TW200836473A - Broadband low noise amplifier - Google Patents

Description

200836473 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於射頻信號之放大。 【先前技術】 夕種應用需要射頻（RF)信號之以最小雜訊之放大。可經 由單端輸入或差動輸入接收信號，且經常應以低功率執行 此等放大過私。至高頻寬之放大亦可係所欲的。通常，低 雜訊放大器提供放大電路之雜訊自放大電路之阻抗的至少

一些解耦合。然而，此解耦合經常需要高功率。需要用於 跨導及低雜訊放大之改良之電路。 【發明内容】 貫施例包括一種跨導電路，其具有一 η型電晶體及

Pi 電晶體’ #中該!!型電晶體之源極連接至該p型電晶體之 極’且安置一或多個電阻性負載。每一負載連接至㈣ 晶體或P型電晶體线極，且每—負載允許—電流之通 而不會限制電流。—橋接器可將—端連接至至少-源極 將-至電路之輸入連接至至少一閘極，且將一自電路之: 出連接至至少一沒搞。於 及極輸入及輸出連接係進行至連接至. 負載之電晶體。 在其他實施例中，提供包括η型及p型電晶體之跨導 Γ η型電晶體之源極連接至㈣電晶體之祕。存在- 多個電阻性負载，且每_ 子隹 每ϋϋ "、载連接至任一電晶體之汲極 母負載允4一電流之通過而不 將一端連接至至少m &橋接益 主冤路之輸入連接至至: 125207.doc 200836473

一源極，且腺_ A 晶體的至/ 出連接至—連接至—負载之電 日日篮的至少一汲極。 源導^路及跨導70件之各種實施例可能不需要-電流 杏 > 種貝％例中，不同電路之橋接器可彼此連接。在其 他貝施例中，橋接器連接兩個不同電晶體之不同組件（例 如，將一電晶體之-源極連接至另一電晶體之一閑極卜 在各種只知例中，橋接器可包括一具有一阻抗之調譜塊。 在某些實施例中，藉由在一橋接器、反饋電路、輸入端 及/或輸出端中併人—調諧塊來提供調諧，且在某些狀況 下4 ,周„白塊可實體地安置於上面製造電路之晶片外部。 一些貫施例提供-種交又_合跨導元件，其具有一輸入 端及輸出4。該跨導元件包含兩個跨導電路，且每一電路 包括11型與？型電晶體，且η型電晶體之源極連接至p型電晶 體之源極。-至跨導元件之輸人連接至至少—源極，且一 至跨導元件之輸出連接至至少一汲極。電晶體之沒極與間 極一樣相連接。一橋接器將第一電路之一閘極連接至第二 電路之一源極，且另一橋接器將第二電路之一閘極連接至 第一電路之源極。在一些實施中，裝置可用作單端至差動 轉換器。在其他實施中，裝置可提供雜訊消除。在各種實 施例中，可併入一具有一阻抗之調諧塊。 某些實施例提供一種調諧跨導元件，其具有一輸入端及 一輸出端。該跨導元件包括兩個跨導電路，其中之每一者 含有一 η型及一 ρ型電晶體。一至元件之輸入連接至至少一 125207.doc -6- 200836473 閘極’且-至元件之輸出連接至至少—祕。在每一電路 中，η型電晶體之沒極連接至㈣電晶體之汲極，且η型電 a體之閘極連接至?型電晶體之閘極。一橋接器將一電路 之一源極連接至另_電路之—源極，且在—些實施例中 此橋接器可包括-具有-阻抗之調諧塊。 各種實施例提供—種調料導元件，其包括-第一及第 二跨導電路。每-電路包括-第-η型電晶體及一第二_ %日日體且至疋件之輸入連接至第一電晶體之閘極。一 至疋件之輸出連接至第―電晶體之汲極。第—電晶體之源 ，在-接合點處連接至第二電晶體之沒極。—電阻器連接 弟一電晶體之沒極及第二電晶體之閘#，且—電容器連接 第二電晶體之問極及接地。元件提供—連接每—跨導電路 之接合點的橋接器。在—些實施财，該橋接器包括一具 有一阻抗之調諧塊。 :些實施例提供一種調諧跨導元件，其包括第一及第二 5導電路每f路包括—n型及電晶體，且此等電 晶體之汲極相連接。—至元件之輸人連接至至少一源極， 且一至元件之輸出連接至至少一汲極。在每一電路中，η 型電晶體之閘極連接至ρ型電晶體之閘極。元件亦包括— 將第-電路之至少一閘極連接至第二電路之至少一閘極的 橋接器。在-些實施例中，該橋接器包括—具有一阻抗之 調諧塊。 某些實施例提供一種低雜訊放大器。各種低雜訊放大哭 之組件包括各種料電路及跨導元件。低雜訊放大器亦包 125207.doc 200836473 括一或多個反饋電路，其中之每一者包括一電阻器。每一 反饋電路將一輸入端連接至一具有相反極性之輪出端。一 般而言，包括於一反饋電路中之電阻器可為可切換電阻 器’且在-些實施中’反饋電路中電阻之切換可用以修改 增益同時將裝置之阻抗維持於所要值。在某些實施中，反 饋電路可包括-具有-阻抗之調諧塊。任何此等調譜塊可 用以調諧電路、元件、放大器或併有調諧塊之其他裝置。 對於各種實施而言，一調諧塊可位於一遠離所調諧之電路 實體地安置的位置中。 某些實施提供以各種電路、元件及放大器將一緩衝電路 併入。m施财，反料料包括環繞該緩衝電路 之反饋。 -些實施例提供-種調諧電路’其用以根據該調諧電路 之阻抗及電容而調諧一電路對一所關注之頻帶之回應。碉 諧電路藉由將一電晶體之源極、汲極或閘極連接至另一電 晶體之源極、汲極或閘極來連接兩個或兩個以上電晶體。 調諧電路包括-具有-阻抗之調諧塊。在各種實施例中， 提供在兩個電晶體之間進行並聯連接之多個調諧電路。藉 由在每一調諧電路中併入具有不同阻抗之調諧塊，電路; 根據每一調諧電路之阻抗而經調諧以回應多個頻帶。可併 入大量調諧電路，從而在大量頻帶中提供經調諧回應。幵 其他實施例提供一種低雜訊放大器，其包括一共閘極詼 V元件。該放大器亦包括兩個或兩個以上反儀電路。 饋電路將一至元件之正輸入端連接至一負輸出端，且另一 125207.doc 200836473 反饋電路將一至元件之倉 ^ ^ , Λ 負輸入编連接至一正輸出端。反饋 黾路包括反饋電阻器。帝一 ^ ^ ^ 反饋电路一叙可包括旁路電容器。 反饋電路亦可肖；I , 匕祜具有一阻抗之調諧塊。 某些實施例提供一錄+ 種电流至電壓轉換器…電流至電壓 轉換為可包括一共閘極羚 . 5 ¥ 70件、一連接至該共閘極跨導 凡件之共源極跨導元件及舍一 十次匕括反饋電阻器及（視情況）一 電谷斋之至少一反饋電 ^ ^ 貝私路。一反饋電路將一跨導元件之至 少一輸入端連接至一呈古 具有相反極性之輸出端。在一些實施 例中’電流至電壓韓拖哭、介七k ^ 锝換杰亦包括一緩衝電路，且此緩衝電 路亦可包括與其他跨導元件連接之反饋電路。 其他實施例提供—種低雜訊放大器，其包括-連接至-共閘極跨導元件之第―、共源極跨導元件。-第二共源極 跨導7L件連接至共閘極跨導元件。包括一反饋電阻器之至 少一反鎮電路將任何跨導元件之輸入端連接至另一跨導元 件之輸出端，輸入端與輸出端具有相反極性。低雜訊放大 器之某些實施例包括—緩衝電路，且在—些實施中，反饋 電路可包括該緩衝電路。 其他實施提供一種緩衝電路，其包含一 η型電晶體及一 p 型包晶體。該等電晶體之源極由一電阻器連接。源極亦由 一電容器連接。一至電路之輸入連接至至少一閘極，且一 自電路之輸出連接至至少一源極。 各種貫施例提供一種調諧交又耦合電晶體電路，其包含 兩個電晶體。第一電晶體之閘極由一橋接器連接至第二電 晶體之源極，且第二電晶體之閘極由一橋接器連接至第一 125207.doc 200836473 電晶體之源極。該等橋接器包括調譜塊，且每一調譜塊具 有一阻抗。 其他實施例提供-種主動電阻性負載電路，其能夠使電 流通過而並非電流限制的。_電路可包括—具有一連接至 一電源或連接至接地之源極的電晶體。—電容器連接電晶 體之源極及閘極’且一電阻器連接電晶體之閘極及汲極。 電路提供-負載所至之-裝置可連接至電路之沒極。 其他實施例提供一種纏繞電路（wrapping 士⑶⑴。在一 些實施中’-纏繞電路可提供—裝置與—電路中之諸如接 地或電源之另一組件之間的高阻抗連接。其他態樣可保護 該裝置免受接地雜訊或電源雜訊。一纏繞電路可包括一電 晶體’且該電晶體之源極連接至諸如接地或電源之組件。 電晶體之汲極連接至所纏繞之裝置之第一接頭。纏繞電路 亦包括一電容器。該電容器在一第一端上連接至組件，且 在-第二端上連接至電晶體之閘極。_t阻器在―第一端 上連接至電容器之第二端’且電阻器在一第二端上連接至 裝置之第二接頭。 本發明之各種實施例可提供匹配至天線、濾波器、雙工 器或其他上游信號源的阻抗。可提供寬頻放大及調譜放 大。在調譜放大之狀況下’諸如電感器之大組件可離開晶 片定位。可放大差動輸入及單端輸入。在單端輸入之狀況 下，與其他放大器及跨導元件相比實施可較免除接地雜 訊。 之輸入處可係南的 些跨導元件之線性特別在零附近 125207.doc -10- 200836473 Λ丨生對於同頻覓亦可係咼的，且在一些狀況下，此可減少 在頻域中額外頻調之顯示。在跨導元件之一些實施例中， η型與ρ型電晶體對正與負輸入信號起作用。 可以最小雜訊添加放大輸入信號。對於調諧應用而言， 僅在已凋為頻帶中執行放大；而不放大該頻帶外部之雜 訊。增盈可維持至高頻率，且在_些實施例中，存在高信 雜比在不折衷增益的情況下進行雜訊產生。態樣以高Q 為特徵，且額外濾波可用以進一步銳化Q (若如此需要）。 各種實施例可提供非常低之輸出阻抗，其在與具有高頻 率雜訊之下游組件組合時可係有用的。其他實施例提供高 擺動（在一些狀況下，執至軌（from rail to rail))。 另外其他實施例提供可由使用者切換之可變增益，且可 使得裝置使用低功率要求來操作。 【實施方式】 通Θ ’射頻信號（在其已由適當天線裝置接收之後）之寬 頻放大係指在比與特定通信協定相關聯之典型頻帶（例 如’類比TV頻帶、CDMA頻帶、GSM頻帶、GPS頻帶、 802· 11頻f及其類似者）大得多之頻率範圍内的放大。因 此’’寬頻’’包括自1 Hz之部分至至少4 GHz之部分的頻 率。本發明可將放大延伸至遠遠超過4 GHz，且目前受用 於電路製造之製程技術（例如，用於CMOS電路之CMOS製 程技術）限制。隨著製程技術改良，預期本發明放大在6 GHz、12 GHz、24 GHz或甚至更高之頻率處之信號。 圖1為根據本發明之一實施例之低雜訊放大器（LNA) 1 〇〇 125207.doc •11· 200836473 的方塊圖。LNA 100包括具有反饋組件iso之LNA核心110 及橋接器170。在此實例中，橋接器170之一部分在LNA核 心110内部且一部分在LNA核心110外部。一般而言，在本 文中使用標準（+)及㈠符號來區分諸如低雜訊放大器 (LNA)、運算放大器（op_amp)、跨導元件及其類似者之每 一放大組件以表示由裝置在輸出之前對給定輸入信號執行 的反轉（或其缺乏）。 封裝102包含LNA核心11〇及自封裝1〇2外部提供電接觸 點至封裝102的若干襯墊120。在此實例中，襯墊120提供 A/C信號之輸入以及至橋接器} 7〇之位於封裝} 〇2外部之部 分的連接。因此，在此實例中，橋接器17〇之一部分經過 封裝102外部。橋接器1 70包括電容器162及調諧塊172。為 達成說明之目的，在圖1中展示電容器162及調諧塊172之 右干可肖b位置。橋接器170可包括位於LN A核心11 〇外部之 電谷态162及調諧塊1 72，然而任何及/或所有此等組件視 需要可位於LNA核心110内部、位於封裝1〇2上或位於封裝 102外部。因此，圖26展示作為封裝1〇2之部分且作為[ΝΑ 核心11〇之部分的調諧塊ι72及電容器162，然而橋接器17〇 之典型例子將未必使所有此等組件位於在圖丨上說明之所 有位置中。 調諧塊172可具有提供寬頻放大之零阻抗（亦即，為簡單 連接）。對於經調諧應用而言，調諧塊172可包括一阻抗電 路及/或可包括一電感器。對於包括阻抗電路之調諧塊 172的一些實施例而言，將調諧塊172定位於封裝1〇2外部 125207.doc • 12 - 200836473 可係便利的。橋接器！7G可包括可位於封裝1Q2外部或位於 封裝102内部或甚至位於與LNA核心11〇相同之晶片上的其 他組件(例如，電容器)。儘管橋接器170可用以將LNA 100 調譜至特定頻帶，但橋接器17()亦執行其他功能，且其因 此—般為LNA 1〇〇之組件，即使LNA⑽可用於寬頻放大 (亦即，未被調諧）。 圖1亦％明併入調諳的若干替代性選擇項。調諧塊172及 私谷為162可併入輸入信號路徑中之任一者或兩者中。在 圖1中，藉由調諧塊172及電容器162在In+ 13〇信號路徑中 之可選併入來說明此併入之一實例。如稍後所論述，諸如 調諧塊172之調諧塊及諸如電容器162之電容器亦可併入一 或多個反饋電路中。在任何此等調諧組態中，調諳塊172 及/或電容器162可併入至上面製造乙]^八核心11〇之晶片上、 至封裝102上或封裝102外部。另外，其他放大器、跨導元 件、跨阻抗元件或其他電路亦可藉由併入本文中所述之調 咕塊1 72及/或電容器1 62之任何實施例而加以修改以提供 調諧回應。 正電壓輸入In+ 130係至LNA核心11〇之一輸入。負電壓 輸入In- 140係至LNA核心11〇之另一輸入。In+ 13〇及Ιη· 14〇接收輸入信號（例如，來自天線、濾波器、雙工器、電 感器、電阻器或其他上游組件）。Ιη+ 13〇與111- 14〇之組合 可用以接收差動輸入。視情況，Ιη+ 13〇或111_ 14〇中之任一 者可接地以提供單端輸入（至未接地輸入中）qLNA 100之 輸出係經由Out+ 150及Out- 160。〇ut+ 150並不相對於輸 125207.doc -13 - 200836473 入信號In+ 130反相，且〇ut- 160並不相對於輸入信號In_ 14 0反相。 在一些態樣中，將某些電組件（例如，針對預處理關於 In+ 130及/或In- 140之信號的調諧塊172及/或電路）實體地 安置於封裝102外部可係有利的。在一些實施例中，此描 述中諸如電容162之電容器或任何其他電容器可係可選 的0 圖2展示一具有兩個橋接器之實施例。LNA 2〇〇包括lna 核心2U)、橋接器170及橋接器27〇。LNA核心21〇包括反饋 組件280。如同LNA 100的情況一樣，任何橋接器之組件可 位於晶片上、位於封裝上，或位於上面安裝裝置之封裝外 部。類似地，任何數目之橋接器可併入各種實施例中。 橋接器170包括調諧塊172 ’且橋接器27〇包括調諧塊 272。H周譜塊272壯财加調諧至一不同於調譜塊 m之頻τ。藉由使用橋接器17〇與橋接器21〇可 經调谐以處理兩個猶☆相嫌击 们獨立頻▼中之信號（同時排除其他頻 "ΠΓ )。經调§皆頻帶可分別斜雍# J刀⑴對應於调谐塊i72及調諧塊272之 阻抗。 視需要可將任何數目之橋接器併人-LNA核心中。視使 用者，調諧要求所需要，兩個、四個、人個或甚至二十個 橋接器可分別提供調諸、 ^ 個八個或一十個頻帶 & 5 ，使任何橋接器短路（亦即，將相關調諧現

