TW200835395A - Magnetic confinement of a plasma - Google Patents

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200835395 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明的實施例涉及一種基板的電漿輔助處理製程 更具體地涉及-種在電漿辅助製程腔室中，電聚的磁約束 【先前技術】 電蒙輔助處理製程例如在半導體元件和積體電路的製 造中，是-種常見的技術。冑樣的製程通常包括將製程氣 體引入到具有基板（如半導體晶圓）設置於其内的腔室 中，並向製程氣體施加足夠的能量以在基板上形成電漿。

電漿包含解離的和離子化的組成，以及用於在基板上執行 辅助處理製程（諸如沉積、蝕刻等）的中性組成。儘管電 漿的組成有益於在基板上進行輔助製程或執行製程，但通 常不希望電漿組成與製程腔室中的其他部件（諸如基板支 撐件（substrate support)、側壁或腔室蓋）相接觸。因而， 通常需要將電聚包含或限制在要進行處理的基板正上方的 一個區域。 這個問題在現有技術中’通常是通過使用一機械結構 將電漿物理地限定在所希望的區域來解決。例如，一些製 程腔室可以包含擋板，擋板可將電漿物理地限制在所希望 的區域。然而，這些擋板的使用會將電漿污染或衝擊製程 腔室其中之一的問題，轉化成電漿衝擊或污染擋板自身的 問題。因而，擋板會導致基板上的微粒缺陷，並需要階段 性地維護或替換，進而變為耗材。另外，使用擋板對電漿 5 200835395 的物理约束，限制了從腔室汲取電漿流出物的能力，從而 進步降低製程表現，並潛在地將導致不合規格製程生產 !，及增加基板缺陷。 因此，需要_種改進的方法和裝置，以在製程腔室中 約束電漿。 【發明内容】 φ 在此，本發明提供一種用於約束電漿的方法和裝置。 在本發明的一個實施例中，一種用於約束電漿的裝置包括 基板支撐件和磁場形成元件，所述磁場形成元件用於在第 一區域和第二區域之間的邊界處形成磁場，其中第一區域 為電聚形成之處，設置於至少基板支撐件上方，第二區域 為選擇性限制電漿之處。該磁場具有垂直於所需電漿約束 方向的b場部件，以根據用於形成電漿的製程條件，選择 性地限制電漿的帶電粒種從第一區域到第二區域的移動。 在另一實施例中，一種用於約束電漿的裝置包括〜製 # 程腔室，該製程腔室具有形成電漿的第一區域和選擇性限 制電漿的第二區域。基板支撐件係設置在製程腔室中。磁 場形成元件係提供用於在靠近第一和第二區域之間的邊界 - 處形成磁場。該磁場適用於限制在第一套製程條件下，所 ^ 形成之電漿的帶電粒種在第一和第二區域之間的移動，但 不限制在第二套製程條件下，所形成之電漿的帶電粒種在 第一和第二區域之間移動。 根據本發明的另一態樣中，一種約束電槳的方法包 6

200835395 括：提供一製程腔室，該製程腔室具有形成電漿的第一 域以及具有選擇地限制電漿的第二區域；產生一磁場， 磁場具有一 b場分量以及一結構，該b場分量與從第一 域到第二區域方向相垂直，所述結構選擇用於當電漿在 一套製程條件下形成時，限制電漿的帶電粒種從第一區 到第二區域的移動，並且當電漿第二套製程條件下形 時，不限制電漿的帶電粒種從第一區域到第二區域的 動。可以使用在第一套製程條件下形成的電漿執行第一 程，進而限制電漿之帶電粒種的移動。可以使用在第二 製程條件下形成的電漿執行第二製程，進而不限制電漿 帶電粒種的移動。 【實施方式】 本發明提供一種使用磁場約束電漿的方法和裝置。 外，本發明還提供一種使用磁場之製程選擇性電漿約束 方法和裝置。在一個實施例中，本發明的方法和裝置通 將電漿周圍暴露於磁場中，進而約束電漿放電，其中該 場具有與所欲限制之方向垂直的分量。選擇磁場的強度 方向和位置，來約束處於製程條件之第一子集下的電漿 而不约束處於製程條件之第二子集下的電漿，其中第二 集不同於第一子集。 第1圖示意性示出了根據本發明具有電漿約束裝置 腔室100。腔室100通常是任意適用類型的製程腔室， 適用於形成依此所揭示之教示而改進的電漿，所述的製 區 該 區 第 域 成 移 製 套 之 另 的 過 磁 子 的 其 程 7 200835395

