TW200832765A - Heat conducting slug having multi-step structure and the light emitting diode package using the same - Google Patents
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Description
200832765 26752pii.doc 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種具有改良散熱效率之發光二極體 (light emitting diode, LED)封裝,且更特定言之,是關於 一種具有多段結構之導熱條(heat conducting slug)以及一 種使用導熱條之LED封裝,其中LED封裝之棒條結構經
組態為多段結構以使得有效地耗散自發光晶片(light emitting chip )產生之熱。 【先前技術】 最近’對使用LED晶片之照明設備的興趣傾向於增 加。為了達成照明目的而使用此LED,除改良光發射之品 貝以外亦茜要赵過數千流明之光功率(luminous power) (其中1流明為自一燭光之光源每單位立體角發射的光通 量(luminous flux))。此高功率光發射與輪入電流成比例, 以使得高電流可產生所需的光功率。然而,若輸入電流增 加,則相應地產生大量熱。 片之壽命具有嚴重 棒條之散熱部件的 自發光晶片產生之大量熱對發光晶 影響。為了解決此問題,製造具有諸如 LED封裝。 々灿 轉條之散熱效應,已試圖改變錄 之材料以及尺寸'然而,在改變棒條棒條 在限制,且因此需要用於' 寸上存 同時,在習知散熱效應的其他研究。 (―而形成之模製部件=二洗以 7 200832765 26762pii;doc 由將棒條安裝於外殼巾L卜鑄難其緊密接觸,同時 將發光晶片絲鱗條巾,且接著將賴樹齡 來形成模製部件。 、 然而,因為在習知技術中於高壓下將液體樹月旨注入禱 模中,歸因於鑄模中之壓力,轉模不可能與外殼緊密接觸, 而是與其分離。在驗體_旨私賴㈣,鑄模與外殼 ^離之狀況下,鑄模再次不可能與外殼f密接觸,藉此使
^不可能形成模製部件,此引起產品失效。另外,即使鑄 权,外殼再次緊密接觸,顧巾之液體樹脂可能經由藉由 鑄模與外殼之Μ的分離產生之卩猶㈣漏,藉此導致產品 失效。 另外’在形成外殼後安襞棒條之狀況下,棒條與LED 封裝分離,此可能會引起設備失效。此等設備失效引起導 線斷開,此情形使得不可能再次使用LED封裝。因此,需 要組裝棒條以及外殼以使得棒條不與LED封裝分離。 【發明内容】 【技術問題】 本發明經構思以解決習知LED封裝之問題。本發明之 目標為提供一種可改良散熱效應之導熱條以及一種使用棒 條之LED封裝。 本發明之另一目標為提供一種LBD封裝,其中在形成 LED封裝之模製部件時發生的失效率可得以降低且優良 的發光效率得到保證。 本發明之又目標為挺供一種LED封裝’其中可防止 8 200832765 26762pif.doc 棒條與外殼分離。 【技術解決方案】 根據用於達成目標之本 段結構之導熱條,其經安“發光:二雕、—種具有多 將自發光晶片產生之熱耗散至外部。 )封裝以 V熱备、包括第一棒條,·配置於一 — 條;以及配置於第二棒 疒伙二弟二棒 三棒條分別經成形以“二弟=條=二棒細及第 之邊緣經配置以彼此交^。、,弟一a以及第三棒條 根據一實施例,第二棒條以二 — 具有矩形輪緣,笫二扶一知备、中之母一者可 矩形、 ^―♦釭之矩形輪緣可定位於第二棒佟< 棒:=2第三棒條之矩形輪緣可配置為相對二 钚1木之矩形輪緣旋轉45度。 μ'罘一 外,第三裝發光晶片之凹入部分。另 晶片發射之光於其上得;有反射表面以使得自發光 及第^棒條例可早石地形成第—棒條、第二棒條以 於其:外凹具有Γ部ί以使得發光晶㈣ 不限於此。亦^ 口又限地疋位於第三棒條内,但本發明 部分之底二ϋ入邛刀可延伸至第二棒條,藉此凹入 履表面疋位於第二棒條内。 _)同二;f 一棒條可具有引線接受段(―accepting 守弓丨線端子(leadtennind)耦接至引線接受段。可 9 200832765 26/b^pif.doc 沿第一棒條之圓周連續地形成引線接受段,但本發明不限 於此。引線接受段可間斷地形成於若干位置中。 根據本發明之另一態樣,提供一種LED封裝。Led 封裝包括外殼;安裝於外殼中之具有多段結構的導熱條; 安裝至導熱條之發光晶片;以及用於將電源供應至發光晶 片之引線端子。另外,具有多段結構之導熱條包括第—棒 條成於第-棒條上之第二棒條;以及形成於第二棒條 i之第三1棒條。第二棒條以及第三棒條分別經成形以具有 邊緣,且第二棒條以及第三棒條之邊緣經配 根據—實_,第二棒細及第三雜巾=b—又者又可 具有矩形輪緣,第三棒條之矩形輪緣可定位於第二 矩形輪緣内,且第三棒條之矩形輪緣可配置為 棒條之矩形輪緣旋轉45度。 、乐一 =三棒條郷成有上面絲發光凹 具有反射表面以使得自: 同時,可單石地形成第—棒條、第二棒條以及第 條 ‘棒 ^棒條可具有狀部分以使得發光 二且凹入部分可延伸至第二棒條,藉此凹入片 面疋位於第二棒條内。 刀之底表 -)根rD封裝可更包括支撐引線(卿P⑽ 文筏?丨線耦接至導熱條。 外 另外,第-棒條可具有引線接受段,且支樓引線可輕 10 200832765 2t/t)ZpiLdoc 接至引線接受段。 同時,W線端子中之至少一去 條,且引線端子中之至少鱗並電連接至導煞 另外與導熱條間隔開。 線接受段。而之至少一者可輕接至第-棒條之引 至第-棒條之伟以::-棒條之圓周形成耦接 7〜卞圃形克撐裱,且半圓飛 面向引線端子中之至少一者。 