流量之其他流量控 制裝置。 可以控制可變連接閥304A-F的操作狀態,以使通過 闕的流量與繞過該閥的流量爲期望之比率,從而闕304A-F 可作爲營路220A中的流量比率控制器。相應於感應器190 (未在第3圖中示出)提供的度量,可藉由控制器150調 整町變連接閥304A-F的操作狀態。以這種方式,例如, 12 200844361 可相應於由感應器190提供的度量,而調整從單一氣體輸 入管路220A提供到兩個(或多個)氣體輸出管路232a_f 中的氣體之比率,使得可在歧管334的出口 1〇6A-F處辦 得目標化學組成、流速和/或壓力。其他氣體輪入管路 220B-F的每一個都類似地配置有連接管路25〇a_f和闕 304A-F,用於將氣體輸入管路220B_f耦接到各個氣體輪 出管路232A-F。省略與氣體輸入管路220B-F相關的元件 符號250A-F和304A-F,以避免第3圖的混敗。 Ο 返回第2圖,歧管134可另外地包括橋接線路2〇2。 橋接線路202包括橋接管路260,其可藉由各個選擇器闕 262A-F而選擇性耦接到每個出口氣體輸送232a_f。使用 橋接線路202,任意的流動元件(例如,連接閥2〇4中的 一個)可以耦接到校準線路1 4 4。橋接線路2 0 2亦允許與 例如氣體源102A的流體源連結的MFC17〇經由結合連接 闕204A的阻力的第二路徑而耦接到校準線路ι44。而且, 橋接線路202允許每個輸出管路232A-E從相對端耦接(經 過輸出管路232F)到淨化管路154,從而減少淨化歧管134 〇 所需的時間。 還可長:供多個斷路器(disconnect)以允許多個氣體歧 管134的耦接。在第2圖中示出的實施例中,第一组的斷 路器216A鄰近每個出口 1〇6A-F設置,而第二組斷路器 216B設置在橋接線路2〇2中而位於橋接管路26〇和閥 262A-F之間。例如,如在第4圖中所示,第二組斷路器 216B允許去除第一歧管434A的橋接管路26〇,並且使用 每個歧官43 4A、434B的斷路器216a、216B之配對部分, 13 200844361 而允許第一歧管43 4A的氣體輸出管路232A的第一端4 02 搞接到第二歧管434B的氣體輸出管路232A的第二端 4〇4。其他氣體輸出管路23 2B-F (未在第3圖中示出)係 類似地輕接。應該理解,任意數目的歧管可以利用該方式 輕接在一起。 返回第2圖,在以上所述的一個或多個感應器1 90可 以與任何之管路220A-F、232A-F、260、154連接,以提 供表示系統1 00内的氣流和/或化學物質的度量。控制器 150利用由感應器19〇提供的度量來調整MFc 170、閥 2 62A-F、2 04A-F、3 04A-F或氣體輸送系統100的其他元件 之操作狀態,從而使得具有所需組成、壓力、速度或體積 的氣體提供到腔室114。度量還可用於監控氣體輸送系統 1 〇〇的各種部分内的氣體組成,使得可以即時檢測淨化、 化學混合、氣體變化等等的狀態,從而提高系統回應時間, 並使昂貴製程氣體的浪費最小化。 第5圖描述了用於供應氣體到處理腔室114的另一實 施例之氣體輸送系統500。氣體輸送系統500包括如上所 述耦接到氣體源102A-F、淨化管路154和校準線路144的 歧管134〇歧管134的出口 106B-E選擇性地耦接到處理腔 室114的入口 516、518,以有助於傳送氣體到處理腔室 114。在第5圖所示的實施例中,兩個分離的氣體入口 516、 518用於將自歧管134供應的氣體輸送到處理腔室114。在 一個實施例中,入口 5 1 6提供氣體到處理腔室丨丨4的中央, 同時入口 5 18設置得比入口 516更靠外側並且提供氣體到 處理腔室的外部區域(例如,到設置在腔室内的基板之周 14 200844361 邊)。例如,入口 516可提供氣體到噴氣頭的中央區域,同 時入口 5 1 8可提供氣體到喷氣頭的外部區域。在另一實例 中,入口 516可設置在處理腔室的頂壁中並且向下提供氣 體到基板,而入口 518設置在處理腔室的侧壁中並且提供 氣體到基板的外部區域。在又一實施例中,氣體可分別經 由入口 5 1 6、5 1 8而提供,使得氣體的混合僅在處理腔室 11 4的内部空間内發生一次。 