腔室包括（但不僅限於）電容耦合的製程腔室、電感耦合的 製程腔室等。適用於本發明的製程腔室的實例包括（但不僅 限於）eMax™、MXP⑧以及 ENABLER™製程腔室，這些製 程腔室都可以從位於Santa Clara，California(加里福尼亞 州，聖克拉拉）的Applied Materials，Inc·(應用材料股份有 限公司）購買得到。eMax™製程腔室係於2000年9月5曰 授予Shan等人的美國專利No. 6，113,731中有所敘述。 MXPtm製程腔室在ι969年7月9曰授予Qian等人的美國 專利No. 5,534,108以及在1997年10月7日授予pu等人 的美國專利No· 5,674,321中有所描述。ENABLER™腔室 在2003年3月4曰授予Hoffman等人的美國專利ν〇· 6，5 2 8，7 5 1中有所描述。上面所提到的每一專利於此引入其 全部内容作為參考。 在第1圖所描述的實施例中，腔室〗〇〇包括一腔體 102’腔體102具有一基板支撐件ι〇4放置於其中，用於支 撐其上的基板106。基板支撐件1〇4可以是基板支撐件底 座或其中的一部分，如靜電吸附盤等。在腔室1 〇〇的腔體 1〇2内，具有形成電漿的第一區域11〇(例如，基板製程發 生的區域）以及選擇性限制電漿的第二區域ιΐ2。第一和 第一區域11 0、1 1 2可以值於腔室1 〇〇中任何所需的位置。 在個實施例中，第一區域」1 〇對應於一上 區域通常設置在基板支撐件1〇4“，矣：[域上層 人又钟1千1 04的支撐表面上方，第二區 域112對應於一下芦ρ祕 曰&域，下層區域通常設置在基板支撐 件104的基板支擔矣+ 面下方（例如，在製程期間，位於基 8 200835395 板106下面）。

第一電源120與腔室100的第一區域110(例如腔室 蓋、氣體分配育發頭（showerheader)、放置在腔室蓋附近 的電感圈等）附近的電極連接。第一電源120 (通常指「頂 部電源」或「源電源」）通常能夠以適於從製程氣體形成電 漿的功率和頻率，產生射頻（RF )信號，其中製程氣體係 設置在腔室1 〇〇的第一區域丨丨〇中。在一個實施例中，第 一電源120通常能夠以約i〇〇mHz的可調頻率產生高達 5,000瓦的射頻（RF)功率（即，源功率）。在一個實施例 中’第一電源120通常能夠以約lOOKHz到200MHz之間 的可調頻率，產生5,〇〇〇瓦的射頻（RF )功率。 第二電源122可以與放置在基板支撐件104内或下方 的電極連接。第二電源122(通常指「偏置電源」）通常能 夠以约50KHz到13·6ΜΗζ之間的可調頻率，產生約高達 5,〇〇0瓦RF功率（即，陰極偏置電源）。可選地，第二功 率源122可以為DC (直流）或脈衝DC電源。可選地，第 二功率源122可以包含雙頻rf電源（或兩個RF功率源）， 在這種情況下，第一電源丨2〇是可選的。可知第一電源1 20 和第二電源1 22能夠在更大或更小的頻率下，產生更多或 更少的功率。 支援系統124也與製程腔室1〇〇連接。支援系統124 包括數個構件，用於執行和監測在製程腔室1 0 0中預先確 定的各程序（例如，電漿輔助蝕刻、沉積、退火、清潔等）。 适樣的構件通常包括腔室1 〇〇的各種子系統（例如，氣體 200835395 於&和排氣+ 如，附加電源、製程控制儀哭 :糸統）和元件（例 術人員所熟知，為了清楚起 二褥件為本領域的技 '' 在附圖中念wir ^供磁場形成元件114，以沿 ，略。 邊界形成磁場，所述的磁場適於至小A第一區域110、112 限制電漿108的組成，在製卢少部分選擇性地約束或 110, 112^ π 处理期間於第一和第二區域 之間的移動。磁約束

