TW200835987A - Liquid crystal device and electronic equipment - Google Patents

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TW200835987A TW096140488A TW96140488A TW200835987A TW 200835987 A TW200835987 A TW 200835987A TW 096140488 A TW096140488 A TW 096140488A TW 96140488 A TW96140488 A TW 96140488A TW 200835987 A TW200835987 A TW 200835987A
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liquid crystal
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Akihide Haruyama
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Seiko Epson Corp
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Description

200835987 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶裝置及電子機器。 【先前技術】 近年來，有根據利用光電效果之電子分 被提出。所謂光電效果，係藉由外部電場改 率的現象。作爲光電效果之一，例如Kerr ( 屬已知。所謂Kerr效果，係指對向同性之 加電場時，以電場方向爲光軸，比例於電場 之複折射性被激發之現象。作爲呈現這樣的 液晶材料，有藍相（Blue phase )係屬已知 光學向列相與向同相之間的特定溫度範圍內 爲向同性之液晶相，目視時多半帶有藍色因 其回應速度極快。因爲藍相出現的溫度範圍 於內部導入筒分子材料，謀求使其出現溫度 如參照專利文獻1 )。 然而近年來，作爲行動電話或可攜資訊 電子機器之顯示部，經常採用液晶裝置。一 攜帶用電子機器使用的液晶裝置，採用進行 過顯示之半透過反射型者，進而藉由採用橫 求視角之提高。在此，於這樣的橫電場方式 型液晶:置使用目u述監相’以謀求高速回應 到。 極的顯示方式 變物質的折射 克爾）效果係 有極性物質施 強度的2次方 Kerr效果之 。藍相，係在 出現之光學上 而名之，已知 非常窄，所以 範圍擴大（例 終端等攜帶用 般而言，作爲 反射顯示及透 電場方式以謀 之半透過反射 的作法被考慮 -4- 200835987 〔專利文獻1〕日本專利特開2 0 0 5 - 3 3 6 4 7 7號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 一般而言，在半透過反射型之液晶裝置，爲了使反射 顯示與透過顯示雙方都得到良好的顯示，一般會採用使圖 點（dot )區域內的反射顯示區域與透過顯示區域之液晶 胞（cell )厚（液晶層厚）相異的構造（所謂多間隙構造 )。然而，因爲藍相只能在電場產生的部分區域使液晶的 配向改變，所以液晶胞厚超過一定程度以上的話，電場無 法抵達液晶分子全體，對於該區域之亮度沒有貢獻。因此 ，於透過顯示區域，沒有形成多間隙的必要性。但是，在 反射區域進行百顯示（例如，λ / 4之相位差）的場合， 透過區域之相位差成爲Λ/4，亮度變得不足。亦即，在 透過顯示區域與反射顯示區域之間折射率相位差（延遲， retardation )變得不一致，因而會有使顯示的對比降低的 問題。 本發明係有鑑於這種情形而發明者，目的在於提供使 用前述液晶層進行半透過反射型之顯示時，於透過區域及 反射區域可得到所要的透過率之液晶裝置及電子機器。 【實施方式】 本發明之液晶裝置，係具備：具有非施加電場時呈現 .光學向同性且施加電場時呈現比例於電場強度的平方之光 -5- 200835987 學向異性的液晶之液晶層，及挾持該液晶層之一對基板的 液晶裝置，其特徵爲具備：設置進行反射顯示的反射顯示 區域與進行透過顯示的透過顯示區域之次畫素區域，及於 前述次畫素區域，被設置於前述反射顯示區域及前述透過 顯示區域之兩區域的第1電極及第2電極，藉由產生於前 述第1電極及前述第2電極之間的電場驅動前述液晶層， 前述透過顯示區域之前述第1電極與前述第2電極之間隔 ，比前述反射顯示區域之前述第1電極與前述第2電極之 間隔還要小。 根據本發明之液晶裝置，透過顯示區域與反射顯示區 域相比，第1電極及第2電極之間隔很小，所以產生於電 極間的電場很強，與反射顯示區域相比可以使產生於透過 顯示區域的電場增強。