流量比率控制器(FRC ) 502、504耦接到每個出口 10 604。?1^ 502、5 04將從每個出口1〇604排出的流量 進行區分,使得在處理腔室114的每個入口 516、518之間 提供預定流量比率。FRC 502、504可具有固定的輸出比 率,或者可具有可調整的輸出比率。FRC 502、504的輸出 和歧管輸出口 106B-C可分別結合到共同的輸送管路522、 524。藉由僅設置在處理腔室114的入口 516、518的上游 之最終閥508、506控制經過每個輸送管路522、524的流 量。 旁通閥510、512耦接到每個輸送管路5 22、5 24。旁 通闕510、512可開啟,以將每個輸送管路522、524耦接 到淨化管路154。 所述的氣體輸送系統相對於傳統的系統提供多種優 點。除了系統的模組性,氣體輸送系統可操作以提供預流 路徑、快速排放路徑、受控化學混合、更有效地使用化學 物質、接續降低填充和排放時間、用於化學物質輸送精細 調節的閉環控制和流量校驗。 、 15 Ο Ο 200844361 褐流路徑 在一個操作模式中,預流路徑界定爲經過氣體賴 統100並且提供從化學物質源(例如,氣體源1〇2 A-過一個或多個閥至與處理腔室114分離的真空環境的 (例如,經過淨化管路1 54的前級管路1 3 8 )。在處理 114中需求氣體之前,可在實質匹配如同氣體正流入 腔室1 1 4中的氣體條件下,而將氣體供應到氣體輸送 100的歧管134之適當管路中。這允許歧管134内的 快速達到穩態條件,即實質保持此穩態條件直到氣體 到處理腔室11 4中。由於預流路徑允許氣體輸送系錢 内的氣體在被輸送到處理腔室114中之前,先在“製 件下穩定,所以一旦到腔室中的流動開始,則輸送 1〇〇内的流動條件(flow condition)就报少或沒有變 不同於以往經歷壓降和流速減少的傳統氣體輸送系統 此,由於預流路徑提供如同氣體流入處理腔室114時 質相同的阻力和流動條件,所以可以快速建立在處理 2的氣體均勻性。亦可以使用節流閥144以將預流氣 徑中的條件與處理腔室114中的條件匹配。 另外,任何分流裝置,諸如流量比率控制器5〇2 . 〇閥/〇仏F,可具有在處理之前導引至預流路徑中 义j從而使得分流裝置的輸出在其氣流輸送到處理腔 :可士破穩定。在—個實施例中,預流路徑係界定爲 淨化管路154,以及通過歧管出σ 1〇6A_B、經過旁 108Α·Ε、並進入淨化管路154中的旁通管路。 送系 F )經 連接 腔室 處理 系統 氣體 轉移 100 程條 糸統 化, °因 之實 腔室 體路 504 的輸 室之 經過 通閥 16 200844361 快速排放路獲 在另一操作模式中,快速排放路徑係界定在氣 系統1 0 0中,並提供從歧管1 3 4經過淨化管路1 $ 4 管路138的連接。快速排放路徑提供從化學物質輸 透過一個或多個闊以經過處理腔室輸送路徑並到達 腔室114分離的真空環境之連接(例如,經過淨化管 的前級管路1 3 8 )。快速排放路徑耦接到每個腔室之 分’從而在任何兩個流量限制器之間存在至少一個 分,諸如流量比率控制器502、504,閥304AJ或 量限制器。當需要在處理腔室114内的化學物質變 將開啟到真空環境之隔離閥172和旁通闊108a_e, 學輸送路徑移除過量的製程化學物質。 如上所述,確定歧管134内的各種閥之操作狀 序,從而使得經過快速排放路徑而從氣體輪送系統 除化學物質的淨化時間最小化。另外,還可確定閥 的操作狀態之順序,從而當歧管1 3 4的特定區域清 前製程中使用的化學物質,然後清空的區域可填充 學物質,使得以最有效的方式更換歧管134内的氣 且,當歧管134的某些部分可以相對於歧管的其他 快速地排空時,以一方式確定閥2 0 4 A - F的順序, 許新的化學物質替代舊的化學物質,而在盡可能短 中達到平衡(例如,製程流量條件)。 在一個實施例中,可將來自氣體源1 〇 2 A - F的 高壓力、體積和/或流量的替代氣體提供到歧管134 或多個區域中,以加速變換。當從歧管1 3 4排出的 體輪送 到前級 送源而 與處理 k 路 154 連接部 連接部 其他流 化時, 而自化 態的順 100移 204A-F 空在之 新的化 體。