TW200840423A - Radiation system and lithographic apparatus - Google Patents

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200840423 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種輻射系統、一種包括一輻射系統之微 影裝置及一種用於改良一輻射系統之重複率的方法。 【先前技術】 微影裝置係一種將所要之圖案施加至基板上，通常施加 至基板之一目標部分上的機器。微影裝置可用於（例如）積 體電路（ic)之製造中。在彼情況下，一或者稱為光罩或主 光罩之圖案化元件可用於產生待形成於1C之個別層上的帝 路圖案。可將此圖案轉印至一基板（例如，矽晶圓）上之一 目標部分（例如，包含一個晶粒或若干晶粒之部分）上。圖 案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻 (抗蝴層上而達成。一般而言，單一基板將含有= 圖案化之相鄰目標部分的網路。已知的微影裝置包括所謂 的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上 =照射每-目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在:給 定方向掃描”方向）上經由輻射光束掃描圖案同時平行或 反平行於此方向同步地掃描基板而照射每一目標部分。= 有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化1件轉 印至基板。 EUV輻射源通常使用電聚來產生輕射。電聚由自由移動 電子及離子（已失去電子之原子）的隼人 ;J ^ 口組成。自原子剝離 電子以形成電漿所需之能量可具有各種起源：&、電或光 (紫外光或來自雷射之強可見光）。 126674.doc 200840423 除EUV^射之外，用於Euv微影術中之輻射源產生可能 對光予裔件及執行微影製程之工作環境有害的污染物材 料此對於經由產生電漿之放電源（諸如電漿錫源）而操作 之EUV源尤其如此。該輻射源通常包含可被施加電壓差之 • ^對私極。另外，能量光束（例如，雷射光束）可用以藉由 ^ 衝擊(例如)電極中之-者而產生蒸氣來觸發放電。因此， 將在電極之間發生放電，產生電漿，且此情況導致產生 Γ 卿輕射之所謂自束。關於自束、雷射觸發效應及其在具 有走轉電極之輻射源中之應用的更多細節可見於US 2⑽仁 010508中。 除此輻射之外，放電源通常產生碎屑粒子，其中可存在 ^ 1、可紇之各種微粒子，微粒子為自原子粒子至高達100 Μ米之小液滴之複合粒子，其可帶電與不帶電。 /而要限制對經配置以調節來自EUV源之輻射光束之光學 系統所造成的由此碎屑引起的污染。對光學系統之習知屏 ‘ 蔽主要包括一系統，該系統包含與Euv源所產生之光之方 °平行地對準之大量緊密包裝之箔。所謂的箔陷阱 P)(例如，如EP1491963中所揭示）使用大體與EUV源所 產生之光之方向平行地對準之大量緊密包裝之箔。污染物 碎屑（諸如微粒子、奈米粒子及離子）可截獲於箔板所提供 之壁中。因此，箔陷阱充當截獲來自輻射源之污染物材料 的5染物障壁。歸因於小板之配置，箔陷阱對於光係透明 的’但將俘獲碎屑，因為碎屑並不與小板平行地行進，或 因為緩衝氣體所引起之隨機運動。需要改良對輻射系統之 126674.doc 200840423 屏蔽口為些（被引導的彈道）粒子仍可能傳輸過箔陷 牌。 亦而要改良輻射源特徵以提供一具有增加之輸出及更高 重彼頻率的穩定源。微影裝置之產出率取決於所使用之輕 射源之輸出，其依據強度與重複率而定。然而，增加放電 源、之輻射輸出及/或重複率通f歸因於所達到之更高溫度 及組件上之後續熱負载而導致更多碎屬產生。在一些狀況 τ ’輻射源系統之組件因為其不能充分冷卻而可能失效。 【發明内容】 根據本發明之一態樣’提供一種輻射系統，其用於產生 電磁幸田射。該輻射系統包括一對電極，其經建構及經配置 以產生一第一物質之電漿及在該電聚中之一自束。該輻射 糸統亦包括一電裝重4日矣 夏、、且表面，其鄰近該自束而配置，該電 漿重組表面經建構及經配置以中和複數個電裝粒子。 根據本發明之另一能描 坦 W樣，^供一種輻射系統，其用於產 ί 生電磁幸昌射。該幸畐射系妨4 in u,, I 射糸、、先包括一對電極，其經建構及經配 置以產生一第一物曾夕發將立丄 、電水及在該電漿中之一自束。該輻 康亦包括一電裝重組輪廉，其部分地由該等電極之表 面界疋纟„亥電聚重組輪廊處自該第一物質產生 所有電漿得以中和。談起私多„ X輻射糸統進一步包括一電漿重組表 面，其經建構及經配詈由 罝以中和禝數個電漿粒子。該電漿重 組表面可安置於一在穿汛兮白未 牙過该自束之徑向軸線上的點處，i 中該點安置於該自炭盥_ 士 ^ / /、 ^ ，、—在該徑向軸線與該電漿重組輪廓 之間的交點之間。 126674.doc 200840423 根據本發明之一態樣，提供一種微影裝置。該微影裝置 包括-輻射系統，其經建構及經配置以提供一輕射光束。 該輻射系統包括一對電極，其經建構及經配置以產生一第 一物質之電漿及在該電襞中之-自束。該輻射系統亦包括 T電漿重組表面’其鄰近該自束而配置。該電漿重組表面 建構及、’、工配置以中和複數個電漿粒子。該微影裝置亦包 • #:—照明系統，其經建構及經配置以調節該輻射光束； r 及一支樓件，其經建構及經配置以支撐-圖案化元件。該 圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束 圖案以形成經圖案化之輻射光束。該微影裝置進一步 匕括.基板台，其經建構及經配置以固持一基板；及一 投影系統，其經建構及經配置以將該經圖案化之輻射光束 彳又影至該基板之一目標部分上。 根據本發明之另一態樣’提供一種用於改良一產生電磁 幸§射之輪射系統之重複率的方法。該方法包括提供一包括 [i 一由一陽極及一陰極界定之放電空間的輻射系統；供應一 第物貝至该放電空間；在該陽極及該陰極上提供一放電 t壓以產生該第一物質之電漿；在該電漿中形成一自束效 應以產生電磁輻射；及向該輻射系統提供一電漿重組表面 -以中和複數個電漿粒子。 本發明之其他態樣、特徵及優點將自以下實施方式、隨 附圖式及附加之申請專利範圍而變得顯而易見。 【實施方式】 圖1示意性地描繪一根據本發明之一實施例的微影裝 126674.doc 200840423 置。該裝置包括：一昭明糸姑 …、月系統（照明器）IL，其經組態以調 節-輻射光束B(例如，uv輕射或刪輕射）；一支撑結構 (合Μ丨罩口）町，其經建構以支撐—圖案化元件（例 如光罩）MA且連接至一第_定位器腹，該第一定位器 PM經組態以根攄特宏夹赵 课符疋苓數而準確地定位該圖案化元件，· 一基板台（例如，晶圓a W 口）WT，其經建構以固持一基板（例 如二塗佈有抗蝕劑之晶圓瑋且連接至一第二定位器pw， 該第二定位器PW經組態以根據特定參數而準確地定位該 基板；及—投影系統（例如，折射或反射型投影透鏡系 統）PS，其經組態以將-由圖案化元件心賦予至輻射光束 B之圖案投影至基板W之一目標部分c(例如，包含一或多 個晶粒）上。 照明系統及投影系統可包括用於引導、成形或控·射 的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、繞射或其他類 型之光學組件或其任何組合。 7支撐結構支撐圖案化元件（亦即’承載圖案化元件之 重量)。其以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計 及諸如圖案化元件是否固持於真空環境中之其他條件的方 式固持圖案化元件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或 其他夹持技術來固持圖案化元件。支撐冓； s 台，_可視需要為固定的或可移動的=2 確保圖案化元件（例如）相對於投影系統處於所要位置虐了 可認為本文中對術語"主光罩”或”光罩，，之任何使用均:更 通用之術語”圖案化元件”同義。 126674.doc -10- 200840423 應將本文中所使用之術語"圖案化元件"廣義解釋為指代 可用以在-輻射光束之橫截面中賦予該輻射光束_圖案以 在基板之一目標部分中產生一圖案的任何元件。應注意， 舉例而言’若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵：所 謂的輔助㈣’則該圖案可能不會精確對應於基板之目標 部分中的所要圖案。大體而言’被賦予至輻射光束之圖： 將對應於元件(諸如積體電路)中正在目標部分中形成之二 特定功能層。 圖案化元件可為透射型或反射型的。圖案化元件之實例 包括光罩、可程式化鏡轉列及可程式化lcd面板。 在微影術令係熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相 移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列 之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每 個別地傾斜以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡 面將一圖案賦予由鏡面矩陣反射之輻射光束中。 