之阻抗設定至零）提供寬頻放大。 I 已經設計用於装缸认 ^ 、動輸入之貫施可（例如）藉由使不接收單 125207.doc -14- 200836473 端輸入之輸入端接地而加以修改以供單端輸入源使用（若 如此需要）。舉例而言，LNA 100可藉由使輸入端（例如， In- 140)接地而加以修改以用於單端使用。在一些實施例 中，第一增益級亦可充當單端至差動轉換器。 . 圖3為例示性LNA核心110之更詳細方塊圖。LNA核心 ， 11〇包括BBV2V 300，其係非反相寬頻電壓至電壓轉換器 (在調諧塊具有零阻抗之組態中）。LNA核心110亦以兩個反 饋電路（反饋電路310及反饋電路320)連同額外反饋組件380 • 為特徵。BBV2V 300接收輸入In+ 130及In- 140，且輸出 〇1^+150及〇1^-160。在此實例中，；68¥2¥ 300包括橋接 器170，且橋接器170之一部分通過BBV2V 300外部，且未 展示橋接器1 7 0之其他組件。

In+ 130經由反饋電路310連接至Out- 160,反饋電路310 包括可變電阻器Rf 312。In- 140經由反饋電路320連接至 Out+ 150，反饋電路320包括可切換電阻器Rf 322。反镇電 φ 路3 10及320中之每一者亦可包括多個電阻器及在此等電阻 為'之間切換之電路。代替可變電阻器併入不可變電阻器亦 ' 係可能的。改變反饋電路310及320之電阻連同反饋組件 : 380之改變可用以改變LNA 100之增益同時使Ιη+ ι3〇&Ιη· • 140處所呈現之阻抗保持相對恆定。由於BBI2V 300係非反 相的，故此等例示性反饋電路將每一輸入端連接至一具有 相反極性之輸出端（亦即，正輸入端連接至負輸出端）。 BBV2V 300之此實例以串聯連接（未展示連接）之三個增 益級為特徵。Gml 301係第一增益級，且接收111+ 13〇及 125207.doc -15 - 200836473 140。Gml 3()1電性地包括橋接器m，然而如先前所述橋 接器m之部分可實體地通過Gml 3〇1外部。㈤如之輸 出用作至Gm2 3 02(第二i龄兴纽、—' 1乐曰皿級）之輸入。Gm2 302之輸出用 作至Gm3 303之輪入。太士每/ TJL_ 輙 在此實例中，Gm3 303之輸出係 〇ut+ 150及 Out- 160。 其他實施例提供-接收單端輸人且輸出單端輸出的如 級。在-些此等狀況下’具有交又竊合電路之第二增益級

(例如’ Gm2級）可用作提供差動輸出至第三增益級的單端 至差動轉換器。 圖3亦說明可實施調諧（例如，經由併入調諧塊η?及電 容器162)之額外選擇項。圖3說明調諧塊172及電容器Μ] 至反饋電路310及320中之併入。一般而言，本文中（例 如’下文）所述之任何反饋電路可經修改以包括調譜塊Μ 及/或電容器162。如同併入之其他該等實例的情況一樣， 調諧塊Π2及/或電容器162可位於上面製造裝置之晶片 上、位於上面封裝裝置之封裝上、位於離開封裝或位於任 何八他位置。因此在若干實施例中，任何電路之一提供調 諧之部分可位於除定位有所調諧之裝置之區域之外的實體 區域中。某些組件之實體位置與此等組件之電連接性之間 的此解耦合可提供特別龐大之組件在上面製造有裝置之晶

片或封裴外部的便利置放Q IP使調諧塊172及電容器162不包括於諸如反饋電路3i〇 之电路中，在此及其他電路中包括可適當地阻斷低頻率之 方路包奋态可仍係有利的。一般而言，預想旁路電容器或 125207.doc 200836473 其他基本電子組件在本文中所述之任何電路中之併入，且 在何條件下該併入為有利的通常係熟知的。結果，經常 (儘管不總是）自各種示意圖省略旁路電容器及其類似者以 便改良說明之清晰性。 圖4為圖2之例示性LNA核心210的更詳細方塊圖。LNA 核心210包括BBV2V 400，其係非反相寬頻電壓至電壓轉 換器。LN A核心210亦以兩個反饋電路（反饋電路41 0及反 饋電路420)連同額外反饋組件480為特徵。BBV2V 400接 收輸入In+ 130及In- 140，且輸出 〇ut+ 150及 Out- 160。在 此實例中，BBV2V 400包括橋接器170 ’且橋接器170之一 部分通過BBV2V 400外部。BBV2V 400亦包括橋接器 270，且橋接器270之一部分通過BBV2V 400外部。

In+ 130經由反饋電路410連接至0ut_ 160 ’反饋電路410 在此實例中包括可切換電阻器Rf 4 12。In- 140經由反饋電 路420連接至〇ut+ 150，反饋電路420在此實例中包括可切 換電阻器Rf 422。反饋電路410及420中之每一者亦可包括 多個電阻器及在此等電阻器之間切換之電路。改變反饋電 路410及420之電阻同時類似地改變反饋組件48〇内之電阻 可用以改變LNA 200之增益同時使In+ 130及In- 140處所呈 現之阻抗保持相對恆定。大體而言’所有反饋電阻器之電 阻可一起增加或減小。 BBV2V 400之此實例以三個增益級為特徵，可將其描述 為電壓至電流轉換器（跨導元件）繼之以電流至電壓轉換器 (跨阻抗元件）之組合。Gm 1 4 0 1係第一增益級，且接收In+ 125207.doc -17- 200836473 130及In- 140。Gml 401亦包括橋接器170及橋接器270。 Gml 401之輸出用作至Gm2 302(第二增益級）之輸入。Gm2 302之輸出用作至Gm3 303之輸入。在此實例中，Gm3 303 之輸出係Out+ 150及Out- 160。 將在例示性LNA 110及BBV2V 300之情形下描述其他 LNA細節，特定言之，電壓至電壓轉換器（例如，BBV2V 3 00、BBV2V 400或另一寬頻電壓至電壓轉換器）之細節。 此簡化僅為描述清晰起見，且並不意欲限制可包括之橋接 器之數目或意欲限制任何輸入調諧選擇項。 圖5為BBV2V 300(圖3之例示性寬頻電壓至電壓轉換器） 之更詳細方塊圖。BBV2V 300包括Gml 301、Gm2 302及 Gm3 303連同若干反饋電路。在此實例中，Gml 301係反 相共源極跨導元件。Gm2 302係非反相共閘極跨導元件， 且Gm3 303係反相共源極跨導元件，其在一些實施例中可 為推挽跨導元件（push pull transconductance element)。 亦可將BBV2V 300之一些態樣描述為電壓至電流轉換器 (亦即，Gml 301)繼之以電流至電壓轉換器（在此實例中， Gm2與Gm3之組合）或或者描述為與反相跨阻抗元件串聯之 反相跨導元件。

Gml 301接收輸入信號In+ 13 0及In- 140，且亦包括橋接 器170。Gml 301之輸出為Out- 510及〇ut+ 520，其用作至 Gm2 302 之輸入，且 Out- 510 變成 In- 512，且 Out+ 520 變成 111+ 522。〇1112 3 02之輸出為〇1^-514及〇1^+ 524，其用作 至 Gm3 303 之輸入，且 Out- 514 變成 In- 516，且 Out+ 524 變 125207.doc -18- 200836473 成 In+ 526。Gm3 303之輸出為 〇ut+ 15〇及 〇ut_ 16〇。 BBV2V 300之此實例包括環繞Gm3 303及Gm2 302與Gm3 303兩者之四個反饋電路。反饋電路560、564、5 70及574 分別包括可切換電阻器Rf 562、566、572及576。反饋電 路560及574連接電流至電壓轉換器（亦即，Gm2 302與Gm3 303之組合）之輸入端及輪出端。此兩個增益級之組合係反 相的。反饋電路564及570連接Gm3 3 03(其自身係反相增益 級）之輸入端及輸出端。 圖5中所示之反饋電路與圖3中所示之反饋電路的組合產 生較大反饋電路。可將此例示性較大反饋電路描述為一群 反饋電路，其中每一者將裝置之輸出端連接至每一跨導元 件之具有相反極性之輸入端。此反饋電路可產生越過反饋 電路310及320之寬頻可變電壓增益。在一些實施例中，所 有電阻器之電阻可一起增加或減小以便修改增益同時維持 阻抗。

多種現存跨導元件可用以製造Gml 301、Gm2 3〇2及 Gm3 303，且BBV2V 300可由或多或少之跨導元件製造。 下列段落描述可在併入諸如LNA 100之LNA中時特別有用 的新跨導元件之若干實例。此等跨導元件及相關聯之電路 亦可適用於其他應用（亦即，除LNA 100、LNA 200及其類 似者之外），且LNA 1 00可併有除以下所述之跨導元件之外 的跨導元件。除非另行規定，具有以”N”開始之名稱的電 晶體係η型電晶體’且具有以f’p”開始之名稱的電晶體係P 型電晶體。 125207.doc -19 - 200836473 圖6為適合用於Gml 3〇1中之一類共源極跨導元件的一實 例。許多跨導元件之-優點為自接近零之輸人電壓至非常 鬲之輸入電壓的增益的線性。儘管在廣泛範圍之輸入内的 高線性係所欲的，"可需要維持在零附近或在交越點附 近之輸入的高線性。許多現存跨導元件在零輸入附近在其 回應中展示”扭接（kink)”或其他非線性，而本文中所述之 若干跨導元件在零輸入附近保持較線性。一些實施例可顯 示比現存跨導或跨阻抗元件優越之第三階攔截點（tMrd order intercept P〇int，„P3)行為，且在一些實施中，可達 成大於5 dBm之IIP3。在一些實施例中，跨導元件對於正 與負輸入使用η型與p型電晶體之組合。在其他實施例中， 跨導元件使用η型與ρ型電晶體對之組合，其經配置以使得 至少一η型與一ρ型電晶體組合，以即使在輸入信號之極性 改變時仍提供跨導。因此，為此說明書之目的，線性跨導 元件在接近零輸入電壓之範圍内具有特別高之線性（相對 於現存跨導元件）。在一些實施例中，藉由組合11型電晶體 與Ρ型電晶體對正與負輸入極性之功能性來達成此線性。 CSLTE 600係由電源690經由NLoad 630供電，且經由 PL〇ad 632接地至接地692的共源極線性跨導元件。cl sTE 600接收輸入In+ 130及In- 140,且輸出〇ut- 51〇及〇如+ 520。CLSTE 600包括η型電晶體N1 610及N2 620，且亦包 括Ρ型電晶體Ρ1 612及Ρ2 622。電晶體如所示成對，其中 Ν1 610及Ρ1 612之源極相連接，且Ν2 620及Ρ2 622之源極 相連接。Ν1 610及Ν2 620之汲極連接至NLoad 630，且pi 125207.doc -20- 200836473 ⑽P2 622之没極連接至PL〇ad㈣。諸如〇關_之 線性跨導元件的某些實施例可能不需要電流源。 源極如所示由橋接器17G連接。在此實例中，在上面製 &CLSTE 6〇0之aB片上3有橋接器i7Q。橋接器⑺包括兩 個電容器（電容器m及電容器176);在此實例中，橋接器 170並不包括電感器或其他阻抗電路。如同-般電容器的 情況-樣’電容器m及電容器176充當高通濾波器。