此外，反射顯示區域因爲光線透過 液晶層中兩次，所以外觀上之液晶厚爲透過顯示區域的2 倍，但是液晶層顯不比例於電場強度的2次方的光學向異 性，所以透過顯示區域的學向異性提高。因而，可以使液 晶的厚度與光學向異性之積所規定的各區域（透過顯示區 域及反射顯示區域）之折射率相位差（延遲）調整爲同等 。亦即，於各區域可以得到同等的透過率，跨次畫素區域 之全域可以得到高亮度且高對比之顯示。 此外，於前述液晶裝置，最好是前述反射顯示區域之 前述第1電極與前述第2電極之間隔，被設定爲前述透過 顯示區域之前述第電極與前述第2電極之間隔的約1.4倍 -6- 200835987 前述枝狀電極間產生的電場E，在施加於電極間的電 壓爲V，及電極間隔爲d時，藉由E二V/d而規定。此處 ，採用本發明的話，透過顯示區域之光學向異性可以爲爲 反射顯示區域之光學向異性之約略1.4 (，2 )倍之2次方 ，亦即爲2倍，不需採用多間距構造，即可使透過顯示區 域與反射顯示區域之延遲約略一致。 此外，於前述液晶裝置，最好是前述第1電極及前述 第2電極之至少一方，其前述透過顯示區域之電極寬幅， 比前述反射顯示區域之電極寬幅還要小。 在橫電場方式因爲在電極正上方不產生電場，所以電 極之正上方對於顯示沒有貢獻。此處，根據此構成，藉由 使被配置於透過顯示區域之第1電極及第2電極之電極寬 幅縮小，可以抑制透過顯示區域之開口率的降低。 此外，於前述液晶裝置，最好是前述第1電極，於前 述透過顯示區域具有複數之第1枝狀電極，前述第2電極 ，於前述透過顯示區域具有複數之第2枝狀電極。 根據此構成，因爲於透過顯示區域被形成第1枝狀電 極、及第2枝狀電極，所以可使產生於第1電極及第2電 極間的電場比反射顯示區域更強。 此外，於前述液晶裝置，最好是前述第1電極及前述 第2電極之至少一方，其一端側被分歧爲複數，該分歧之 電極被配置於前述透過顯示區域。 根據此構成的話，被配置於透過顯示區域內的第1、 第2電極之數目增加而各電極被配置之間隔變窄，結果被 200835987 形成於各電極間的電場變強，可於透過顯示區域得到高的 光學向異性。 此外，於前述液晶裝置，最好是前述第1電極，於前 述透過顯示區域及前述反射顯示區域具有複數之第1枝狀 電極，前述第2電極，於前述透過顯示區域及前述反射顯 示區域具有複數之第2枝狀電極。 根據此構成，藉由變更第1、第2枝狀電極分別的電 極寬幅與數目，而可以使在透過顯示區域產生的電場比反 射顯示區域更確實地增強。 此外，於前述液晶裝置，最好是被設於前述透過顯示 區域之前述第1枝狀電極之電極寬幅，比設於前述反射顯 示區域之前述第1枝狀電極的電極寬幅還要小。 在橫電場方式因爲在電極正上方不產生電場，所以電 極之正上方對於顯示沒有貢獻。此處，根據此構成，藉由 使被配置於透過顯示區域之第1電極及第2電極之電極寬 幅縮小，可以抑制透過顯示區域之開口率的降低。 此外，於前述液晶裝置，最好是於前述第1基板及前 述第2基板之與前述液晶層相反之側的面，分別被設有圓 偏光板。 根據此構成，可以使圓偏光入射至液晶層，可得高亮 度且高對比之顯示。 本發明之電子機器，其特徵爲具備前述之液晶裝置。 根據本發明之電子機器，具備於透過顯示區域及反射 顯示區域可得同等的透過率，可進行高亮度且高對比的顯 -8 - 200835987 示之液晶裝置，所以電子機器自身也是顯示品質很高，且 可信賴性很高的。 〔供實施發明之最佳型態〕 以下，參照圖面說明本發明。本實施型態之液晶裝置 ，係對液晶作用基板面方向的電場（橫電場），藉由控制 配向進行影像顯示的橫電場方式之中，採用被稱爲ips ( In-Plane Switching)方式之方式之半透過反射型的液晶裝 置。 又，於在各實施型態參照的圖面，爲了使各層或各構 件在圖面上標示爲可辨識的大小，所以各層或各構件的比 例尺不完全相同而顯示。 此外本實施型態之液晶裝置，係基本上具備彩色濾光 片的彩色液晶裝置，以輸出R (紅）、G (綠）、：B (藍） 之各色光的3個圖點（dot )構成1個畫素。亦即構成顯 示的最小單位之顯示區域稱爲「次畫素區域」。此外，一 組（R、G、B )之圖點（次畫素）所構成的顯示區域稱爲 「畫素區域」。 如圖1所示，在構成液晶裝置1 00的影像顯示區域之 被形成爲矩陣狀的複數次畫素區域，分別被形成畫素電極 9與供開關控制畫素電極9之TFT 3 0，由資料線驅動電路 101延伸的資料線6a被導電連接於TFT 30之源極。資料 線驅動電路1 0 1，透過資料線6a，對各畫素供給影像訊號 S 1，S 2，…，S η。前述影像訊號S 1〜S η亦可依此順序線依序 200835987 地供給’對相鄰接的複數資料線6a彼此，以對各群組供 給亦可。 此外’於TFT30之閘極，有從掃描線驅動電路1〇2延 伸的掃描線3 a被導電連接，由掃描線驅動電路1 〇 2以特 定的計時對掃描線3 a脈衝地將掃描訊號G1、G2.....
