TW200843080A - Semiconductor device - Google Patents

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TW200843080A
TW200843080A TW096147450A TW96147450A TW200843080A TW 200843080 A TW200843080 A TW 200843080A TW 096147450 A TW096147450 A TW 096147450A TW 96147450 A TW96147450 A TW 96147450A TW 200843080 A TW200843080 A TW 200843080A
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TW
Taiwan
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substrate
bump electrode
semiconductor device
semiconductor
bonding surface
Prior art date
Application number
TW096147450A
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English (en)
Inventor
Tatsuya Katoh
Satoru Kudose
Tomokatsu Nakagawa
Original Assignee
Sharp Kk
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Filing date
Publication date
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Description

200843080 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置，例如適用於S0F(System &⑽）的半導體裝置，該卿係包含有安裝於薄膜基板 上且由石夕構成的插入式基板’及為驅動 曰 、 〃 π曰曰而安裝於插入 式基板上的半導體元件。 【先前技術】 組裝於積體電路（1C)内之電晶體數量逐年拗夕， 曰夕，«内 構成之電路數亦增多。近年來，液晶面板係持續高精細化 而使得顯示像素增加，因此驅動電路亦增加。為補充所增 加的驅動電路，需增加安裝於液晶面板上之液晶驅動器^ 數量，或增加搭載於一個液晶驅動器上之驅動電路。近 年，為不增加安裝於液晶面板上之液晶驅動器的數量，多 以後者之增加液晶驅動器之驅動電路而加以對麂。
積體電路晶片係晶片尺寸越小，量產效率越佳，晶片之 原價變得更便宜。因此，多重輸出之驅動器為縮小晶片尺 寸’需使塾片間距精密化。又，隨著積體電路晶片之墊片 的間距精密化，驅動器之封包，即薄膜的内引腳（連接液 晶驅動器與薄膜的配線）之間距亦需加以精密化。作為可 實現精密間距化之構造，已知有S〇F(System 〇n Film :亦 稱為 COF(Chip On Film)) 〇 圖8係表示習知半導體裝置91構成之概略截面圖。半導 體裝置91具有薄膜基板98。薄膜基板98具有孔82。薄膜基 板9 8之表面上形成有配線圖案8 J。 127464.doc 200843080 半導體裝置91上設置有插入式基板92。插入式基板92之 薄膜基板98側表面的配線圖案81之相對向位置上，設置有 以金構成之複數個突起電極90。插入式基板92係經突起電 極90，而組裝於具有配線圖案81的薄膜基板％上。 插入式基板92之薄膜基板98側表面的孔82之相對向位置 上’設置有以金構成之複數個基板突起電極94。 