在此貫例中，s電晶體閘極之Dc偏壓由偏壓電路提 供。來自此等偏壓電路之輪入電壓在BiasN1 64〇、BiasN2 650、BiasPl 642及BiasP2 652處接收，其分別提供DC偏壓 至電晶體N1 610、N2 620、Pi 612Ap2 622之閘極。 偏壓輸入如所示連接至輪入信號。In+ 13〇經由電容器 NICap 670連接至 BiasNl 640。ln+ 130經由電容器 PiCap 672連接至BiasP 1 642。In- 140經由電容器N2Cap 680連接 至BiasN2 650，且In·140經由電容器P2Cap 682 連接至 BiasP2 652。 輸出如所示連接至汲極。Out- 510連接至N1 610之汲 極，且亦經由電容器OutCap 660連接至P1 612之汲極。 Out+ 520連接至N2 620之汲極，且亦經由電容器OutCap 662連接至P2 622之汲極。 NLoad 630及PLoad 632提供電流分別自電源及接地至/ 自其各別電晶體的通過。>^〇&(1 630及？[(^0 632並非電流 限制的。然而，其對電流亦呈現相對於由輸出〇ut+ 520及 Out-510呈現之電阻較高的電阻。NLoad 630及PLoad632 125207.doc -21 - 200836473 可為電阻性負載（例如，電阻器）或主動負载（例如，以下在 圖26中描述之電路之一部分）。 電容器m及電容器176可視情況以若干電容器組及在其 ，間切換以提供可調電容的電路替換。在-些實施例中， 調整橋接器170之電容以改變橋接器17〇所通過之頻帶之中 心頻率可係有利的。 橋接器170可提供一除調冑至特定頻帶之外的重要功能 (其在寬頻電路之此實例中並未提供）。在一些實施例中， 串聯之電晶體對之間的接合點處之電壓（例如，ni㈣及 P1 612之接合源極處的電壓.N2 62〇*p2 622之接合源極 處的電壓）並不固定，且可相應地波動。在一些實施例 中，此波動可與輸入信號相關聯，且在一些狀況下，此等 波動可誘發橋接器170中自一對源極至另一對源極（在任一 方向上）之電流。若橋接器170包括一阻抗電路，則僅可對 於該電路所通過之頻率致能此電流。錢接器170短路， 貝J 了對於所有頻率致此此電流。因此，對於電容器174及 6所通過之頻率，橋接态17〇允許Ni Gio/pi 612之源極與 N2 620/P2 622之源極之間的電流而不會限制此等接合點中 之任一者處的電壓。對於以單一對電晶體為特徵之實施例 而5，橋接170亦可在與連接至電晶體對之端相對的端 處連接至接地。 CSLTE 600之一態樣為可對於正與負電壓使用n型與p型 電晶體來將A/C電壓轉換至A/C電流。隨著ΐη+ 130增加（且 In- 140減少），電流可逐漸增加地由m 61〇與ρ2 622之組合 125207.doc -22- 200836473 載運。隨著In+ 130減少（且In- 140增加），電流可逐漸增加 地由N2 620與P1 612之組合載運。儘管許多現存跨導元件 在零輸入電壓附近I-V回應中顯示"扭接’’，但CSLTE 600可 能不會。因此，可改良CSLTE 600之線性，且因此為此說 明書之目的，將CSLTE 600稱為’’線性”共源極跨導元件。 圖7A、圖7B及圖7C展示橋接器組態之若干選擇項。此 等實例係說明性的，且並不意欲為限制性的。對橋接器之 數目及組態之選擇係（例如）LNA 100與LNA 200之間的主要 差異中之一者。 圖7A展示用於CSLTE 600之橋接器，且提供其作為參 考。由於在此實例中，調諧塊172具有零阻抗（且因此充當 電容器174與電容器176之間的簡單連接），故未圖示其。 一併有橋接器170之此組態的LNA將提供寬頻放大。 圖7B展示兩個橋接器（橋接器170及橋接器270)。橋接器 170包括調諧塊172，且橋接器270包括調諧塊272。橋接器 170在調諧塊172之兩側上分別包括電容器174及電容器 176，且橋接器270在調諧塊272之兩側上分別包括電容器 274及電容器276。在每一橋接器中，電容器與調諧塊（具 有阻抗）之組合產生一帶通濾波器。由於使調諧塊172或調 諧塊272中之任一者短路（亦即，將任一調諧塊之阻抗減小 至零）提供寬頻放大，故多個橋接器之併入通常包括具有 可感知阻抗（亦即，未短路）之調諧塊的併入。 在一些狀況下，包括一電感器作為一調諧塊之部分以便 提供阻抗可係便利的。將此電感器置放於上面製造橋接器 125207.doc -23 - 200836473 之晶片外部亦 少 立a L 、可係便利的。在此實例中，襯墊120用以示 意性地展示每一抵& u ^ 擒接15之一包括調諧塊之部分可離開晶 片、離開封梦β 1我在其他情況下與上面製造橋接器之晶片分 /因此，調諧塊172及272中之任一者或兩者可離開晶片 (若如此需要）。 或者’調諧塊172及/或調諧塊272可在晶片 上製造（若如此兩西、 而要）’且任何電容器（電容器〗74、電容器 176、^ ow 4及電容器276)可在晶片上或離開晶片製造 (若如此需要）。 藉由使用適备夕 —抑 田之阻抗（例如，經由調諧塊）及電容（經由電 谷）橋接斋27〇可經設計以通過一不同於橋接器17〇所 t之頻T的頻帶。由於此等橋接器與各別電晶體之源極 亚故任一者如先前所述可允許電流通過。因此，一併 有多個橋接器之跨導裝置（諸如CSLTE 600)可經調諧以放 大多個所要頻帶同時排除其他頻率。 可視需要添加額外橋接器，從而提供額外通過頻帶。圖 7C/小加額外橋接器370至先前所述之橋接器170與橋接器 270對。橋接器37〇包括與調諧塊372串聯之電容器（電容器 3 74及私谷态376)。藉由適當地選擇電容器374及電容器 3 76之包谷及調咱塊372之阻抗，如所示併有橋接器17〇、 橋接器270及橋接器370之裝置可放大三個離散頻帶。若其 他頻f係所要的，則可類似地添加額外橋接器。此等調諧 技術可應用於除CSLTE 600之外之跨導元件。 圖8展示另一共源極跨導元件CSTE 8〇〇。CSTE 8〇〇由電 源690供電且由接地692接地。至電路之一側的電流由 125207.doc -24- 200836473 ISource 891供應，且至電路之另一侧的電流由IS〇urce 892 供應。電路包括如所示由調諧塊872連接之電容p861、電 容器862、電容器863及電容器864。調諧塊872可具有阻抗 (用於調諧放大）或可短路。 將In- 140處之輸入信號複製至p型電晶體p2 822與η型電 晶體Ν2 820之閘極。in- 140處之輸入信號亦經由電阻器 88 1傳輸以如所示連接至〇ut+ 520。此連接亦如所示將p2 822及N2 820之汲極連接至〇ut+ 520及電阻器881。N2 820 之源極連接至電容器863及電阻器883。電阻器883如所示 連接至接地692。卩2 822之源極如所示連接至ISollTCe 892 及電容器862。 類似地，將In+ 130處之輸入信號複製至電晶體P1 812及 N1 8 10之閘極。ln+ 130處之輸入信號亦經由電阻器880傳 輸以如所示連接至Out- 510。此連接亦如所示將pi 8 12及 N1 8 10之汲極連接至〇ut- 5 10及電阻器880。N1 8 10之源極 連接至電容器864及電阻器882。電阻器882亦如所示連接 至接地692。？1812之源極如所示連接至將18〇111^891連 接至電容器861之導線。 CSTE 800可用作差動跨導元件或單端跨導元件。對於以 單端輸入使用而言，另一輸入端可接地。 圖9展示一共源極跨導元件CSTE 900之另一實施例。如 同CSTE 800，CSTE 900可以良好電源抑制（SUppiy rejection)及接地抑制（ground rejection)為特徵，但CSTE 900可提供額外餘裕空間。CSTE 900由電源690供電且接地 125207.doc -25- 200836473 至接地692。至電路之一側的電流由ISource 991供應，且 至電路之另一侧的電流由ISource 992供應。電路包括如所 示連接至調諧塊972的電容器961、電容器962、電容器963 及電容器964。調諧塊972可具有阻抗（用於調諧放大）或可 短路。 將130處之輸入信號饋入至電晶體ρ! 912及N1 910之 閘極。In+ 130處之輸入信號亦經由電阻器980傳輸以連接 至Out- 510。Out- 5 10處之信號亦將P1 912及N1 910之汲極 連接至Out- 510及電阻器980。N1 910之源極連接至將電容 态964連接至電晶體N3 930之汲極的導線。電阻器982將P1 912及N1 910之汲極連接至電容器966與電晶體N3 930之閘 極。N3 93 0之源極如所示連接至接地692與電容器966之與 連接至N3 930之閘極之端相對的端。P1 9 12之源極如所示 連接至將ISource 991連接至電容器961之導線。 將In- 140處之輸入信號饋入至電晶體P2 922及N2 920之 閘極。In- 140處之輸入信號亦經由電阻器981傳輸至Out+ 520。此連接亦將P2 922及N2 920之汲極連接至〇ut+ 520及 電阻器981。N2 920之源極連接至將電容器963連接至電晶 體N4 940之汲極的導線。電阻器983將P2 922及N2 920之 汲極連接至電容器965與電晶體N4 940之閘極。N4 940之 源極如所示連接至接地692與電容器965之與連接至N4 940 之閘極之端相對的端。P2 922之源極連接至將18〇111^6 992 連接至電容器962之導線。 圖10展示一共源極跨導元件之又一實例。在一些實施例 125207.doc -26- 200836473 中’此型式可具有與圖9中所示之元件相比甚至較佳的餘 裕工間。CSTE 1 000由電源69〇供電且接地至接地692。至 電路之一側的電流由ISource 1091供應，且至電路之另— 侧的電流由ISource 109 2供應。展示至橋接器17〇之連接， 但為清晰起見省略橋接器17 0之組件。 在此實施例中，CSTE 1000僅具有n型電晶體。Ιη+ ι3〇 接收一輸入信號，且連接至電晶體N1 1010之閘極。In+ 130亦連接至電阻器1080,電阻器1〇8〇將111+ 13〇連接至將 ISouree 1091連接至N1 1010之汲極的導線。Νι 1〇1〇之没 極亦連接至輸出端Out- 510及電阻器1082之一侧。電阻器 1082之另一側連接至電容器1〇6〇，電容器1〇6〇接著連接至 接地692 〇Ν1 1010之源極連接至電晶體N2 1〇15之汲極。 橋接器170之一支腳在此接合點處連接於Ni 1〇1〇之源極與 Ν2 1015之汲極之間。Ν2 1015之源極連接至接地692，且 Ν2 1015之閘極連接至將電阻器1〇82連接至電容器1〇6〇之 導線。

In- 140接收一輸入信號，且連接至電晶體Ν3 1〇2〇之閘 極。電阻器1083亦連接至In- 140，電阻器1〇83將Ιη_ 14〇連 接至將ISource 1092連接至Ν3 1020之汲極的導線。奶 1020之>及極亦連接至輸出端〇ut + 520及電阻器1〇81之一 侧。電阻1081之另一側連接至電容器1〇62，電容器1〇62 接著連接至接地692。N3 1020之源極連接至電晶體N4 1025之汲極。橋接器170之另一支腳在此接合點處連接於 N3 1020之源極與N4 1025之汲極之間。N4 1025之源極連 125207.doc -27- 200836473 接至接地692，且N4 1025之閘極連接至將電阻器1〇81連接 至電容器1062之導線。CSTE 1000可藉由使另一輸入端接 地而以早端輸入加以使用。 下列若干圖展示用於為一或多個電晶體產生Dc閘極偏 壓的偏壓電路之不同實施例。需要偏壓電路之例示性跨導 元件係CSLTE 600。因此’下列圖中之偏壓電路提供偏壓 輸入至其他電路（例如，CSLTE 600)中。 圖11為例示性偏壓電路1100之示意圖。偏壓電路11〇〇由 電源1190供電且由接地1192接地。來自偏壓電路〗1〇〇之偏 電壓在輸出端 BiasNl 640、BiasN2 650、BiasPl 642 及

BiasP2 652處輸出至閘極由偏壓電路11〇〇偏壓之各別電晶 體。電流由ISource 1191發起，ISource 1191連接至電源 1190。 偏壓電路1100包括兩個電晶體，0型電晶體N3 113〇&p 型電晶體P3 1132。N3 1130及P3 1132如所示在其源極處相 連接。N3 1130之閘極連接至N3 1130之汲極，且P3 1132之 閘極連接至P3 1132之汲極。N3 1130之汲極連接至Is〇urce 1191 ’且亦連接至電阻器1183及電阻器118〇。電阻器ιι83 將N3 1130之没極連接至BiasNl 640，且電阻器11 8〇將N3 1130之沒極連接至則&8_ 65 0。卩3 1132之汲極連接至電阻 裔1184，電阻為1184之另一端如所示連接至接地“Μ。P3 1132之汲極亦連接至電阻器1182及電阻器1181。電阻器 1182將P3 1132之汲極連接至BiasPi 642,且電阻器1181將 P3 1132之汲極連接至Biasp2 652。 125207.doc -28- 200836473 圖12為偏壓電路1200之示意圖，其包括以類似組態的與 偏壓電路Π00相同之組件，但電流源IS〇urce 1191與電阻 器1184之位置顛倒。因此，電阻器1184將電源丨丨9〇連接至 電路之剩餘部分，且電路經由電流源IS〇urce 1191連接至 接地1192。 圖13為由電源1390供電且由接地1392接地之例示性偏壓 電路1300的示意圖。來自偏壓電路13〇〇之偏電壓在輸出端