Gm，而以此順序線依序地對TFT3 0之閘極施加。畫素電 極9被導電連接於TFT30之汲極。開關元件之TFT30藉 由掃描訊號Gl、G2.....Gm的輸入而僅一定期間成爲打 開狀態，使從資料線6a供給的影像訊號S 1、S2.....Sn 以特定的計時寫入畫素電極9。 透過畫素電極9被寫入液晶的特定位準的影像訊號 SI、S2.....Sn，在與中介著畫素電極9與液晶而對向之 共通電極之間保持一定期間。此處，爲了防止被保持的影 像訊號洩漏，與被形成於畫素電極9與共通電極之間的液 晶電容並聯地賦予蓄積電容70，而具備接續於蓄積電容 7 0之電容線3 b。 其次，參照圖2及圖3說明液晶裝置1 〇〇之詳細的構 成。 首先，液晶裝置1 〇0，如圖3所示具備於T F T陣列基 板（第1基板）1 〇與對向基板（第2基板）20之間夾持 液晶層50的構成，液晶層50，藉由沿著TFT陣列基板10 與對向基板2 0對向的區域之端緣而設置的省略圖不之密 封材而被密封於基板10、20間。此外，於對向基板20之 背面側（圖示之下面側）’設有具備導光板與反射板之未 -10- 200835987 圖示的背光。 又，相關於本實施型態之液晶裝置1 00，針對其詳細 將於稍後詳述，係在與前述TFT陣列基板1 0之前述液晶 層5 0側被設有畫素電極9與共通電極丨9，藉由產生於這 些畫素電極9以及共通電極1 9之間的電場驅動前述液晶 層5 0 ’同時具備於1個次畫素區域9 ’內進行反射顯示的 反射顯示區域R與進行透過顯示的透過顯示區域T之半透 過反射型之液晶裝置（參照圖3)。 相關於本實施型態之液晶裝置1 〇〇，作爲前述液晶層 5 〇，採用藍相之液晶。藍相，係光學向列相與向同相之間 的狹窄溫度範圍內所出現之光學上呈向同性之液晶相。此 外，藍相，因爲其溫度範圍狹窄（1K程度），有相當長 的時間未受到重視。對此，近年來藉由在藍相中導入少量 之高分子，發現可使藍相顯著地安定化。又，根據高分子 之「安定化」，係指不損及原來的液晶分子之活潑的分子 運動性，而擴大呈現藍相之溫度範圍（1 οοκ程度）。 藍相的形成，一般係於向列液晶，適量添加使激發扭 轉之光學摻雜物。進而，於此低分子液晶材料，添加單體 (例如2-ethylhexyl acrylate ; EHA)以及光聚合開始劑（ 例如 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone ； DMPAP )。 接著，慎重地控制溫度保持藍相同時進行光聚合。藉此， 藍相的出現溫度範圍擴展到100K以上，形成高分子安定 化之藍相。 此藍相，確認可呈現Kerr效果。所謂Kerr效果，係 -11 - 200835987 指對向同性之有極性物質施加電場時，以電場方向爲光軸 ，比例於電場強度的2次方之複折射性（光學向異性）被 激發之現象。亦即，對藍相施加電場的話，幾乎不伴隨著 晶格構造的變化而因應於電場強度使分子再配向，被激發 出比例於電場強度的2次方的複折射性（光學向異性）。 亦即，藍相如次式1所示，複折射（△ η )比例於電 場的2次方。又，式1中，Κ係Kerr係數，Λ係光的波長 ，Ε係顯示產生於電極間的電場。 △ η= Κ λ Ε2 (式 1 ) 又’高分子安定化藍相之Kerr係數被報告爲3.7xl(T10 mV_2，約爲硝基苯之約1 70倍大。 此外，高分子安定化藍相之Kerr效果之升起以及降 下之回應時間，均被確認爲10〜100 程度。考慮到一般 向列液晶之回應時間爲1 〇 m s的話，可知高分子安定化藍 相之回應是極爲迅速的。藍相，於電壓未施加時顯示光學 向同性，如後述般不需要配向膜。此外，藍相，實質上不 會散射可見光以上之波長範圍的光。 如圖2所示，於液晶裝置1 〇 〇之次畫素區域9，，延伸 於Y軸方向的資料線6 a、與延伸於X軸方向的掃描線3 a 被配線爲平面俯視約略格子狀，在被這些資料線6 a與掃 描線3 a包圍的平面俯視約略矩形狀的區域，被形成有平 面俯視約略梳齒狀而延伸於Y軸方向的畫素電極（第i電 -12- 200835987 極）9 ’及與此畫素電極9咬合之平面俯視約略梳齒狀而 延伸於Y軸方向之共通電極（第2電極）19。於次畫素區 域之圖示左上的角落部，立起設置使TF T陣列基板1 〇與 對向基板2 0以特定間隔隔開而使液晶層厚（胞間隙）保 持爲一定之用的柱狀間隔件40。