薄膜基板98之孔82中，設有半導體元件93。半導體元件 93之插入式基板92側表面各基板突起電極94的相對向位置 上，設置有以金構成之複數個元件突起電極95。半導體元 件93係經元件突起電極95及基板突起電極叫，而組裝於插 入式基板92上。半導體元件％與薄膜基板98之間，以及插 入式基板92與薄膜基板98及半導體元件93之間，係以密封 樹脂99加以密封。 [特許文件1] 曰本專利公開公報特開2004-207566號（平成16年（2004 年）7月22曰公開） 【發明内容】 然而上述習知之構成中，將半導體元件93組裝於插入式 基板92上時’會產生元件突起電極95與基板突起電極料之 接合位置偏移，使得元件突起電極95之接合面從基板突起 電極94之接合面露出，導致接合荷重產生變動，由該結 果，會有半導體tl件93與插入式基板92之接合品質不穩定 之問題。 本發明係有鑑於上述問題點而創作完成者，目的在於實 127464.doc 200843080 現一種能夠使半導體元件與插入式基板之接合品質穩定化 的半導體裝置。 本發明之半導體裝置為解決上述課題，係包含有組裝於 女衣基板上且以半$體所構成之插入式基板，以及一安裝 於上述插入式基板上之半導體元件，上述插入式基板包含 有形成於半導體元件側的基板突起電極，且上述半導體元 件包含有與基板突起電極接合之元件突起電極之半導體裝 置，其特徵在於上述元件突起電極之元件接合面的面積， 係大於上述基板突起電極之基板接合面的面積。 又，本發明之另一半導體裝置，係包含有一組裝於安裝 基板上且以半導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上 述插入式基板上之半導體元件，上述插人式基板包含有形 成於半導體元件側之基板突起電極，且上述半導體元件包 含有與基板突起電極接合之元件突起電極；該半導體裝置 之特徵在於，從上述插入式基板側或半導體元件側透視 時，上述元件突起電極之面積係大於基板突起電極之面 積。 又’本發明之另一半導體裝置，一種半導體裝置，係包 含有一組裝於安裝基板上且以半導體所構成之插入式基 板，以及一安裝於上述插入式基板上之半導體元件，上述 插入式基板包含有形成於半導體元件側之基板突起電極， 且上述半導體元件包含有與基板突起電極接合之元件突起 電極；該半導體裝置之特徵在於，從一側視之，上述元件 突起電極之元件接合面的長度，係長於基板突起電極之基 127464.doc 200843080 板接合面的長度。 依前述特徵，即使基板突起電極與元件突起電極之接人 位置產生偏移，元件突起電極亦可與基板突起電極之基: 接合面中較大面積之面相接觸，故可抑制接合荷重 令接合品質穩定化。 再者，突起電極通常又稱之為％塊”，形成於電極部表 面上，與電性連接之對象物接合。 本發明之半導體裝置中，上述元件接合面及上述基板接 合面宜為長方形狀；上述元件接合面及上述基板接合面各 自之長轴，宜相互平行配置；上述元件接合面之短袖方向 的寬度’宜寬於基板接合面之短軸方向的寬度。 依刖述構成’對於沿基板接合面短軸方向之接合位置的 偏移，係可適當地抑制接合荷重之變動，讓接合品質穩定 化。 本發明之半導體裝置中，上述元件接合面之長軸方向的 長度，宜與基板接合面之長軸方向的長度相等。 沿基板突起電極長軸方向之侧壁，係深人元件突起電極 之疋件接合面，讓接合強度增大，而根據上述構成，因深 入几件接合面之基板突起電極的側壁變長，且為咬合式接 合，故接合強度增大，接合品質提高。 本發明之半導體裝置中，上述基板接合面之長軸方向的 長度二宜長於元件接合面之長軸方向的長度。 π依則述構成’不僅沿基板突起電極長轴方向之側壁，可 /木入7L件大起電極之凡件接合面’且沿元件突起電極短轴 127464.doc 200843080 方向之側壁，可反方向地深入基板突起電極之基板接合 面。由此，基板突起電極與元件突起電極係相互咬合地接 合’接合強度倍增，接合品質更加提高。 本發明之半導體裝置中，從垂直方向看上述插入式基 板，7L件接合面宜圍繞基板接合面而配置；上述元件接合 面及上述基板接合面宜配置為長方形狀；上述元件接合面 及上述基板接合面各自之長軸，宜相互平行配置；從垂直 方向看上述插人式基板，元件接合面之—邊，宜與基板接 5面之對應一邊相離5 1 〇 pm而配置。