BiasNl 640、BiasN2 050、BiasPl 042 及 BiasP2 052 處輸出 至閘極由偏壓電路1300偏壓之各別電晶體。電流源自 ISource 1391，ISource 1391 連接至接地 1392。電源 1390連 接至電容器1 3 72之一側與p型電晶體p!丨3丨2之源極。p j 13 12之閘極連接至電容器1372之另一側。電容器1372與至 P1 1 3 12之閘極之導線之間的此接合點亦連接至電阻器 13 84 ’電阻器1384接著連接至電晶體N1 1310(n型）及P2 1322(p型）之源極；此等源極彼此連接。 P1 1312之没極連接至N1 1310之汲極。N1 1310之汲極 及閘極亦相連接。N1 13 10之汲極連接至電阻器1383，電 阻裔、1383接著連接至輸出端BiasNi 640。N1 13 10之汲極 亦連接至電阻器1380，電阻器1380接著連接至輸出端 BiasN2 650。 P2 1322之汲極與閘極相連接。p2 1322之汲極亦連接至 ISource 1391，ISource 1391 接著連接至接地 1392。P2 1322之没極亦連接至電阻器1382，電阻器1382接著連接至 輸出端BiasP 1 642。P2 1322之汲極亦連接至電阻器1381， 125207.doc -29- 200836473 電阻器1381接著連接至輸出端BiasP2 652。 圖13亦展示一纏繞電路之一實施例。纏繞.電路1399包含 電晶體P1 1312、電容器1372及電阻器1384。其他實施例 亦可以η型電晶體建構。纏繞電路1399之此實施例具有環 繞一所纏繞之裝置連接（亦即，”纏繞"）的兩個連接點。纏 繞電路在兩側上（亦即，在至該裝置之兩個連接處）連接至 電子裝置且通常進行自裝置至接地或電源之連接。纏繞電 路可產生裝置（所纏繞）與接地、電源或類似組件之間的高 阻抗連接。纏繞電路亦可保護裝置（所纏繞)免受接地雜訊 及/或電源雜訊。纏繞電路可用於廣泛多種電路中，且在 圖9、圖1〇、圖14、圖18及圖19中展示實例（然而未獨立地 界定纏繞電路以便改良此等說明之清晰性）。在圖丨3中， 纏繞電路1399藉由連接至Ν1 1310之汲極與Ν1 1310之閘極 來纏繞Ν1 13 10。 圖14為由電源1490供電且由接地1492接地之另一例示性 偏壓電路1400的示意圖。來自偏壓電路14〇〇之偏電壓在輸 出端 BiasNl 640、BiasN2 650、BiasPl 642及 BiasP2 652處 輸出至閘極由偏壓電路1400偏壓之各別電晶體。電流源自 連接至電源1490的ISource 1491。 I S ource 1491亦連接至！1型電晶體N1 14 10之沒極及閘 極。N1 1410之沒極亦連接至電阻器1483，電阻器1483接 著連接至輸出端BiasNl 640。N1 1410之汲極亦連接至電 阻器1480，電阻器1480接著連接至BiasN2 650。N1 1410 之源極連接至p型電晶體P1 1412之源極。此等源極中之兩 125207.doc -30- 200836473 者連接至電阻器1484，電阻器1484接著連接至電容器 660電谷為660接著連接至接地1492。P1 1412之閘極與 汲極相連接。P1 1412之汲極亦連接至電阻器1482，電阻 器1482接著連接至輸出端BiasP1 642。P1 1412之汲極亦連 接至電阻器1481，電阻器1481接著連接至輸出端Biasp2 652。？11412之汲極亦連接至11型電晶體：^2142〇之汲極。 N2 1420之源極連接至接地1492 〇N2 142〇之閘極連接至電 阻器1484與電容器660之間的接合點。 偏壓電路1400亦包括一纏繞P1 1412的包含N2 1420、電 容器660及電阻器1481之纏繞電路。 圖1 5為一適合用於Gm2 302中之例示性共閘極跨導元 件。Gm2 1500係交叉耦合之共閘極線性跨導元件。Gm2 1500由電源1590經由NLoad 1530供電且經由PL〇ad 1532接 地至接地1 592。在一些實施例中，交叉耦合可提供雜訊消 除。在其他實施例中，交叉耦合可提供單端輸入至差動輸 出之轉換。

Gm2 1 5 00接收輸入ιη- 512及In+ 522，且輸出〇ut- 5 14及 Out+ 524。Gm2 1500包括四個電晶體：η型電晶體N1 1510 及Ν2 1520及ρ型電晶體pi 1512及Ρ2 1522。 Ν1 15 10之沒極連接至NLoad 1530。Ν1 1510之汲極亦連 接至電容器1561，電容器1561接著連接至〇ut- 514。P1 1 5 12之汲極連接至PLoad 1532。P1 1512之汲極亦連接至電 容器15 67，電容器1567接著連接至Out- 5 14。因此，N1 1510及P1 1512之汲極由電容器1561及電容器1567串聯連 125207.doc -31 - 200836473 接。 N1 15 10之閘極由來自BiasNl 640之輸入偏壓。PI 1512 之閘極由來自BiasP 1 642之輸入偏壓。此兩個輸入端（及 15 10及P1 1512之閘極）由電容器1560及電容器1568串聯連 : 接。電容器1560及1568由耦合器1554連接至N2 1520及P2 1 522之源極。 N1 1 5 1 0及P 1 1 5 12之源極相連接。此等源極亦連接至電 容器1569，電容器1569接著連接至In-512。 _ N2 1520之汲極連接至NLoad 1530。N2 1520之汲極亦連 接至電容器1562，電容器1562接著連接至〇m+ 524。P2 1522之汲極連接至PLoad 1532。P2 1522之汲極亦連接至電 容器1566，電容器1566接著連接至〇ut+ 524。因此，N2 1520及P2 1522之汲極由電容器1562及電容器1566串聯連 接。 N2 1520之閘極由來自BiasN2 650之輸入偏壓。P2 1522 _ 之閘極由來自BiasP2 652之輸入偏壓。此兩個輸入端（及N2 1520及P2 1522之閘極）由電容器1563及電容器1565串聯連 • 接。電容器B63及1565由耦合器1555連接至N1 1510及P1 ： 15 12之源極。 • 在此實例中，耦合器1554將電容器1560之與N1 15 10之 閘極相對的侧連接至N2 1520及P2 1522之源極。類似地， 耗合器1555將電容器1565之與P2 1522之閘極相對的側連 接至N1 15 10及P1 15 12之源極。耦合器1554與電容器1560 及1568之組合產生一例示性耦合電路。電容器1565及1563 125207.doc -32- 200836473 與耦合器1 5 5 5之組合亦產生一例示性耦合電路。此兩個輕 合電路之組合產生交叉耦合，且因此Gm2 1500係交叉|馬合 跨導元件的實例。此實施例之關鍵特徵為電路之一側上的 閘極連接至電路之相對側上的源極。此交叉耦合跨導元件 具有若干特徵。當以差動模式操作（亦即，接收差動輸入） 時’父叉耦合可提供雜訊消除，且在一些狀況下可將輸入 端處之差動或閘極雜訊轉換成輸出端處之共同模式雜訊。 在Gm2 1500經調適供單端輸入使用的狀況下，交又耦合電 路可提供單端輸入至差動輸出之轉換。在一些態樣中，將 單端輸入轉換成差動輸出之交又耦合可被看作兩個電路之 構成··一具有正極性的將電流轉換成電壓之共閘極跨導元 件’及一具有負極性之共源極電壓至電壓轉換器，且兩個 電路具有類似增益。因此，諸如Gm2丨5〇〇的交叉耦合跨導 元件可充當單端至差動轉換器。 N2 1520及P2 1522之源極相連接。此等源極亦連接至電 容器1564，電容器1564接著連接至In+ 522。 NLoad 1530及PLoad 1532提供電流之通過，且並非電流 限制的。其對電流亦呈現相對於由輸出〇ut+ 52〇及〇‘ 510呈現之電阻較高的電阻。NL〇a(i 1530及PLoad 1532可 為電阻性負載或主動負載。 圖16為一適合用於Gm2 3〇2中之例示性共閘極跨導元 件。Gm2 1600係自偏壓的交又耦合之共閘極線性跨導元 件。Gm2 1600由電源169〇經由NLoad 1630供電且經由 PLoad 1632 接地至接地 1692 σ(3ηι2 1600 與 Gm2 1500—樣 125207.doc -33- 200836473 以交又耦合為特徵。

Gm2 1600接收輸 AIn- 512&In+ 522，且輸出 〇m- 514及 〇m+ 524。Gm2 1600包括四個電晶體：η型電晶體N1 1610 及N2 1620及p型電晶體pi 1612及p2 ι622。 NLoad 1630連接至N1 1610之汲極。N1 1610之汲極亦連 接至電容器1661，電容器1661接著連接至輸出端〇ut_ 5HN1 1610之汲極經由電阻器168〇連接至N1 161〇之閘 極。N1 1610之閘極亦連接至電容器166〇，電容器丨66〇接 著連接至N2 1620及P2 1622之源極。N1 1610及P1 1612之 源極相連接。電容器1668亦連接至此等源極，且電容器 1668之與源極相對的側連接至In_ 512。 PLoad 1632連接至P1 1612之汲極。pi 1612之汲極亦連 接至電容器1666，電容器1666接著連接至輸出端〇加_ 5HP1 1612之汲極經由電阻器1683連接至ρι 1612之閘 極。P1 1612之閘極亦連接至電容器1667，電容器1667接 著連接至N2 1620及P2 1622之源極。 電容器1660之與電阻器1680相對的側亦連接至電容器 1667之與電阻器1683相對的側。 NLoad 1630連接至N2 1620之沒極。N2 1620之汲極亦連 接至電谷裔1662 ’電谷器1662接著連接至輸出端〇ut+ 520N2 1620之汲極經由電阻器1681連接至N2 162〇之閘 極。N2 1620之閘極亦連接至電容器1663，電容器1663接 著連接至N1 1610及P1 1612之源極。N2 1620及P2 1622之 源極相連接。電容器1669亦連接至此等源極，且電容器 125207.doc -34- 200836473 1 669之與源極相對的側連接至ιη+ M2。 PLoad 1632連接至P2 1622之沒極。P2 1622之沒極亦連 接至電容器1665，電容器1665接著連接至輸出端〇加+ 524。？2 1622之汲極經由電阻器1682連接至p2 1622之閘 極。P2 1622之閘極亦連接至電容器1664，電容器1664接 著連接至N1 16 10及P1 1612之源極。 電容器1663之與電阻器1681相對的側亦連接至電容器 1664之與電阻器1682相對的侧。 在此實例中，耦合器1554將電容器166〇之與N1 161〇之 閘極相對的側連接至N2 162〇及P2 1622之源極。類似地， 耦合器1555將電容器1664之與P2 1622之閘極相對的側連 接至N1 1610及P1 1612之源極。耦合器1554與電容器166〇 及1667之組合產生一例示性耦合電路。電容器1663及1664 與耦合裔1 5 5 5之組合亦產生一例示性耦合電路。此兩個耦 合電路之組合產生交叉耦合，且因此〇1112 16⑽係交又耦合 跨導元件的實例。此實施例之關鍵特徵為電路之一側上的 閘極連接至電路之相對側上的源極。 圖17為適合用於Gm2 302中之另一例示性共閘極跨導元 件。Gm2 17〇0係共閘極跨導元件。

Gm2 1700由電源1790供電且接地至接地1792。電流由電 流源 ISource 1791 及 IS〇urce 1793 供應。Gm2 1700 接收輸入 In- 512 及 In+ 522 ’ 且輸出 〇ut- 514 及 〇ut+ 524。Gm2 1700 包括六個電晶體：n型電晶體m m〇、N2 172〇、N3 173〇 及N4 1 740連同p型電晶體卩11712及卩2 1722。 I25207.doc -35- 200836473 ISource 1791連接至P1 1712之源極。ρι 1712之源極亦連 接至電容器1760,電容器1760接著連接至512。In_ 512 亦連接至電容器1765,電容器1765接著連接至N1 171〇之 源極及N3 1730之汲極。P1 1712之汲極連接至N1 171〇之 汲極。此等汲極亦連接至〇m- 514。此等汲極及〇加_ 514 亦連接至電阻器1780，電阻器178〇接著連接至電容器 1766。電阻器1780與電容器1766之間的接頭亦連接至ρι 1 7 12之閘極及n 1 1710之閘極，因此此等閘極相連接。電 容器1766之與閘極連接相對的側連接至接地〗792。 N1 1710之源極連接至N3 173〇之汲極。N3 173〇之源極 連接至接地1792。N3 173 0之閘極連接至N4 174〇之閘極。 此等閉極亦連接至電容器1764，電容器1764接著連接至接 地1792 。 P1 1712及N1 1710之汲極連接至電阻器1783，電阻器 1783接著連接至電阻器1782。電阻器1782接著連接至p2 1722及N2 1720之沒極。 ISource 1793連接至P2 1722之源極。P2 1722之源極亦連 接至電容器1761，電容器1761接著連接至In+ 522。In+ 522亦連接至電容器1763,電容器1763接著連接至N2 i72〇 之源極及N4 1740之汲極。P2 1722之汲極連接至N2 172〇 之没極。此等沒極亦連接至〇ut+ 524。此等汲極及〇价+ 524亦連接至電阻器1781，電阻器1781接著連接至電容器 1762。電阻器1781與電容器1762之間的接頭亦連接至p2 1722之閘極及N2 1720之閘極，因此此等閘極相連接。電 I25207.doc •36· 200836473 容器1762之與閘極連接相對的側連接至接地！ 792。 N2 1720之源極連接至N4 1740之汲極。N4 1740之源極 連接至接地1792。N4 1740之閘極連接至N3 1730之閘極。 此等閘極亦連接至電容器1764，電容器1764接著連接至接 地 1792 〇