又，在以下之說明，所謂 X軸係指掃描線3 a之延伸方向，所謂Y軸係指資料線6a 之延伸方向。 於次畫素區域9 ’，設有與此次畫素區域幾乎具有同一 平面形狀的彩色濾光片。此外，於次畫素區域，畫素電極 9及共通電極19之延伸區域之中，設有佔-據共通電極19 側之平面區域（於Y軸方向區分爲二的區域之中圖示下側 的區域）之反射層29。反射層29，係將鋁或銀等反光性 之金屬膜圖案化而形成者。次畫素區域9，之中，對應於反 射層29之平面區域係反射顯示區域R，剩下的區域爲透 過顯示區域T。作爲反射層29，最好使用於其表面形成凹 凸而賦予光散射性者，藉由使成爲相關的構成可以提高反 射顯示之視覺確認性。又，於次畫素區域，畫素電極9以 及共通電極1 9之延伸區域之中，將畫素電極9側之平面 區域作爲反射顯示區域亦可。 如圖2所示，畫素電極9，被構成爲具備：沿著掃描 線3 a延伸的基端部9 a，與接續於該基端部9 a而延伸於資 料線6 a方向的複數（在本實施型態爲5條）之帶狀電極 (第1枝狀電極）9c、及由前述基端部9a延伸出於+Y側 的接觸部9b。畫素電極9，係將ITO (銦錫氧化物）等透 -13- 200835987 明導電材料圖案化而形成的電極構件。 此外，前述帶狀電極9c具有2種長度，具有一方長 度之帶狀電極9c具有一定的電極寬幅，僅配置於透過顯 示區域，具有另一方長度之帶狀電極9c以從透過顯示區 域T延伸至反射顯示區域R內爲止的方式被形成。此外， 具有另一方長度的帶狀電極9c，於反射顯示區域R及透 過顯不區域T之邊界附近電極寬幅逐漸改變，反射顯示區 域R之電極寬幅比透過顯示區域T的還要大。又，在橫電 場（IPS)方式因爲在電極正上方不產生電場，所以被配 置於電極之正上方的液晶層不呈現複折射，對於顯示沒有 貢獻。此處，藉由前述構成，使被配置於透過顯示區域T 之帶狀電極9 c之電極寬幅縮小，而特別抑制透過顯示區 域T之開口率的降低。此處，帶狀電極9 c之電極寬幅開 始變大的部分，可以在反射顯示區域或者透過顯示區域T 之任一區域內。總之，在透過顯示區域T內開始變化亦可 ’在反射顯示區域R內開始變化亦可。此外，帶狀電極 9c之電極寬幅，以反射顯示區域r與透過顯示區域τ之 邊界爲改變之界的構成亦可。 此外’共通電極1 9，被構成爲具備：被一體形成於沿 著掃描線3 a的共通電極線，而從共通電極線7延伸於γ 軸方向的基端部1 9b，及接續於該基端部丨9b而延伸於X 軸方向的本線部1 9 a，及由該本線部1 9 a延伸於+ Y側的複 數帶狀電極19c。又，針對共通電極19也使用ITO等透 明材料形成，但畫素電極9與共通電極1 9，除了前述透明 -14- 200835987 導電材料以外，也可以使用鉻等金屬材料來形成。 帶狀電極19c’由反射顯示區域R往透過顯示區域τ 側延伸，於反射顯示區域R及透過顯示區域T之邊界附近 分歧爲複數（在本實施型態爲2 )。分歧爲2之帶狀電極 19c於透過顯不區域分別被形成爲相同電極寬幅。在被分 歧爲2的帶狀電極1 9c之間，構成畫素電極9之前述一方 之長度（短側）的帶狀電極9c以梳齒狀地咬合的方式被 配置。帶狀電極1 9c，藉由具備這樣的分歧構造，使反射 顯示區域R之電極寬幅比透過顯示區域T之電極寬幅更大 。藉此’與前述帶狀電極9c同樣，使被配置於透過顯示 區域T之帶狀電極9 c之電極寬幅縮小，而抑制透過顯示 區域T之開口率的降低。 T F T 3 0具備延伸於X軸方向的資料線6 a，及被設於 與延伸於Y軸方向之掃描線3 a之交叉部附近，被部分形 成於掃描線3 a的平面區域內的島狀之非晶矽所構成的半 導體層35，及部分與半導體層35平面重疊而被形成的源 極電極6b，及汲極電極32。掃描線3a在與半導體層35 平面重疊的位置作爲TFT30的閘極電極而發揮功能。源極 電極6b，係由資料線6a分歧而延伸於半導體層35之平面 俯視約略爲逆L字形之配線。此外，於汲極電極3 2，畫 素電極9之接觸部9b平面重疊而被配置，透過被設於同 一位置的畫素接觸孔4 5使汲極電極3 2與畫素電極9導電 連接。 在本實施型態之液晶裝置的次畫素區域9 ’，如圖3所 -15- 200835987 示’被配設於反射顯不區域R之帶狀電極9c、19c間之X 軸方向的間隔dr，比被配設於透過顯示區域T之帶狀電極 9d、19d間之X軸方向的間隔dt更寬，具體而言，前述間 隔dr設定爲間隔dt之約1.4倍。 