TW200842028A - Translucent panel for connecting electronic components - Google Patents

Description

200842028 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係m㈣於製造—用於連接電子元件之半透 明面板之製程且係關於藉由此製程所獲得之面板。 【先前技術】 已知用於製造用於連接電子元件之面板(特定而言，單 層或多層印刷電路板）之製程。然而，該等面板由絕緣不 透明基板形成且導電跡線由銅製成。 【發明内容】 本發明涉及一'種用於制^ ^ ^ 徑用於I k 一+透明電子元件連接面板 (可能係一多層面板）之製程。 ;此目的本兔明係關於一種如請求項〗之製造製 程0 【實施方式】 因而’特定而t，本發明係關於一種用於製造一欲用於 • 料電子元件之半透明面板之製程，該製程包括一在一半 • 彡明基板上沈積-半透明導電基礎層之第-步驟，其後跟 至少一次以下四步驟序列： a)藉助-遮罩暫時遮掩基板上沈積有該導電基礎層之表 面之一部分； )在由該基礎層覆蓋之表面（無論其在先前步驟中 疋否被遮掩）上沈積一永久絕緣半透明層； )私除忒暫日寸遮罩材料以及覆蓋其之絕緣材料以便將一 在因移除該遮罩而變得裸露之表面上延伸之第一接觸區域 127358.doc 200842028 暴露至在該面板表面之剩餘部分上延伸之絕緣區域 面；及 之側 d)在该纟巴緣區域之至少一部分 ^ / |刀上，尤積一額外導電半透明 运以形成一在該面板之表面之該剩餘部分上延 觸區域。 乐一接 從屬請求項界定實施本發明之其 /、他j仃方法，該等方法 中之某些係較佳方法。 較佳地，在該絕緣區域之至少一 y H刀上沈積一額外導雷 半透明層之步驟包括以下步驟·· -額外地遮掩該面板之表面之一部分； -在π亥面板之整個表面卜沈籍七杯丨诗 上/兄積该額外導電半透明層；及 -移除該額外遮掩材料以及覆雲 復I关之頭外導電半透明層 之彼部分以暴露該第二接觸區域。 有利地，該四步驟幻至幻序列至少重複一次，一當前序 列之額外半透明導電層用作_卩左 Γ s用忭隧後序列之半透明導電基礎 層’但自第一次重複起，戒格牛职 ^ 知掩步驟a)僅在該第一及第二接 觸區域中之一單個區域上執行。 根據本發明之製造製程提供一 π1八牛透明面板。術語”半透 明面板”應理解為意指一對可 q U伯對可見先完全透明之面板及一僅 透射此可見光之某歧部分且且古 .Λ 丁一 I刀五具有一超過5%之透射霧度之 面板兩者。 -半透明媒介之霧度在光透射過程中量測且與光在除入 射光㈣之彼等方“外的方向上之散射直接相關。因 此，所量測之漫透射係數常常視為一對塗覆有一反射層之 I27358.doc 200842028 透明媒介之霧度之估值。 〜透射係數通常使用一裝備有一積分球之分光光度計來 里測。一 Perkin-Elmer® 900型分光光度計已給出極佳結 果。必須量測霧度之面板切線地施加至該球以封閉該球表 面中之一小孔徑。一由分光光度計之一單色器裝置所傳送 之單色入射光束沿一垂至於擬量測試樣表面之垂線而被引 導至該試樣（其封閉該球中之孔徑）上。該球中之一沿入射 光方向之方向躺臥之對置孔徑允許透射穿過該試樣面板之 光線退出，該球捕獲沿任一其他方向反射之所有散射光 線。一位於該球表面上別處之光電感測器以1〇。之視角量 測由該球所積分之所有散射單色光。接著藉由在可見光譜 之整個波長範圍内對所有單色散射光線積分如下計算漫透 射係數Tvd :