.i . 由將▼電粒子皋露於盥A 速度方向垂直的磁場，來減小 子暴路於― 粒早μ #止a k 电救子的移動性。在帶電 祖千上產生的作用力等於： F = q(v X B) 甘士 d) ，、中’ F為外力，q為粒子所 LV Λ 、 丁所▼電荷，ν為粒子速率 及B為磁場強度。由於力的 』不向垂直於粒子所帶電荷的 遑度，因此垂直於磁場方向之帶電粒子的移録，其淨效 應為減小。因巾，藉由設計磁場，使其垂直於朝不需電浆 氣程脸至區域（如腔室100的第二區域112)流動的帶 電粒子流，則移動性的減少可使磁場上游和下游區域間， 達到部份程度的電漿約束。 在一個實施例中’磁場形成元件i i 4可以形成部分或 王°P圍繞基板支撐件1 0 4的磁場。磁場形成元件〗J 4可以 形成部分或全部填充區域11 8的磁場，區域丨〗8係位在側 面基板支撐件1 04的一部分和腔體1 〇2間。由磁場形成元 件^供的磁場可以主要分佈在腔室1〇〇的第二區域112 中。在一個實施例中，由磁場形成元件提供的磁場還可以 主要分佈在基板支撐件104的支撐表面下面。磁場形成元 10

200835395 件可以設置在腔室i 00之内或之外，以及可以集成 腔室元件中，或成為一獨立的裝置。在第〗圖所示 實施例中，磁場形成元件权置在製程腔室1 〇 〇内和 基板支撐件104内。 在第1圖的實施例中，磁場形成元件丨丨4包含 鐵U6。磁鐵116可以是永久磁鐵、電磁鐵等，或 組合。在第1圖的實施例中，示出了兩個磁鐵116, 可以使用兩個以上的磁鐵116。兩個磁鐵116彼此 接相連或相互間隔分帛。當_為相互自隔分開時 根據所需的磁場配置（如，強度、排列等），來確定 鐵116之間的距離。在一個實施例中，磁鐵116相 距離約為0.25 - 0.50英对。多個磁鐵116的極性可 同一方向或可以交替。 為了減小對基板製程的影響，由磁場形成元科 供的磁場可以主要沿電漿週邊分佈十沿腔室之 第二區域U〇、112間的邊緣分佈。因此，可以通遇 鐵116或磁場形成元件114，使得由磁鐵116或域 元件提供的磁場的主要分佈在腔室1〇〇的第 112内（例如，主要在基板支撐件1〇4的支撐表面 在一個實施例中，磁鐵116的上表面設置在基板支治 的支樓表面下方約〇 一 4英吋之間。在一個實施例 鐵Π6的上表面放置在基板支撐件1〇4的支撐表运 英对處。 可選地，一個或多個永久磁鐵或電磁鐵（未示 到各種 的一個 設置在 多個磁 它們的 當知， 可以直 ，可以 兩個磁 間隔的 以朝著 114提 第一和 排列磁 場形成 二區域 下方）。 件104 中，磁 下方4 出）更 11