本文中所使用之術語"投影系統"應廣義解釋為涵蓋任何 類型之投影系、统，包括折射、反射、反射折射或其任何組 合’只要其適用於所使用之曝光輻射。可認為本文中對 語”投影透鏡”之任何使用與更通用之術語"投影系統"同 義0 如此處所描緣，該裝置為反射型（例如，採用反射光 罩）或者該裝置可為透射型（例如，採用透射光罩）。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板么（及/ 或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等"多平臺:機器 126674.doc • 11 · 200840423 中，可並行使用額夕卜台，或可在一或多個§上執行預備步 驟同時將一或多個其他台用於曝光。 參看圖1，照明器IL自一輻射源S0接收—輻射光束。舉 例而言，當該輻射源為準分子雷射日夺，該韓射源與微影裝 1可為獨立之實體。在該等狀況下’不認為該輻射源形成 微影裝置之部分，且輻射光束借助於包含（例如）合適之引 導鏡面及/或光束放大器的光束傳遞系統而自輻射源8〇傳 ( 冑至照明器1L。在其他狀況下’舉例而言’當輻射源為一 水銀燈時，該輻射源可為微影裝置之一整體部分。 —照明器IL可包含一用於調節輻射光束之角強度分布的調 節器。大體而言，至少可調節照明器之瞳孔平面中之強度 分布的外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別稱作2 外（σ-outer)及σ-内（cy_inner))e另外，照明器比可包含諸如 積光益及聚光器之各種其他組件。照明器可用以調節輻射 光束以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。 ( 輻射光束B入射於固持在支撐結構（例如，光罩台Μτ)上 之圖案化元件(例如，光罩MA)上，且由圖案化元件圖案 化。穿越光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統ps，投影系 統PS將該光束聚焦至基板w之一目標部分〇上。借助於第 二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測元件、線性 扁馬器或電谷式感測益），基板台WT可準確地移動，（例 如）以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分類似 地，（例如）在自光罩庫以機械方式獲取之後或在掃描期 間，第—定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻 126674.doc •12- 200840423 射光束B之路徑準確地定位光罩“八。一般而言，光罩台 MT之移動可借助於形成第一定位器pMi部分的一長衝2 模組（粗定位）及一短衝程模組（精定位）而實現。類似地， 基板台wt之移動可使用形成第二定位lpw之部分的一長 衝程模組及一短衝程模組而實現。在步進器（與二目苗器^ 對）之狀況下，光罩台MT可僅連接至一短衝程致動器，戋 _ 可為固定的。可使用光罩對準標記Mi、M2及基板對準標 Γ 記P1、Ρ2來使光罩乂八及基板W對準。儘管所說明之基^ 對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的 空間（此等已知為劃道對準標記）中。類似地，當在光罩ΜΑ 上提供一個以上晶粒的情況下，光罩對準標記可位於晶粒 之間。 所描繪之裝置可用於以下模式中之至少一者中： 1.在步進模式中，當將一被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至一目標部分C上時，使光罩台Μτ&基板台 ( WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著使基板台 WT在X及/或Υ方向上移位以使得可曝光一不同目標部分 C。在步進模式中’曝光場之最大大小限制了在單次靜態 曝光中成像之目標部分C的大小。 • 2 ·在掃描模式中，當將一被賦予至輻射光束之圖案投影 至一目標部分C上時，同步地掃描光罩台ΜΤ及基板台 WT(亦即，單次動態曝光）。可藉由投影系統ps之放大率 (縮小率）及影像反轉特徵來判定基板台WT相對於光罩台 MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限 126674.doc -13- 200840423 制了在單次動態曝光 上），而掃描運動之部分的寬度（在非掃描方向 向上）。 、又决疋了目標部分之高度（在掃描方 3.在另—模式中’當 至-目標部分c上時使光置：輪射先束之圖案投影 可程式化圖案化元;Μ/台職本上保持靜止以固持- 並移動或掃描基板台WT。在此模 =常採用-脈衝式韓射源，且在基板台WT之每次 r 在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可 :=案化元件。可易於將此操作模式應用至利用可程 mr元件（諸如為以上所提及之類型的可程式化鏡 面陣列）的無光罩微影術。 亦可採用以上所述❹模式之組合及/或㈣或完全不 同之使用模式。 f圖2中’展示一根據本發明之一態樣之輻射系統的一 不思性第f實施例。詳言之，展示一用於產生-界定光軸 3之輛射光束2的輻射系統i。該輻射系統包括—用於產生 EU^射的放電產生之電製_Ρ)源4。該放電源包括：一 對电極5 ’其經建構且經配置以具備一電壓差；及一系 ^其通韦包括-用於在該對電極之間產生蒸氣以便在該 等電極5之間提供放電7的雷射6。強放電電流引起在電極$ 之間形成之所謂的自束的產生。通常，所產生之顺光由 在放電過程中進行多次電子電離之錫原子（或另一合適之 材料，例如，鋰或氙）中的電子躍遷產生。 已卷現來自輻射系統1之碎屑8主要產生於電極5上或 126674.doc 200840423 附近。發現，碎屬粒子8(詳言之，為可能污染下游光學器 件之種類的彈道粒子）主要在電極5上或附近產生於碎屬產 品中v、中中心源光主要產生於遠離碎屑產生區 之自束區10中。因此，對於一產生電裝之放電源4而言， 碎屬產生區9通常遠離Ευν輻射產生自束區1()。此效應可 由所說明之實施例加以利用，該實施例根據本發明之一態 樣包^-屏蔽㈣，其用以針對以相對光轴3之預定球面 角所提供之視線而屏蔽電極5且提供一孔徑12至一在該視 線中介於該等電極之間的中心區域。因此，產生於碎屬產 生區9中之碎屑8最初（然而，在缺乏額外電磁場時，參見 圖5至圖7中所說明之實施例）自區9以大體上的直線行進。 口此針對以環繞光軸3之預定球面角的視線而屏蔽電極5 之屏蔽件11此夠截獲此等碎屑粒子8，以使得在該視線 中，防止大量碎屑8進入下游光學器件（未圖示）。另外，由 於屏蔽件11提供一孔徑12至一在該視線中介於電極5之間 的中心區域（與指定自束區10一致），故屏蔽件丨丨大體上並 不屏蔽來自EUV輻射產生自束區10之輻射，其因此可行進 至下游光學器件甲而大體上不受屏蔽件u阻礙。以此方 式，在不會阻擋EUV輻射之情況下碎屑（其來自電極）被屏 蔽件阻擋。實際上，屏蔽兩個電極係便利的，因為很可能 兩個電極會產生可引起碎屑8產生的碎屑產生區。 可藉由將屏蔽件11與任何電極足夠靠近（較佳地，距任 何電極一範圍在〇·5 mm與25 mm之間的距離）地置放以屏蔽 碎屑產生區9之最大球面角來進一步最佳化屏蔽效應。導 126674.doc -15- 200840423 電屏蔽件可加以隔離或保持在接近最近電極電位之電位處 以最小化經過其之寄生放電電流。 為最小化與電極之距離，屏蔽件11上之熱負載將高至使 其較佳被提供為（例如）炼融錫之流體喷射13。該噴射可具 有任何長度（例如約10 cm)，且具有大致U0 mmx約1 mm 或更小（例如，〇·〇3 mm至3 mm)之矩形橫截面。導電噴射 可加以隔離或保持在接近最近電極電位之電位處以最小化 經過其之寄生放電電流0 I， 、 注思’流體喷射本身為自US 2006-0011864而已知的， 5亥案揭示成流體喷射之形式的電漿放電源中之電極，然而 並未揭示提供於一對電極中之一電極附近的一屏蔽件或至 少一流體喷射。因此，較佳地，如所說明，由相對地且大 體與電極5之縱向軸線平行地配置之一對流體喷射13提供 碎屑捕獲屏蔽件11。然而，在某些實施例中，有可能大體 上朝向電極5中之一者引導電漿產生，該電極將相應地為 〇 產生碎屑8之主要作用者。該等碎屑可在大小及行進速度 方面變化。舉例而言，吾人可具有如下微粒子：此等微粒 子為具有相對較低之速度的微米大小之粒子。另外，可產 生奈米粒子，其為具有通常相當高之速度的奈米大小之粒 子；原子碎屑，其為充當氣態粒子之個別原子；及離子， 其為已電離之高速原子。 在自束之後，電製將在整個放電區域中擴展，隨著其失 去能量而最終重組以形成大體上電隔離之氣體。僅可在達 成合適之條件時起始後續放電，且此等條件中之一者為電 126674.doc • 16- 200840423 極之間的區域之導電性。流體喷射13之一額外優點為，其 提供了可將帶電粒子重組成中性粒子以有效地局部中和電 漿之表面。此可用以增加電漿之重組率，且因此減少輻射 源之恢復時間，從而允許更快速之重複率，此有效地增加 EUV幸昌射系統4之輸出。 因此，每一流體噴射13之組態及配置可經最佳化以增加