Tvd ,〇TvdW* ν(λ)*〇65(λ) 780run~~~ ~ ~ — -- Σ ν(λ)*ϋ65(λ) λ=380 ’ 其中：

TvdU)係總光譜散射光； ν(λ)係普通人眼之光譜光敏感度；及 D65a)係標準化施照體,，D65”之相對光譜分佈。 根據本發明’所製造之面板 連接係在分佈於該面板之至少伯…’路。该 之一個& 之至J —個面上（較佳僅在該面 之一個面上）的各種電路之間進行。 該製程之一第一步驟包 括在一半透明基板上執行一: 127358.doc 200842028

積。剛性基板係較佳。此處，術語”剛性基板"應理解為意 指一扁平形狀之實心體，亦即，與其其他尺寸相比具有— 小厚度，且具有一彎曲及扭轉強度，該強度足以使其在環 境媒介（其中通常使用該面板）中常常遇到的外部應力作= 下不變形。特定而言’ it常使用之剛性基板極耐風，且耐 一般而言在料面板之使用範圍中遇到之包含冰及雪在内 之險惡氣候。該基板可採取—由—單—材料製成之剛性板 之形式或正相反可係數個相同材料或結合在一起的不同材 :之薄片接合在一起之結果。實例係半透明玻璃或塑膠之 薄片。在可見光光譜波長下透明之材料係較佳。在該等材 料中」習用無機玻璃係較佳’特定而言納鈣玻璃二佳 地，該基板包括至少一個玻璃薄片。 土 在根據本發明之製程中，在該基板上沈積材料之第_ + 驟後跟至少-次1步驟序列m製造—在1上藉= 躺臥在同一面板内之導電層部分進行電子元件之間㈣ 之面板，則僅執行—次該序列。若需要製造—具有經 電層部分進行之連接之面板，該等導電層部分位 多層堆疊内之數個不同平面中，則亦可重複該序列。； 該序列之四個步驟如下： 1.暫時遮掩覆蓋有一導電層之表面之一部分； 2·在覆蓋有一導電層之表面(無論在前述步 一遮罩）上沈積一永久絕緣半透明層； ’、 3.移除該暫時遮罩材料以及覆蓋其之絕緣材 緣區域側面處暴露_接觸區域； '、、巴 127358.doc 200842028 ’在1¾緣區域上沈積—額外導電半透明層以形成 接觸區域。 在“序？j之步驟a)中，遮掩由_導電層覆蓋之面板之表 面之至少一y乂 ， > 壬一 士 。刀。此遮掩係暫時的，亦即，該遮掩係藉助 u許令易移除之材料或系統所實施。-實例係藉助於 緣自黏合膜進行遮掩，例如一塗覆有一可剝離黏合 =撓性塑膠膜或帶。步驟a)可（例如）在該序列僅執行一 t否則在。亥序列之第一次執行期間直接跟隨在半透明基 板上沈積之第一步驟之後。 在V驟b)中，將_絕緣半透明層沈積於覆蓋有導電層之 表面（無哪其在步驟a)期間是否已被遮掩）上。此絕緣半透 明層係一永久層，例如一 Si02層。 :在v驟c)中’例如通過剝離或撕去結合至覆蓋有一導電 層之面板表面之至少一部分之塑膠膜或帶，移除在步驟勾 積之遮掩材料及覆盍其之絕緣材料。因而，暴露至少 一個絕緣區域之側面處之至少-個導電接觸區域。 在接著的步驟d)中，將—額外導電半透明層沈積於該絕 緣區域上。該導電層係、—通常藉由真空磁控麟獲得之永 久層。 在實施根據本發明之製程之一特定方法中，至少執行一 次該四步驟a)sd)之序列，但在第—次重複後，僅在該等 接觸區域之-單個區域上執行遮掩步驟a)。 在實施根據本發明之製程之另一方法中，在該半透明基 板上之第一沈積步驟與該第一序列之步驟^之間插入一在 127358,d〇c 200842028 導電基礎層中蝕刻凹槽之步驟 M精由移除該導電層之铋 λ而形成至少兩個導電跡線 跡線方向之方向…板之！ 不同於該等導電 面板之—邊緣延伸至另一邊緣以覆雲 接觸區域及連接區域之帶，在該等序列中之至少—者= =驟〇與步驟d)之間插人—新穎暫時遮掩步驟，且沈積- 之最終步驟d)後跟一移除暫時遮掩材料及覆蓋其之 V電材料之新穎步驟。