依前述述構成，接合位置無論於哪個方向產生5 之偏移’亦可抑制接合荷重之變動，使接合品質穩定化。 本發明之半導體裝置中，上述元件突起電極的高度，宜 與上述基板突起電極之高度互不相同。 依前述述構成，係可降低元件突起電極或基板突起電 極，減少高度之不均等，使接合品質穩定化。 例如為可像載帶般易於進行f曲加卫而加以薄型化，並 將可撓性較高之素材作為封裝基材時，將插人式基板連接 於载f上日寸’若上述基板突起電極較低，即無法充分確保 载帶之配線與插人式基板端部的間隔，載帶之配線會與插 入式基板之端部接觸，產生載帶之配線導體間的短路。孽 如製作15陣之基板突起《，且連接基板突起電極與载 帶之配線時’由於·之配線與插人式基板端部之間隔能 夠確保在9 μηι左右’因此基板突起電極高度為⑺_〜15 _時’即可充分確保載帶之配線與插入式基板端部之間 127464.doc -10· 200843080 隔，避免配線群之短路。x，因元件突起電極無以上問 題’故可低於上述基板突起電極之高度。 因此’本發明之半導體裝置中，上述元件突起電極之高 度且低於上述基板突起電極之高度。 根據上述構成，係可讓元件突起電極低於基板突起電 極，減少元件突起電極高度之不均等，且削減Au使用量， 使接合品質穩定化。 本發明之半導體裝詈φ，μ、+、_ ^ + 在置中上述凡件突起電極高度宜為 5 μιη〜8 μπι。 根據上述構成，係可降低元件突起電極，減少元件突起 電極间度之不均等，削減Au使用量而降低成本，並且使接 合品質穩定化。 本I月之半導體裝置中，上述基板突起電極高度宜為 1 0 μιη〜1 5 μηι 〇 根據上述構成，係可降低基板突起電極，削減Au使用量 而降低成本，且減少凸塊高度之不均#，使接合品質穩定 化。 本發明之半導體裝置中，上述基板突起電極係硬度宜高 於上述元件突起電極。 根據上述構成，因硬度較高的基板突起電極可深入柔軟 的兀件突起電極，故接合強度提高。 為解決上述課題，本發明之另一半導體裝置，其特徵在 於包含有一組裝於安裝基板上且以半導體所構成之插入式 乂及文裝於上述插入式基板上之半導體元件，上 127464.doc 200843080 述插入式基板包含有形成於半導體元件侧之基板突起電 極’且上述半導體元件包含有與上述基板突起電極接合之 端子。 、，根據以上特徵，因半導體元件側未設置突起電極，故可 削減Au使用量而降低成本。 本發明之半導體裝置中，上述端子宜由_成，上述基 板突起電極宜由金構成。 根據上述構成，係可藉由引線接合等一般的aw接 合’讓接合品質穩定化。 本發明之另—半導體裝置，係包含有-組裝於安裝基板 上且以半導體所構成之插入式基板，以及-安裝於上述插 =式基板上之半導體㈣，上述插人式基板包含有形成於 半導體元件側之基板突起電極且上述半導體元件包含有與 基板突起電極接合之㈣突起電極；該半導體裝置之特徵 錢，上述元件突起電極之高度係與上述基板突起電極之 雨度互不不同。 根據以上特徵’係可使元件突起電極構成為低於基板突 起電極，而降低元件突起電極高度之不均等，且減少Au使 用量，使接合品質穩定化。 