TW200829506A - Functional element, semiconductor device, and electronic instrument - Google Patents

Description

200829506 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種必須氣密密封之功能元件、以及具有 該功能元件之半導體裝置及電子機器。 【先前技術】 近年來隨著積體化技術之提高，電子機器之小型及輕量 化低電壓動作及低耗電化、高頻動作化正急速地發展， 但另一方面亦要求高功能化。作為解決上述彼此對立之課 題的技術之一，MEMS (Micr〇 Electr〇 Mechanical

Systems，微機電系統）正引起業者關注。該MEMS係利用 石夕製权技術將微小的機械性元件與電子電路元件融合之系 統。MEMS之元件技術，由於具有其精密加工性等優異之 特徵，故可應對高功能化，並且達成小型且廉價之s〇c (System on a Chip :系統單晶片）。 因此，近年來，於各種感測器、流體、光學、RF (Radio Freqency，射頻）、儲存、生物等涉及多方面之應用 領域中正在利用MEMS之元件技術。作為利用該技術之 MEMS元件，例如有通信電路用混頻器。該混頻器於基板 上具有利用機械性共振之可動部，以RF信號之頻率與 (local oscillator，局部振盪器）信號頻率之相差頻率（中頻） 共振，且將該中頻信號作為IF (medium frequency，中頻） 信號輸出。 如此般，於内置有如利用上述MEMS元件技術之可動部 般的功能部之功能元件中，由於溫度、氣壓、大氣中之水 121726.doc 200829506 为、灰塵料部環境之影響，使得元件特性產生變化，從 而存在元件可靠性下降之虞。尤其^安裝嫩⑽元件之步 驟中，隨画元件暴露於較使用時更嚴 元件特性大幅劣化，且良率下降。又，於功能部2 = ==械性共振之情形時’就其特性而言’亦較理想 於減壓下使其動作。根據該等理由，於mems元件中，為 了確保功能狀錢性動μ間並且料穩k環境，必 須對功能部進行氣密密封。 先前，功能部之氣密密封時一直採用藉由將氣 加以接合而於功能部上直接加蓋之方法。裝 製造成本較高’故近年來提出有許多以晶圓級對::能= 仃=密封之方法。例如’I出有如下之方法：於覆蓋整 :固：此部之犧牲層之表面形成密閉層，於部分該密閉層： 成開口部後通過開口部進行選擇性蝕刻以去除犧牲：， 最後利用任意之成膜法來密封開口冑，藉：▲ y 氣密密封。又’於專利文獻1中揭示有如下之=部進行 板之凹部配置功能部並於功能部之上部 於基 電極’於基板與電極之間設置有空隙(開口部二擴展之 射法密封開口部’藉此對功能部進行氣密密封。利用濺 [專利文獻Π日本專利特開2002_94328號 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而’以如此方式對功能部進行氣密密封 功能部與開口部之距離較近時 h形柃，當 埋入材料會通過開口部而 121726.doc 200829506 如此之問題並不限於利用MEMS之元件技術者 牷氆封之功能元件中為普遍所產生之問題。 堆積於功能料，於成料對功能部會造成影響，藉此使 得元件特性產生變化，存在元件可靠性下降之虞外， 於必須氣 本發明係鑒於上述問題開發所完成者，因此，其目的在 於提供-種成膜時之影響不會達到功能部，藉此能夠提 元件可靠性之功能元件、半導體裝置及電子機器。 [解決問題之技術手段]

本發明之功能元件係於基板表面包含複數個功能 部者，於該功能部之周圍設置㈣封層，該密封層於功能 部之周圍形成有空間，且具有藉由埋人材料而密封之_個 或複數個開口部。於藉由密封層所形成之空間内設置有一 個或複數個壁部。該壁部以不使空間分離之方式形成於功 能部與開口部之間。又，本發明之半導體裝置及電子機器 係内置有與一個元件及其他元件相連接之上述功能元件 者。再者，所謂「基板之表面」係、指除單—基板之表面以 外，亦包括設置於基板表面之其他基板之表面的概念，進 而，係指於基板表面形成任意層之情形時，亦包括該層之 表面的概念。