、 牙衣可!配置以 同時,至少_凹槽可形成於外殼之 得凹【?二r模製部件時 度的矩形輪緣結構。在此組態中產1 之熱跟隨散熱路#,其中熱聚集於 ,接著朝經配置以與一棒條交叉45度:;處= 邊緣聚集。因此,整個散埶路^非隹+度的另一棒條之 而是妹^八& t 非集中於特定區域處, 而疋4泛分佈,改1導_之散熱效應。 另外,支撐引線糾線端作接 條與外殼分離,且引妗媸;介θ 、1木以防止¥熱 可容易地電連接至發光晶片。 另外,凹槽形成於外殼之上部 增加超過正常位準而使液體樹脂瞒部壓力 中之凹槽亦填充有㈣的液脂。、械於外殼 丁钿因此,有可能降低鑄 200832765 26762pii.doc 模之内部壓力以及防止'/¾漏的液體樹脂自外殼流出。 【實施方式】 【最佳模式】 下文將參看隨附圖式詳細描述本發明之例示性實施 例。然而,本發明不限於下文所揭露之實施例,而是可實 施為各種形式。僅為了達成說明之目的以及為了讓熟習此 項技術者充分理解本發明之範疇而提供此等實施例。貫穿 圖式,相同參考數字用以表示相同元件。 圖1為展不根據本發明之一實施例之具有多段結構之 導熱條的透視圖,圖2為圖!之平面圖,且圖3為沿圖2 之線A-A截取的剖視圖。 參看圖1至圖3,根據本發明之一實施例之具有多段 結構的^條包括第—棒條11Q、配置於第—棒條ιι〇上 二弟二棒條m ’以及配置於第二棒條m上之第三棒條 ^棒條no具树安裝於通“ 封裝中的圓柱形狀。第奉 二狀之咖 妳Sr罟C;分1 ^ 以及弟二棒條130具有 此父又45叙細彡縣㈣ /、有 發先晶片10安裝於第三棒條13〇中。政…、效應 弟—棒條Π0、第二棒條120以及 由具=率之材料製成。此材料可心=佳 脚==:;=雜,或個觀形成第—棒 有高熱導較漿料使其射H條13G’且㈣借助於具 12 200832765 26762pii.doc 第一棒條110具有具圓形 120以及第三棒條13〇 ^之圓柱形狀。第二棒條 此時,第三棒條130之:1形^^±緣。 120之矩形輪緣内。 m緣較佺配置於第二棒條 此處,第三棒條13〇之矩 120之矩形輪緣交又,例如,相=緣 以與第二棒條 棒條130之矩形輪緣經配置以_;:第疑=度。若第三 旋轉45度,則當自安 4於弟一棒條120之輪緣 生的熱經由第三棒# 13()±牛^ 130之發光晶片1〇產 最有效地耗,::3:=^ 另外,第二棒條13G具有在1由. 部分⑶。發光日日日片1Q安裝於;^之矩形凹入 形形狀以外的各種形狀入口^ 131中。可以除矩 分⑶之形狀。 如51形或六邊形)改變凹入部 郝㈣t5以部分131之側壁經朗為垂直的,伸可 =:=131之側壁以形成反射表ΐ以使; 自^尤日日片10發射或自模萝 丁 於侧壁上聽且接著自模反射的光 側土 /、底表面之間的角度不限於此。 匕以改二人=料可形成於凹人部分之底表面以及侧壁 上以改良凹人。h 131之光反射效應。 麥看圖2,將闡釋如何藉由根據本發明之實施例之具 13 200832765 26762pii.doc 有多的導熱條使自發光晶片產生之熱耗散至外部。 性質棒條時改良散熱效應,可使用具有高導熱 貝1枓,或可將散熱區域設計為大的。 即,二二棒條之結構以便改良散熱效應。亦 ^ 之二維形狀,可存在具有 分以及,有低散熱密度之部分。 政…、⑴度之4 白於成角的棒條結構中,耗散至邊緣中心之埶傾 ;=上:ΐ另—區域中之熱傾向於朝邊緣流動。' 條no、;二棒條經組態欠以具有大體上由第-棒 以使得朝筮二矣 弟—棒條13〇組成之多段結構, 條120之、真受,之邊緣聚集的熱被強制地朝第二棒 卞0之讀聚集,錯此改良散熱效應。 光晶由矩形第三棒條130上之箭頭所指示,自發 構中,耗散至、外部。亦即,在成角的棒條結 ¥中之熱傾向於朝邊緣流動。 一在另一區 在故Ξί取ί用於散熱之棒條具有矩形形狀的狀況下,存 在先、f先ΧΚ集於邊緣處之現象。 此現象甚至在第二棒條120中發生。 與:二棒條120彼此接觸之區域處,耗散至第 2緣之中心的熱傾向於筆直流動’但在另_區域中卞之数 二向於朝邊緣流動。亦即,因翻於散熱之第二棒= ^有矩形形狀,所以熱首先聚集於邊緣部分處且^著輻 14 200832765 26762pit.doc 此時’第二棒條120之矩形輪緣相對於第三棒條ι3〇 之矩形輪緣經配置以使得其邊緣相對於彼此旋轉45度。 >因此,朝第三棒條13〇之邊緣聚集且接著被耗散的熱 跟隨散熱路徑,其引起再次朝第二棒條12〇之邊緣聚集 熱。以此方式,第二棒條12〇以及第三棒條13〇具有大的 散熱區域,藉此增強散熱效應。 圖4為展示使用根據本發明之另一實施例之具有多段
結構之導熱條之LED封裝的透視圖。 參看圖4’第一棒條110、第二棒條12〇以及第三棒條 130安裝於外殼2⑽巾。引線端子氣經安裝至外殼2〇〇。 具有多段結構之導熱條100安裝於外殼中,發光 晶片10安裝於第三棒條130上。其後,模製部件棚經形 成以將發光“10囊封於外殼·巾。此時,模製部件 400經形成為凸出的以形成透鏡。 伙為用於支撐亚保;隻LED封裝之整個結構之主體的外 殼200可由絕緣材料製成,諸如聚鄰苯二甲醯胺(漸) 或液晶聚合物(LCP)。 支撐並電斷開形成於外殼 由絕緣材料製成之外殼200 200中之引線端子3〇〇。 >在此狀況下,外殼可在外殼之上部部分中具 、:10以使得凹槽可填充有在形成模製部件400 之過私期間洩漏的液體樹脂。 當=獨立鎿模(未圖示)形成模製部件4〇〇時,若 庄入‘板中之液體樹脂由於其壓力而㈣,則在外殼· 15 200832765 26762pif.doc 之上部部分中的各處形成之凹槽21〇允許洩漏的液體樹脂 被引入凹槽中且不溢出外殼。因此,凹槽21〇形成於與鑄 模接觸之外殼200的上部部分中。 