重組率，一般而言為捕獲碎屑，在視線位置中捕獲碎屑， 或此等功能之任何組合。 注意，存在增加EUV源重複率之另一解決方案，亦即， 使用具有非常短之充電時間（〈〜丨微秒）的能源，此可能增 加系統之複雜性。 具體言之，流體噴射13可包含溶融錫，儘管其他材料 (ή如^括水或合適之液態氣體）對於提供相同重組效應 可能係可行的。亦已建議i減、液態氦及液減，儘ί 其在存在於放電源内之真空條件中可能不夠穩定。具有相 對較低之濟點的固體或流體之優點為其在使用期間可蒸發 且因此可能不會在系統中留下其他痕量。另外，可有利地 使用導電流體且I且離亲层制_糸纪 、且心軺射糸統以使該流體在使用期間保持 在接地電位處。 、☆流=射之優點為重組表面得以連續地替換且因此可耐 :非常南之熱負載。然而’在其他實施例中，有可能提供 :位於電極5附近而大體與以上參看圖2所論述相同之距離 :::且表面’但该重組表面並不由流體噴射形成，而由 -大體平行於電極縱向軸線移動之移動元件(未圖示)(例 126674.doc -17 - 200840423 如=向移動之金屬條帶）形成，且該重組表面可藉由在 -容器中提供冷卻劑而得以冷卻以引導該移動元件穿過。