本發明之功能元件、半導體裝置及電子機器中，於功能 部與開口部之間，以不使由密封層所形成之空間分離的方 式形成壁部，因此於利用各種成膜法（蒸鍍、濺射、CVD 等）密封開口部時，埋入材料受阻於壁部而不會迴繞至位 於壁部之背後的功能部。 121726.doc 200829506 [發明之效果] 根據本發明之功忐元件、半導體裝置及電子機器，於功 月b邛與開口部之間，以不使由密封層所形成之空間分離的 方式形成壁部，因此於利用各種成膜法密封開口部時，埋 入材料可不到達功能部。因此，成膜時之影響不會達到功 能部，從而元件之可靠性提昇。 【實施方式】

以下，參照圖式就本發明之實施形態加以詳細說明。 圖1表示本發明之一實施形態之MEMS元件〗（功能元件） 之俯視構成，圖2表示圖1之A-A箭視方向之剖面構成，圖3 表示圖2之B-B刖視方向之剖面構成，圖4表示圖2之。{箭 視方向之剖面構成。 該MEMS元件1係以晶圓級將進行機械性動作之可動部 11(功能部）進行氣密密封者，基板1〇之表面具備可動部 11、密封層12及壁部13(參照圖2)。 基板10係於支持基體10A之表面形成有基礎層刚者（參 妝圖2)。此處，半導體基板1〇A例如係由矽（^)及砷化鎵 (GaAs)等所構成之半導體基板、或者由石英及玻璃等所構 成之絕緣性基板。於利用餘刻劑去除下述犧牲層R2時’基 礎層·係由發揮蝕刻終止層作用之材料、例如_而： 面(參照圖2)。該可動部”具有可根據來自外部之電㈣ 行機械性運動之構造。例如，如τ述應用例中所詳述， 121726.doc 200829506 成為以R F信號之頻率與L 〇信號之頻率之相差頻率（中頻）產 生機械性共振之構造之情形時，能夠發揮高頻電路用混頻 器之功能，即，根據來自外部之RF信號及信號之輸入 將中頻信號作為IF信號而輸出。 密封層12係由利用蝕刻劑去除下述犧牲層R2時未被蝕刻 之殘留材料、例如SiN所構成。該密封層12由頂棚部分i2A 及側壁α卩分12B所構成（參照圖2)，上述頂棚部分丨2A於可 動部11以及基板10之表面中可動部丨丨周圍之雙方經由特定 門隙^/成為中空，上述側壁部分12β與該頂棚部分12八形 成為一體且與基板1〇表面連接。即，密封層12具有頂 (dome)狀之形狀，作為於可動部^之周圍形成内部空間μ =將可動部1 i與外部環境分離之空腔而發揮功能。又，該 ⑴封層12，如下述般，例如係利用減壓(化學氣相沈 積）法而形成者，以晶圓級保護可動部11。 ㈣封層12中’於密封層12中除與可動部11對向區域 \卜之區域，即，於密封層12之與可動部11之非對向區域 成有開口 σΡ15(參照圖2)。如下述般，該開口部15於製造 :程中係被用作輪】之通孔者，該餘刻劑去除覆蓋可動 之周圍之犧牲層以，於去除犧牲層以後利用由辦埋 ^料所構成之密封構件17所密封。藉此，對内部空間Μ 進行氣密密封，你tπ丄 而將可動部π與外部環境完全分離。 以與密封層12_ ^ ^ m的方式使壁部13形成於内部空間14 内，並使壁部13盥 Π .^ 一基板10之表面連接（參照圖2、圖4)。因 此，該壁部13作為支 u 文得在封層12之頂棚部分12A的支柱而 121726.doc 200829506 發揮功能。 又，該壁部13形成於可動部U與開口部15之間，於兩側 面13A與密封層12之侧壁部分12B之間形成有間隙14A(參 照圖3、圖4)，上述兩側面13A之方向係可動部11與開口部 15彼此對向之方向所正交的方向。亦即，内部空間14之可 動部11側之空間、與開口部15側之空間經由間隙14A而彼 此連通，壁部13以不分離内部空間14之方式而形成。