同日寸’彳m营形成於此貫施例之外殼200中的凹槽21 〇 經5兒明為矩形形狀,但形狀不限於此。凹槽可具有三角形 或圓形形狀。亦即,此實施例之凹槽21〇可具有半圓、半 橢圓或多邊形形狀。另外,在此實施例中形成兩個或兩個 • 以上凹槽210之狀況下,較佳以規則間隔使其彼此間隔開。 、引線端子300用以將外部電源施加於發光晶片1〇,且 分別形成於外殼200之兩側上。此時,引線端子3〇〇之一 邛分肷入外殼200中,且另一部分自外殼2〇〇突出以接收 外部電源。 具有具p-n接面結構之化合物半導體層壓結構的發光 晶片1〇使用經由少數載流子(電子或電洞)之重組發射光 之現象。發光晶片10可包括第一半導體層以及第二半導體 φ I以,形成於其間之活性層(active layer)。纟此實施例 ^第-半導體層為p型半導體層,且第二半導體層為N ,半導體層。另外,P型電極形成於發光晶片1G之上部部 刀t、/亦即’ P型半導體層之一表面上,且N型電極形成 , 於發光晶片10之下部部分上,亦即,N型半導體層之一表 ^ =此時二N型電極可連接至引線框架300之-端,且 3L私極可藉由佈線而電連接至引線框架細之另一端。 明不限於此’而是本發明之發光晶片 10可為横 "―曰曰片叩非上述垂直發光晶片。亦可使用發射可見射 16 200832765、 zo/ozpn.doc 線或UV射線之各種類型的發光晶片。 同時,根據本發明之LED封裝可使用導線(未圖 以將發光晶片10電連接至引線框架 300 〇 、用於將發光晶片1 〇電連接至引線框架之導線可經 由導線接合過程或其類似過程而由金(Au)或銘(Α1) π 成。 y 使用預定鑄模來形成用於囊封發光晶片10並固定連 10之導線的模製部件伽。另外,模製部件 可曰充虽用以聚焦自發光晶片1〇發射之光以及用以囊封 ί t曰〇曰岐導線(未圖示)的透鏡。因為此模製部 4自* S晶片1Q發射之光透射至外部,所以其通 吊樹脂(諸如環氧樹脂或聚矽氧樹脂)製成。 此時,分散劑(dispersion agent)(未圖示)可更 井挺製部件400中以散射以及分散自發光晶片iq發射之 氧化均一:也發射光。可將鈦酸鋇、氧化鈦、氧化叙、 夕寻寻用作分散劑。另外,(未圖示)可更包括於 立^_中。翻於吸收自發光晶片ig發射之二 ==接著發射具有與所吸收之光不同波長的光。璃包括 ㈤sttoice)以及活化劑(其為在適當位置處併入 :欠活化劑用以在發光過程中確定能級,藉此確 X射之光的顏色。由地面與晶體結構中活化劑之激發 巧的能隙(energy gap)來確定顏色。 圖5以及圖6為說明用於製造根據本 例之咖封裝之方法的剖視圖。 17 200832765 zo/ozpn.doc 芦==製造LED封裝時歸因於液體樹脂之高 £,£力在麵杈中之部分區域處異常地增加。 參看圖5,首先製備具有弓I線端子3〇〇之外授200。 外殼200可使用預定鱗模,藉由模製過程/由處於、夜 態之絕緣材料(諸如PPA或LCP)製成4即,在藉由獨 立,過程形成具有引線端子3⑽之引線 =順以使得引線端子3。〇部分地叙入外殼= 中。接者,將液體樹脂注入鵠模中並加以固化以藉此㈣ :卜=2:。此時,製造預定鑄模以使 ; 殼叫形成於外殼20。之上部部分中的凹槽=: 成於外殼200之外殼200與用於形成 轉模 5卿接觸的區域上,物·之外部Ϊ域:旲 外殼200的未形成模製部件4〇〇之區域)上。亦即 21"=形成於形成模製部件之區域的周邊上,亦即; 同於^、充有液體樹腊之轉模5⑽之内部的區域上。更特定 吕之二槽Γ形成於轉模與外殼彼此接觸之區.域上。 桩-::有多段結構之棒條100絲於外殼200中。 二將肴之發光晶片1〇安裝於第三棒條13〇之凹 飼_子3^〇’且經由導線(未圖示)連接發光晶片川 方』=2板上形成半導體層之半導體沈積或成長 化气:/曰Μ 1〇。此沈積或成長方法可自金屬有機 1 子rt 〇rganiC ChemiCal d啊咖η, )、化學乳相沈積(CVD)、電漿增強化學氣相沈 18 200832765 2b7bZpii.doc 積(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD )、 分子禾县晶法(molecular beam epitaxy5 MBE )、氫化物氣 相蠢晶法(hydride vapor phase epitaxy,HVPE )或其類似方 法中選出。 借助於安裝裝置,使用諸如銀漿料之黏著部件(未圖 示)’將如上所製備之發光晶片1〇安裝至第三棒條13〇之 凹入部分131,且可使用具有極好可撓性以及導電性之金 屬(諸如金(Au)、銀(Ag)以及鋁(A1)),經由導線接 合過程而電連接發光晶片10以及引線端子300。 接著,將液體樹脂注入鑄模500中以形成用於囊封以 及保瘦發光晶片1〇以及導線之模製部件4〇〇。 可使用獨立鑄模500,藉由澆鑄成型來形成模製部件 40〇。若將液體樹脂注入鑄模5⑻之注入孔51〇中,則鑄模 50〇填充有所注入之液體樹脂4〇〇a。若鑄模5〇〇經完全填 滿則液體樹脂.4〇〇a經由鑄模5〇〇之排出孔52〇經排出。 :在鬲壓下注入液體樹脂400、a時,鑄模500之内部壓 加超過局部區域處之特定位準的狀況下,可立即升高 '二、,、之任何侧’藉此在禱模500與外殼200之間形 :=若填充鑄模5⑽之液體樹脂4〇0a經由間隙洩露, 路的液體樹脂4〇〇a流動至形成於外殼2⑽上之凹槽 +中,且鑄模500之内部壓力降低多達自鑄模5⑻洩露 之液體樹脂40〇a的量。 芩看圖6,若鑄模5〇〇之内部壓力降低,則使鑄模 一人向下移動且與外殼2〇〇緊密接觸,以使得鑄模5⑻中 19 200832765 2bVDZpiI.doc 之液體樹脂400a不再流出。