而 部分更 藉以允 的時間 具有較 的一個 替代氣 17 200844361 體流接近所需的化學物質混合物、壓力和/或體積 持流出歧管1 34的期望流量下,使流入化學物質 1 〇〇的化學物質之流量降低到期望層級。在化學 系統100將由來自較早製程的化學物質填充的情 改變進入化學物質輪送系統的流量(即,取決於 而降低或增加流量),使得進入處理腔室的所需流 快地達到所需值。當流出歧管的化學物質接近所 物質混合物和流速時,在保持進入處理腔室i 14 1之下,將進入歧管134的化學物質流量調整朝 速。 在另一實施例中,可藉由確定閥204A-F的 速化學物質變化,使得只有含有還沒有被替代的 體輸出管路232A-F保持耦接到淨化管路154。一 一個氣體輸出管路232A-F或在其他預定位置檢 氣體離開歧管134,則供應替代氣體的氣體〗 232A-F與淨化管路154斷開,使得不浪費替代氣 個實施例中,替代氣體可以由淨化管路丨5 4轉向 至114中’直到完成變換(change 〇ver)D以這 淨化管路154的抽氣容量只專用於需要去除氣體 路’使得以有效的方式進行處理氣體的變換。·還肩 最快速的排放路徑可包括在至少部分變換時間將 經過橋接線路2 0 2而至淨化管路1 5 4。 也._學..物質..混i和閉環抟制 在另一操作模式中,氣體輸送系統j 〇〇可用 時,在保 輸送系統 物質輸送 形下,則 所需效果 量盡可能 需的化學 的期望流 向期望流 順序而加 氣體之氣 旦從其中 測到替代 輪出管路 ,體。在一 至處理腔 種方式, 的那些管 i該理解, 氣流導引 於增進化 18 200844361 學物質之混合。在一個實施例中,化學物質之混合係使用 閥3 04A-F或藉由耦接兩個或多個氣體源i〇2a_f到單一的 氣體輸出官路232A-F而在歧管134内進行。 在另一實施例中,感應器190可用於提供氣體輸送系 統内的化學物質混合之閉環控制。藉由使用感應器19〇監 控進入腔室114的化學物質、離開歧管134的化學物質和/ 或在氣體輸送系統1 〇 〇内的任何其他點的化學物質,則可 實現化學物質參數,諸如期望組成(例如,氣體混合物)、 速度和/或壓力的即時調整。例如,如果感應器在出口丨06C 處偵測到從歧管離開且來自氣體源i 02A-B的化學物質之 不適當流量比率,則可以調整將氣體輸入管路22〇a_22〇b 搞接到氣體輸出管路2 3 2 C的閥3 0 4 C之操作狀態,以使化 學物質流達到所需的目標比率。可使用其他閥或流量比率 控制器執行相同的處理。來自感應器丨9〇的資訊還可以用 於調整MFC設定、由氣體源i〇2A-F提供的氣體之流速和 /或壓力。 1體和/或化學物皙的保存 在另一操作模式中,氣體輸送系統1 0 〇增進化學物質 的有效使用。例如,以從歧管134最有效地去除氣體並且 具有氣體的最小混合之方式而排列閥204A-F、172、 108A-E、2 62A-F的操作狀態變化的次序,從而允許更快的 回應時間和較少的處理時間。因而,在氣體變化期間,可 使用節流閥1 56以調整氣體經過輸送路徑(例如,經過氣 體輸出管路232A-F )抽吸並進入到淨化管路1 54的速度, 19 200844361 從而使氣體快速經過歧管1 34。然而,當淨化管路〗54抽 吸經過歧管134的氣體時,含有預備進行下一個處理次序 的氣體之管路(諸如新導入的氣體、淨化氣體和/或之前包 含於歧管中的殘餘物)可從淨化管路154轉向並流入處理 腔室114。這允許耦接到淨化管路154的剩餘管路更加快 速地排空。在一個實施例中,由感應器1 90提供的度量可 用於表示從淨化管路154到腔室114應當發生轉向的時 間,例如,藉由氣體的組成、管路内氣體的流速和/或壓力 的變化或穩定情形。 流量校驗 在另一操作模式中,氣體輸送系統1 00可用於使用校 準線路1 44來校驗系統内任意組成的流速。例如,系統1 〇〇 的閥可提供從任意一個入口到校準線路1 44的流動。在另 一實施例中,可校驗由系統的闕分流的多個流沿著分流後 的流之每個分支的流速。 第6圖是輛接到氣體輸送系統600之另一實施例的的 半導體處理腔室114之簡要視圖。氣體輸送系統600之配 置係實質類似於以上所述的氣體輸送系統,除了其中系統 600包括耦接到系統的歧管134之至少一個出口 i〇6A-F的 儲存槽630。