根據此另-實施方法’在步驟㈡中’遮掩以該等導電跡 線之每一者為中心之複數個遠端區域。 較佳地，進行佈置以使該新穎暫時遮掩步驟之帶之方向 與該等導電跡線之方向形成_至少3G。之角度。有利地， 該角度為90。。 有利地’藉由使用—雷射光束跨越導電層進行掃描以在 凹槽蝕刻製程中移除該層之材料。 在該第-步驟中，將—半透明導電基礎層沈積於該面板 上術°°導電層"應理解為意指一熱解類型或藉由真空磁 控濺鍍所獲得之導電層。 在貝施本發明之一第一方法中，該導電層係一在介於自 500 C至750。。之範圍内之溫度下沈積於一玻璃薄片表面上 之熱解層。較佳地，該導電熱解層在57〇。〇至66〇。€之温度 下沈積。此種類型之層可在離開製造浮法玻璃之熟知製程 中溶^玻璃在一炫融錫浴槽之表面上流動之步驟時直接沈 %於熱玻璃條帶上。該沈積可藉由噴塗精細液滴或藉由化 學氣相沈積來實施。有利地，該熱解層係一藉由化學氣相 127358.doc -11 - 200842028 沈積沈積之層。-般而言，該熱解層之性質實質上係換雜 有氣及/或銻之Sn〇2。一實質上由摻氟Sn〇2組成之熱解層 、、’&出極仏、、.σ果。此熱解層之厚度必須仔細修改以便提供 一適宜之表面電阻。熱解層厚度應有利地介於自25〇 nm至 5〇〇nm之範目内。—約3〇〇nm之厚度已給出極佳結果。適 S於本發明之導電層之表面電阻介於|G5 Ω/□至5〇以口之 _ 範圍内。較佳地，該電阻介於自〇8以〇至15 Ω/□之範圍 内。介於自1 Ω/口至12 Ω/□之範圍内之表面電阻已給出極 琴 佳結果。 當將熱解層施加至透明玻璃（厚度為4 mm)時，該熱解導 電層之光透射通常不小於50%且較佳不小於75%，此量測 係在CIE(國際照明委員會）之標準光源D65下且以2。立體角 進行。提供76%至79%之光透射之層已給出極佳結果。 在此實施方法中，該導電層具有一介於自2〇_至4〇細 且較佳20 nm至30 nm之範圍内之總表面粗糙度。措詞"總 • 表面粗糙度”（Rt)應理解為意指使用—原子力顯微鏡所量測 之溝槽之最高峰（Rpeak)與最大深度（、。咐）之和。該儀器傳 送該表面上之每一點沿兩個垂直方向⑷之個別高度