其後,入 體樹脂400a單獨維持於預定 ,、旲00中之液 化,且接著移輯模時«來加以固 餘部分以完成根據此實施例之m㈣部件卿之多 在如上文提及之根據本發明之& 形成於外殼200上。因此,即使 = 曰 模製部件働時,鐸模·之内部屏六方去形成 體樹脂她接著自鍀模500、、^仏^於正系位準且液 之液體樹脂條,藉G亦填充有线露 形成模細另之帽力且正常地 流動,細少^ 安43:中“已說明在形成外殼20〇後將棒條1⑽ =發明不限於此。亦即,可將棒條· 开:。、=子·之引線框架,且接著將外殼2〇〇 用夕,有可能形成支料線端子3GG且呈有 條^之凹槽的第-外殼,且將棒條⑽^ 第一冰^ ’且接者形成第二外殼以環繞引線端子300、 二棒條100。此時’外殼大體上由第-外 片又以及弟二外殼組成。 之導示根據本發明之又—實施例之具有多段結構 之¥熱知、1000的剖視圖。 -往t看圖7’導熱條1000包括第一棒條1110、配置於第 上上1:0上之第二棒條】120,以及配置於第二棒條1120 上之乐二棒條113〇。 20 200832765 ΖΌ /OZpil.doc 如圖 肀所說明,第 士口 ‘棒條1110具有待安裝於通常具 有圓形形狀之LED聽巾的陳雜。然而,第一棒條 題可在ΐ侧面上減突起部分1論讀不與外殼分 _且可/σ第一棒條111〇之圓周連續或間斷地形成突起部 t。同時’ f二棒條測以及第三棒條113〇分別形成有 緣例如,具有矩形輪緣),且如圖丨中所說明,其邊緣 可經配置^彼此交叉45度以便最大化散熱效應。
奸一在此例中’第一棒條1110、第二棒條1120以及 =一^ 113 G被㈣為經單石地形成,但其可被分離地製 備且接¥借助於具有高鱗率之料“彼此麵接。 另外,第三棒條113G可在其中心處形成有具有與其輪 、❹員似之形狀的矩形凹入部分1131。凹人部分ιΐ3ΐ亦可 /、有□开/或^、&形开》狀或非矩形形狀之其他各種形狀。 ^凹入部分1131可受限地形成於第三棒條⑽内,但 可向下延伸至第二棒條n2Q,以使得其底部定位於第二 棒條1120中,如圖中所示。 如圖1中所說明,可傾斜地形成凹入部分1131以提供 反射表面。 同時’引線接受段1110b可形成於第一棒條111〇之侧 面上。引線接受段111%形成於第一棒條1110之突起部分 nioa+的上方且收納引線端子以及支糾線,其將在猶後 ΐ ϋ述。可沿第一棒條111 〇之圓周連續地形成引線接受 斷又地雜受段lnGb不限於此,且可經間 21 200832765 zo/uz,pii.d〇c 圖8為展示作為實例的用於製造本發明之LED封裝之 引線框架2000的平面圖。 參看圖8,引線框架2000包括外部框架2010、引線端 子2030a與2030b,以及支撐引線2070a與2070b。
外部框架2010環繞並支撐引線端子以及支撐引線。可 成對對稱地形成引線端子2030a與2030b。引線端子2030a 與2030b分別具有内部引線2050a與2050b以及外部引線 2030a與2030b。儘管在圖8中說明内部引線2〇5〇a彼此間 隔開且内部引線2050b彼此間隔開,但可使其彼此連接。 内。卩引線2050a與2050b亦可沿預定圓延伸以形成圓形空 洞,如圖中所示。 5 % 5支撐引線2070a與2070b中之每一者具有連接 至外。卩框4 2G1G之-端以及延伸至由外部框架環繞之區 域中的另一端。支撐引線之其他端延伸至由内部引線 =〇a與觸b界定之空洞中。亦即,支撐引線之其他端 曰1的距離短於彼此面向之内部引線細 的距離。 j 崎面圖,且圖 端收=::1 二將,線毫與 1 η 0K參見圖7)中,:之侧面上的引線接受段 棒條麵由物線來=1=接至棒條誦。因此, 200832765 ZD/ozpn.doc 同時,内部引線2050a與2050b經配置以與棒條1〇〇〇 間隔開。 可在將棒條1000安裝至引線框架2〇〇〇後,藉由嵌入 成型來形成外殼3000。外殼3000支撐棒條⑻以及引線 端子2030a與2030b,且具有用於暴露棒條1〇⑽之上表面 以及内部引線2050a與2050b之部分的開口。 或者,第一外殼亦可能經形成以支撐支撐引線2〇7〇a 與2070b以及内部引線2050a與2050b,且將棒條1〇〇〇安 裝至第一外殼。此時,内部引線2〇50a耦接並電連接至棒 條臓)之引線接受段1110b。其後,第二外殼經形成以支 撐第一外殼、内部引線2050a與2050b以及棒條丨〇〇〇。 時,外殼3GGG大體上由第-外殼以及第二外殼組成。 其後’發光晶片(未圖示)經安裝至形成於第 測上之凹人部分域㈣線電連接至㈣ ^ ==。在封裝過程期間移除㈣ ::::=;:删”曲以完成led封裝。可移除: 地對她:與引=且來= 止此配置發生偏離。另外,龍過程期間防 有可能防止棒條與外殼3〇〇〇分離支拉引線支撐棒條,所以 圖11展示作為另一實例的 、生 框架2100。 用於衣k led封裝之引 200832765 26762pii.doc ^改進之内部引線2150a以外,此實施例之引線框架 2100實質上等同於圖8中所示之引線框架2000。 亦即,非對稱地形成内部引線2150a與内部引線 2〇5〇b’且類似於支撐引線2070a與2070b之其他端,内部 引線215〇a比内部引線2050b更多地位於空洞之内。另外, 内部引線2l5〇a具有大於内部引線2〇5〇b之寬度,以使得 其外部周邊可與内部引線2050b之外部周邊對稱。