儲存槽630可耦接到處理腔室114、第二處理 腔室614(以虛線示出)、第二處理腔室614的氣體輸送系 統100 ( 5 00或600 )、校準線路144或設備排氣裝置136 的至少一個或多個。可提供感應器190,以提供表示儲存 槽63 0内的氣體之度量。在一個實施例中,度量可表示氣 20 200844361 體壓力、氣體組成(例如,化學物質)、溫度或其 在一個實施例中,每個出口 1 0 6 A - F可單獨 儲存槽630。在另一實施例中,儲存槽630可經 以虛線示出),使得每個出口 1 〇6A-F可以保持在儲 中而不混合,然後單獨耦接到處理腔室11 4。可 以使用分離的儲存槽630。還應該理解,儲存槽 口可用於將氣體輸送到處理腔室114。 因而,具有快速排放路徑的氣體輸送系統係 使由氣體輸送系統所供應的製程氣體以穩定的氣 的波動而進入到處理系統中。使用快速排放路徑 選的方式,藉以校驗和/或校準來自氣體輸送系統 從而提供對供應到處理系統的氣流之良好控制。 惟本發明雖以較佳實施例說明如上,然其並 定本發明,任何熟習此技術人員,在不脫離本發 和範圍内所作的更動與潤飾,仍應屬本發明的技; 【圖式簡單說明】 爲了能詳細理解本發明的上述特徵,將參照 圖中示出的實施例對以上的概述進行更加詳細的 而,應該注意到,附圖僅示出了本發明的典型實 並因此其不能被理解爲是對本發明範圍的限制, 明允許存在其他等效的實施方式。 第1圖是搞接到本發明之氣體輸送系統的一 之半導體處理腔室的簡要示意圖; 第2圖是第1圖的氣體輸送系統之混合歧管 他屬性。 地耦接到 切割(如 存槽630 選地,可 6 3 0的入 可有利地 流和最小 以提供可 的氣流, 非用以限 明的精神 術範_ 〇 部分在附 描述。然 施方式, 因爲本發 個實施例 的一個實 21 200844361 施例之簡要視圖; 第3圖是混合歧管的另一實施例之簡要視圖; 第4圖是兩個彼此耦接的混合歧管之一個實施例的簡 要視圖, 第5圖是耦接到氣體輸送系統的另一實施例之半導體 處理腔室的簡要視圖;以及 第6圖是耦接到氣體輸送系統的另一實施例之半導體 處理腔室的簡要視圖。 爲了有助於理解,盡可能使用相同的元件符號來表示 附圖中共有的相似同元件。應該理解,一個實施例的特徵 可以有益地結合到其他實施例中而不用進一步闡述。 【主要元件符號說明】 100 (氣體輸送)系統 102A-F氣體源 104A-F 入口 108A-E旁通閥 Ο 110A -D入口 130 孔 136 排氣裝置 140 隔離閥 144 校準線路 150 控制器 156 節流閥 172 隔離閥 106A-F 出口 114 腔室 116 閥 134 歧管 138 前級管路 142 截止閥 146 出口管路 154 淨化管路 170 質量流量計/MFC 190 感應器 22 200844361 202 橋接線路 216A 斷路器 220A-F 管路 250A-F 連接管路 262A-F 閥 334 氣體歧管 404 第二端 500 氣體輸送系統 502,504 流量比率控制 510,512 旁通閥 522,524 輸送管路 614 第二處理腔室 C: 204A-F (連接)閥 216B 斷路器 232A-F管路 260 橋接管路 304A-F連接闊 402 第一端
434A,434B 歧管 506,508 閥 器 /FRC 516,518 入口 600 氣體輸送系統 630 儲存槽 〇 23
Claims (1)
- 200844361 十、申請專利範圍: 1. 一種用於將氣體輸送到一半導體處理系統的設備,包 含: 多個氣體輸入管路,其中各個該些氣體輸入管路具有 一入口; 多個氣體輸出管路,其中各個該些氣體輸出管路具有 一出口; 多個連接管路,各個該些連接管路係耦接各自一對的 該些氣體輸入管路和該些氣體輸出管路; 多個連接閥,各個該些連接閥係配置爲控制經過各自 之該些連接管路的流量;以及 多個氣體質量流量控制器,各個該些氣體質量流量控 制器係配置以控制進入各自之該入口的流量。 2. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該些連接閥係 以一栅格圖案配置,且該入口沿著該柵格的一第一軸配 置,該出口則沿著該柵格的一第二軸配置。 3. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該些連接管路 係爲一第一整體部件(monolithic part )。 4. 如申請專利範圍第3項所述之設備,更包含: 一第二整體部件,係耦接到該第一整體部件;該第二 24 200844361 整體部件具有以一栅格圖案配置的連接閥,其中該第二整 體部件的入口係沿著該柵格的一第一軸配置,並且該第二 整體部件的出口係沿著該柵格的一第二軸配置。 5. 如申請專利範圍第1項所述之設備,更包含: 一校準線路(calibration circuit),輕接到該些出口之 至少其中之一者。 C 6. 如申請專利範圍第1項所述之設備,更包含: 至少一感應器,係與該些氣體輸出管路、該些氣體輸 入管路或該些連接管路之至少其中之一者相接,該至少一 感應器係配置以提供一表示流量、壓力或化學物質的度量 (metric ) 〇 7. 如申請專利範圍第1項所述之設備,更包含: g 至少二可調式閥(adj ustable valve ),搞接至該些出口 的一第一出口 ,該些可調式閥係配置以區分來自該第一出 口的流量。 8. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該些連接閥之 至少其中之一者更包含: 至少二可調式闕,係配置以區分來自一入口而在二或 多個該些出口之間的流量。 25 200844361 9. 如申請專利範圍第8項所述之設備,更包含: 一校準線路,係配置以藉由量測通過該些閥的流量並 同時維持通過該些閥的臨界流量(c r i t i c a 1 f 1 〇 w )來校準該 些可調式閥的一有效開口面積。 10. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該些出口之至 ζ) 少其中之一者係耦接至繞過(by-passing )該處理系統的 一設備排氣裝置。 1 1 ·如申請專利範圍第5項所述之設備,其中該校準線路更 包含: 一流量限制器,具有類似於該處理系統的流量限制。 12.如申請專利範圍第1項所述之設備,更包含: y —儲存容器,係耦接至該些出口之至少其中之一者。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之設備,更包含: 至少一感應器,係配置以提供該儲存容器内的流量、 壓力或化學物質的一度量。 14.如申請專利範圍第12項所述之設備,其中該儲存容器 更包含: 26 200844361 至少一出口,連接到該處理系統。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項所述之設備,其中該儲存容器 更包含: 一第二出口 ,連接到一第二處理系統。 1 6.如申請專利範圍第1 2項所述之設備,其中該儲存容器 的一入口亦耦接到該處理系統。 1 7.如申請專利範圍第1 2項所述之設備,其中該儲存容器 的至少一出口係透過配置呈一第二栅格圖案的一第二組連 接閥而連接到該處理系統,其中該第二柵格圖案的入口係 沿著該第二柵格圖案的一第一軸配置,並且該第二柵格圖 案的出口係沿著該第二柵格圖案的一第二軸配置。 D 18.如申請專利範圍第12項所述之設備,其中該儲存容器 的一出口係經過一質量流量控制器而連接到該半導體處理 系統。 1 9.如申請專利範圍第1 2項所述之設備,其中該儲存容器 的一出口和該些氣體輸出管路的至少一該些出口係連接到 通往該半導體處理系統的一共用入口。 27 200844361 20.如申請專利範圍第1 2項所述之設備,其中該儲存容器 係連接到至少二分離的半導體處理系統。 2 1.如申請專利範圍第1 2項所述之設備,更包含: 一個二位閥(two position valve ),係流體地輕接在該 儲存容器和一設備排氣裝置之間,該二位閥可在完全關 閉、預設限制和完全開啟之間切換。〇 28