P2 1722及N2 1720之汲極連接至電阻器1782，電阻器 1782接著連接至電阻器1783。電阻器1783接著連接至ρι 1712及N11710之汲極。電阻器 1782與 1783 之間的接頭連 接至N3 1730及N4 1740之閘極。 圖1 8為適合用於Gm2 3 02中之另一例示性共閘極跨導元 件。Gm2 1800係共閘極跨導元件。

Gm2 1800由電源1890供電且接地至接地1892。電流由電 流源 ISomxe 1891 及 IS〇Urce 1893 供應。Gm2 1800 接收輸入

In- 512及In+ 522 ,且輸出 〇ut· 514及 〇ut+ 524。Gm2 18〇〇 包括六個電晶體：n型電晶體犯181〇、N2 182〇、N3 183〇 及N4 1840連同p型電晶體P1 1812及p2 1822。 ISource 1891連接至P1 1812之源極。ρι 1812之源極亦連 接至電容器I860,電容器186〇接著連接至In_ 512。in_ 512 亦連接至電容器1865，電容器1865接著連接至N1 181〇之 源極及N3 1830之汲極。P1 1812之汲極連接至m i8i〇之 汲極。此等汲極亦連接至0ut_ 514。此等汲極及〇加· 514 亦連接至電阻器1880，電阻器188〇接著連接至電容器 1866。電阻器1880與電容器1866之間的接頭亦連接至ρι ㈣之閘極及N1 1810之閉極，因此此等閑極相連接。電 I25207.doc -37- 200836473 容器1866之與至電阻器1880之連接相對的側連接至” 1822及N2 1820之閘極。 N1 1810之源極連接至N3 1830之汲極。N3 183〇之源極 連接至接地1792。N3 1830之閘極連接至N4 1840之閘極。 此等閘極亦連接至電容器1864，電容器1864接著連接至接 地 1792 〇 P1 1812及N1 1810之汲極連接至電阻器1883，電阻器 1 883接著連接至電阻器1882。電阻器1882接著連接至p2 1822及N2 1820之没極。 ISource 1893連接至P2 1822之源極。P2 1822之源極亦連 接至電容器1861，電容器1861接著連接至In+ 522。In+ 522亦連接至電容器ι863，電容器1863接著連接至N2 182〇 之源極及N4 1840之汲極。P2 1822之汲極連接至N2 1820 之沒極。此等汲極亦連接至0ut+ 524。此等汲極及〇ut+ 524亦連接至電阻器1881，電阻器1881接著連接至電容器 1866。電阻器1881與電容器1866之間的接頭亦連接至p2 1822之閘極及N2 1820之閘極，因此此等閘極相連接。電 容器1866之與至電阻器1881之連接相對的側連接至ρι 1 8 12及N1 1 8 1 0之閘極。 N2 1820之源極連接至N4 1840之汲極。N4 1840之源極 連接至接地1892。N4 1840之閘極連接至N3 1830之閘極。 此等閘極亦連接至電容器1864，電容器1864接著連接至接 地1892 〇 P2 1822及N2 1820之汲極連接至電阻器1882，電阻器 125207.doc -38- 200836473 18 82接著連接至電阻器1883。電阻器1883接著連接至 1812及]^11810之汲極。電阻器1882與1883之間的接頭連 接至N3 1830及N4 1840之閘極。

Gm2 1800亦包括兩個例示性纏繞電路。N1 181〇由包含 N3 1830、電容器1864及電阻器1883之纏繞電路纏繞。n2 1820由包含N4 1840、電容器1864及電阻器1882之纏繞電 路纏繞。 圖19展示適合用於Gm2 3〇2中之另一例示性共閘極跨導 元件。Gm2 1900係交又耦合之共閘極跨導元件。αηι2 1900之許多特徵類似於Gm2 18〇〇之特徵。然而，〇m2 1900具有兩個額外電路，且〇1112 19〇〇並不具有存在於 1800中的包含電容器1866之電路。ρι 1812及Νι i9i〇之閘 極連接至電容器1967,電容器1967接著連接至In+ 522。 P2 1822及N2 1820之閘極連接至電容器1962，電容器1962 接著連接至In- 512。包括電容器1962及1967之電路大體上 形成一交叉麵合電路。 在此實例中，耦合器1554將電容器1967之與N1 181〇及 P1 1812之閘極相對的側連接至N2 162〇及p2 1622之源極。 類似地，耦合器1555將電容器1664之與p2 1622之閘極相 對的側連接至N1 1610及P1 1612之源極。耦合 器1554與電 容器1660及1667之組合產生一例示性耦合電路。電容器 1663及1664與耦合器1555之組合亦產生一例示性耦合電 路。此兩個耦合電路之組合產生交又耦合，且因此Gm2 1600係交又耦合跨導元件的實例。此實施例之關鍵特徵為 125207.doc -39- 200836473 電路之一側上的閘極連接至電路之相對侧上的源極。 圖20為一適合用於Gm3 303中之例示性推挽跨導元件。 Gm3 2000係共源極推挽跨導元件，且由電源2〇9〇供電並由 接地2092接地。Gm3 2000接收輸入In- 516及In+ 526，且 : 輸出0ut+ 150及0加-160。輸出信號相對於輸入信號反 • 相。Gm3 200〇 包括 η 型電晶體 N1 2010、N2 2020 及 N3 2030。Gm3 2000亦包括 ρ型電晶體？1 2〇12、Ρ2 2〇22&ρ3 2032。在此實例跨導元件中，偏壓電路之一實例（包括pl 鲁 20 12及川2010)與其他跨導電路一起包括於同一圖上。 電源2090連接至pi 2〇12之源極。電源2〇9〇亦連接至電 容器2060’電容器2060接著連接至P1 2012之閘極。P1 2012之閘極亦連接至電阻器2〇8〇，電阻器2〇8〇接著連接至 P1 20 12之沒極。pi 20 12之汲極連接至電阻器2081，電阻 裔2081接者連接至N1 2010之沒極。 接地2092連接至N1 2010之源極。接地2092亦連接至電 _ 容器2063，電容器2063接著連接至N1 2010之閘極。N1 20 10之閘極亦連接至電阻器2082，電阻器2082接著連接至 ^ N1 2010之汲極。 ： P1 2012之汲極經由電阻器2084連接至P2 2022之閘極， • 從而提供閘極偏壓。P1 2012之汲極亦經由電阻器2083連 接至P3 2032之閘極，從而提供閘極偏壓。N1 20 10之汲極 經由電阻器2085連接至N2 2020之閘極，從而提供閘極偏 壓。N1 201 0之汲極經由電阻器208 6連接至N3 2030之閘 極’從而提供閘極偏壓。P3 2032之閘極連接至電容器 125207.doc -40- 200836473 2064，電容器2064接著連接至In- 516。P2 2022之閘極連 接至電容器2〇61，電容器2061接著連接至In+ 526。N3 2030之閘極連接至電容器2065，電容器2065接著連接至In-51 6 。 N2 2020之閘極 連接至 電容器 2062 ， 電容器 2062 接著 連接至In+ 526。 P3 2032及P2 2022之源極連接至電源2090。N3 2030及 N2 2020之源極連接至接地2092。P3 2032之汲極連接至N3 2030之汲極，且此等汲極連接至〇ut+ 150。P2 2022之汲極 連接至N2 2020之汲極，且此等汲極連接至Out- 160。 圖21為一亦包括一緩衝級及巢套反饋電路（nested feedback circuit)之例示性LNA核心的示意圖。經緩衝LNA 核心2110以單一橋接器170為特徵，且寬頻電壓至電壓轉 換器與反饋組件展示於同一圖中。第一三個增益級（Gml 301、Gm2 302及 Gm3 303)類似於 BBV2V 300及 LNA核心 110之增益級。然而，經緩衝LNA核心2110取得Gm3 303之 輸出至用於一緩衝級（緩衝器2104)之輸入。另外，經緩衝 LNA核心2110之反饋組件不同於LNA核心11〇及BBV2V 300 之反饋組件。

Gm3 303之Out+ 150連接至缓衝級（緩衝器2104)之1n+ 2130。Gm3 303 之 Out- 160 連接至緩衝器 2104 之 In_ 2140。 緩衝器2104之輸出端（Out+ 2132及Out- 2142)分別連接至裝 置之輸出端（〇ut+ 2150及 Out- 2160)。 若干巢套反饋電路如所示連接不同輸入端及輸出端。為 簡化該圖，每一反饋電路由包括於此電路中之電阻裔5主 125207.doc -41 - 200836473 吕己。可切換電阻器Rf 2180提供ιη+ ! 3 〇與〇ut_ 2160之間的 反饋。電阻器Rf 21 81提供In+ 130與In- 2140(其連接至 Out- 160)之間的反饋。可切換電阻器2182提供〇ut_51〇 與〇讲+2150之間的反饋。電阻器1^2183提供〇11^510與 111+2130之間的反饋。可切換電阻器]^2184提供〇1^-514 與Out+ 21 50之間的反饋。電阻器2185提供Out- 5 14與 〇m+ 150之間的反饋。 可切換電阻器Rf 2190提供In- 140與〇ut+ 2150之間的反 饋。電阻器Rf 2191提供In- 140與In+ 2130之間的反饋。可 切換電阻器Rf 2188提供〇ut+ 520與Out- 2 160之間的反 饋。電阻器2189提供〇m+ 520與Out- 160之間的反饋。可 切換電阻器Rf 2186提供〇m+ 524與Out· 2 160之間的反 饋。電阻器2187提供〇ut+ 524與Out- 160之間的反饋。 圖22為一可用於緩衝器21 〇4之例示性緩衝電路。緩衝器 2200由電源2290供電，接地至接地2292，且包括η型電晶 體>112210及似2220連同？型電晶體？12212及？2 2222。 用於Ν1 2210之汲極連接至電源2290。電源2290亦連接 至電阻器2280，電阻器2280接著連接至]Si 1 2210之閘極。 川2210之閘極亦連接至111+2130。111+2130及]^12210之 閘極連接至電容器2263，電容器2263接著連接至P1 2212 之閘極。N1 2210及P1 22 12之閘極亦由電阻器2285連接。 P1 2212之閘極亦連接至接地2292。 N1 2210之源極連接至〇ut+ 2132。N1 2210之源極亦連接 至電容器2260，電容器2260接著連接至P1 2212之源極。 125207.doc -42· 200836473 N1 2210及PI 2212之源極亦由電阻器2284連接。PI 2212之 汲極連接至接地2292。 用於N2 2220之汲極連接至電源2290。電源2290亦連接 至電阻器2281，電阻器2281接著連接至N2 2220之閘極。 N2 2220之閘極亦連接至In· 2140。In- 2140及N2 2220之閘 極連接至電容器2262，電容器2262接著連接至P2 2222之 閘極。N2 2220及P2 2222之閘極亦由電阻器2282連接。P2 2222之閘極亦連接至接地2292。 N2 2220之源極連接至〇ut- 2142。N2 2220之源極亦連接 至電容器2261，電容器2261接著連接至P2 2222之源極。 N2 2220及P2 2222之源極亦由電阻器22 83連接。P2 2222之 汲極連接至接地2292。 電阻器2286將接地2292連接至P1 22 12之閘極且連接至 電容器2263及電阻器2285之不連接至In+ 2130的側。電阻 器2287將接地2292連接至P2 2222之閘極且連接至電容器 2262及電阻器2282之不連接至In- 2140的側。 緩衝器2200並不限於用於本文中所明確描述之電路中。 緩衝器2200可用於具有巢套反饋電路之廣泛多種放大器 中’且特別適用於與需要電阻器之内部及/或外部切換之 巢套反饋電路一起使用以便改變放大器之增益。 圖23展示一特意為單端輸入設計之例示性實施，然而在 一些實施例中，可複製其以供差動輸入使用。LNA核心 23 10以三個增益級、若干反饋組件及一橋接器為特徵。如 同其他實施的情況一樣，可實施任何數目之橋接器。反饋 125207.doc •43- 200836473 電路（併有可切換電阻器Rf 312、Rf 562、Rf 566、Rf 572 及Rf 576)如先前所述般操作。一例示性橋接器(在此狀況 下，併有調諧塊172之單一橋接器）如先前所述般操作。然 而’該橋接器之一支腳連接至接地2392。 LNA核心、231〇在111+ 245()處接收單端輸入。輸入係接收 至一作為第一增益級（Gml 2301)操作之單端共源極跨導元 件中。Gml 2301亦包括-橋接器’該橋接器如所示經由調 諧塊172接地。在此實例中，Gml 23〇1提供反相單端輸 出。 將Gml 2301之單端輸出接收至一第二增益級（共閘極跨 導元件Gm2 2302)之輸入端中的一者中。在一些態樣中， Gm2 23〇2係交又耦合跨導元件，諸如Gm2 15⑽或Gm2 1600。在此等狀況下，交叉耦合提供單端輸入（亦即，在 圖23中之In- 512處）至差動輸出之轉換。在此實例中，至 Gm2 2302之另一輸入（亦即，In+ 522)連接至接地2392。 亦可將LNA核心23 10之增益級描述為包含電壓至電流轉 換裔（亦即，Gml 2301)之第一級及包含電流至電壓轉換器 (在此實例中，Gm2 2302與Gm3 303之組合）之第二級，其 中該電流至電壓轉換器亦執行單端至差動轉換。電壓至電