此處’說明内部引線215〇a彼此間隔開。然而,内部 引線不限於此,而是可彼此連接。另外,内部引線2150a 了連4文至支撐引線2070a與2070b以形成半圓形環。 μ圖12為展示將棒條1000安裝至引線框架2100且將外 /λ 3000形成於其上之狀態的平面圖,且圖η為沿圖 之線C-C截取的剖視圖。 务看圖12以及圖13,將支撐引線2〇7〇a與2〇7〇b之 末端收納於形成於第-棒條_之側面/、 = ’且接著如_9以及圖ι〇所閣 棒條麵。另外,將内部引線犯如收納 於引線接f段巾雜接轉條麵 2050b與棒條1000間隔開。 使内视線 另外,以與上文參看圖9以及圖1〇所描述之相 ^用於歸卜殼細⑽封裝之雜,藉此完成咖 根據此實施例’内利線215_接 麵。因此,在使用導電黏接劑將垂直發光晶緣圖^ 200832765 Zb/Dzpn.doc 女衣至棒條1000之狀況下’然需錯由佈線或使用導線來電 連接發光晶片與内部引線2150a。因此,佈線過程變得更 簡單,且因為導線被排除在外,所以由導線之斷開引起的 封裝失效可減少。 圖14為展不作為又一貫例的用於製造本發明之led 封裝之引線框架2200的平面圖。 參看圖14,如參看圖7所闡釋,引線框架2200包括 外部框架2010以及外部引線2030a與2030b。同時,内部 引線2250a與2250b連接至外部引線2030a與2030b,且 支撐引線2270a與2270b自外部框架2010延伸。 一支撐引線2270a與2270b彼此經連接以形成半圓形支 撐環2290,且亦連同内部引線225〇a界定圓形空洞。亦即, 半圓形支撐環2290經配置以面向内部引線225〇a。接著將 支撐引線以及内部引線2250a耦接至引線接受段丨】丨〇b(參 見圖7)以支撐棒條1000 (參見圖7)。 另外’藉由延伸支撐引線2270a與2270b而形成之半 圓形支撐環可與内部引線2250a連接,藉此形成與内部引 線2250a連接之圓形環。 同時’在支撐環2290之外部配置内部引線2250b,且 在將棒條1000安裝至引線框架2200時使内部引線225〇b 與棒條1000分離。 ^在此實施例中說明内部引線2250a彼此經連接以形成 單一内部引線。然而,本發明不限於此,且内部引線可如 同圖π之内部引線2150a般彼此間隔開。另外,儘管說明 25
200832765 /uz,pii.d〇C 内Hi'm舰料接以形鮮—
明不限於此。内部引缓可加円闰uA 丨们如_ 11之内部?丨線2G50b般彼 此間隔開。 根據此實施例,支撐引線2270a與227% 連 支撐環229。,且半圓形支二以及 欠〇〇 2池可祸接至棒條1000 ’藉此更穩固地支樓棒 條 1UU〇。 Μ同J可在捋定位於外殼3000中之支撐引線2270a 之預定部分處預先形成部分切除部分2280,以使 得可容易地鎌嶋在外殼3_外之支撐2 = 2270b的末端。 八 仏g已芩看圖式以及實施例來闡釋本發明,但熟習此 項技術者將瞭解可在不麟峨附帽專利範目界定之本 發明之技術精神的情況下,在範.崎其進行各種改變以 及修改。 【圖式簡單說明】 圖1為展示根據本發明之一實施例之具有多段結構之 導熱條的透視圖。 圖2為圖1之平面圖。 圖3為沿圖2之線A_A截取的剖視圖。 圖4為展示使用根據本發明之另一實施例之具有多段 結構^導熱條之LED封裝的透視圖。 圖5以及圖6為說明用於製造根據本發明之另一實施 例之LED縣之方法的剖視圖。 26 200832765
ζ,υ / u^pn.d〇C 圖7為展示根據本發明之又一實施例之具有多段結構 之導熱條的剖視圖。 圖8為展示用於製造本發明之LED封裝之引線框架之 . 實例的平面圖。 _ 圖9為展示外殼形成於圖8之引線框架上之狀態的平 面圖。 圖10為沿圖9之線B-B截取的剖視圖。 圖11展示用於製造本發明之LED封裝之引線框架的 *另-實例。 圖12為展示外殼形成於圖11之引線框架上之狀態的 平面圖。 圖13為沿圖12之線C-C截取的剖視圖。 圖14為展示用於製造本發明之LED封裝之引線框架 之又一實例的平面圖。 【主要元件符號說明】 10 .發光晶片 • 100 :導熱條 110 :第一棒條 120:第二棒條 130 :第三棒條 131 :凹入部分 - 200 :外殼 210 :凹槽 300 :引線端子/引線框架 27 200832765 zo/ozpu.doc 400 :模製部件 400a :液體樹脂 500 :鑄模 . 510 :注入孔 _ 520 :排出孔 10⑽:導熱條/散熱片 1110 :第一棒條 1110a :突起部分 ® 1110b :引線接受段 1120 :第二棒條 1130 :第三棒條 1131 :凹入部分 2000 :引線框架 2010 :外部框架 2030a ··引線端子/外部引線 2030b :引線端子/外部引線 ❿ 2050a :内部引線 2050b :内部引線 2070a :支撐引線 2070b :支撐引線 - 2100 :引線框架 … 2150a :内部引線 2200 :引線框架 2250a :内部引線 28 200832765
ΔΌ I O^piI.dOC 2250b :内部引線 2270a :支撐引線 2270b :支撐引線 _ 2280 :部分切除部分 _ 2290 :半圓形支撐環 3000 :外殼
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Claims (1)