在某些情況下’流體噴射可能不穩定__亦即，其可能自 發地分成具有大致等於噴射直徑之直徑的小液滴。:意 謂：僅在直徑相對較大(>〜05 mm)時，才有可能產生連續 噴射。因& ’可有利地使用有意地由可具有非常小且可控 大小之緊密間隔開之小液滴組成的噴射，且小液滴之間具 有可控距離。產生該等穩定小液滴鏈（4()微米直徑與約 微米距離）之能力在巴塞羅那舉行的EUVL讣會議 (會議7870，2006年10月 17 日）中由 David Brandt(會期 3曰s〇_ 〇4)提出以用作LPP EUV源中之雷射目標。 小液滴鏈之穩定性意謂：可取決於需最佳化之該等功能 態樣（重組及/或碎屑捕獲）而採用不同組態。圖13a至圖Ue 展示該等組態之實例。圖13a描繪一連續噴射丨3，其中重 組表面正在方向T上移動。圖13b描繪在方向τ上移動的小 液滴113之一穩定列，出於本發明之目的可認為該列為一 喷射13。小液滴鏈之穩定性意謂··此等鏈可彼此鄰近地定 位以在實施本發明時添加額外靈活度。圖1 3c展示小液滴 113之兩個相鄰鏈，其有效地產生一與圖13b之喷射13相比 在一個方向上延伸之喷射13。小液滴鏈之一缺點為碎屬具 有穿過流體噴射之可能路徑。圖13d及圖13e展示小液滴鏈 可如何相對於彼此在移動方向T上移位以為具有在圖中之 平面中的且垂直於噴射之移動方向T的執跡之碎屑有效地 產生一虛擬連續喷射13。 126674.doc -18- 200840423 注意，儘管諸圖展示直線移動τ，但實務上，在使用流 體噴射13時，軌跡將為彈道執跡。由噴射！ 3形成之重組表 面之路徑可經組態以在距自束一預界定徑向距離處穿過電 漿。在犧牲表面（例如，經預定以在此預界定徑向距離處 蒸發之流體噴射或固體顆粒）之狀況下，可將此等物質自 輻射系統之周邊朝向預定徑向距離處引導Q經組態徑向距 離將取決於用於喷射中之流體、喷射之數目、喷射速度、 放電之熱等。 舉例而言，考慮具有Qel=200 kW之電功率及v=2〇 kHz頻 率的euv源。輻射一半功率Qrad=100 kWa此輻射之特徵 時間為約τ = 5χ10·8 s。若小液滴具有V=30 m/s之速度及直 徑d = 50微米（實驗已展示在d>〜4〇微米處V=10 m/s係可能 的）。將小液滴置放於如下界定之體積中：φ=π sterradian EUV 聚集（cos(cp)=0.5)角 φ=π/3 及最小 Rmin=3 cm及最大 Rmax =4 cm(距自束之距離）。 小液滴之間的平均距離S為〇·1 cm，S2 = 0.01 cm2。接著 喷射之數目將為N=cp(Rmax2-Rmin2)/S2=700且金屬通量將為 Fm=N*V/S*d3/2=2.6 cm3/s 〇 小液滴將在距離L處在L=Rmin處之時間T：st=2L*tg((p)/V= 3.5e_3 s期間行進過聚集角。在其行進期間，將使其加熱 高 達 ^eQe^T^Tic^M/GTcLhCphdWhQ^tgk) /(V5151.3711^(3/(1) = 660 K。假定喷射中之流體為錫，則熱電 容將為 Cp=2.2 J/(cm3K)。 吾人亦可評估歸因於藉由輻射能量之脈衝加熱的小液滴 126674.doc -19- 200840423 之溫度上升。小液滴之受熱區域之深度hdr=(qCp,5=3.e_6 ㈣微米，在】_以抑w/(mK)。小液滴之溫度上升 將為 STimp=hdr Qrad/(2vTkXRmin2)::=34〇 κ。 小液滴之總温度將為初始溫度(Tini=600 K)與兩個額外溫 度之和：ωτ“+δτ一=16〇〇 κ。此溫度下之錫蒸氣密度 在1500 κ下為可忽略之〜1〇·2托。 亦可評估Ar電漿在小液滴上之重組率，此防止在開始起 始雷射束之前電極間間隙之崩潰。崩潰電漿密度之初始相 位將增加。若電漿之德拜半徑（Debye radius)(RD = 5〇〇 eV/ne，cm-3)G.5⑽）變得小於崩潰區域之特徵長度（在低密度 電漿之狀況下 >〜Rmin〜3 em)，則電漿中之電場在除了陽極 及陰極區域附近之外的每一處變小。電子具有大遷移率及 相當大之平均能量(〜5_10 eV)，因此其將小液滴充電高達 電漿電位（φ〜3-5 kTe〜30 V)。此小液滴之電場如下界定： Coulon低：E==(pd/2r2〜3〇 v/cm，其在約s/2之距離^上，及 對應於Ar離子之平均速度严2.e5 cm/s的平均離子能量為 eio^E + SM〜1 ev。發源於電離過程之離子具有低能量 <〜 0.1 eV。其意謂：具有小液滴之區域中的大多數此等離子 將藉由小液滴之電場而加速，且離子在小液滴表面上繼續 重組並釋放中性原子。 適當之重組率現可評估為：kree=1/Ti()n，其中 S/(2Vic)n)〜2e5e-7 s 且 krec=4.e6 s-1。應將其與電離率kiQniz= <ov>NAr=2.e-7*2.el3=4.e6 s·1相比或與 He之電離率 kHe 丁1^ ioniz -<〇¥»^=2.46-8*2』13 = 5义5 8-1相比。電子之電離將完全 126674.doc -20- 200840423 藉由電漿在小液滴上之重組而補償，藉此停止崩潰過程且 增加可能EUV源頻率。 取後兩個圖之間的差異展示為何在放電區域附近办為優 於Ar之更佳氣體，儘管Ar歸因於其使Sn離子偏轉之更佳能 力而為箔陷阱中之更佳氣體。 結果為藉由緩衝氣體之光電離及再充電而產生的電漿之 快速鬆弛。另外，歸因於緩慢離子在小液滴上之快速重 組，在由雷射脈衝起始放電之前陽極與陰極之間發生寄生 崩潰之風險可降低。另一優點可為來自主要放電之電浆碎 屑在小液滴上的部分聚集。 使用較小小液滴1 i 3 (諸如圖i 3 e中所描繪之小液滴）所具 的能力為液態金屬之所需通量得以顯著減少。另外，小液 滴之較小大小允許在圖3之碎屑收集組態中的不同小板} 4 之間的更小距離。舉例而言，在3〇微米之小液滴大小處 L〜300微米，其接近德拜半徑。此可以與圖4實施例（以下 加以論述）屏蔽液態小液滴之方式相同的方式增加喷射表 面上之電漿重組效率（其與〜1/L2成比例）。 若重組表面以EUV聚集角加以安置，則其應經組態以具 有高光學透明度。因此，可有利地使用圖na至圖l3e之小 液滴組態中的一者來修改圖3之配置，以致每一小液滴之 間的距離約與一小板14中之不同喷射13之間的距離相同且 約為不同小板14之間的距離。在此狀況下，吾人可具有幾 乎均質之小液滴雲，其歸因於其規則結構而對EUV仍然係 透明的。另外，應注意，較小的小液滴大小導致小液滴雲 126674.doc 21 - 200840423 之總的大小較小’因此可將其靠近自束置放（在^咖之^ 向距離幻，此處之高熱負載使得難以置放其他任㈣ 件0 含有若干連串小液滴之喷射或噴射狀結構可為a)液體或 固體；b)導電或不導電的；且〇由任何合適之材料製成。 此等因素並不顯著變更„在噴射或小液滴上之重組率__ 龟漿之重組在任何表面上非常快速。