流轉換器繼之以電流至電壓轉換器之此組合並不限於圖U 中展示之增益級的數目及/或類型。另外，在任何此等組 恶中可併入在本文中其他地方所述之多種調諧選擇項以提 供調諧放大。 視h况’可根據各種實施例而修改已為差動輸入開發之 125207.doc -44- 200836473 電路用於單端輸入。 圖24為一可適合用作Gml 2301之共源極跨導元件的一實 例。Gml 2400經設計以用於單端輸入，然而可複製其以適 應差動輸入。Gml 2400由電源2490供電且由接地2492接 地。ISouixe 2491供應電流。信號輸入在In+ 2430處接收， 且輸出係經由〇ut+ 2450。 ^ In+ 2430連接至電容器2460，電容器2460接著連接至η型 電晶體Ν1 24 10之閘極。Ν1 2410之閘極經由電阻器2480連 • 接至Ν1 2410之汲極。Ν1 2410之汲極亦連接至ISource 2491，18〇111^6 2491連接至電源2490。1^12410之汲極亦連 接至Out+ 24 50。N1 2410之汲極亦連接至電阻器2481，電 阻器2481接著連接至η型電晶體N2 2420之閘極。N1 2410 之源極連接至Ν2 2420之汲極。Ν2 2420之閘極經由電容器 2461連接至Ν2 2420之源極。Ν2 2420之源極接地至接地 2492 〇 橋接器2470將Ν1 2410之源極及Ν2 2420之汲極連接至電 ^ 容器電容器2462。電容器2462接著連接至調諧塊172。調 - 諧塊172接著連接至接地2493。接地2493可為與接地2492 „ 相同之接地，但在一些實施例中，使得接地2493為與由一 用以接收信號之天線（未圖示）接地至之接地相同的接地可 .係有利的。如其他地方所述，若調諧放大係所要的，則調 諧塊172可具有阻抗。對於寬頻放大而言，調諧塊172可為 至接地2493之短路。在此實施中，Ν1 2410大體上提供放 大，而Ν2 2420大體上提供接地抑制。 125207.doc -45- 200836473 在些悲樣中，N2 2420可由電阻器替換。此替換將顯 然包括N2 2420之閘極與電容器2461與電阻器2481之間的 接合點之間的連接之移除。 圖25為一適合用於單端輸入至第一級（諸如Gmi 23〇1)的 共源極跨導元件之另一實例。Gml 25〇〇經設計用於單端輸 入，然而可複製其以適應差動輸入。Gml乃㈧與^… 2400共用若干組件，在圖25中複製該等組件。然而，㈤ 2500在若干方面不同。

Gml 2500併有一第三p型電晶體ρι 2512σρι 2512之源 極連接至電源2491。Pi 2512之源極亦連接至電容器 2564，電容器2564接著連接至電容器以以與調諧塊172 = 間的橋接器2470。電阻器248〇、〇ut+ 245〇、電阻器2481 及N1 2410之汲極並不與其在Gml 24〇〇中一樣連接至 ISource 2491。替代地，N1 241〇之汲極連接至pi up之 /及極此等，及極連接至〇ut+ 2450。此等汲極亦連接至電 阻器2481，電阻器2481接著連接至N2 242〇之閘極且連接 至電容器2461。>〇 241〇及？1 2512之汲極亦連接至電阻器 2480，電阻斋2480接著連接至ρι 2512之閘極及m 241〇之 閘極。此貫施以n型與1>型放大之組合為特徵。 圖26展示若干實施例之示意圖。儘管其他圖在獨立圖上 展示獨立增益級、偏壓電路、跨導元件、反饋電路及其類 似者之差異型式，但圖26將若干此等特徵併入一示意圖 中。此實例並不意謂為限制性的。相&，其僅係展示不同 、且件可如何相互作用的替代方式。為簡單起見，將圖％繪 125207.doc •46- 200836473 製為可充當具有單端輸入之寬頻電流至電壓轉換器的π半 電路π。然而，以提出複製（例如，電路之鏡射）來產生用於 差動輸入之電路的方式繪製圖26中之電路’且針對此複製 之若干可選修改包括於圖26之描述中。圖26亦展示η型及ρ 型電晶體、NLoad及PLoad，及可產生線性跨導元件（在鏡 射以製造差動電路時）之偏壓電路的一組合。 圖26為一併有第一及第二增益級、偏壓電路、反饋電 路、電晶體加載電路及可選交叉耦合電路之反相寬頻電流 至電壓轉換器的示意圖。BBI2V 2600由電源2690供電且接 地至接地2692。BBI2V 2600以η型電晶體N1 2610、N2 2620、Ν3 2630、Ν4 2640 及 Ν5 2650 連同 ρ 型電晶體 Ρ1 2612、Ρ2 2622、Ρ3 2632 及 Ρ4 2642為特徵。 Ρ2 2622之源極連接至電源2690。Ρ2 2622之閘極連接至 電阻器2680，電阻器2680接著連接至Ρ2 2622之汲極。Ρ2 2622之閘極亦連接至可選電容器2668，電容器2668接著連 接至電源2690及Ρ2 2622之源極。Ρ2 2622之汲極亦連接至 Ν4 2640之汲極，且此等汲極中之兩者連接至Ρ4 2642之閘 極0 Ν4 2640之源極連接至Ρ3 2632之源極。此等源極連接至 In 2412，且亦連接至電阻器2685，電阻器2685接著連接至 Out 2550。P3 2632之汲極連接至N3 2630之汲極。P3 2632 及N3 2630之汲極連接至N5 2650之閘極。此等汲極亦連接 至電阻器2681，電阻器2681接著連接至N3 2630之閘極。 N3 263 0之源極連接至接地2692。N3 2630之閘極亦連接至 125207.doc •47- 200836473 可選電容器2666，電容器2666接著連接至接地2692及N3 2 6 3 0之源極。 用於N4 2640之閘極偏壓係經由N1 2610，且用於P3 2632之閘極偏壓係經由pi 2612。N1 2610之汲極連接至電 流源ISource 2691，電流源iSource 2691連接至電源2690。 N1 2610之汲極亦連接至N1 2610之閘極。N1 2610之閘極 及汲極經由可選電阻器1483(下文論述之選擇項）連接至N4 2640之閘極。 N1 2610之源極連接至pi 2612之源極。此等源極亦連接 至電阻器2682，電阻器2682連接至N2 2620之閘極。電阻 器2682與N2 2620之閘極之間的此接合點亦連接至電容器 2664，電容器2664接著連接至接地2692。P1 2612之閘極 連接至P1 2612之汲極。P1 2612之閘極及汲極經由可選電 阻器1482連接至P3 2632之閘極。P1 2612之汲極連接至N2 2620之汲極。N2 2620之源極連接至接地2692。 P4 2642之源極連接至電源2690。P4 2642之汲極連接至 N5 2650之汲極。此等汲極在電阻器2685之與至In 2412之 連接相對的側上連接至Out 2550與電阻器2685。N5 2650 之源極連接至接地2692。 P4 2642之閘極經由彼此並聯之電阻器與電容器對的串 聯連接連接至N5 2650之閘極（如圖26中所示）。P4 2642之 閘極連接至電阻器2683與電容器2660。電阻器2683與電容 器2660之相對侧連接至接合點2699。N5 2650之閘極連接 至電阻器2684與電容器2662。電阻器2684與電容器2662之 125207.doc -48- 200836473 相對側連接至接合點2699。接合點2699亦連接至電阻器 2686，電阻器2686接著連接至N5 2650與P4 2642之汲極。 圖26展示兩個獨立增益級之實例。儘管圖26中展示之實 施例可按現狀加以使用，但在此描述之其他部分的情形下 描述BBI2V 2600之若干特徵可係有教益的。因此，為達成 說明之目的，可將BBI2V 2600之第一增益級（共閘極線性 跨導元件）描述為第二增益級Gm2。類似地，為達成說明 之目的，可將BBI2V 2600之第二增益級（共源極跨導元件） 描述為第三增益級Gm3。遵循此說明性命名法，BBI2V 2600包括第二增益級Gm2(包括N4 2640及P3 2632)、偏壓 電路（包括N1 2610、N2 2620及P1 2612)、第三增益級 Gm3(包括 P4 2642 及 N5 2650)、NLoad 電路（包括 N3 2630 及 電阻器2681)、PLoad電路（包括P2622及電阻器2680)、交叉 耦合電路（包括電容器15 60及15 68及電阻器1483及1482)及 反饋組件（包括電阻器2683、2684、2685、2686及電容器 2660及2662連同可選電容器2666及2668)。圖26展示包含 增益級之共閘極及共源極跨導元件的稍微不同之實施例。 跨導元件之此等實施例並不限於在BBI2V 2600之情形下使 用。 對於一些差動輸入應用而言，可能不需要電容器2666及 2668。然而，對於單端應用而言，併入電容器2666及2668 可係有利的。若BBI2V 2600之”單一”型式”按現狀”用於單 端輸入，或若BBI2V 2600之複製或複式型式用於單端輸入 (例如，將單端輸入轉換成差動輸出），則包括電容器2666 125207.doc -49- 200836473 及2668可係有利的。 為簡化若干實施例之此替代視圖，BBI2V 2600如先前所 述展示為"半電路”。然而，若雜訊消除或單端至差動轉換 係複製電路（例如，BBI2V 2600之雙型式）所要的，則所預 見之此BBI2V 2600之複製及複製型式可併有交叉耦合電 路。因此，若干可選特徵展示於可用以產生交叉耦合電路 (若如此需要）之圖26上。將如所示併有可選電阻器1482及 1483連同可選電容器1560及1568以產生交叉耦合之電路 (包含BBI2V 2600之兩個鏡射複本）。電容器1560及1568之 未圖示之側將接著連接至鏡射電路之源極。類似地，鏡射 型式（具有電阻器1482及1483連同電容器1560及1568之相 同複製型式）將連接至圖26上之In 2412。 圖26提供針對若干實施例之額外資訊。包括N1 2610、 N2 2620友P1 2612之電路係偏壓電路，且此偏壓電路提供 閘極偏壓至N4 2620及P3 2632。BBI2V 2600中之第一增益 級（其將對應於其他LNA實施例中之第二增益級或Gm2級） 包括具有N4 2620及P3 2632之電路。NLoad 630之一實施 例展示於加載N4 2640之電路中。此加載電路包括P2 2622、電阻器2680及可選電容器2668。在一些應用中，電 容器2668可幫助確保加載電路所呈現之電阻係充分高的。 PLoad 632之一實施例展示於加載P3 2632之電路中。此加 載電路包括N3 2630、電阻器2681及電容器2666。 對於BBI2V 2600之一複製（亦即，鏡射）型式而言，加載 電路、偏壓電路及增益電路之組合形成一能夠接收（例如） 125207.doc -50- 200836473 差動輸人之寬頻電流至電壓轉換器的-實施例。 多種電阻性電路及/或電阻器可用於NLoad及PLoad電 路’只要其為充分電阻性的、供應電流且並非電流限制 的。然而，圖辦展示之電路與其他負載(例如，電：二 相比可提供相對增加之餘裕空間。 在一些狀況下，將若干實施例之功能性組合在一電路或 電路組上可係有利或有效的。除充當加載電路之外，與打 2622及N3 263G相關聯之電路亦充當用 壓電路。因此，用於P4 2642之偏壓由包括P2助之電： 設定（經由P2 2622之汲極），且用於N5 265〇之偏壓由包括 N3 263 0之電路設定（經由N3 2630之汲極）。 圖27為一根據本發明之一實施例之共源極跨導元件的示 意圖。為清晰起見，未展示DC閘極偏壓之源極。先前已 描述CSTE 2700之各種組件。諸如圖27中所示之電路的電 路之某些實施例可能不需要電流源。 圖28為一根據本發明之一實施例之共閘極跨導元件的示 意圖。為清晰起見，未展示DC閘極偏壓之源極。先前已 描述CSTE 2800之各種組件。諸如圖27中所示之電路的電 路之某些實施例可能不需要電流源。 圖29A為一併有一橋接器及反饋電路之共源極跨導元件 的方塊圖。CSTE 2901展示將調諧塊及電容器併入以在必 要時提供調諳的若干可選位置。例示性跨導元件Gml 3〇 i 經組態以在此實例中接收差動輸入。橋接器17〇與〇1111 3〇1 之間的連接展示於Gml 301之一不同於其他圖的部分中。 125207.doc -51 - 200836473 此差異僅為說明清晰起見。 圖29B為一併有一橋接器及反饋電路之共源極跨導元件 的方塊圖。CSTE 2902展示將調諧塊及電容器併入以在必 要時提供調諧的若干可選彳立置。例示性跨導元件Gm 1 23 0 1 經組態以在此實例中接收單端輸入且提供差動輸出。橋接 器Π0與Gml 2301之間的連接展示於Glnl 2301之一不同於 其他圖的部分中。此差異僅為說明清晰起見。 圖30為一根據一實施例之寬頻電壓至電壓轉換器的方塊 圖。BBV2V 3 000包括Gml 301及寬頻電壓至電壓轉換器 BBI2V 3010。BBV2V 3000亦展示若干反饋電路及一橋接 器。此方塊圖說明將調諧電路（若如此需要）併入輸入電路 中、併入橋接器中及併入反饋電路中的若干選擇項。 圖3 1A為展示一例示性共增益跨導元件與一反饋電路之 組合的方塊圖。可切換反饋電阻器3162及3164提供