- 200832765 ZO/DZpil.d〇C 十、申請專利範圍: 1.一種具名多段結構之導熱條,其經安枣至 體(LED)封裝以將自發光晶片產生之埶二極 述導熱條包括: ,、、、托政至外部,所 第一棒條, 配置於所述第一棒條上之第二棒條;以及 配置於所述第二棒條上之第三棒條,其中所述第二棒條以及所述第三棒條分別經成形以星 有邊緣,且所述第二棒條以及所述第三棒條之所述二 配置以彼此交叉。 、 2·如申請專利範,i項所述之具有,段結構之導熱 條,其中所述第二棒條以及所述第三棒條中之每一者具有' 矩形輪緣,所述第三棒條之所述矩形輪緣定位於所述第二 棒條之所述矩形輪緣内,且所述第三棒條之所述矩形輪緣 經配置為相對於所述第二棒條之所述矩形輪緣旋轉45^"度。 3.如申請專利範圍第2項所述之具有多段結構之導熱 條,其中所述第三棒條形成有上面安裝所述發光晶片之凹 入部分。 4·如申請專利範圍第3項所述之具有多段結構之導熱 條,其中所述第三棒條在所述凹入部分上具有反射表面以 使得自所述發光晶片發射之光於其上得以反射。 5.如申請專利範圍第1項所述之具有多段結構之導熱 條,其中所述第一棒條、所述第二棒條以及所述第三棒條 是單石地加以形成。 30 200832765 zo/ozpii.doc 6.如申,ΐ利!^第5項所述之具有多段結構之導叛 條,其中一弟H具有凹人部分以使得所述發光晶、 安裝於其C入部分延伸至所述第二棒條,藉此 所述凹入部分之底表面定位於所述第二棒條内。 7·如申請專利範圍第5項所述之具有多段結構之導教 ^二Si棒條具有引線接受段,引線端子_接 8. 如申請專利範’ 7項所述之具有多段結構之導哉 條,其中所述引線接受段是沿所述第_棒條之她: 形成。 9. 一種LED封裝’包括: 外殼; 安裝於所述外殼中之具有多段結構的導熱條; 安裝至所述導熱條之發光晶片;以及 用於將電源供應至所述發光晶片之引線端子, 其中具有多段結構之所述導熱條包括第—棒 之弟二棒條,所“二棒條以及所述第 r具有邊緣,所述第二棒條以及所述第二3 緣經配置以彼此交叉。 1木之所述政 诚第料利範㈣9賴狀led轉,立中所 ㈣ΐϋϊ及⑽第三棒條中之每一者具有矩形輪緣, 之所,形輪緣定位於所述第二棒條之所述 、内,且所迎弟二棒條之所述矩形輪緣經配置為相 200832765 zo/ozpn.doc 對於St棒條之所述矩形輪緣旋轉45度。 述第三棒條圍第1〇項所述之1^邱封裝,其中所 U如申4面安裝所述發光晶片之凹入部分。 述第-棒項所述之咖封I,其中所 以形成。 处弟一棒條以及所述第三棒條是單石地加 述第=::J:範圍第12項所述之封裝,其中所 上,.且所如、使得所述發光w安裝於其 ^所处又侍引線耦接至所述導熱條。 述第-棒^^f’ 14項所述之LED封裝,其中所 引線接受段 接受段,且所述支撐慨_至所述 線端14項所述之LED .其中引 _子中之至少另-二 條’且所述 項所述之LED封裝,其中所 接受段。 至一钟接至所述第—棒條之所述引線 谈引::·,申明專利範11第16項所述之LED封I,其中所 :以;者與所述支撐引線之末端彼此經連 200832765 2〇/ozpii.doc I9·如申請專利範圍第16項所诚之ϊρ 述支撐引線延相沿所述第-轉封裝,其中所 第一棒條之半圓形支撐環,且 ^周形成耦接至所述 面向所述引線端子中之至少一者'*开》支撐環經配置以 20.如申請專利範圍第9項所 少-凹槽形成於所述外殼之 ^ ED封裳,其中至 充有在模製部件形成時-的i體使得所述凹槽填 21·—種LED封裝,包括: 外殼; 安裝於所述外殼中之導熱條; 安裝至所述導熱條之發光晶片. 用於將電源供應至所述發’ 子;以及 _之至少兩個引線端 耦接至所述外殼之支撐引線, 其中所述引線端子中之至小一 導熱條,且所述引線端子中之至小焉接且包連接至所述 隔開,所述支撐引線延伸者與所述導熱條間 支標環,所述棒條配置於述棒條之半圓形 撐環與所述引線端子之間。 〜午、1木之所述半圓形支 22·如申請專利範圍第21 接至所述導減之騎半封裝’其中耗 此缓連接⑽成圓形環。/ $以及所述引線端子彼
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI580888B (zh) * | 2012-12-26 | 2017-05-01 | Kyocera Connector Prod Corp | A support for a semiconductor light emitting element, a semiconductor light emitting element module, and an illuminator And a method for manufacturing a support for a semiconductor light-emitting element |
TWI580901B (zh) * | 2013-03-19 | 2017-05-01 | Kyocera Connector Prod Corp | A lighting device having a semiconductor light emitting element |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8288785B2 (en) * | 2008-12-03 | 2012-10-16 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Lead frame having light-reflecting layer, light emitting diode having the lead frame, and backlight unit having the light emitting diode |
JP5467963B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社住田光学ガラス | 発光装置の製造方法 |