緩慢電聚重組之問題並不適用於LPP源，因為在寄生電 崩潰的情況下並無問題。然而’可有利地採用電漿内之複 數個喷射以改良EUV透明度及因此改良輻射輸出。在高頻 EUV源（LPP或DPP)中，EUV源與任何收集光學器件之間的 錫蒸氣密度將隨頻率而增加，且可更改EUV透明度。噴射 或小液滴表面可用以促進錫蒸氣之快速冷凝，因此支持 EUV透明度。出於此目的之噴射或小液滴之密度可約為相 同值，此係由於與離子速度（〜3.e3 m/s)相比之較低錫原子 速度（〜3.e2 m/s)，及與在防止如以上所述之寄生崩潰時之 時間間隔（l.e-6 s)相比的較大時間間隔（l e-5 s)。 圖3示意性地展示本發明之一實施例，其展示一成複數 個流體噴射13之形式的屏蔽件，其相對於視線中介於電極 5之間的中心區域1〇而配置於徑向方向上。如以上所指 示，術語”流體喷射”亦包括成圖13a至圖i3e中所描緣的一 連串小緊密間隔開之小液滴之形式的喷射。在此狀況下， 藉由使用相鄰列來最佳化碎屑捕獲，在該等相鄰列_，小 液滴位置在移動方向T上移位（參見圖i3d及圖I3e)。在該 126674.doc -22- 200840423

實施例中，流體噴射13經提供為彼此鄰近且可大體對準以 =成相對於中心區域10而大體徑向定向之小板14的靜態組 態。儘管在本發明之-般情形内，較佳地，此等小板經定 向以針對-提供於小板14之間的視線而屏蔽電極5，但此 實施例亦可在小板㈣向以在提供於小板14之間的視線中 包括電極5的冑況下具有實際應帛。此等應_受益於流 體噴射13所提供之屏蔽件丨丨的熱負載容量。另一優點為喷 射13本質上不被碎屑沈積污染，因為喷射13為連續更新 的。此與將固體小板14(箔）用以提供對碎屑8之屏蔽之習知 箱陷解解決方案形成對比。此等習知小板因此可能遭受污 染’使得可能阻礙EUV輻射之適當傳輸。 坪言之，尤其對於以錫電漿操作之產生電襞之放電源4 而5，用於流體喷射之合適材料亦可為錫或包含錫之化合 物（諸如Ga-In-Sn)，其適於具有較低熔點及較易操作之= 性。此外’儘管圖3展示以大體圓形之形式被定尺寸之噴 射13的-實施例，但其他形式（包括條帶形式）可能係可行 的，因此提供包含成單一噴射之形式(大體為如圖4中所描 、、曰之形式）之小板14的屏蔽件丨丨。如熟習此項技術者將明 顯，彼此鄰近地安置複數個連串小液滴（如圖⑴至圖… 中所描繪)提供了額外靈活性以接近所需之任何所要橫截 面形式☆自之厚度可通常為0.5」匪，其猶厚於約 〇· 1 mm厚之習知箔屋洚 # 与度。注意，薄的液態箔論述於T.

Inamura^ H. Tamura . H. Sakamoto ^ ..Characteristics of

Liquid Film and Spray 响⑽ £麵 啡咖" 126674.doc -23- 200840423 (Journal of Propulsion and Power 19 (4)，623-639 (2003)) 中。在此出版物中，產生錐形箔。然而，較佳地，根據本 發明之一態樣，使用一狹縫形喷嘴（詳言之）以用於提供相 對於可形成自束之中心區10而徑向定向的筆直形態之喷 射。另外，此靜態實施例可與一本身已自EP1491963已知 之旋轉箔陷阱結合且亦當然與本文件中所述之其他實施例 結合。 圖4另外展示根據本發明之一態樣之另一實施例，其中 碎屑捕獲屏蔽件（以下亦指示為一箔陷阱丨5)包含相對於中 心區域10大體徑向定向之小板14的一靜態組態，其中小板 14經定向以針對一提供於小板14之間的視線而屏蔽電極 5。在此實施例中，至少一些小板具有固體性質，詳言 之，由用於所謂習知箔陷阱中之箔製成。注意，W〇 99/429〇4 A1 揭不一具有大體相同之組態的箔陷阱；然而，該公開案並 未論述到小板丨4經組態以針對以相對光軸之預定球面角所 提供之視線而屏蔽電極5且提供一孔徑至一在該視線中介 於電極之間的中心區域1〇。與如Epi491963中所揭示之類 型的習知旋轉箔陷阱比車交，此靜態箔陷阱組態可具有之優 點為其較易冷卻之特性，因為在一實施例中，可使用設計 於J板14上或其附近的靜態冷卻劑迴路來冷卻此靜態箱陷 阱、、且心由於5亥組悲為靜態的，因此，冷卻可簡單得多， 且因此，可易於將該組態按比例調節至輻射源之更高功率 位準。另夕卜，此組態具有無需移動部件之益處，此可提供 構造優點，因為小板14之所需強度及尺寸可具有不同於旋 126674.doc -24- 200840423 轉習知構造之數量級，旋轉習知構造需要諸如空氣軸承之 複雜部件及可财受施加於小板之離心張力的高張力材料。 因此’根據所建議之實施例，徑向定向之小板14針對自束 區U)，因此大體上不阻礙EUV輕射16之傳輸。此猪陷胖15 將在某些位置處被碎屑充滿，因此環繞光轴之緩慢旋轉 (例如’一天—次）可用以確定不會有碎屬污染下-落陷拼 15或其他光學11件。此可能係有用的，因為在-較佳實施 例中，光軸可相對於水平平面為45度。亦可在同心圓與板 之組合中設計此原理。另外’所描繪實施例之幾何形狀 (包括靜態徑向定向之小板14)可具有具有高氣阻之堆疊尺 寸，其中小板之間的距離可為約05_2mm，較佳則咖。 因此’可較易於截獲原子碎屑。又，高氣阻可有助於允許 之較低緩衝氣體壓力’此可導致產生較高效 率的EUV功率。通常，該緩衝氣體可為氬氣。 外除;7Γ狀參相邮圖12所㈣賴清洗技術之 1自、=經提供為具有多孔特徵的用於經由毛細作用 而自小板和除碎屬之材料。舉例而言，藉由 特徵之箔材料（例如，燒結 八夕 排淨（或將其缓衝於可交換元件中/自先徑取出錫且將其 ^ ^ ^ ^ , 、 中）。因此，碎屑抑制系統 增加，且歸因於箱陷牌清洗之停工時間可最小 除以上所論述之清洗技術 經由小板之機械激^自η糸統可包含一用於 / · 自小板移除碎屑的激勵哭 (—(參見叫舉例而言，藉由在臨時基礎上： 126674.doc -25- 200840423 夠〖夬速地旋轉模組（作為指示，為〜2〇〇〇_3〇〇〇 RpM)，錫可 被相關is旋轉，且可被收氣器18捕獲。最可能之回轉轴線 為光軸，但其他回轉軸線亦為可能的。旋轉與振動之組合 亦為一選項。因此，激勵器可包含一用於經由離心作用而 自小板移除碎屑之離心機及（有利地）一用於捕獲自小板移 除之碎屑8的收氣器丨8。 又，可在外部激勵（縱向波）箔，因此可存在在預界定方