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/678,621 US8074677B2 (en) | 2007-02-26 | 2007-02-26 | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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TW200844361A true TW200844361A (en) | 2008-11-16 |
TWI365948B TWI365948B (en) | 2012-06-11 |
Family
ID=39312971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW097106676A TWI365948B (en) | 2007-02-26 | 2008-02-26 | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8074677B2 (zh) |
EP (1) | EP1961836A1 (zh) |
JP (1) | JP5582684B2 (zh) |
KR (1) | KR100961793B1 (zh) |
CN (1) | CN101256936B (zh) |
SG (1) | SG145669A1 (zh) |
TW (1) | TWI365948B (zh) |
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- 2007-02-26 US US11/678,621 patent/US8074677B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-14 EP EP20080151405 patent/EP1961836A1/en not_active Withdrawn
- 2008-02-20 SG SG200801438-3A patent/SG145669A1/en unknown
- 2008-02-25 KR KR1020080016710A patent/KR100961793B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-02-25 JP JP2008042717A patent/JP5582684B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-02-26 TW TW097106676A patent/TWI365948B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-02-26 CN CN2008100063310A patent/CN101256936B/zh not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI629429B (zh) * | 2013-09-12 | 2018-07-11 | 蘭姆研究公司 | 群集質量流裝置及將其併入之複式線路質量流裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5582684B2 (ja) | 2014-09-03 |
KR100961793B1 (ko) | 2010-06-08 |
TWI365948B (en) | 2012-06-11 |
US20080202609A1 (en) | 2008-08-28 |
CN101256936B (zh) | 2011-07-13 |
CN101256936A (zh) | 2008-09-03 |
KR20080079209A (ko) | 2008-08-29 |
SG145669A1 (en) | 2008-09-29 |
US8074677B2 (en) | 2011-12-13 |
EP1961836A1 (en) | 2008-08-27 |
JP2008252073A (ja) | 2008-10-16 |
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