DE102009051746A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102011003608A1 (de) * | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Tridonic Gmbh & Co. Kg | Gehäustes LED-Modul |
US9397274B2 (en) * | 2011-08-24 | 2016-07-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
KR20130081515A (ko) * | 2012-01-09 | 2013-07-17 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지용 기판 및 led 패키지 제조방법 |
US8772819B2 (en) * | 2012-01-19 | 2014-07-08 | GEM Weltronics TWN Corporation | Multi-layer array type LED device |
KR101516358B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2015-05-04 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
JP2015041437A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 船井電機株式会社 | 照明装置及び表示装置 |
TW201515283A (zh) * | 2013-10-14 | 2015-04-16 | Genesis Photonics Inc | 封裝載體 |
CN106876567A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-06-20 | 海湾电子(山东)有限公司 | 高散热二极管封装结构 |
TWI708408B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-10-21 | 友達光電股份有限公司 | 光源裝置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3109109B2 (ja) | 1990-07-12 | 2000-11-13 | ソニー株式会社 | 周期ドメイン反転構造を有する光デバイス装置の製造方法 |
US5693981A (en) * | 1993-12-14 | 1997-12-02 | Lsi Logic Corporation | Electronic system with heat dissipating apparatus and method of dissipating heat in an electronic system |
US5650663A (en) * | 1995-07-03 | 1997-07-22 | Olin Corporation | Electronic package with improved thermal properties |
KR100214549B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-08-02 | 구본준 | 버텀리드 반도체 패키지 |
US6190945B1 (en) * | 1998-05-21 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Integrated heat sink |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
US6166435A (en) * | 1998-12-10 | 2000-12-26 | Industrial Technology Research Institute | Flip-chip ball grid array package with a heat slug |
US6188130B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-02-13 | Advanced Technology Interconnect Incorporated | Exposed heat spreader with seal ring |
KR100419611B1 (ko) | 2001-05-24 | 2004-02-25 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법 |
CN2529387Y (zh) * | 2002-02-27 | 2003-01-01 | 东贝光电科技股份有限公司 | 发光二极管的改良 |
US20030230977A1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-18 | Epstein Howard C. | Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens |
JP2004128433A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-04-22 | Eru Kogen:Kk | ヒートシンク内蔵ネジ式led電球 |