°之錫机又’（方向性）加速/振動可用以給予整個模組 (非每獨立^ )激勵輪廓（excitation profile)(懸置於小液 滴之黏附/滑動效應之間）。 圖5揭示參看圖4所述之配置之另一實施例。在此實施例 中偏轉電磁場單元19安置於電極5與一屏蔽件（在此實 施例中被說明為箱陷㈣）之間。藉由施加電磁場，可使 自碎屑產生區9行逸夕雜f g 1 ^ ▼電碎屑粒子8偏轉，此因此可用以 實際上擴展EUV輻射產生自束區1()與碎屑產生區9之間的 距離(如將參看圖7更清晰地闡明)。在圖5中，由相對於光 Γ:置之一對電極20產生偏轉場。因此，產生可藉以使 T電粒子偏轉之靜態電場。 二圖6中’與圖5中所描繪之實施例形成對 之實施例之外，歸因於環繞光抽3配置之磁體元 ΓΛ)’將電磁偏轉場提供為靜態磁場η。對於此 的參見圖8。儘管各種靜態場組態係可行 以使^體^ 定之場提供為四極場，該四極場經配置 在朝向光學系統（未圖示）之方向上行進的大體上 126674.doc -26 - 200840423 所有帶電粒子8朝向平面22偏轉，平面22係沿徑向定向之 小板14及大體平行於電極5之長度軸線而定向。較佳地， 亦如圖中展示，此平面22係沿光軸3而提供。然而，有可 能選擇另一區域，其更偏離軸線以使粒子朝向其偏轉。因 此，可更易於使帶電碎屑粒子朝向屏蔽件丨丨之小板14偏 轉，此實際上增加了電極5之間的距離。因此，可能需較 乂的小板14以達成給疋程度之碎屑抑制。因此，典型距離 (、 可在〇.5 mm與3 mm(較佳約2 mm)之範圍内。此顯著增加 了箔陷阱之光學傳輸。 圖6中之操作原理如下。矩形1〇指示在缺乏磁場時箔陷 阱之可接受寬度且因此其大體對應於一產生EUV輻射之區 10。然而，如執跡23所說明，產生於區1〇之邊緣附近（相 應地，自一碎屑產生區9產生）的粒子8可不受阻礙地行進 過屏蔽件（在此實施例中被說明為箔陷阱15)而不被攔截。 藉由施加如所指示（以習知箭頭指示）之類型的磁場，使 t 該等碎屑粒子8朝向光軸3偏轉。舉例而言，可使具有軌跡 23之粒子偏轉以使其跟隨實線24且不再傳輸過箔陷阱Η。 在匕係因為在進入箔陷阱時’粒子看似發源於一在可接受寬 度10外之-點（如另一虛線25所指示）。換言之，磁場之施 •力口有效地縮小了屏蔽件之有效可接受寬度，該寬度界定一 可使碎屑粒子不受阻礙地進入系統之區。因此，㈣給定 尺寸設計之可接受寬度而言，可藉由減少小板數目及 施加磁場來改良光學傳輸。 在缺乏磁場時箔陷阱可 丨j丧又覓度的典型距離可在自 126674.doc -27- 200840423 0·5 mm至2 mm(較佳1 mm)之範圍内。對於典型箱陷阱尺 寸（相對於中心區10，内徑30 mm，外徑139 mm)而言，此 導致具有137個箔的箔陷阱具有大致63%之光學傳輸。如 圖展示，在一較佳實施例中，小板14之間的距離d、d，可變 化，其中朝向光軸3之距離d通常可相對於遠離光軸3之距 離心有所增加。

圖7展示可如何藉由施加磁場來使粒子之源（亦即，碎屑 產生區9)實際上移位經過距離d而至一虛擬碎屑產生區9,。 相應地，有效可接受寬度減小。 在存在磁場B時，具有電荷g及速度v之粒子經受由下式 給出之勞倫兹力（Lorentz force) (1) 因此，若磁場之方向垂直於速度，則粒子跟隨具有等於 下式之半徑及的圓形執跡

R mv (2)

在本發明實施例中，歸因於磁場之角偏轉^^取決於所施 加場之跨越距離，其大致等於箱陷阱之内徑r〇。如圖3中 所示，偏轉角由sin α = r〇/i?給出。粒子之表觀脫離點相應 地移位經過由下式給出之距離J d = r〇sin«-i?(l-cosa) 其對於小α值而言減小至 d