藉 此’於去除犧牲層R2時，可使流入開口部丨5之蝕刻劑經由 間隙14 A而流入至可動部〗i側。 然而’如圖5之俯視圖（省略密封構件ι6)所示，該壁部 1 3於内部空間丨4内形成有不被直線橫切之空間（影空間 19)，該直線貫通開口部15而不貫通密封層12及壁部13。 再者’於圖5中，作為貫通開口部15而不貫通密封層12 及壁部13之直線，例示有將開口部丨5中距離壁部i 3最遠之 端部（最遠端部15A，參照圖丨〜圖3、圖5)與壁部13之兩側 面13A的端部連接之直線18。該直線18亦係將貫通開口部 15而不貫通密封層12及壁部13之直線所橫切之空間、與上 述影空間19於空間上加以區別之界線。 该影空間19相當於自外部觀察開口部丨5時，由壁部丨3及 松封層12遮擋而無法看見之空間。更具體而言，該影空間 19相當於自内部空間14之可動部^側的空間至除去被直線 1 8切去的空間後所得之空間。 於本實施形態中，於該影空間19内配置有可動部丨丨。藉 此’於利用各種成膜法（蒸鍍、濺射、CVD等）使埋入材料 121726.doc 200829506 堆積於開口部15而密封開口部15時，可防止埋入材料迴繞 至位於壁部13背後之可動部丨丨。 其次，就具有如此構成之MEMS元件1之製造方法之一 例加以說明。 首先’依序將基礎層10B及犧牲層R1積層於支持基體 10A上（圖6(A))，其後，於犧牲層R1上形成用以形成部分 可動部11之開口部H1(圖6(B))。接著，遍及整個表面使可 動部11A成膜（圖6(c))，其後，藉由對可動部u A進行選擇 性蝕刻而形成可動部11(圖6(D))。繼而，以覆蓋整個可動 部11之方式使犧牲層成膜，與先前之犧牲層R1一併形成犧 牲層R2(圖6(E))。 其次，對犧牲層R2進行選擇性蝕刻，於可動部u之周圍 保留犧牲層R2並形成開口部H2(^ 7(A))，其後，遍及整個 犧牲層R2之表面形成密封層丨2 a，並以與密封層丨2 A為一 體的方式使壁部13形成於開口部H2内（圖7(B))。接著，於 該密封層12A中形成開口部15而形成密封層12後（圖 7(C))，使蝕刻劑自該開口部15流入，去除犧牲層R2後形 成内部空間14(圖7(D))。 其次，利用各種成膜法使埋入材料堆積於開口部15而密 封開口部15(圖2)。藉此，對内部空間14進行氣密密封，使 可動部11與外部環境完全分離。以此方式形元件 1 ° 然而，於以如上述之方式利用各種成膜法將埋入材料堆 積於開口部15時，埋入材料會飛散至内部空間^中。因 121726.doc -12- 200829506 此’於先月ί MEMS元件中，_散之埋入材料附著於可動部 上等使元件特性產生變化，從而存在元件可靠性下降之 虞。因此’先雨為了不使埋人材料附著於可動部而採用將 開口部與可動部分離之方法，若採用此方法則會使布局變 大，因此考慮代替將開口部與可動部分離，而使開口部15 之直徑變小以減小埋人材料之飛散面積。但是，若以此方 式減小開口。卩15之直彳£ ’則僅以這種大小#刻劑難以自開 口部15進人’其結果不僅_時間延長且存在由於银刻劑 而使元件受到較大損害之虞。 然而，於本實施形態中，於開口部15與可動部丨丨之間設 置有壁部13,因此於密封開口部15時，通過開口部15向可 動部11飛散之埋入材料會受阻於壁部13而堆積於開口部15 與壁部13之間，另一方面，通過開口部15而向與可動部u 不同的方向飛散之埋入材料，受阻於壁部i 3而堆積於開口 部15與壁部13之間、或者落下堆積於間隙14A及其最近 處。亦即，埋入材料受阻於壁部13,不會迴繞至配置於壁 部13之背後（影空間19)之可動部u。 如此般，於本實施形態中，藉由於開口部15與可動部η 之間設置壁部13 ’利用各種成膜法使埋人材料堆積於開口 部15時，埋入材料不會迴繞至配置於影空間19之可動部 11。藉此，可消除成膜時給可動部丨丨所造成影響之虞，因 此元件特性不產生變化，元件可靠性提昇。 