JP4288931B2 (ja) | 2002-11-11 | 2009-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US7170151B2 (en) * | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
CN100414722C (zh) * | 2003-12-09 | 2008-08-27 | 中国科学院半导体研究所 | 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 |
US7321161B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-01-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED package assembly with datum reference feature |
JP2005338251A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Seiko Epson Corp | 光源装置及びプロジェクタ |
KR100558082B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-03-07 | 서울반도체 주식회사 | 방열효율이 향상된 다색 고출력 발광다이오드 패키지 |
KR100635779B1 (ko) | 2005-01-03 | 2006-10-17 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지링을 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
US20060086945A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Harvatek Corporation | Package structure for optical-electrical semiconductor |
KR100621743B1 (ko) | 2004-11-08 | 2006-09-13 | 서울반도체 주식회사 | 방열 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지 |
JP3109109U (ja) * | 2004-11-30 | 2005-05-12 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 固体半導体発光素子 |
EP1825524A4 (en) | 2004-12-16 | 2010-06-16 | Seoul Semiconductor Co Ltd | CONNECTION GRID COMPRISING A THERMAL DISSIPATOR SUPPORT RING, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING USING THE SAME, AND LIGHT-EMITTING DIODE HOUSING MADE THEREBY |
CN2802730Y (zh) * | 2005-05-20 | 2006-08-02 | 李坤锥 | 一种具有复数光源组合的发光装置 |
KR100593945B1 (ko) | 2005-05-30 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
KR100616684B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2006-08-28 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US7582951B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-09-01 | Broadcom Corporation | Methods and apparatus for improved thermal performance and electromagnetic interference (EMI) shielding in leadframe integrated circuit (IC) packages |
JP2007227738A (ja) | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置 |
US7960819B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
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Cited By (2)
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TWI580901B (zh) * | 2013-03-19 | 2017-05-01 | Kyocera Connector Prod Corp | A lighting device having a semiconductor light emitting element |
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