本發明之另-半導體裝置，係包含有—組裝於安裝基板 上且以半導體所構成之插入式基板’以及-安裝於上述插 =式基板上之半導體元件上述插人式基板包含有形成於半 導體件側之基板突起電極，且上述半導體元件包含有與 基板突起電極接合之元件突起電極；該半島裝置之特徵： 127464.doc 200843080 於：上述元件突起電極之元件接合面及上述基板突起電極 之基板接合面，係呈長方形狀；上述元件接合面及上述基 板接合面各自之長軸’係相互平行配置；上述元件接合面 之短軸方向的寬度，係寬於上述基板接合面之短軸方向的 寬度；且上述基板接合面之長軸方向的長度，係長於上述 元件接合面之長軸方向的長度。 根據以上特徵，不僅沿基板突起電極長軸方向之側壁可 深入元件突起電極之元件接合面，且沿元件突起電極短軸 方向之側壁，亦可反方向地深入基板突起電極之基板接合 面。由此，基板突起電極與元件突起電極可相互咬合地接 合’接合強度倍增，接合品質更加提高。 如上所述，本發明之半導體裝置係即使基板突起電極與 凡件突起電極之接合位置產生偏移，元件突起電極亦可與 基板突起電極之基板接合面中較大面積之面相接觸，而抑 制接合荷重變動’使接合品質穩定化。 【實施方式】 根據圖1至圖7說明本發明一實施形態時，係如下所述。 圖1為表示實施形態之半導體裝置丨構成之概略截面圖。半 導體裝置1具有薄膜基板8。薄膜基板8有孔12。薄膜基板8 之表面上形成有配線單元丨i。 半導體裝置1中設置有插入式基板2。在插入式基板2之 薄膜基板8側表面上之配線單元丨丨相對向的位置上，設置 有由金構成之複數個突起電極（凸塊）1〇。插入式基板2係經 突起電極10而安裝於具有配線單元丨丨的薄臈基板8上。 127464.doc -13- 200843080 插入式基板2之薄膜基板8側表面的孔12相對向之位置 上°又置有由金構成的複數個基板突起電極（凸塊）4。 薄膜基板8之孔12中，設置有用以驅動液晶之半導體元 件3。半導體元件3之插入式基板2侧表面上之各基板突起 電極4相對向的位置上，設置有由金構成的複數個元件突 起電極（凸塊）5。半導體元件3,係經元件突起電極5及基板 突起電極4而安裝於插入式基板2上。半導體元件3與薄膜 基板8之間，以及插入式基板2與薄膜基板8及半導體元件3 之間’係以密封樹脂9加以密封。 圖2為表示實施形態之基板突起電極4的基板接合面6， 與元件突起電極5的元件接合面7之尺寸關係的概略截面 圖，係沿圖1所示截面AA之概略截面圖。基板接合面6為 長方形。元件接合面7係較基板接合面6大的長方形，且將 基板接合面6包圍配置。元件接合面7及基板接合面6各自 之長軸係一致。元件接合面7之短軸方向的寬度W2，係大 於基板接合面6之短軸方向的寬度W1。元件接合面7之長 軸方向的長度L2，係長於基板接合面6之長軸方向的長度 L1。沿基板接合面6之長軸方向的邊緣，係與沿元件接合 面7之長軸方向的邊緣僅相隔距離〇1。沿基板接合面6之短 軸方向的邊緣，係與沿元件接合面7之短軸方向邊緣僅隔 距離D2。元件接合面7之長度L2係例如75 μιη、寬度|2為 例如45 μιη。基板接合面6之長度以係例如6〇 μιη、寬度 為例如30 μιη。因此，距離m及距離d2為7.5 μηι。 基板突起電極4係硬度較元件突起電極5更高。突起電極 127464.doc -14· 200843080 之硬度係可藉由退火之有無而進行調整。硬且細的基板突 起電極4係洙入柔軟且較低的元件突起電極5，藉此而可提 高接合品質。 又，元件突起電極5之表面粗度，與基板突起電極4之表 面粗度之差異可在0.5 μιη以上。增大接觸面之凹凸而使接 觸面積增大’可增強接合強度而使接合品質提高。突起電 極之表面粗度，係可依更改浸潰於㈣中之時間等電鑛條 件而加以調整。 且，可將用以確認凸塊破碎狀態之凸塊設置在晶片的角 部。、由紅外線顯微鏡所獲得之圖像，可判斷凸塊越大，凸 塊群越是會相互碰擊壓縮，可依此判斷而進行微調整，提 冋接合品質。 、再者，k垂直於基板突起電極4及元件突起電極5之插入 式基板3之方向所見的形狀，可為正方形。習知之 中:為確保其與導線之接合面積，需將凸塊設為縱長之長 方形，而在本實施形態中，凸塊只要與金屬配線連接即 y ’由於不必與導線連接，故可為正方形且讓接合狀態均 等化’因此可提高接合品質。 