接著，於液晶裝置之動作時’對畫素電極9之帶狀電 極9 c，與共通電極1 9之帶狀電極1 9 c之間施加電壓，對 該次畫素區域之液晶層50使XY面方向（基板平面方向 )之電場（橫電場）作用，使液晶層5 0被複折射。 在從前的半透過反射型液晶裝置，採用使反射顯示區 域之液晶層厚與透過顯示區域之液晶層厚相異，使對透過 液晶層5 0的光所賦予的相位差（延遲）在反射顯示區域 R與透過顯示區域τ之各個進行最適化之多間距構造。具 體而言，以使反射顯示區域之相位差成爲λ / 4，而透過 顯示區域之相位差成爲λ/2的方式，調整前述個區域的 液晶層厚，使反射顯示區域之液晶層厚約略成爲透過顯示 區域Τ之液晶層厚的約略一半。 此外，在從前之液晶裝置所使用的向列液晶，藉由電 場使團塊之液晶分子彈性地配向，但是在藍相只有電場產 生的局部區域之配向會被改變。 因此，於使用藍相的橫電場（IPs )方式之液晶裝置 採用前述之多間距構造的話，在液晶厚較大（反射顯示區 域的2倍）的透過顯示區域，對向基板側之液晶分子不會 受到橫電場的影響，無法使對向基板側之液晶分子充分配 向，而會使透過率降低。亦即，採用藍相時，有必要不採 -16- 200835987 用多間距構造，而調整透過顯示區域T之液晶層的相位差 與反射顯示區域R之液晶層的相位差。 使用於相關於本實施型態的液晶裝置1 0 0之液晶層5 0 ，呈現比例於施加電壓的2次方之複折射。此處，於液晶 層50使複折射產生的電場Ε，在施加於帶狀電極9c、19c 間的電壓爲V，這些電極間的間隙爲d時，爲E二V/ d。 在反射顯示區域R，如後所述入射光以反射層29反 射而射出至外部，所以光透過液晶層5 0中兩次。液晶層 厚在實際作用上，達透過顯示區域T的兩倍。此外，各顯 示區域之複折射相位差（延遲），係由液晶厚與液晶層5 0 (藍相）之複折射之積而算出。此處，爲了簡化說明，設 反射顯不區域R之液晶厚爲2 d，而透過顯不區域T之液 晶厚爲d時，爲了要使透過顯示區域T與反射顯示區域R 之延遲設定爲約略相同，只要把透過顯示區域T之複折射 設定爲反射顯示區域R之2倍即可。 在此，相關於本實施型態之液晶裝置1 〇〇，把透過顯 示區域T之電極間隔dt (帶狀電極9c與帶狀電極19c之 間隔），設定爲反射顯示區域R之電極間隔dr之約1 //" 2 倍。 藍相顯示比例於電場的2次方之複折射（光學向異性 )，所以相關於本實施型態之液晶裝置1 0 〇，在透過顯示 區域T呈現反射顯示區域之2倍（亦即，2之2次方）之 複折射。 亦即，相關於本實施型態之液晶裝置1 〇 〇 ’於透過顯 -17- 200835987 示區域τ呈現反射顯示區域之2倍的複折射，所以可以把 在透過顯示區域Τ及反射顯示區域R之延遲調整爲同等’ 可以使透過顯示區域Τ及反射顯示區域R之透過率相等。 此外，觀察圖3所示之剖面構造，於TFT陣列基板 1 0之外面側（與液晶層5 0相反之側），相位差板1 6與偏 光板1 4依序被層積，於對向基板20之外面側，相位差板 1 7與偏光板24依序被層積配置。相位差板1 6、1 7，係對 透過光賦予約略1 /4波長的相位差之λ / 4相位差板。 相位差板1 6、1 7之遲相軸，被配置爲與偏光板1 4、 24之偏光軸夾約45度角。在此場合，藉由偏光板14、24 以及相位差板1 6、1 7而構成圓偏光板1 8、25。透過偏光 板1 4、24以及相位差板1 6、1 7之光被變換爲圓偏光，藉 由液晶層50複折射。又，作爲前述圓偏光板18、25之構 成，除了如本實施型態這樣組合偏光板1 4、24與λ / 4相 位差板1 6、1 7之構成以外，亦可爲組合偏光板與λ / 2相 位差板與λ / 4相位差板之廣帶域圓偏光板。 TFT陣列基板1 0，係將玻璃或石英、塑膠等透光性基 板本體1 〇 A作爲基體，於基板本體1 0 A的內面側（液晶 層5 0側）被形成掃描線3 a，覆蓋掃描線3 a而被形成閘極 絕緣膜Π。於閘極絕緣膜1 1上，被形成非晶矽之半導體 層3 5，於半導體層3 5以部分騎上的方式設有源極電極6b 及汲極電極3 2。 半導體層3 5 ’透過閘極絕緣膜1 1對向配置於掃描線 3a，於該對向區域掃描線3a構成TFT30的閘極電極。 -18- 200835987 覆蓋半導體層35、源極電極6b、以及汲極電極32, 被形成第1層間絕緣膜1 2，於第1層間絕緣膜1 2上’在 次畫素區域內被部分形成由鋁或銀等反光性金屬膜所構成 的反射層29。覆蓋反射層29與第1層間絕緣膜12，被形 成由氧化矽等所構成的第2層間絕緣膜1 3。 於第2層間絕緣膜13上，被形成由ITO等透明導電 材料所構成的畫素電極9及共通電極19。於透過顯示區域 T，被形成貫通第2層間絕緣膜13及第1層間絕緣膜12 之畫素接觸孔45，於此畫素接觸孔45內畫素電極9之接 觸部9b部分被埋設，而畫素電極9與TFT30之汲極電極 3 2被導電連接。 另一方面，於對向基板20之內面側（液晶層50側） ，被設有彩色濾光片22。彩色濾光片22最好是在圖點區 域內被區隔爲色度相異的2種類之區域的構成。具體而言 ，對應於透過顯示區域T的平面區域設第1色材區域，對 應於反射顯示區域R的平面區域設第2色材區域，可以採 用第1色材區域之色度比第2色材區域的色度更大之構成 。藉由如此構成，可以防止在顯示光僅透過彩色濾光片2 2 一次的透過顯示區域T，與透過彩色濾光片2次的反射顯 示區域R之間產生顯示光的色度不同，可以使反射顯示與 透過顯示之觀感拉近而可以提高顯示品質。 又，於彩色濾光片22上，進而層積透明樹脂材料等 所構成的平坦化膜較佳。藉此，可以使對向基板2 〇的表 面平坦化而使液晶層5 0的厚度均勻化’而可以防止圖點 -19- 200835987 區域內驅動電壓變成不均勻而對比降低。 (顯示動作） 其次，說明本實施型態之液晶顯示裝置10 0的顯示動 作。 首先，說明透過顯示（透過模式）。於透過模式’由 被設於T F T陣列基板的外側之背光（未圖币）照射的光’ 透過偏光板1 4以及相位差板1 6而以被變換爲圓偏光的狀 態入射至液晶層5 0。 如前述之藍相，由於未施加電壓時呈現光學向同性’ 所以入射至液晶層5 0中的光，不會受到複折射的影響而 保持圓偏光。進而，透過相位差板1 7的入射光’被變換 爲與偏光板24之透過軸直交的直線偏光。此直線偏光不 透過偏光板24，所以在本實施型態之液晶裝置1 〇〇，於電 壓未施加時進行黑顯示（常黑顯示）。 另一方面，對電極9、1 9間施加電壓時，液晶層5 0 呈現複折射，由背光入射至液晶層50的圓偏光，透過液 晶層5 0的過程中被變換爲橢圓偏光。此入射光即使透過 相位差板24，也不會被變換爲與偏光板24的透過軸直交 的直線偏光，其全部或一部份透過偏光板24。亦即，於電 壓施加時進行白顯示。 其次，說明反射顯示（反射模式）。由對向基板20 之外側入射的外光，透過偏光板24以及相位差板1 7被變 換爲圓偏光，入射至液晶層5 0。藍相於無電壓施加時呈現 -20- 200835987 光學向同性，所以液晶層5 0不會呈現複折射。亦即，入 射光保持圓偏光之原樣進行於液晶層50而到達反射層29 。接著藉由反射層29反射的圓偏光回到液晶層50，再度 入射至相位差板1 7。此時，藉由反射層29反射的圓偏光 ，於反射時旋轉方向反轉，透過相位差板1 7時被變換爲 與偏光板24的透過軸直交的直線偏光。此直線偏光不透 過偏光板24，所以在液晶裝置1 00之反射模式，於電壓未 施加時進行黑顯示（常黑顯示）。 另一方面，對電極9、1 9間施加電壓時，液晶層5 0 呈現複折射，入射光透過液晶層5 0時被賦予特定的相位 差（λ / 4)，而到達反射層29。接著，以反射層29反射 之後，透過液晶層5 0時再度被賦予特定的相位差（λ / 4 )，而入射至相位差板1 7。此時，反射光透過相位差板 1 7，被變換爲與偏光板24之透過軸平行的直線偏光。因 而，反射光透過偏光板2 4而被視覺確認，此畫素區域成 爲明亮顯示。 亦即，相關於本實施型態之液晶裝置1 0 0，於電壓未 施加時於反射顯示區域R及透過顯示區域Τ之任一均進行 黑顯示，於電壓施加時進行白顯示。 在本實施型態之液晶裝置1 0 0，藉由把透過顯示區域 Τ之帶狀電極9 c、1 9 c間之間隔dt設定爲反射顯示區域R 之間隔dr之1 · 4倍，使透過液晶層5 0兩次的光使用於顯 示光之反射顯示，與僅透過液晶層5 0 —次的光用於顯示 光的透過顯示，其延遲成爲約略相同，而使反射顯示區域 -21 - 200835987 R之光電特性與透過顯示區域T之光電特性一致，而可以 在反射顯示與透過顯示雙方得到良好的顯示，亦即跨次畫 素區域9’全域可以得到高亮度、且高對比之顯示。 