200835395 可設置在腔室附近，以於執行製程期間控制電漿的特性（例 如’控制電漿的形成、密度、離子化、解離、護套特性（sheath characteristics)等）。由該些磁鐵產生的磁場可以主要分佈 在腔室的第一區域110中，且可以獨立於由磁場形成元件 11 4所形成的磁場而被控制。在執行製程期間，用於控制 電漿並具有磁鐵之腔室的實例包括上面所提到的 eMax™、MXP®以及ENABLER™製程腔室，它們都可以從 應用材料公司購買到。 控制器1 30連接到製程腔室i 00 (即，支援系統1 24、 電源1 2 0、1 2 2等）並控制其操作。在一些實施例中，控制 姦1 3 0也可以用於控制磁場形成元件丨丨4 (如當磁場形成 元件1 1 4包括電磁鐵時）。控制器〗3 〇可以是特定的或通用 的電腦，通常含有中央處理器（CPU)丨32、辅助電路134 以及記憶體136。軟體程式（r〇utine) 138可以存在記憶 體1 36中，以於執行時，根據此述所揭示之教示，提供製 程腔室100的操作和控制。 ’、 第2A圖描述在第1圖中所描述的磁場形成元件114 和磁鐵116的一個實施例的部分特寫。在第2A圖的實施 例中…對磁鐵116設置在週邊（即在基板支撐件1()4的側 邊)以大致平行的關係相間隔。磁鐵ιΐ6可 個 磁鐵m可以包含多個…“ 了、地，-個或多個 徑，相間隔地設置的部分。 』面的圓周路 第⑼圖描述了磁場形成元件ιΐ4之實施例的另一個 12 200835395 示例。在這個實施例中，提供一對磁鐵2〗6，其中一個磁 鐵216設置在基板支撐件104附近，一個磁鐵216設置在 腔壁102附近。磁鐵216可以形成於基板支撐件1〇4和/ 或腔壁102中，或可以設置在鄰近於基板支撐件1〇4和/ 或腔壁102之處。另外，至於設置在腔壁丨〇2附近的磁鐵 216’磁鐵216可以設置在腔室的裏面或外面。磁鐵216 可以一個或多個部分完全包圍基板支撐件104和/或腔壁

1 02。可選地，一個或多個磁鐵2 1 6可以包括多個沿基板支 撐件1 04和/或腔壁1 〇2側面之圓周路徑，相間隔地設置的 部分。 第2A-B圖描述的磁鐵116、216分別包括N極202和 S極204。每一單個磁鐵116、216的N極202和S極204 可以相互反向（即，每一單個磁鐵11 6、2 1 6的任一極都是 與相鄰磁鐵的相反極毗鄰）。可選地，每一單個磁鐵116、 216N極202和S極204，可以是相同位向。磁鐵116、216 形成磁場，如磁場200A和200B所示。為了清楚起見，僅 繪示出在基板支撐件1 04和腔室的腔體1 02間所形成的部 分磁場200A、200B。磁場200A、200B包含b場分量，其 與來自電漿108的帶電粒種208的速度方向垂直（如第1 圖所示）。這樣的配置約束帶電粒種208橫跨磁場200A、 2 00B到腔室第二區域112的能力，並且同樣地，約束了第 一區域110内電漿的帶電粒種208。 對於電漿之帶電粒種的限制或約束，並不會影響中性 粒種，因此，中性粒種210可以橫跨磁場200A、200B進 13 200835395 入腔室10 0的第二區域π 2。同樣地，中性粒種的移動可 以發生在極需要限制的製程中，例如在使用高度聚合的化 學物質的製程中’對聚合物之產生和沉積的限制或约束， 可以有利地最小化週期性清理腔室的需求，以及增加清理 週期間隔的時間。

因此，儘管在一些製程期間對電聚進行限制是有利 的，也有一些製程不需要對電漿進行限制。例如，在腔室 清理步驟期間’其中使用聚合物移除化學物質（polymer removal chemistry)，以將腔室還原到原始狀態。在這些製 程期間，較佳使電漿填充整個腔室，例如，允許清潔化學 物質填充整個腔室，以便移除任何累積於遠離製程區域（例 如’第1圖所示的製程腔室1〇〇的第二區域Π2)的聚合 體。 根據影響電漿的製程參數（如源功率、偏置功率、源 頻率、偏置頻率、製程氣體選擇、腔室氣壓、腔室處理體 積等）和/或影響磁場的製程參數（如磁場強度、場方向、 位置、外形、磁鐵數量等），在第一區域u〇中，對於電漿 之帶電粒種的約束數量或程度是可控的。 例如，測量磁場約束程度的一個方法是測量在製程腔 室100的第一區域110和第二區域12〇中（如第1Β所示》 從電漿1〇8到腔體102的離子流，並計算上方離子流與下 方離子流之間的比率，在此稱為離子通量比q離子通量比 越大，第一區域110中電漿組分的通量就較第二區域112 越大，其表示在第一區域110中對電漿的帶電粒種的約 14