尤其於採用具有指向性之成膜方法（蒸鍍、濺射等）之情 形時，埋入材料幾乎不進入影空間19。藉此，於未設置= 121726.doc -13- 200829506 :=::’即使於埋入材料可到達之空間内設置可動 膜時給可動部11造成影響之虞。藉此， 部15與可動部11之距離，因此可在不降低元件 可減小佔用面積。 一果’可減小死空間’因此 部之2實施形態中，如上所述，即使不特意減小開口 k ’亦可減小布局’同時可減小内部空間14,因 ==牲層R2之容積，並可縮短使用兹刻劑去除犧牲 :宝“時間。藉此’可將由钱刻劑對元件所造成之 制料小限度。又，可藉由設置壁部13，而 ^部15與可動部11之距離’因此布局之自由度提 [變形例] 於上述實施形態中，以如下方式形成壁部13，即，使辟 編1G之表面連接^ 請例不，於壁部13與基板10之間，亦可設置使 料不到達可動部u為止程度之間隙14B。藉此，例如，即 使於由變形能力較強之㈣形成密封層 於密勵之變形而於基板丨。產生應力且於可動 產生裂縫之虞，因此元件之可靠性提昇。 附近 又，於上述實施形態中，使壁部13與密封層12形一 體，但亦可以如下方式 …、 卜方式形成壁部13 ’ ~，使壁部u 層12單獨地形成且使壁部！3與密封層12連接。再者〜封 9所例示，於與密封層12單獨地形成之壁部23與密封^ 121726.doc -14- 200829506 1亦可设置埋人材料不到達可動部11為止程度之間隙 。藉此，例如即使由變形能力強之材料形成密封層^ 日、，亦可消除由於密封層12之變形而於基板1〇產生應力且 、口動邛11附近產生裂縫之虞，因此元件可靠性提昇。 又，於能夠以相同高度形成壁部23及可動部丨丨之情形時， 口併形成壁部23與可動部i i。藉此可抑制處理時間之增 加。 曰 又，於上述實施形態中，於内部空間14内設置由方形狀 的一片板所構成之壁部13，但例如圖1〇所例示，亦可設置 由二片板所構成之壁部33。藉此，例如，即使於可動部11 之同度較兩、開口部H2之縱橫比大之情形時，亦可容易地 使壁部33與密封層12形成為一體。其中，於壁部33的高度 為不太高之情形時，例如圖11所例示，較好的是形成縱橫 比小之壁部43。藉此，可防止由於應力之集中而使裂缝進 入壁部33或密封層12内，因此元件之可靠性提昇。 又’於上述實施形態中就設置一個開口部丨5之情形進行 了說明，但亦可設置複數個開口部15。於此情形時，亦可 設置一個壁部13，但若不將壁部13設為較大，則於去除犧 牲層R2時’存在無法完全去除犧牲層R2而殘留於壁部13 之背後之虞。因此，於存在如此之虞之情形時，例如，如 圖12之俯視圖（省略密封構件16)所例示，較好的是針對各 開口部15分別設置壁部13。藉此，於製造過程中，可使链 刻劑自形成於各壁部13之間的間隙流入至可動部，因 此能於短時間内可靠地去除犧牲層R2。藉此，可防止由於 121726.doc •15- 200829506 犧牲層R2之殘留而導致元件特性產生變化，元件之可靠性 提幵。其中’於此情形時，4 了使埋入材料不到達可動部 U，必須於不被直線横切之空間（影空間29)内設置可動部 n，上述直線貫通開口部15而不貫通密封層12及壁部丨3。 再者，於圖12中，以直線18貫通鄰接之壁部13之方式配 置各壁部13 ’上述直線18連接各開口部15之最遠端部 15A、及與各開口部15對應設置之壁部此兩側面Μ的 端部，藉此，並無埋入材料經由形成於各壁部13之間之間 隙而到達内部空間14中之可動部„側的空間之虞，因此可 將可動部11接近各壁部13而配置。藉此，與上述實施形態 同樣’可在不降低元件可靠性的情況下減小布局。其結 果，可減小死空間，因此可減小佔用面積。 又’於二維排列複數個可動部11之情形時，例如圖13所 例^可利用未形成有可動部u之區域，將複數個開口部 。、、隹排列此％，利用未形成有可動部i丨及開口部1 5之 品域於各可動u與各開口部15之間設置壁部13，藉此 可保善可動。