Gm2 302之每一輸入端與具有相反極性之輸出端之間的反 饋。 圖31B為展示一併有反镇電路之例示性寬頻電壓至電壓 轉換器（例如，供BBI2V 3010中使用）的方塊圖。BBI2v 3100包括一共增益跨導元件（}11123〇2及一共源極跨導元件 Gml 301。輸入由Gm2 302接收，Gm2 302接著發送信號至 Gml 301，Gml 301接著產生輸出。可切換反饋電阻器Rf 3160、3 162、3 163及3 164併入將每一跨導元件之每一輸入 端連接至具有相反極性之輸出端的反饋電路中。 在一些實施例中，諸如圖31A及圖3 1B中所示之電路的 125207.doc -52- 200836473 電路可提供雜訊減少、減少之輸入電阻及單端輸入至差動 輸出之轉換。交又耦合亦可併入該等電路中。 以上描述係說明性的且並非限制性的。本發明之許多變 化對於熟習此項技術者在回顧本揭示案時而言將變得顯而 易見因此，本發明之範疇不應參考以上描述來確定，而 替代地應參考隨附申請專利範圍連同其均等物之完整範疇 來確定。 【圖式簡單說明】 圖為根據本發明之一實施例的具有單一橋接器之例示 性低雜訊放大器的方塊圖。 圖2為根據本發明之一實施例的具有兩個橋接器之例示 性低雜訊放大器的方塊圖。 °為根據本發明之一實施例之例示性LNA核心的方塊 圖。 圖4為根據本發明之一實施例之另一例示性LNA核心的 方塊圖。 圖5為一根據本發明之一實施例的例示性寬頻電壓至電 壓轉換器。 圖6為一展示一根據本發明之一實施例之共源極線性跨 導元件的例示性第—增益級。 圖7A、圖7B及圖7C展示根據本發明之一實施例的若干 例示性橋接器。 圖8為展示一根據本發明之一實施例之共源極跨導元件 的另一例示性第一增益級。、 125207.doc -53 · 200836473 圖9為展示一妒搪士枚 很據本發明之一實施例之共源極跨導元件 的又—例示性第-增益級。 圖10為展示一护搪士& — 很據本發明之一貫施例之共源極跨導元件 的再—例示性第-增益級。 圖11為一根擔士 2义 立 尿本兔明之一實施例之例示性偏壓電路的示 意圖。 圖\ 2為 立 ’、、、根據本發明之一實施例之例示性偏壓電路的示 意圖。 ° 根據本發明之一實施例之例示性偏壓電路的示 意圖。 不 ® 14為-根據本發明之_實施例之例示性偏壓電路 意圖。 日圖^例示性第二增益級之示意圖，其展示-根據本發 明之一實施例的以一交又耦合電路為特徵之共閘極線性 導元件。 圖16為另—例示性第二增纽之示意圖，其展示-根據 2明之一實施例的以-交叉耦合電路為特徵之共閘極線 性跨導元件。 =17為又—例示性第：增益級之示意圖，其展示一根據 本發明之一實施例之共閘極跨導元件。 圖1 8為再一例示性第二兴一 9 I、、及之不思圖，其展示一根據 本务月之一實施例之共閘極跨導元件。 圖19為又一例示性第一 ^ * $曰凰級之不意，其展示一根據 本發明之一實施例的以一人 又耦a毛路為特徵之共閘極跨 125207.doc -54- 200836473 導元件。 圖20為例示性第三增益級之示意圖，其展示—根據本發 明之一實施例之推挽跨導元件。 圖21為一根據本發明之一實施例的亦包括一緩衝級之例 示性LNA電路的示意圖。 圖2 2為一根據本發明之一實施例之例示性緩衝級的示意 圖。 〜

圖2 3為一根據本發明之一實施例的例示性寬頻電壓至電 壓轉換器的示意圖，其具有一經設計用於單端輪入的第一 增益級且與一單端至差動轉換器組合。 圖24為一根據本發明之一實施例的用於單端輪入之例示 性弟一增盈級的示意圖。 圖25為根據本發明之一實施例的用於單端輸入之另一例 示性第一增益級的示意圖。 圖26為一根據本發明之一實施例的併有第一及第二捭只 級、偏壓電路、反饋電路、電晶體加载電路及可、琴六、 又^雨 e電路之寬頻電流至電壓轉換器的示意圖。 圖27為一根據本發明之一實施例之共源極跨導元件 意圖。 、下 圖28為一根據本發明之一實施例之共閘極跨導元件的示 圖29A為根據本發明之一實施例的一併有一橋接器 饋電路之共源極跨導元件的方塊圖。 圖29B為根據本發明之一實施例的併有一橋接器 "反饋 125207.doc -55- 200836473 電路之另一共源極跨導元件的方塊圖。 圖30為一根據本發明之一實施例之寬頻電壓至電壓轉換 器的方塊圖。 圖3 1A為展示一例示性共增益跨導元件與一反饋電路之 組合的方塊圖。 图1 B為展示一併有反饋電路之例示性寬頻電壓至電壓 轉換器（例如，供BBI2V3010中使用）的方塊圖。

【主要元件符號說明】 100 低雜訊放大器（LNA) 102 封裝 110 LNA核心 120 襯墊 130 In+/正電壓輸入/輸入信號 140 In-/負電壓輸入/輸入信號/輪 150 〇ut+/輸出 160 Out-/輸出 162 電容器 170 橋接器 172 調諧塊 174 電容器 176 電容器 180 反饋組件 200 LNA 210 LNA核心 入端 125207.doc -56- 200836473 270 橋接器 272 調諧塊 274 電容器 276 電容器 280 反饋組件 300 BBV2V/非反相寬頻電壓至電壓轉換器 301 Gml/第一增益級/共源極跨導元件 302 Gm2/第二增益級/共閘極跨導元件 303 Gm3 310 反饋電路 312 可變電阻器Rf/可切換電阻器Rf 320 反饋電路 322 可切換電阻器Rf 370 橋接器 372 調諧塊 374 電容器 376 電容器 380 反饋組件 400 BBV2V/非反相寬頻電壓至電壓轉換器 401 Gml/第一增益級 410 反饋電路 412 可切換電阻器Rf 420 反饋電路 422 可切換電阻器Rf 125207.doc .57· 200836473 480 反饋組件 510 Out-/輸出/輸出端 512 In-/輸入 514 Out-/輸出/輸出端 516 In-/輸入 520 〇ut+/輸出/輸出端 522 In+/輸入 524 Out+/輸出/輸出端 526 In+/輸入 560 反饋電路 562 可切換電阻器Rf 5 64 反饋電路 566 可切換電阻器Rf 570 反饋電路 572 可切換電阻器Rf 5 74 反饋電路 576 可切換電阻器Rf 600 CSLTE/共源極線性跨導元件 610 η型電晶體N1 612 Ρ型電晶體Ρ1 620 η型電晶體Ν2 622 ρ型電晶體Ρ2 63 0 NLoad 632 PLoad 125207.doc -58 . 200836473

640 輸出端BiasNl 642 輸出端.BiasPl 650 輸出端BiasN2 652 輸出端BiasP2 660 電容器OutCap 662 電容器OutCap 670 電容器NICap 672 電容器PICap 680 電容器N2Cap 682 電容器P2Cap 690 電源 692 接地 800 共源極跨導元件/CSTE 810 電晶體N1 812 電晶體P1 820 η型電晶體N2 822 Ρ型電晶體Ρ2 861 電容器 862 電容器 863 電容器 864 電容器 872 調諧塊 880 電阻器 881 電阻器 125207.doc -59- 200836473

882 電阻器 883 電阻器 891 I Source 892 ISource 900 共源極跨導元件/CSTE 910 電晶體N1 912 電晶體PI 920 電晶體N2 922 電晶體P2 930 電晶體N3 940 電晶體N4 961 電容器 962 電容器 963 電容器 964 電容器 965 電容器 966 電容器 972 調諧塊 980 電阻器 981 電阻器 982 電阻器 983 電阻器 991 ISource 992 ISource -60- 125207.doc 200836473

1000 CSTE 1010 電晶體N1 1015 電晶體N2 1020 電晶體N3 1025 電晶體N4 1060 電容器 1062 電容器 1080 電阻器 1081 電阻器 1082 電阻器 1083 電阻器 1091 ISource 1092 ISource 1100 偏壓電路 1130 η型電晶體N3 1132 Ρ型電晶體Ρ3 1180 電阻器 1181 電阻器 1182 電阻器 1183 電阻器 1184 電阻器 1190 電源 1191 電流源ISource 1192 接地 125207.doc -61 - 200836473 1200 偏壓電路 13 00 偏壓電路 1310 η型電晶體N1 1312 Ρ型電晶體Ρ1 1322 Ρ型電晶體Ρ2 1372 電容器 * 1380 電阻器 1381 電阻器 ⑩ 1382 電阻器 1383 電阻器 1384 電阻器 1390 電源 1391 ISource 1392 接地 1399 纏繞電路 1400 偏壓電路 1410 η型電晶體N1 . 1412 Ρ型電晶體Ρ1 , 1420 η型電晶體Ν2 1480 電阻器 1481 電阻器 1482 電阻器 1483 電阻器 1484 電阻器 125207.doc -62 - 200836473

1490 電源 1491 ISource 1492 接地 1500 Gm2 1510 η型電晶體N1 1512 P型電晶體PI 1520 η型電晶體N2 1522 Ρ型電晶體Ρ2 1530 NLoad 1532 PLoad 1554 柄合器 1555 耦合器 1560 電容器 1561 電容器 1562 電容器 1563 電容器 1564 電容器 1565 電容器 1566 電容器 1567 電容器 1568 電容器 1569 電容器 1590 電源 1592 接地 125207.doc -63 - 200836473

1600 Gm2 1610 n型電晶體N1 1612 P型電晶體PI 1620 η型電晶體N2 1622 Ρ型電晶體Ρ2 163 0 NLoad 1632 PLoad 1660 電容器 1661 電容器 1662 電容器 1663 電容器 1664 電容器 1665 電容器 1666 電容器 1667 電容器 1668 電容器 1669 電容器 1680 電阻器 1681 電阻器 1682 電阻器 1683 電阻器 1690 電源 1692 接地 1700 Gm2 125207.doc -64- 200836473

1710 η型電晶體N1 1712 P型電晶體PI 1720 η型電晶體N2 1722 Ρ型電晶體Ρ2 1730 η型電晶體Ν3 1740 η型電晶體Ν4 1760 電容器 1761 電容器 1762 電容器 1763 電容器 1764 電容器 1765 電容器 1766 電容器 1780 電阻器 1781 電阻器 1782 電阻器 1783 電阻器 1790 電源 1791 電流源ISource 1792 接地 1793 電流源ISource 1800 Gm2 1810 η型電晶體N1 1812 ρ型電晶體PI 125207.doc -65- 200836473

1820 1822 1830 1840 1860 1861 * 1863 1864 _ 1865 1866 1880 1881 1882 1883 1890 1891 1892 1893 1900 1962 1967 2000 2010 2012 η型電晶體Ν2 ρ型電晶體Ρ2 η型電晶體Ν3 η型電晶體Ν4 電容器 電容器 電容器 電容器 電容器 電容器 電阻器 電阻器 電阻器 電阻器 電源 電流源ISource 接地 電流源ISource

Gm2 電容器 電容器

Gm3 η型電晶體N1 Ρ型電晶體Ρ1 -66- 125207.doc 200836473

2020 η型電晶體N2 2022 Ρ型電晶體Ρ2 2030 η型電晶體Ν3 2032 Ρ型電晶體Ρ3 2060 電容器 2061 電容器 2062 電容器 2063 電容器 2064 電容器 2065 電容器 2080 電阻器 2081 電阻器 2082 電阻器 2083 電阻器 2084 電阻器 2085 電阻器 2086 電阻器 2090 電源 2092 接地 2104 緩衝器 2110 LNA核心 2130 Ιη+ 2132 輸出端Out+ 2140 In- 125207.doc -67- 200836473

2142 輸出端Out- 2150 輸出端Out+ 2160 輸出端Out- 2180 可切換電阻器Rf 2181 電阻器Rf 2182 可切換電阻器Rf 2183 電阻器Rf 2184 可切換電阻器Rf 2185 電阻器Rf 2186 可切換電阻器Rf 2187 電阻器 2188 可切換電阻器Rf 2189 電阻器 2190 可切換電阻器Rf 2191 電阻器Rf 2200 緩衝器 2210 η型電晶體N1 2212 Ρ型電晶體Ρ1 2220 η型電晶體Ν2 2222 Ρ型電晶體Ρ2 2260 電容器 2261 電容器 2262 電容器 2263 電容器 125207.doc -68 - 200836473 2280 電阻器 2281 電阻器 2282 電阻器 2283 電阻器 2284 電阻器 2285 電阻器 2286 電阻器 2287 電阻器 2290 電源 2292 接地 2301 Gml/第一增益級/跨導元件 2302 Gm2/第二增益級/共閘極跨導元件 23 10 LNA核心 2392 接地 2400 Gml 2410 η型電晶體N1 2412 In 2420 η型電晶體N2 2430 Ιη+ 2450 In+/Out+ 2460 電容器 2461 電容器 2462 電容器 2470 橋接器 125207.doc -69- 200836473

2480 電阻器 2481 電阻器 2490 電源 2491 ISource 2492 接地 2493 接地 2500 Gm 1 2512 第三P型電晶體P1 2550 Out 2564 電容器 2600 BBI2V 2610 η型電晶體N1 2612 Ρ型電晶體Ρ1 2620 η型電晶體Ν2 2622 Ρ型電晶體Ρ2 2630 η型電晶體Ν3 2632 ρ型電晶體Ρ3 2640 η型電晶體Ν4 2642 ρ型電晶體Ρ4 2650 η型電晶體Ν5 2660 電容器 2662 電容器 2664 電容器 2666 電容器 125207.doc -70- 200836473 2668 電容器 2680 電阻器 2681 電阻器 2682 電阻器 2683 電阻器 2684 電阻器 2685 電阻器 2686 電阻器 2690 電源 2691 電流源ISource 2692 接地 2699 接合點 2700 CSTE 2800 CSTE 2901 CSTE 2902 CSTE 3000 BBV2V 3010 BBI2V 3100 BBI2V 3160 可切換反饋電阻器Rf 3162 可切換反饋電阻器Rf 3163 可切換反饋電阻器Rf 3164 可切換反饋電阻器Rf 125207.doc •71 -

Claims (1)