200835395 束。隨著離子通量比接近1，其表示在第一 離子通量等於在第二區域112中測量的離子 著在第一區域11 0中沒有對電漿的帶電粒種: 第3圖示出了在離子體辅助製程腔室中 3 04 )和源功率（軸3 06 )的離子通量比（軸 圖中所用資料從具有電容耦合的製程腔室中 具有以不同的功率程度，連接到60 MHz RF 電極和連接到13·56 MHz RF信號的底（偏 照上面所述，離子通量比越大，就有更多的 室的第一區域。 第4圖示出了第3圖中，根據偏壓功率 源功率（軸306 )之離子通量比圖300的俯 圖所示，區域410處離子通量比大於1，顯 一區域中電漿約束的變化程度。在第二區域 漿約束。同樣地，第4圖中的圖示300則為 其透露了用以獲得選擇性電漿約束的製程規 和底部RF功率）。因此，通過控制在不同製 偏置功率和/或源功率，電漿的磁約束同樣是 利於依據所需，獲得或得到用於不同電漿製

根據影響電漿和/或磁場的其他製程參 似的製程圖。另外地或於結合使用上，可以 強度的磁場來執行上述方法以構建出三維製 展製程視窗，以包含不同的磁場強度（除了電 參數外）。另外，其他電漿參數，如製程密J 區域1 1 0中的 通量，這意味 進行約束。 ，偏壓功率（軸 f 302)的圖。 獲得，該腔室 信號的頂（源） 壓）電極。按 電漿约束在腔 (軸304)和 視圖。如第4 示在腔室的第 412不存在電 一製程圖示， 格（關於頂部 程期間施加的 .可控的，其有 程的磁約束。 數可以製出類 通過使用不同 程圖，進而擴 漿影響之製程 ί、護套電壓、 15

200835395 電子溫度、製程化學等都可以受電漿體積的 也可以通過本文所公開的電漿約束裝置加以 也可將這些參數繪製成圖，以確定用於特定 程條件，並進一步有利地拓寬用於具有本發 置之電漿製程腔室的製程視窗。 第5圖示出了與上述製程腔室100相 中，所執行的兩個製程的並列圖。腔室5 00 示意性繪示了在使腔室5 00中所形成的電漿 場5 20而被約束在腔室500之第一區域510 執行的一製程。腔室500的第二側532示意 在足以大體上填充腔室500的條件下（如電 的第一區域510和第二區域512都存在）， 518 〇 可以根據需要控制兩製程的參數，以來 所示對電敷的選擇性約束。例如，使用來自 圖的資料，如果在製程中需要對電漿進行約 處於第4圖的區域410中的偏置功率和/或涵 如果在製程中不需要對電漿進行約束，可以 圖的區域4 1 2中的偏置功率和/或源功率。 在另一實施例中，基板製程典型地發 1000W之間的頂部源功率，以及約500W -偏置功率的條件下。在這種條件下的基板處 需要對電漿進行約束，以提高製程性能。然 製程通常發生在大於約2000W的源功率以及

影響，從而其 控制。因此， 製程的所需製 明電漿約束裝 似之腔室 5 0 0 的第一側5 3 0 5 0 8，藉由磁 的條件下，所 性繪示出了， 漿在腔室500 所形成的電漿 獲得如第5圖 第3圖和第4 束，可以選擇 t功率。或者， 選擇處於第4 生在約 0W -5000W之間的 理期間，通常 而，腔室清理 约 0W - 100W 16