Rt可如下計算：

Rt= Rp( T> gak -^-trough 其中： R = A Vpeak maxlhi7 - ij J T3 二 -^-trough minlh：,·- ij K J h/wqy} 127358.doc •12- 200842028 h^=^EEhu N係量測總次數。 可使用任-已知方法來量測此表面粗繞度。藉助塗覆有 -導電層之浮法玻璃可獲得良好結果，該導電層已使用研 磨劑進行機械拋光獲得所需粗糙度之所需時間。 在產生導電基礎層之-第二方法中’該導電基礎層係一 藉由真空磁控濺鍍獲得之層。舉例而言，該層可係一由以 下基本層之多層堆疊組成之軟層： Ti〇2/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Sn〇2. 該等軟層之表面電阻通常係自i Ω/口至2〇 Ω/口且較佳i Ω/□至10 Ω/口。5 Ω/□之表面電阻值已給出極佳結果。 當將此一導電層施加至透明玻璃（厚度為4 mm)時，該導 電層之光透射通常不小於4%且較佳不小於8〇%，此量測係 在CIE之標準光源D65下且以一2。立體角進行。 該真空磁控沈積導電層可由一多層堆疊組成，該多層堆 疊包含一導電摻AlZn層或者一摻“氧化銦層（或IT〇層）。 該等層之表面電阻約為4 Ω/□至50 Ω/□且較佳約為4 Ω/□至 15 Ω/口。 此鈿加至透明玻璃（厚度為4 mm)之導電層之光透射通 常不小於80%且較佳不小於84%，此量測係在€正之標準光 源D65下且以一 2。立體角進行。 熱解沈積層通常因其較高之抗刮傷性而優於磁控沈積 層0 127358.doc 13- 200842028 根據本發明，該等額外導電半透明層通f係由—真空磁 控賤鐵操作所產生之層。 本發明亦《於-種用於連接電子元件之半透明面板。 出於此目的’本發明係關於一種如請求項13所界定之面 板0 根據本發明，該半透明面板包括—由半透明玻璃製成之 暴板。 在根據本發明之製程中，術語，，半透明玻璃"應理解為意 :「對可見光完全透明之玻璃及一僅透射此可見光之一部 分且具有一超過5%之透射霧度之玻璃兩者。 ^而言，在根據本發明之面板中，應理解所採用之術 …、有人賦予界疋及闡述根據本發明之製程所採用之對應 術語相同之意義。 广據本發明之面板中之半透明玻璃較佳係—無色透明玻 亦車乂佳之情形係在該面板中 體喷塗沈積之半透明熱解層。w基礎層係—猎由液 ^型’该導電基礎層亦可係-藉由CVD技術沈積 丰透明熱解層。該層係（例如）—耗及/或推録之 在另-變型（並非較佳）中，該導電基礎層亦可由一直* 磁控濺鍍操作產生。 〃工 一2吊’該多層堆疊中除基礎層以外的各層之導電區域由 …空磁控滅鍍操作產生。舉例而言，該等層自身係一 I27358.doc .14. 200842028

Ti02/Zn0/Ag/Ti/Zn0/Sii02之多層堆疊。 最後，本發明亦係關於根據本發明之面板（上文已闡述） 之用途，其用於製作一包括電子元件之透明電子電路。 特定而言，該面板用於製作一包括發光二極體（LED)之 透明電子電路。 127358.doc -15-

Claims (1)

1. 200842028 十、申請專利範圍： i 一種用於製造-欲狀連接電子元件之半透明面板之方 法’其特徵在於其包括在—半透明基板上沈積—半透明 導電基礎層之第一步驟，與隨後之至少一次以下四步驟 之序列： 句糟助一遮罩暫時遮掩該基板上沈積有該導電基礎層 1 之表面的一部分； 、/)在由該導電基礎層覆蓋之該表面上沈積一永久絕緣 _ 半透明層，無論該表面在先前步驟中是否被遮掩； C)移除該暫時遮掩材料以及覆蓋其之該絕緣材料，以 便將一在因移除該遮罩而變得裸露之表面上延伸之第一 接觸區域暴露至在該面板之該表面的剩餘部分上延伸之 一絕緣區域之側面；及 d)在該絕緣區域之至少一部分上沈積一額外導電半透 明層，以形成一在該面板之該表面之該剩餘部分上延伸 之弟一接觸區域。 • 2.如請求項1之用於製造一半透明面板之方法，其特徵在 於在該絕緣區域之至少一部分上沈積一額外導電半透明 層之該步驟包括以下步驟： 額外遮掩該面板之該表面之一部分； 在該面板之該整個表面上沈積該額外導電半透明 層；及 移除該額外遮掩材料以及覆蓋其之該額外導電半透明 層之該部分，以暴露該第二接觸區域。 127358.doc 200842028 3.如請求項鴻2之用於製造一半透明面板之方法，其特徵 在於至少重複-次該四步驟a)sd)之序列，—當前序列 之該額外半透明導電層用作—隨後序列之半透明導電基 礎層’但自該第—次重複起，僅在該第—及第二接觸區 域之一單個區域上執行遮掩步驟a)。