1. 200836473 十、申請專利範圍： 1· 一種跨導電路，其具有一輸入端及一輸出端，該跨導電 路包含： 一 η型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極· ^ 一 Ρ型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閑極.兮η 型電晶體之該源極連接至該ρ型電晶體之該源極； • 一或多個電阻性負載，每一負載連接至該1!型電晶體 或該Ρ型電晶體之該汲極且允許一電流之通過； _ 其中該輸入端連接至一閘極或一源極，且該輸出端連 接至至少一電晶體之連接至一負載之該汲極。 2·如請求項1之跨導電路，其進一步包含一具有一阻抗之 調諧塊，該調諧塊連接至一閘極、源極、輸入端或輸 端。 1出 3·如請求項2之跨導電路，其進一步包含一在上面製造該 荨電晶體之基板，其中該調諧塊在該基板外部。 4· 一種低雜訊放大器，其具有一輸入端及一輸出端，該低 雜訊放大器包含： ~ . 一跨導電路，其包含： : 一 n型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； ‘ 一 Ρ型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閑極· 該η型電晶體之該源極連接至該ρ型電晶體之該源極·，， 一或多個電阻性負載，每一負載連接至該η型電晶 體或該ρ型電晶體之該没極且允許一電流之通過· 其中该輸入端連接至一閘極或_源極，且該輸山 125207.doc 200836473 連接至至少一電晶體之連接至一 一或多個反饋電路，每一反镇 一具有一相反極性之輸出端 阻器。 負载之該汲極； 電路將一輸入端連接至 且每一反饋電路包括一電 5·如請求項4之放大器，其進一 諧塊，該調諧塊連接至一間極、源極 端或輸出端。 步包含一具有一阻抗之調 反饋電路、輸入

   &如請求項5之放大器’其進—步包含—在上面製造該等 電晶體之基板’且其中該調諧塊在該基板外部。 7· 一種具有—輸人端及—輸出端之跨導元件，該跨導元件 包含： -第-及一第二跨導電路’每一跨導電路包含： — η型電晶體，其具有一源極、一没極及一閘極； ——Ρ型電晶體，其具有—源極、—沒極及一閉極； 及η型電晶體之該源極連接至該ρ型電晶體之該源極； ^或多個電阻性負载’每—負載連接至該η型電晶 體或该ρ型電晶體之該汲極，每—負載允許一電流之通 過； 將該第-跨導電路中之_源極連接至該第二跨 路中之一源極的橋接器；且 其中該輸人端連接至-閉極，且該輸出端連接至至少 一電晶體之連接至一負载之該汲極。 8.如請求項7之跨導元件，其進一步包含一具有一阻抗之 調諸塊’該調错塊連接至_橋接器、輸人端或輸出端。 125207.doc 200836473 9_如請求項8之跨導元件，爱 算雷曰鱗 /、進一步包含一在上面製造該 一阳-之基板’且其中該調諧塊在該基板外部。 包含了有#人&及—輪出端之跨導元件，該跨導元件 μ及帛一跨；電路，每一跨導電路包含： -η型電晶體’其具有—源極、一汲極及一閘極； - Ρ型電晶體’其具有—源極、一汲極及一閉極； 該η型電晶體之該源極連接至該Ρ型電晶體之該源極； 或夕個電阻[ 生負载，每一負載連接至該η型電晶 體或該Ρ型電晶體之該沒極，每一負載允許一電 過； 一將該第-跨導電路中之—閉極連接至該第二跨導電 路中之一閘極的橋接器；且， 其中該輸入端連接至-源極，且該輸出端連接至至少 一電晶體之連接至一負載之該汲極。 11·如請求項10之跨導元件，复、# 丰4人 φ 卞其進一步包含一具有一阻抗之 調諧塊，該調譜塊連接至一橋接器、輸入端或輸出端。 .12.如請求項11之跨導元件，其進-步包含-在上面製造該 : 等電晶體之基板，且其中該調諧塊在該基板外部。 • I3· 一種具有一輸入端及一輸出端之交叉耦合跨導元件，該 跨導元件包含： Λ 第一及第一跨導電路，每一跨導電路包含： 一 11型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 一 ρ型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極， 125207.doc 200836473 該η型電晶體之該源極連接至該p型電晶體之該源極； 一或多個電阻性負載，每一負載連接至該η型電晶 體或該Ρ型電晶體之該汲極，每一負載允許一電流之通 過； t 一將該第一跨導電路中之一閘極連接至該第二跨導電 路中之一源極的第一橋接器； 一將該第二跨導電路中之一閘極連接至該第一跨導電 路中之一源極的第二橋接5| ;且 其中該輸入端連接至一源極，且該輸出端連接至至少 一電晶體之連接至一負载之該汲極。 14·如請求項13之跨導元件，其進一步包含一具有一阻抗之 調諧塊，該調諧塊連接至一橋接器、輸入端或輸出端。 15·如請求項14之跨導元件，其進一步包含一在上面製造該 等電晶體之基板，且其中該調諧塊在該基板外部。 16· —種具有一輸入端及一輸出端之交又耦合跨導元件，該 父叉柄合跨導元件包含： 第一及第二跨導電路，該等第一及第二跨導電路之每 ^ 一者包含： : 一 n型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； • 一 Ρ型電晶體’其具有一源極、一汲極及一閘極， 該η型電晶體之該汲極連接至該ρ型電晶體之該汲極； 一將該第一跨導電路中之一閘極連接至該第二跨導電 路中之一源極的第一橋接器； 一將該第二跨導電路中之一閘極連接至該第一跨導電 125207.doc -4- 200836473 路中之一源極的第二橋接器；且， 其中該輸入端連接至-源極，且該輸出端連接至_沒 極0 17. 如請求項16之跨導元件，其進_步包含—具有—阻抗之 調諧塊’該調諧塊連接至_橋接器、輸人端或輸出端。 18. 如請求項17之跨導元件，其進—步包含-在上面製造該 等電曰日體之基板’其中該調諧塊在該基板外部。 19. -種具有—輸人端及—輸出端之跨導元件，該跨導 包含： 第一及第二跨導電路，該等第-及第二跨導電路之每 一者包含： 一η型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 一 Ρ型電晶體，其具有_源極、—汲極及一閑極， 該η型電晶體之該汲極連接至該ρ型電晶體之該没極，該 _電晶體之該閘極連接至該ρ型電晶體之該間極； -將該第-跨導電路之—源極連接至該第二跨導電路 之一源極的橋接器；且 其中該輸入端連接至-閘極，且該輸出端連接至一淡 才亟0 1如請求項19之跨導元件，其進—步包含—具有―阻抗之 調諧塊’該調諸塊連接至-橋接器、輸入端或輸出端。 儿㈣求項20之跨導元件，其進—步包含一在上面製造該 等電晶體之基板’其中該調諧塊在該基板外部。 22. 一種具有一輸入端及-冑出端之跨導元#，該跨導元件 125207.doc 200836473 包含： 第一及第二跨導電路，該等第一及第二跨導電路之每 一者包含： 一第一 η型電晶體’其具有一源極、一沒極及一閘 極； 一第二η型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘 極’該第一電晶體之該源極連接至該第二電晶體之該沒 極；

   一電阻裔，其處於該第一電晶體之該汲極與該第二 電晶體之該閘極之間的一串聯連接中； 一電容器，其處於該第二電晶體之該閘極與一接地 或 電源之間的'一串聯連接中； -將該第-跨導電路中之該第—電晶體之該源極連接 至》亥第一跨導電路中之該第—電晶體之該源極的橋接 器；且， 其中該輸入端連接至第一電晶體中之-者或兩者之該 閘極，且該輸出端連接至第一 电日日體中之一者或兩者之 該〉及極。 23·如請求項22之跨導元件，其 ν包含一具有一阻抗之 調諧塊，該調諧塊連接至一 山 , 接為、輸入知或輪出端。 24.如請求項23之跨導元件， 等電晶體之基板，…J步包含一在上面製造該 八中該調諧塊在該基板外部。 25· —種具有一輸入端及一 包含： 輸出^之跨導元件’該跨導元件 125207.doc 200836473 第及第一跨V電路，該等第一及第二跨導電路之每 一者包含： 11型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 一 Ρ型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極， 該η型電晶體之該汲極連接至該ρ型電晶體之該汲極，該 η型電晶體之該閘極連接至該ρ型電晶體之該間極； 一將該第一跨導電路之一閘極連接至該第二跨導電路 之一閘極的橋接器；且， 其中該輸入端連接至一源極，且該輸出端連接至一汲 極0 26. 如請求項25之跨導元件，其進一步包含一具有一阻抗之 凋諧塊，該調諧塊連接至一橋接器、輸入端或輸出端。 27. 如請求項26之跨導元件，其進一步包含一在上面製造該 等電晶體之基板，其中該調諧塊在該基板外部。 28· 一種低雜訊放大器，其包含·· 一具有一輸入端及一輸出端之跨導元件；及 一或多個反饋電路，每一反饋電路將一輸入端連接至 一具有一相反極性之輸出端，每一反饋電路包括一電阻 器。 29·如請求項28之低雜訊放大器，其進一步包含一具有一阻 抗之調讀塊’該調譜塊連接至一輸入端、輸出端或反饋 電路。 3〇·如請求項29之低雜訊放大器，其進一步包含一在上面製 造該等電晶體之基板，其中該調諧塊在該基板外部。 125207.doc 200836473 3 1 · —種調諧電路，其包含： 一第一電晶體，其且右 … /、有一源極、汲極及閘極； 一弟二電晶體，其呈右 、有一源極、汲極及閘極； 源 源 -具有-阻抗之調譜塊，其將該第一 極、汲極或閘極中之任_ 一 托 者連接至該第二電晶體之 極、汲極或閘極。 m( 32.如請求項31之調諧電路，其

   等電晶體之基板，宜中兮卞⑽ 3在上面製造該 ，、亥調諧塊在該基板外部。 33· —種低雜訊放大器，其包含·· 一共閘極跨導元件； 第：反饋電路，其包含一第一電阻器，該第一反饋 电路將㈣導元件之—正輸人端連接至該跨導元件之一 負輸出端；及 一弟二反饋電路，豆句冬 墙 ^ ，、巴3 一弟二電阻器，該第二反饋 電路將該跨導元件之一倉 卞心貞輸入端連接至該跨導元件之一 正輸出端。 34·如請求項33之低雜訊放大器，其進一步包含一具有一阻 抗之調料，該調料連接至—正輸人端、—正輸出 端、一負輸入端、一負輸出端或一反饋電路。 35. —種電流至電壓轉換器，其包含： 一共閘極跨導元件，其具有至少一輸入端及一輸出 端； 一共源極跨導元件，其具有至少一輸入端及一輸出 端’該共源極跨導元件連接至該共閘極跨導元件； 125207.doc 200836473 一反饋電路’其包括一電阻器’該反饋電路將具有一 極性之任一輸入端連接至具有一相反極性之任一輸出 端。 36.如請求項35之電流至電壓轉換器，其進一步包含一具有 至乂 輸入端及一輸出端之緩衝器，且該緩衝器連接至 該荨跨導元件中之任一者。 37·如請求項36之電流至電壓轉換器，其進一步包含一具有 一阻抗之調諧塊，該調諧塊連接至任一輸入端、輸出端 或反績電路。 3 8·如請求項37之電流至電壓轉換器，其進一步包含一在上 面製造該等電晶體之基板，其中該調諧塊在該基板外 部。 39·如請求項35之電流至電壓轉換器，其進一步包含一具有 I1抗之调々塊’ δ亥调諧塊串聯連接至任一輸入端、輸 出端或反饋電路。 40·如請求項39之電流至電壓轉換器，其進一步包含一在上 面製造該等電晶體之基板，其中該調諧塊在該基板外 部。 41· 一種低雜訊放大器，其包含： 一第一共源極跨導元件，其包括一具有一阻抗之調諧 塊’该第一共源極跨導元件具有一輸入端及一輸出端； 一共閘極跨導元件，其與該第一共源極跨導元件連 接，該共閘極跨導元件具有一輸入端及一輸出端； 一第二共源極跨導元件，其與該共閘極跨導元件連 125207.doc 200836473 接，該第二共源極跨導元件具有一輸入端及一輸出端；及 至夕反饋電路，其包括一電阻器，該反饋電路將任 輸入連接至任一輸出端。 42. 43. • 44 45. 如明求項41之低雜訊放大器，其進一步包含一具有至少 一輸入端及一輸出端之緩衝器，該緩衝器連接至該等跨 導元件中之任一者。 一種緩衝電路，其具有一輸入端及一輸出端，該緩衝電 路包含： 一 n型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 一 Ρ型電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 忒η型電晶體之該源極由一電阻器連接至該ρ型電晶體 之該源極； 4 n i黾曰曰體之該源極由一電容器連接至該ρ型電晶體 之該源極； 該輸入端連接至至少一閘極；且 該輸出端連接至至少一源極。 一種調諧交叉耦合電晶體電路，其包含： 一第一電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 一第二電晶體，其具有一源極、一汲極及一閘極； 該第一電晶體之該閘極由一橋接器連接至該第二電晶 體之該源極，該橋接器包括一具有一阻抗之調諧塊；且 該第二電晶體之該閘極由一橋接器連接至該第一電晶 體之該源極，該橋接器包括一具有一阻抗之調諧塊。 一種主動電阻性負載，其用於使電流通過，該負載包含 125207.doc -10- 200836473 一電路，該電路包括： -電晶體’其具有-連接至_電源或—接地之源極； 一電容器，其連接該電晶體之該源極及一閘極；及 一電阻器，其連接該電晶體之該閘極及一汲極。 46. —種纏繞電路，其用於提供一裝置與一組件之間的一高 阻抗連接，該纏繞電路包含： -電晶體，其具有-源極、一汲極及一閘極；該電晶 體之該源極連接至該組件，該電晶體之該汲極連接至該 裝置之一第一接頭； 電各裔，該電容器在一第一端上連接至該組件，該 電容器在一第二端上連接至該閘極；及 一電阻器，該電阻器在一第一端上連接至該電容器之 該第二端，該電阻器在一第二端上連接至該裝置之一第 二接頭。 125207.doc -11 -