如此，基板突起電極4之凸塊大小與元件突起電極5之凸 :大：係互不相同，元件突起電極5之凸塊尺寸係較基板 I :極4之凸塊大。因此，可抑制由於凸塊形成位置偏 大起位置偏移、以及因設備能力所引起的接合位置偏 移而產生之接合荷重之變動。 圖3為表示實施形態之基板突起電極4，與元件突起電極 127464.doc -15- 200843080 5間之尺寸關係的概略截面圖。基板突起電極々之凸塊高度 H1係例如15 μιη，元件突起電極5之凸塊高度H2係例如 8 μιη。如此，元件突起電極5之凸塊高度與基板突起電極4 之凸塊高度係互不相同，元件突起電極5之凸塊高度係較 基板突起電極4之凸塊高度為低。元件突起電極5之凸塊高 度Η2係可降到例如5 。 T此，降低元件突起電極5之凸塊高度時，可削減八口使 用量從而降低成本。而I，降低元件突起電極5之凸塊高 度’係可降低元件突起電極5之高度不均等，&而穩定接 合品質。 基板突起電極4之凸塊高度H1係可降至例如1〇 。降 低基板突起電極4時，係可削減Au使用量，從而降低成 本。而且高度不均等減少，可穩定接合品質。 如上所述，將大且低之凸塊元件突起電極5連接於細且 高之凸塊，即基板突起電極4上，係可穩定元件突起電極5 與基板突起電極4的接合品質。 大小不同之元件突起電極5與基板突起電極4，在整個凸 塊中以接合面積換算係在8〇%左右。剩餘2〇%之凸塊係讓 其大小相等。並且，在所有凸塊中，可構成為上下凸塊大 小不同。 又，除與半導體元件3之輸入端子連接而設置之輸入凸 塊，以及與輸出端子連接而設置之輸出凸塊以外，尚可設 置為冗餘凸塊。且’輸入凸塊中，若冗餘地設置複數個電 源系統及GND系、统之凸塊，由於元件特性穩定化，故可實 127464.doc 200843080 現高品質化。 又，亦可夠成為不設置元件突起電極5 電極4接合於藉由銘而形成在半導體 =板突起 错* WAI_Au接合來穩定化接合品質。 圖4為表示實施形態 、 與元件突起雷…“反大起電極4的基板接合面6, 几仟大起電極5的元件接合面7之盆他 面圖。亦可使元件接合面7之長抽方、長"係的概略截 合面6之長軸方向的… 的長度，與基板接 11的長度相同。沿基板突起 向的側壁，係深入元件 “之長軸方 強声^ %件大起電極5之元件接合面7内，接合 強度曰大’但若為如圖4所示之構成，深 & 為叹合接合，故接合強度增大，接合品質提高。 圖5為表示實施形態之基板突起電極4的基板接合面6， 與凡件突起電極5的元件接合面7間之其他尺寸關係的概略 截面圖。亦可構成為令基板接合面6之長軸方向的長度， 較元件接合面7之長軸方向的長度更長。若如此構成，不 僅化基板大起電極4之長軸方向的側壁可深入元件突起電 極5之元件接合面7 ’且沿元件突起電極5之短軸方向之側 壁，係可反方向地深入基板突起電極4之基板接合面6。由 此，基板突起電極4與元件突起電極5係相互咬合地接合， 接合強度加倍增大，接合品質更為提高。 圖6為表不實施形態之基板突起電極4，與元件突起電極 5間之其他尺寸關係的概略截面圖。即使基板接合面6與元 件接合面7之形狀及大小相同，亦可讓基板突起電極4之高 127464.doc -17- 200843080 度與元件突起電極5之高度不同。元件突起電極5係低於基 =突起電極4 ’基板突起電極4之高度為例如15叫，元件 犬起電極5之高度為例如8 μβ1。元件突起電極5之高度可低 至例如5 μηι。 若如此構成，由於係使元件突起電極5降低之構成，故 可減少Au的使用量而降低成本。而且，由於元件突起電極 5降低’可減少高度不均等，使接合品質穩定化。