2R (3) (4) 藉由替代方程式（2)，吾人得到使位移j與碎屑粒子之特 126674.doc -28- 200840423 徵參數分、m及v相關的以下表達式： J = ^〇l 2mv (5) 、=用永久磁體或電磁體，可相當容易地達成為約丨丁之 磁场。當施加磁場以使得對於某—類型之碎屬而言位移d 等於〇·5 _時’與較早提及之1 mm之可接受寬度值比 $，對於彼碎屑之可接受寬度相應有效地減小為2分之丄。 二人因此可建構一具有2 mm之可接受寬度的箔陷阱且仍獲 付相同程度之碎層減輕。該箱㈣可僅具有69個箱及70% 之光學傳輸。因此，光學傳輸藉由施加磁場而得到顯著改 良。 * 圖8展示沿電極5及磁體26之四極磁體組態之光軸所見的 別視圖。在此組態中，相反磁體26之南北線交替且大體平 龟極5之縱向軸線而定向。因此，產生一跟隨圖6中所 描繪之定向的磁場，亦即，該磁場之大體方向在光軸3之 任一側上在大體與電極之長度軸線平行之平面中，以使粒 子向内朝向與光軸3同軸之平面22偏轉。因此，對於典型 組態而言，帶正電粒子被聚焦至垂直平面（藉由在水平方 向上聚焦及在垂直方向上擴展）。或者，可藉由將兩個相 Π磁極置放於光轴之相對側上來獲得一類似（但經較差界 定）偏轉場。 圖9展示參看圖4所述的大體徑向定向之小板14之靜態組 憑的另一實施例。在此實施例中，代替固體單片小板Μ， 在至i小板14中’提供大體橫向於小板14而定向之橫 杯27。如自EUV源4所見，此實施例可提供對其他下游小 126674.doc -29- 200840423 板14之熱隔離除此之外’可能藉由較佳相對於源4 在小板14近端側上施加如圖3中所示之流體噴射，而進一 乂吕理對小板14之熱負載。另外，可引導氣體穿過小板 14之橫桿27,氣體28(例如，氫自由基氣體）可用於小板14 之清洗㈣。因此，可清洗小板14以防止碎屑沈積於小板 14上，從而防止EUV光將不再能夠穿過小板。較佳地，清 洗箔陷阱而無需自系統取出箔陷阱。所示箔陷阱實施例中 之額外橫桿的原S,亦可用於其他類型之落陷牌，詳言之， 用於非靜態箔陷阱中。 除此之外，或替代地，橫桿可用作緩衝氣體以在小板内 側之區内提供缓衝氣體區，以便能夠進一步截獲（例如）可 能擴散過小板14且可能引起對提供於下游之光學系統（未 圖示）造成污染之中性奈米粒子。圖9A展示一具有橫桿以 之實施例的側視圖，其可對導線29及小板部件3〇進行交替 使用。 圖9B展示一僅具有導線29之實施例；以提供一類似於圖 3中所描繪之流體噴射組態的組態。圖9C另外展示圖中 所描繪之小板實施例的大體沿平行於電極5之長度軸線之 軸線所見的俯視圖。圖9B之更開放結構在整合基於氫自由 基之泊陷阱清洗時具有優點，因為其變得較易於將反應性 Η自由基帶至箱表面，且變得較易於將反應產物傳送出猪 fe阱15。然而，缺點為箔陷阱丨5之流動阻力變得較低，此 可能使得較難以達成高的緩衝氣體壓力。因此，吾人需最 佳化小板中之開口之量。如圖9A中所示，該較佳實施例因 126674.doc -30- 200840423 此在大多數狀況下為部分開放之箔結構。此外，在一較佳 實施例中，藉由提供一電流源3 1來使η清洗與諸圖中所示 之導線結構整合，該電流源3 1連接至一小板14之至少一些 導線29。小板中之至少一些導線29現互連以便允許電流同 時流經若干導線29。使用足夠高之電流（例如，對於〇·4 mm厚之導線，2〇 A)，導線將形成將達到約2〇〇〇。(；之溫度 的長絲，在該溫度下通常H2分子將解離，而產生η自由 基。此等Η自由基可接著與Sn反應以形成被抽出系統之氣 態SnH4。為了添加H2至系統，該實施例因此進一步包含 H2氣體入口 32且該實施例包含一用以自系統移除氣體之 真空泵33(如圖9C中所示）。 或者，有可能使用蒸發而自俘獲屏蔽件移除碎屑。圖1〇 展不一計算之圖表，該計算經執行以對於在2〇〇它至8㈧。c 之範圍内的溫度計算錫及鋰之移除速率。另外，對於錫而 言，對於約900 K之溫度計算出約〇.丨奈米/小時之移除速 C 率，且對於約1400 K之溫度計算出約1E5奈米/小時之速 率，幾乎呈指數增加。因此，在介於此等溫度值之間的範 圍内，藉由提供一加熱系統（其可為EUV源4)，可選擇性地 力:熱碎屑捕獲屏蔽件(詳言之，為如圖4中所示之種類的绪 ㈣15)以使碎屑屏蔽件之溫度升高至用於自碎屑捕押屏 蔽件蒸發碎屑之溫度。另外，提供一氣體供應系統，訪 在使用中用來在小板之間提供緩衝氣體流，且其可離線用 於/月洗目的，詳言之，用於提供命 捉併用以抽工自碎屑捕獲屏蔽 件療發之碎屑的氣體流。對於錫電漿源而言，碎屑捕獲屏 126674.doc _ 31 · 200840423 蔽件之一特定較佳升高溫度出於離線清洗目的可為至少 900 K。相應地，可提供一替代物用於化學反應性清洗， 其對光學器件系統可能有害。對於小板14之94〇 K(66rc) 之溫度，0.4奈米/小時之錫蒸發率可為可達成的。 有利地，可使用鋰電漿源，因為鋰具有顯著高於（高约9 個數量級）錫之蒸氣壓力且因而亦具有顯著較高之移除速 率（0.4奈米/小時之移除速率需要僅55〇尺(277。〇)之溫度” 此允許在顯著低於被錫污染之表面之蒸發清洗之溢度下應 用對被鋰巧·染之表面的蒸發清洗；對被鋰污染之收集器外 殼進行蒸發清洗係可行的。 圖11展不以上參看圖10所解釋之清洗原理的一般示意性 說明：詳言之，加熱小板14,以使得沈積於其上之碎屬8 將被蒸發。藉由沿小板14提供—氣體流34，將自小板運走 已蒸發^碎屬（例如，㈣氣35)，經由此行為可清洗小 板。儘管已參看沿H陷牌之小板14之氣體流解釋了圖^， 但清洗原理一般可用以清洗EUV鏡面表面，詳言之，為下 游光學元件（諸如收集器元件）之EUV鏡面表面。 在圖η中’加熱待清洗之物件(小板14或鏡面光學器们 同時氣體在鏡面上流動以便傳送錫蒸氣而使其離開鏡面。 可以-加熱元件進行加熱，但亦有可能暫時減少對物件之 有效冷卻’且使用由EUV源產生之熱。 在圖12中，此技術用於一 EUV微影術裝備之收集 在此實施例中’逐-加熱收集器外殼，以便自收集料咬 之反射側錢錫’且將錫蒸氣沈積在收集器外殼下方之^ 126674.doc -32- 200840423 側上。當加熱收集|§外殼3 7時，將通常在外殼之兩側上蒸 發錫。此意謂：外殼之背側亦將蒸發錫且將此錫沈積在收 集器外殼上方之反射表面上。為防止此，較佳地首先加熱 中心外殼，且接著繼續（加熱）下一外殼等。因此，藉由以 正確次序清洗收集器外殼且同時控制收集器外殼之溫度， 有可能最小化反射表面上之（再）沈積。