   4·如請求項15戈2之用於製造一半透明面板之方法，其特徵 在於在該半透明基板上之該第一沈積步驟與該第一序列 之步驟a)之間插人-钱刻在該導電基礎層中之凹槽的步 驟’以藉由移除該導電基礎層之材料而形成至少兩個導 電跡線。 ' 5·如請求項1或2之用於製造一半透明面板之方法，其特徵 在於在步驟a)中遮掩以該等導電跡線之每一者為中心之 複數個遠端區域。 6. 如請求項3之用於製造一半透明面板之方法，其特徵在 於用於該新穎暫時遮掩步驟之帶之方向與該等導電跡線 之方向形成一至少30。之角度。 7. 如請求項1或2之用於製造一半透明面板之方法，其特徵 在於該角度為90。。 8. 如請求項4之用於製造一半透明面板之方法，其特徵在 於在該凹槽蝕刻步驟中，藉由使用一雷射光束進行掃描 以燃燒該基礎層之該導電材料來執行自該導電層移除^ 料。 θ牙、 9·如請求項1或2之用於製造一半透明面板之方法，其特徵 在於該導電基礎層係一藉由液體噴塗沈積之半透明熱解 127358.doc ψ

   200842028 層。 1〇·如請求項1或2之用於制1 、氣仏一半透明面板之方法，JL特徵 在於該導電基礎属係 #丄 八符欲 萣曰係一轎由CVD技術沈積之半透明熱解 層。 11 ·如請求項1或2之用於赞皮一 衣化半透明面板之方法，其特徵 在於該半透明導電農虛 包暴礎層係由一真空磁控濺鍍操作產 生。 12. 如請求項1或2之用於製造-半透明面板之方法，其特徵 在於該等額外導電半透明層係由—真空磁控濺鐘操作產 生之層。 13. —種用於連接電子开杜 坐 私卞兀件之+透明面板，其特徵在於其包 括一由覆盍有一導電基礎層之半透明玻璃製成之基板及 -位於頂部之半透明層之多層堆疊，該等半透明絕緣層 與該等具有半透明導電區域之層交替。 14. 如請求項13之半透明面板，其特徵在於該半透明玻璃係 一無色透明玻璃。 15·如請求項13及14中任一項之半透明面板，其特徵在於該 導電基礎層係一藉由液體喷塗沈積之半透明熱解層。 16.如請求項π或14之半透明面板，其特徵在於該導電基礎 層係一藉由CVD技術沈積之半透明熱解層。 17·如請求項13或14之半透明面板，其特徵在於該導電基礎 層係一摻氟及/或摻銻之Sn02層。 1 8 ·如請求項13或14之半透明面板，其特徵在於該導電基礎 層係由一真空磁控濺鍍操作產生。 127358.doc 200842028 19·如明求項13或14之半透明面板，其特徵在於除該基礎層 之外，多層堆疊之該等層之該等導電區域係由一真空磁 控濺鍍操作產生。 J·如凊求項13或14之半透明面板，其特徵在於該等真空磁 控層中之至少一者自身係由一 Ti〇2/Zn〇/Ag/Ti/Zn〇/Sn〇2 基本層之多層堆疊組成。

   一種如請求項13至20中任一項之面板之用途，其係用於 製作一包括電子元件之透明電子電路。 如請求項21之面板之用途，其特徵在於在該面板上之該 等電子元件包括發光二極體（LED)。

   127358.doc 200842028 七、指定代表圖： (一)本案指定代表圖為：（無） ' (二)本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式·· (無）

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