p 11不文飛散之埋入材料影響，因此不必特音 地使各可動部U與各開口部15之間擴大。藉此，即使於將 複數個可動部U二維排列之情形時，亦與上述實施形態同 樣可在不使兀件可靠性下降的情況下減小布局。其結 果’可減少死空間，因此可減小佔用面積。 [應用例] 其夂’參照圖14，钟杖# 士 '尤搭載有上述實施形態之MEMS元件 1之通k裝置之構成力 成力以祝明。圖14表示作為電子機器之 121726.doc -16- 200829506 通信裝置之方塊構成。 — F、f舍 者，猎由上述通信裝置而將 上述實施形離之λ/ίϋιν；Γ。 且叩肝搭载 化m s元件1之半導體裝置及模組I體 化，以下加以綜合說明。 /、體 P使於搭載上述各變形例之MEMS元 件之W時，亦發揮_之仙及效果。 圖U所示之通信裝置係搭載上述實施形態中所說明之 麵 s 元件 1 作為混頻器 322i、322Q、333、362i、362= 導體裝置)·者，例如有行動電話、個人數位助理(pDA,

Personal Dlgltal Assistam)、無限lan 咖⑽卿士， 區域網路）機1^等。再者，上述混頻器3221、322Q、333、 3621 362Q形成於由s〇c所構成之半導體裝置内。該通信 裝置例如圖14所示，包括：傳輸系統電路3〇〇A(模組）、接 收系統電路300B(模組）、切換傳輸接收路徑之傳輸接收切 換器301、同頻濾波器3〇2、及傳輸接收用之天線3。 傳輸系統電路300A包含：與I通道之傳輸資料及Q通道 之傳輸資料相對應之2個數位/類比轉換器（DAc :

Digital/AnalogUe Converter) 3111、311Q及 2個帶通濾波器 3121、312Q，調變器 32〇 及傳輸用 pLL(phase_L〇cked Loop，鎖相迴路）電路313及功率放大器314。該調變器320 包括與上述2個帶通濾波器3121、3 12Q相對應之2個緩衝放 大器3211、321Q及2個混頻器3221、322Q，移相器323，加 法器324及緩衝放大器325。 接收系統電路300B包括：高頻部330、帶通濾波器341及 121726.doc -17- 200829506 通道選擇用PLL電路342、中頻電路350及帶通濾波器343、 解調器360及中頻用PLL電路344、與I通道之接收資料及Q 通道之接收資料相對應之2個帶通濾波器3451、345 Q及2個 類比 / 數位轉換器（ADC ; Analogue/Digital Converter) 3461、346Q。高頻部330包含低雜訊放大器331，緩衝放大 器332、334，混頻器333 ;中頻電路350包含缓衝放大器 351、353 以及自動增益調整（agc : Auto Gain Controller) 電路352。解調器360包含緩衝放大器361、與上述2個帶通 濾波器3451、345Q相對應之2個混頻器3621、362Q以及2個 緩衝放大器3631、363Q，以及移相器364。 该通信裝置中，若將I通道之傳輸資料及Q通道之傳輸資 料輸入傳輸系統電路300A中，則依以下順序對各傳輸資料 進行處理。即，首先，於DAC3m、311卩中將傳輸資料轉 換成類比信號，繼而於帶通濾波器312I、312Q中去除傳輸 k號之頻帶以外之信號成分後，供給至調變器32〇。接 著，於調變器320中，經由緩衝放大器32u、321Q供給至 混頻器322I、3UQ，繼而將與自傳輸用PLL電路313所供 給之傳輸頻率相對應的頻率信號混合並加以調變，之後將 兩混合信號於加法器324中進行相加，藉此形成^系統之傳 輸^號。此時，對於供給至混頻器之頻率信號，藉由 於移相器323中使信號相位移動90。，而將I通道之信號與Q 通道之信號彼此進行正交調變。