儘管本文中可特定參考微影裝置在製造IC中之使用，但 應理解，本文中所述之微影裝置可具有其他應用，諸如積 體光學系統之製造、用於磁疇記憶體之引導及偵測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項 技術者將瞭解，在該等替代應用之情境下，可認為本文中 對術語"晶圓"或’，晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基 板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後，在（例如）一 執道（通常將抗㈣層、塗覆至基板且顯影所曝光之抗钮劑 的工八）度里工具及7或一檢驗工具中處理本文中所提 及之基板。在適用_ ’可將本文中之揭示内容應用至該等 及其他基板處理工具。另外，可對基板進行—次以上之處 理’⑼如_更產生多層IC’使得本文中所使用之術語基 板亦可指代已含有多個經處理層之基板。 在情境允許時，術語"透鏡"可指各種類型之光學組件中 之任-者或其組合’光學組件包括折射、反射、磁性、電 磁及靜電光學組件。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，熟習此項 技術者將顯而易見，在不脱雜 ^隹不脫離以下所陳述之申請專利範圍 126674.doc • 33 - 200840423 之範轉的情況下，可對所述之本發明作出修改。 【圖式簡單說明】 ^ 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置· 圖2描繪根據本發明之一態樣的圖丨之微影褒置之輻射系 統之一示意性第一實施例； 圖3示意性地展示根據本發明之一態樣之第二實施例； 圖4展示根據本發明之一態樣之另一實施例； 圖5展示參看圖4所述之配置之修改體； 圖6展示參看圖4所述之配置之一替代修改體； 圖7示意性地展示來自EUV源之碎屑之偏轉原理； 圖8示意性地展示用於提供碎屑偏轉之四極磁體配置； 圖9A至圖9C說明圖4之配置之另一實施例； 圖1 〇展示關於對輻射系統之熱清洗的圖表； 圖11及圖12展示關於圖1〇提及之熱清洗原理的實施例； 及 圖13a至圖I3e展示連續的小液滴流體噴射之實施例。 【主要元件符號說明】 1 輻射系統 2 輻射光束 3 光轴 4 放電產生之電漿（DPP)源/產生電漿之放電源 /EUV 源 5 電極 6 雷射 126674.doc -34- 放電 碎屑/碎屑粒子 碎屑產生區 虛擬碎屑產生區 自束區 屏蔽件 孔徑 流體喷射 小板 箔陷阱 EUV輻射 激勵器 收氣器 偏轉電磁場單元 電極 靜態磁場 平面 軌跡 實線 虛線 磁體元件/磁體 橫桿 氣體 導線 -35- 200840423 ( 30 小板部件 31 電流源 32 H2氣體入口 33 真空泵 34 氣體流 35 錫蒸氣 36 收集器 37 收集器外殼 113 小液滴 B 磁場 B 輻射光束 C 目標部分 d 距離 d 距離 d丨 距離 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統（照明器） Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化元件/光罩 MT 支撐結構/光罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 126674.doc 36- 200840423 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 r〇 箔陷阱之内徑 R 半徑 SO 輻射源 T 移動方向 W 基板 WT 基板台 126674.doc -37

Claims (1)

1. 200840423 十、申請專利範圍： 該輻射系統包 1 · 一種轄射系統，其用於產生電磁輻射， 含： 一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之一 電漿及在該電漿中之一自束；及 、 一電漿重組表面，其鄰近該自束而配置，該電漿重組 表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子。 如請求項1之輻射系統，其中該電裂重組表面經配置以 2. 其中該移動係在一直線上或在 其中該電漿重組表面係由包含 用於穿過該電漿之移動 3·如請求項2之輻射系統 一彈道軌跡上。 4·如請求項1之輻射系統 一第二物質之一固體或一流體界定 5. 如請求項4之輻射系統，其中該電漿重組表面為一流體 噴射。 ’低 6. 如請求項5之輻射系統，其中該流體噴射包含 液滴。 、月求項6之輻射系統，其中該流體噴射包含大體上彼 平行且郇近地配置之一或多個連串小液滴。 一 8· ^求項7之輻射系統，其中該流體嘴射包含兩個或兩 個以上i查由t _ 串小液滴，其經組態以致來自相鄰連串小液滴 的位置相對於彼此在移動方向上移位。 9如明求項4之輻射系統，其中該固體或該流體經組蝮及 經配置以絲甘 、〜 致其將在使用中在該穿過該電漿之移動期間蒸 126674.doc 200840423 發。 其中該第二物質係選自由下列 氬、乱及其任何組合。 其中該第二物質與該第一物質 1〇·如請求項9之轉射系統 各物組成之群：水、氮 U.如請求項4之輕射系統 相同。 12. 如請求項4之輻射系統， 〃 各物組成之群. 八中。乂苐一物貝係選自由下列 匕地其任何組合。场錫化口物、鎵、銦、Ga- 13. 如請求項4之輻射系統 該輻射系統經也能…：物貝為導電的’且 -接地電位處。 錢用中保持在 汝"月求項1之輻射系統，其中該電漿重组# 大體與該等雷搞… U漿重、、且表面相對地且 、電極之一縱向軸線平行地配置， 步經建構及經配置以形成一碎屬捕獲屏蔽件。 月求項1之輪射系统，其中該自束與該電漿重組 之間的徑向距離在大致20mms50mm之範圍内/ 16. 如請求们之輕射系統，其中該系統包含相對於該自束 配置於彳泛向方向上之複數個電漿重組表面。 17. 如請求項1之輻射系統，其中該電磁輻射形成一界定一 光軸之光束，且其中該電漿重組表面包含於一用於自該 等電極捕獲碎屑之碎屑捕獲屏蔽件中，該碎屑捕獲屏蔽 件經組態以針對以一相對該光軸之預定球面角所提供之 一視線而屏蔽該等電極且提供一孔徑至一在該視線中介 於該等電極之間的中心區域。 126674.doc 200840423 18· —種輻射系統，其用於產生電磁輻射，該輻射系統包 含： 一對電極，其經建構及經配置以產生一第一物質之一 電漿及在該電漿中之一自束； 一電漿重組輪廓，其部分地由該等電極之表面界定， 在該電漿重組輪廓處自該第一物質產生之大體上所有電 漿得以中和；及 一電漿重組表面，其經建構及經配置以中和複數個電 漿粒子，該電漿重組表面可安置於一在穿過該自束之一 徑向軸線上的點處，纟中該點安置於該自束與一在該徑 向轴線與該電漿重組輪廓之間的交點之間。 19. 如請求項18之輻射系統’其中該電襞重組表面經配置以 用於穿過該電漿之移動。 20. 如請求項18之H射系統，其中該輕射系統進—步包含經 建構及經配置以收集由該自束發射之輕射的—或多個光 子兀件”中5亥等光學兀件之表面進_步界定該電漿重 組輪廊。 21·如請求項18之輻射系統，其中該輻射系統進—步包含一 污染物障壁，其中該污染物障壁之表面進—步界定該電 漿重組輪廓。 22. —種微影裝置，其包含： 一輻射系統，其經建構及經配置 該幸昌射系統包含： Μ、幸§射光束， —第一物質之 一對電極，其經建構及經配置以 126674.doc 200840423 一電漿及在該電漿中之一自束；及 一電漿重組表面，其鄰近該自束而配置，該電漿重 組表面經建構及經配置以中和複數個電漿粒子，· 一照明系統，其經建構及經配置以調節該輻射光束； 一支撐件，其經建構及經配置以支撐一圖案化元件， 該圖案化元件能夠在該輻射光束之橫截面中賦予該輻射 光束一圖案以形成一經圖案化之輻射光束； 一基板台，其經建構及經配置以固持一基板；及 一投影系統，其經建構及經配置以將該經圖案化之輻 射光束投影至該基板之一目標部分上。 23. -種用於改良一產生電磁輕射之輕射系統之重複 法，其包含： 提供一包含一由一陽極及一险搞w 苟極及陰極界定之放電空間的知 射系統； Μ 供應一第一物質至該放電空間； 在該陽極及該陰極上福彳i£ _於+ ?上従仏放電電壓以產生該第_ % 質之一電漿； 刊 在該電漿中形成-自束效應以產生電磁輻射；及 向該輻射系統提供一電漿重組表面以中和複數個電將 粒子。 K 126674.doc -4-