200835395 之間的偏壓功率的條件下。如上所述，在腔室清理製奢 通常不需要對電漿進行約束。因此，使用諸如第4圖 的製程圖，可選擇性地控制源功率和偏壓功率，以根 需的電槳約束程度，來分別操作每一製程。 第 6圖示出了依製程選擇性以磁場約束電漿之 600的一個實施例。在一個實施例中，方法600從步驟 開始，在該步驟中，沿形成電漿的第一區域和選擇性 電漿的第二區域間的邊界，提供一磁場。在一個實施命 圍繞基板支撐件的週邊來提供磁場。可以選擇磁場 度、方向和/或位置來產生b場分量，b場分量係垂直 需約束的方向（例如，從第一區域到第二區域）。 接下來，在步驟604，可以在腔室的第一區域中 第一套製程參數，以形成電漿，從而限制電漿的帶電 從第一區域到第二區域的移動。在一個實施例中，帶 種被约束在腔室的上層區域。在一個實施例中，第一 程參數包括源功率、偏置功率、源頻率、偏置頻率、 氣體選擇、腔室壓力以及腔室製程體積中的至少一個 一個實施例中，第一套製程參數包括源功率和偏置功 的至少一個。 接下來，在步驟606，可以在腔室的第一區域中 第二套製程參數，以形成第二電漿，從而不限制電漿 電粒種從第一區域到第二區域的移動。在一個實施例 不將帶電粒種約束在腔室的上層區域。在一個實施例 第二套製程參數包括源功率、偏置功率、源頻率、偏 .中， 不出 據所 方法 602 約束 丨中， 的強 於所 使用 粒種 電粒 套製 製程 。在 率中 使用 的帶 中， 中， 置頻 17 200835395 率製耘乳體選擇、腔室壓力以及腔室製糕體積中的至 -個。在-個實施例中，第二套製程參數包括源功率和 置功率中的至少一個。 現已&供了使用製程來選擇性約束電蘧的方 和裝置的實施合丨j， 於一實施例中，本發明的方法和装置 過將電槳的週邊異 W遭暴路於具有與所欲約束方向燊直之分量 磁場中，以約束電漿放電。選擇磁場的強度、方向和位S 從而在第一套製程條件下約束電漿，以及在不同與第〜 的第一套製程條件下，不約束電漿。 儘官則面涉及了本發明的實施例，在不背離本發明 本fe圍以及申請專利範圍所要保護範圍情況下，本發明 以具有其他的實施例。 【圖式簡單說明】 因此，為了可以詳細理解本發明的以上所述特徵， 面將參照附圖中示出的實施例，對本發明的以上簡要敛 進行更具體的描述。然而，應該注意，附圖中只示出了 發明典型的實施例’因此不能認為其是對本發明範圍的 定，本發明可以允許其他等同的有效實施例。 第1圖示出了根據本發明實施例的電漿辅助製程腔 的示意圖。 第2Α·Β圖詳細描述了第1圖中所示的磁約束裝置 實施例。 第3圖示出了對應於偏置功率和源功率的電喷離子 少 偏 法 通 的 套 基 可 下 述 本 限 室 的 磁 18 200835395 通率圖。 第4圖示出了源自第3圖之圖示，與偏置功率和 率相關的製程規格圖。 第5圖示出了根據本發明實施例，具有製程選擇 約束裝置的製程腔室示意圖。 第6圖示出了用於以製程選擇性磁約束電漿之方 一個實施例。

源功 性磁 法的 同組 其比 盡可能採用相同的附圖標記表示附圖中共同的相 件。為了示意目而簡化圖中的圖像，在此並沒有描述 例0 【主要元件符號說明】 100腔室 102腔體 104基板支撐件 106基板 110第一區域 11 2第二區域 120第一電源 122第二電源 124支援系統 114磁場形成元件 108電漿 118區域 116磁鐵 1 3 0控制器 132中央處理器 134輔助電路 1 3 6記憶體 138軟體程式 2 1 6磁鐵 202N 極 204S 極 2 0 0 A磁場 19 200835395

2 0 0 B磁場 208帶電粒種 2 1 0中性粒種 302軸 3 04軸 3 06軸 3 00離子通量比圖 410區域 412第二區域 500腔室 5 3 0第一側 508電漿 510第一區域 5 2 0磁場 5 3 2第二側 5 1 8電漿 512第二區域 600方法 602步驟 606步驟 604步驟

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Claims (1)