圖7為表示實施形態之基板突起電極4，與元件突起電極 5間之其他尺寸關係的概略截面圖。若令基板接合面6盥元 件接合面7為相同形狀大小，產生接合偏移時，係在基板 突起電極4之—端從元件突起電極5—端突出，元件突起電 極5之另-端從基板突㈣極4之另—端突出之狀態下麼著 ^合。從71件突起電極5—端突出的基板突起電極4之一 ^ ’與從基板突起電極4另—端突出的元件突起電極5之另 -端，係未加以麼著，且構成為從元件突起電極5 一端突 t的基板突起電極4之-端，不接觸於半導體元件3之插入 式基板2側之表面，且從基板突 ^ 起電極4另一端突出的元件 大起電極5之另一端，不接觸於奸 ⑽^ 入式基板2之半導體元件 3側的表面。因此，可避免由於 起的品質降低。 、接觸到晶片表面而引 4 ’ 5所闡明，從插入 元件突起電極4之面 ’由側面觀看譬如圖1 不論從圖2之圖面上下 而且，上述實施形態中，如圖2， 式基板2側或半導體元件3側透視時 積係大於基板突起電極5之面積。且 所示之半導體裝置的側面視圖中， 127464.doc -18 - 200843080 方向還是左右方向纟’元件突起電極5之元件接合面長度 (LI，L2)，係都比基板突起電極4之基板接合面長度（臀^， W2)長。且，同樣地於側面視圖中，圖4、圖5之圖面左右 方向中，元件突起電極5之元件接合面長度，係要比基板 突起電極4之基板接合面長度更長。 本發明並不限定於上述實施形態者，可在請求項所示範 圍内進行種種變更。即，將請求項所示之範圍内作適宜地 變更之技術方法組合而獲致之實施形態，亦包括在本發明 之技術範圍中。例如，上述實施形態中，任一者均顯示突 起電極之平面形狀為四角形，但也可為橢圓形或者圓形。 [產業上利用可能性] 本發明適用於半導體裝置，該半導體裝置係包含有安裝 於薄膜基板上且由矽構成的插入式基板，以及為驅動液晶 而安裝於插入式基板上的半導體元件。 【圖式簡單說明】 圖1為表示實施形態之半導體裝置構成的概略截面圖。 圖2為表示實施形態之基板突起電極的基板接合面，與 元件突起電極的元件接合面間之尺寸關係的概略截面圖。 圖3為表示實施形態之基板突起電極與元件突起電極間 之尺寸關係的概略截面圖。 圖4為表示實施形態之基板突起電極的基板接合面，與 元件突起電極的元件接合面間之其他尺寸關係的概略截面 圖。 圖5為表示實施形態之基板突起電極的基板接合面，與 127464.doc -19- 200843080 元件突起電極的元件接合面間之其他尺寸關係的概略截面 圖。 圖6為表示實施形態之基板突起電極與元件突起電極間 之其他尺寸關係的概略截面圖。 . 圖7為表示實施形態之基板突起電極與元件突起電極間 之其他尺寸關係的概略截面圖。 圖8為表示習知半導體裝置構成之概略截面圖。 【主要元件符號說明】 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 半導體裝置 插入式基板 半導體元件 基板突起電極 元件突起電極 基板接合面 元件接合面 薄膜基板 密封樹脂 突起電極 配線單元 孔 127464.doc -20-

Claims (1)

  1. 200843080 十、申請專利範圍： 1 · 一種半導體裝置，係包含有 導體所構成之插入式基板， 板上之半導體元件；上述插 半導體元件側之基板突起電 有與上述基板突起電極接合 於： 一組裝於安裝基板上且以半 以及一安裝於上述插入式基 入式基板包含有形成於上述 極，且上述半導體元件包含 之元件突起電極；其特徵在 上述元件突起電極之元件接合面的面積，係大於上述 • 基板突起電極之基板接合面的面積。 2·:種半導體裝置，係包含有—組裝於安裝基板上且以半 導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上述插入式基 板上之半導體元件；上述插人式基板包含有形成於上述 半導體元件側之基板突起電極，且上述半導體元件包含 有與上述基板突起電極接合之元件突起電極；其特徵在 於：