圖4顯示本案發明人進行的測定結果，顯示相關於本 實施型態之液晶裝置1 〇〇之反射顯示區域R及透過顯示區 域Τ之V-T特性。該圖中，橫軸顯示對帶狀電極9c、19c 間施加的電壓（V )，該圖中，縱軸顯示反射顯示區域R 及透過顯示區域T之分別的透過率。 相關於本實施型態之液晶裝置1 〇〇，把透過顯示區域 T之帶狀電極9c、19c之電極間隔dt，設定爲反射顯示區 域R之電極間隔dr之約I/，2倍，而可以使透過顯示區 域T得到反射顯示區域R之2倍的電場強度。 如圖4所示，液晶裝置1 00不採用多間距構造，而可 以在反射顯不區域R及透過顯不區域T得到約略同等的透 過率。亦即，可以跨次畫素區域之全域，得到高亮度且高 對比之顯示。 〔第2実施形態〕 參照圖5、圖6說明相關於本發明之液晶裝置的第2 實施型態。 圖5係顯示本實施型態之液晶裝置200之任意之次晝 素區域的平面構成圖，圖6係沿著圖5之A-A’線及B-B, 線的部分剖面構成圖。 又’本實施型態之液晶裝置200的基本構成與先前之 -22- 200835987 第1實施型態相同，與前述第1實施型態不同之處，在於 畫素電極、及共通電極的形狀不同。圖5係分別相當於第 1實施型態之圖2之圖，圖6係分別相當於第1實施型態 之圖3之圖。亦即，在本實施型態所參照的各圖，對於與 圖1至圖3所示之第1實施型態的液晶裝置1 〇 〇共通之構 成要素賦予相同之符號，以下省略這些共通構成要素之說 明。 相關於本實施型態之液晶裝置200，於被資料線6a、 及掃描線3 a包圍的平面俯視約略爲矩形狀的區域，被形 成平面俯視成約略梳齒狀而延伸於Y軸方向的畫素電極（ 第1電極）39，及成爲與此畫素電極39咬合的平面俯視 成約略梳齒狀而延伸於Y軸方向的共通電極（第2電極） 49 ° 畫素電極3 9，被構成爲具備：沿著資料線6a延伸的 基端部3 9a，接續於該基端部3 9a而延伸於掃描線3 a方向 的複數之帶狀電極（第1枝狀電極）39c、及由前述基端 部3 9a延伸出的約略L字形狀的接觸部39b。此外，畫素 電極39，係將ITO (銦錫氧化物）等透明導電材料圖案化 而形成的電極構件。 共通電極49，與畫素電極同樣，被構成爲具備：沿著 資料線6a延伸的基端部49a，接續於該基端部49a而延伸 於掃描線3 a方向的複數之帶狀電極（第2枝狀電極）4 9 c 。又’前述基端部49a，被一體形成於沿著掃描線3a形成 的共通電極線7。 -23- 200835987 如圖5所示，反射顯示區域R之帶狀電極39c、49c 之電極寬幅，被設定爲比透過顯示區域T之帶狀電極39c 、49c之電極寬幅更大。一般而言在橫電場方式在電場不 產生的電極之正上方對於顯示沒有貢獻，但藉由採用前述 構成，可以抑制透過顯示區域T之開口率的降低。 此外，與被配設於反射顯示區域R之帶狀電極3 9c、 4 9 c之Y軸方向的間隔d r，比與被配設於透過顯示區域T 之帶狀電極9d、19d之X軸方向的間隔dt更寬，具體而 言，與前述實施型態同樣透過顯示區域T設定爲反射顯示 區域R之約1 · 4倍（參照圖6 )。 其次，觀察圖6所示之剖面構造，於相互對向配置的 TFT陣列基板1 0與對向基板20之間被夾持著藍相之液晶 層5 0，於TFT陣列基板1 0之外面側（與液晶層5 0相反 之側），相位差板1 6與偏光板1 4依序被層積，於對向基 板2 0之外面側，相位差板1 7與偏光板24依序被層積配 置。 於相關於本實施型態之液晶裝置200，把透過液晶層 5 0兩次的光作爲顯示光使用的反射顯示區域r，與把僅透 過液晶層5 0 —次的光作爲顯示光使用的透過顯示區域τ ’也是使延遲成爲約略相同。亦即，於反射顯示區域r與 透過顯示區域T可以得到約略相同的透過率，跨次畫素區 域之全域可以得到高亮度且高對比之顯示。 (電子機器） -24- 200835987 圖7顯示將相關於本發明的液晶裝置設於顯$ 子機器之一例之行動電話機的立體構成圖，此行重 1 3 0 0具備本發明之液晶裝置作爲小尺寸的顯示部 被構成爲具備複數操作按鈕1302、受話口 1303、 話口 1304 。 