1. 200835395 十、申請專利範園： 1 一種用於約束電漿的裴置，其包括 一基板支撐件；以及 -磁場形成元件，用以在靠近—第一區域與 域間的-邊界處形成_磁場，其巾該帛 之處，設置於至少該基板支撐件上方，該第二區 性限制電漿之處，該磁場具有垂直於所需電聚約 b場分量，以根據用於形成電漿的製程條件，選 電漿的帶電粒種從該第—區域到肖帛^域的移 2 —種用於磁場約束的裝置，其包括： 一製程腔室，具有一形成電漿的第一區域及 限制電漿的第二區域； 一基板支撐件，，設置在所述製程腔室中；以 一磁場形成元件，用以在靠近該第一與第二 一邊界處形成一磁場，該磁場適用於限制在一第 條件下，所形成之電漿的帶電粒種在所述第一區 區域間的移動，且不約束在一第二套製程條件下 之電漿的帶電粒種在所述第一和第二區域之間的 3如申請專利範圍第1或2項中任一項所述 其中所述磁場形成元件包括一個或多個電磁鐵。 4如申請專利範圍第1或2項中任一項所述 一第二區 電漿形成 域為選擇 束方向的 學性限制 動0 一選擇性 及 區域間的 一套製程 域和第二 ’所形成 移動。 々裝置， 的裝置， 21 200835395 其中所述磁場形成元件包括一個或多個永久磁鐵。 5如申清專利範圍第1或2項中任一項所述的裝置， 其中所述磁場形成元件係設置在所述基板支撐件中，或連 接到基板支撐件。 6如申請專利範圍第1或2項中任一項所述的裝置， 其中所述磁場形成元件在所述基板支撐件的一側附近，以 及主要在所述基板支撐件的一支撐表面下方形成一磁場。 7如申請專利範圍第2項所述的裝置，其中所述第一 區域包含一所述製程腔室的上層區域，該上層區域位於所 述基板支標件的支撐表面上方，其中所述第二區域包含一 所述製程腔至的下層區域’該下層區域位於所述基板支撐 件的支樓表面下方。 8如申請專利範圍第2或7項中任一項所述的裝置， 其中所述磁場形成元件包含多個磁鐵，所述多個磁鐵沿至 少一第一圓周路徑與一第二圓周路徑設置，該第一圓周路 徑係沿著所述基板支撐件的一側，該第二圓周路徑係沿所 述製程腔室之一側壁的一側。 9如申請專利範圍第2或7項中任一項所述的裝置， 其中所述磁場形成元件包含多個磁鐵，所述多個磁鐵沿所 22 200835395 述基板支撐件一側的至少兩相間隔的圓周路徑設置。 1 〇如申請專利範圍第9項所述的裝置，其中該等圓肩 路徑相間隔在0 · 2 5和〇 · 5英对之間。 11如申請專利範圍第9項所述的裝置，其中所述磁鐵 的最上層部分設置在距離所述基板支撐件的支撐表面下方 最多4英吋處。 1 2如申請專利範圍第2或7項中任一項所述的裝置’ 其中所述磁場形成元件適用於在所述基板支撐件之一側和 所述製程腔室之一壁間的一區域處，形成一磁場。 1 3如申請專利範圍第2或7項中任一項所述的裝置 更包含：

   一個或多個磁鐵，放置在所述製程腔室周圍，並配置 成用以控制所述電漿的特性。 14 一種用於约束電漿的方法，包括： 提供一製程腔室，該製程腔室具有一形成電漿的第一 區域，以及一選擇性限制所述電漿的第二區域；以及 產生一磁場’該磁場具有一 b場分量以及一結構，該 b場分量與一從第一區域到第二區域的方向垂直，該結構 係選擇用於當一電漿在一第一套製程條件下形成時，限制 23 200835395 該電漿的帶電粒種從所述第一區域到所 動，以及當該電漿在一第二套製程條件 該電漿之帶電粒種從所述第一區域到所 動0 15如申請專利範圍第14項所述的 使用在所述第一套製程條件下形成 製程，從而限制所述電漿的帶電粒種的 16如申請專利範圍第14項所述的 使用在所述第二套製程锋件下形成 製程，從而不限制所述電漿的帶電粒種 述第二區域的移 下形成時，不限制 述第二區域的移 方法，更包含： 的電漿執行一第一 移動。 方法，更包含： *的電漿執行一第二 [的移動。

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