    從上述插入式基板側或半導體元件侧透視時，上述元 件突起電極之面積係大於基板突起電極之面積。 3· 一種半導體裝置，係包含有一組裝於安裝基板上且以半 導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上述插入式基 板上之半導體元#;上述插入式基板包含有形成於上述 半導體元件側之基板突起電極，且上述半導體元件包含 有與上述基板突起電極接合之元件突起電極；其特徵在 於： 從一側視之，上述元件突起電極之元件接合面的長 127464.doc 200843080 度’係長於上述基板突起電極之基板接合面的長度。 4. 如請求項丨之半導體裝置，其中上述元件接合面及上述 基板接合面係呈長方形狀； 上述元件接合面及上述基板接合面各自之長軸，係相 互平行配置； 上述元件接合面之短軸方向的寬度，係寬於上述基板 接合面之短軸方向的寬度。 5. 如請求項4之半導體裝置，其中上述元件接合面之長軸 方向的長度，係與上述基板接合面之長軸方向的長度相 等。 6. 如請求項4之半導體裝置，其中上述基板接合面之長軸 方向的長度，係長於上述元件接合面之長軸方向的長 度。 7·如凊求項丨之半導體裝置，其中從垂直方向觀察上述插 入式基板，上述元件接合面係圍繞上述基板接合面而配 置； 上述7L件接合面及上述基板接合面係配置為長方形 狀； 上述元件接合面及上述基板接合面各自之長軸，係相 互平行配置； k垂直方向觀察上述插入式基板，上述元件接合面之 邊係與上述基板接合面之對應一邊相離5 μπι〜1 ο μηι 而配置。 8·如明求項1之半導體裝置，其中上述元件突起電極之高 127464.doc 200843080 度，係與上述基板突起電極之高度互不相同。 9.如請求項！之半導體裝置，其中上述元件突起電極之高 度係低於上述基板突起電極之高度。 10·如清求項1之半導體裝置，其中上述元件突起電極之高 度為5 μπι〜8 μπι。 11 ·如㉝求項1之半導體裝置 度為 10 μιη〜15 μπι。
    12·如明求項丨之半導體裝置，其中上述基板突起電極係硬 度鬲於上述元件突起電極。 13·種半導體裝置，其特徵在於包含有一組裝於安裝基板 上且以半導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上述 插入式基板上之半導體元件；上述插入式基板包含有形 成於上述半導體元件側之基板突起電極，且上述半導體 元件包含有與上述基板突起電極接合之端子。 14·如請求項13之半導體裝置，其中上述端子係由銘構成， 上述基板突起電極係由金構成。 15·:種半導體裝置，係包含有一組裝於安裝基板上且以半 導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上述插入式基 板上之半導體兀件，上述插入式基板包含有形成於上述 半導體元件側之基板突起電極且上料導體元件包含有 =上述基板突起電極接合之元件突起電極；其特徵在 上述元件突起電極之高度係與上 度互不不同。 述基板突起電極之 向 127464.doc 200843080 16.:種半導體裝置，係包含有—組裝於安裝基板上且以半 導體所構成之插入式基板，以及一安裝於上述插入式基 板上之半導體元件’上述插人式基板包含有形成於上述 半導體元件側之基板突起電極，且上述半導體元件包含 有與上述基板突起電極接合之元件突起電極；其特徵在 於： 及上述基板突起電極 面各自之長軸，係相
    上述元件突起電極之元件接合面 之基板接合面，係呈長方形狀； 上述7L件接合面及上述基板接合 互平行配置； 的寬度’係寬於上述基板 的長度’係長於上述元件 上述元件接合面之短軸方向 接合面之短軸方向的寬度；且 上述基板接合面之長軸方向 接合面之長軸方向的長度。
    127464.doc
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