前述實施型態之液晶裝置，不限於前述行動舅 可以適用作爲電子書、個人電腦、數位相機、液| 觀景窗型或者螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝漏 器、電子手冊、計算機、文書處理機、工作站、獨 、POS終端、具備觸控面板的機器等等之畫面顯方 於任一之電子機器，都可以進行高亮度、高對比、 之透過顯示及反射顯示，可製造出可信賴性高之蜀 【圖式簡單說明】 圖1係顯示液晶裝置的次畫素區域之等價電路 圖2係顯示次畫素區域的平面構成圖。 圖3爲圖2之A-A’線、B-B’線之液晶裝置庄 〇 圖4係顯示反射顯示區域與透過顯示區域之入 圖。 圖5係相關於第2實施型態之次畫素區域的3 圖。 圖6爲圖5之A-A’線之液晶裝置的剖面圖。 部之電 電話機 1301， 以及送 話機， 電視、 、呼叫 視電話 手段， 廣視角 子機器 圖。 f剖面圖 -T特性 :面構成 -25- 200835987 圖7係顯示電子機器之一例之立體構成圖。 【主要元件符號說明】 T :透過顯不區域 R :反射顯示區域 9:畫素電極（第1電極） 9 ’ ：次畫素區域 9c :帶狀電極（第1枝狀電極） 10 : TFT陣列基板（第1基板） 1 8 :圓偏光板 1 9 :對向電極（第2電極） 19c :帶狀電極（第2枝狀電極） 20 :對向基板（第2基板） 2 5 :圓偏光板 5 〇 :液晶層 1 00,200 :液晶裝置 1 3 00 :行動電話（電子機器） -26-

Claims (1)

  1. 200835987 十、申請專利範圍 1 · 一種液晶裝置，係具備：具有非施加電場時呈現 光學向同性且施加電場時呈現比例於電場強度的平方之光 學向異性的液晶之液晶層，及挾持該液晶層之一對基板的 液晶裝置，其特徵爲具備z 設置進行反射顯示的反射顯示區域與進行透過顯示的 透過顯示區域之次畫素區域，及 於前述次畫素區域，被設置於前述反射顯示區域及前 述透過顯示區域之兩區域的第1電極及第2電極， 藉由產生於前述第1電極及前述第2電極之間的電場 驅動前述液晶層， 前述透過顯示區域之前述第1電極與前述第2電極之 間隔，比前述反射顯示區域之前述第1電極與前述第2電 極之間隔還要小。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 前述反射顯示區域之前述第1電極與前述第2電極之 間隔，被設定爲前述透過顯示區域之前述第電極與前述第 2電極之間隔的約1.4倍。 3. 如申請專利範圍第1或2項之液晶裝置，其中 前述第1電極及前述第2電極之至少一方，其前述透 過顯示區域之電極寬幅，比前述反射顯示區域之電極寬幅 驾而n :®女小 ° 4. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶裝置 ，其中 -27- 200835987 前述第1電極，於前述透過顯示區域具有複數之第1 枝狀電極， 前述第2電極，於前述透過顯示區域具有複數之第2 枝狀電極。 5. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶裝置 ，其中 前述第1電極及前述第2電極之至少一方，其一端側 被分歧爲複數’該分歧之電極被配置於前述透過顯示區域 〇 6. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶裝置 ，其中 前述第1電極，於前述透過顯示區域及前述反射顯示 區域具有複數之第1枝狀電極， 前述第2電極，於前述透過顯示區域及前述反射顯示 區域具有複數之第2枝狀電極。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶裝置，其中 被設於前述透過顯示區域之前述第1枝狀電極之電極 寬幅，比設於前述反射顯示區域之前述第1枝狀電極的電 極寬幅還要小。 8 ·如申請專利範圍第1至7項之任一項之液晶裝置 ，其中 前述第1基板及前述第2基板之與前述液晶層相反之 側的面，分別被設有圓偏光板。 9. 一種電子機器，其特徵爲具備申請專利範圍第1 -28- 200835987 至8項之任一項所記載的液晶裝置。 -29-
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