最後，經由緩衝放大器 γ以供給至功率放大器314，藉此放大成為特定之傳輸功 μ由該功率放大器314所放大之信號，經由傳輸接收切 121726.d〇( -18- 200829506 換器3G1及高頻遽波器3G2而供給至天線3()3，藉此經由該 天線303進行無線傳輸。該高頻濾波器3()2於通信裝置中作 為帶通據波器而發揮功能’ ，去除傳輸或接收之信號中 之頻帶以外之信號成分。 另一方面，若使接收系統電路3〇〇B自天線3〇3經由高頻 濾波器3G2及傳輸接收切換器如接收信號，則依以下順序 對該L號進行處理。即’首先，於高頻部33〇中，利用低 "孔放大器331將接收指號放大，繼而利用帶通濾波器⑷ 除接收頻耶以外之^號成分後，經由緩衝放大器供 給至混頻器333。繼而’將自通道選擇用ppL電路342供給 之頻率信號加以混合，將特定之傳輸通道之信號作為中頻 化號，藉此經由緩衝放大器334供給至中頻電路35〇。接 著’於中頻電路350中，經由緩衝放大器351供給至帶通遽 波裔343，藉此去除中頻信號之頻帶以外的信號成分，繼 而於AGC電路352中形成大致固定的增益信#“灸，經由緩 衝放大器353供給至解調器36〇。繼而，於解調器36〇中， 經由緩衝放大器361供給至混頻器36Ή、362Q後，將自中 頻用PPL電路344供給之頻率數信號加以混合，對〗通道之 信號成分與Q通道之信號成分進行解調。此時，對於供給 至混頻器3621之頻率信穿u，於移相器364中將信號相位移 動90 ，藉此對經彼此正交調變後之〗通道信號成分與q通 道信號成分進行解調。最後，將I通道之信號及Q通道之信 號分別供給至帶通濾波器3451、345Q，藉此將除1通道之 乜號及Q通道之仏號以外之信號成分去除後，供給至 121726.doc -19- 200829506 ADC346I、346Q而形成數位資料。藉此，獲得1通道之接 收資料及Q通道之接收資料。 該通信裝置因搭載上述實施形態之MEMS元件1作為混 頻器3221、322Q、333、362I、362Q，因此不會受到埋入 #料之附著等成膜時之影響而使各個混頻器之高頻特性產 生不均一。藉此，於各個通信裝置中高頻特性穩定，且可 靠性較高。 φ 再者，於圖14所示之通信裝置中，就將上述實施形態之 MEMS7C 件1用於混頻器 3221、322Q、333、3621、362Q(半 V體衣置）之情形進行了說明，但未必侷限於此，例如亦 可將MEMS元件1用於傳輸接收切換器3〇1、或帶通渡波器 3121 ' 3UQ ' 341、343、3461、346Q，或者高頻濾波器 302。即使於此情形時，亦可獲得與上述同樣之效果。 以上，舉出實施形態、變形例及應用例就本發明進行了 呪明，但本發明並不限定於上述實施形態等，本發明之 • MEMS =件、半導體裝置及通信裝置之構成或其製造方法 之順序等’只要能夠獲得與上述實施形態等同樣之效果則 能夠自由地變形。 又’於上述實施形態等中，就將本發明之mems元件用 於以彳丁動電話等通信裝置為代表之電子機器之情形進行了 口兒明’但未必侷限於此，亦可用於除通信裝置以外之電子 機器即使於該等之任意情形時，亦可獲得與上述實施形 態同樣之效果。 【圖式簡單說明】 121726.doc -20- 200829506 圖1係本發明之一實施形態之MEMS元件之俯視構成 圖。 圖2係圖1之A- A箭視方向之剖面構成圖。 圖3係圖2之B-B箭視方向之剖面構成圖。 圖4係圖2之C - C前視方向之剖面構成圖。 圖5係用以說明影空間之俯視構成圖。 圖6(A)-(E)係用以說明圖1之MEMS元件之製造過程之立 面構成圖。

圖

7(A)-(D)係繼圖6之後用以說明製造過程之剖面構成 圖8係一變形例之MEMS元件之剖面構成圖。 圖9係其他變形例之MEMS元件之剖面構成圖。 圖10係其他變形例之MEMS元件之剖面構成圖。 圖11係其他變形例之MEMS元件之剖面構成圖。 圖12係其他變形例之MEMS元件之俯視構成圖。 圖13係其他變形例之MEMS元件之俯視構成圖。 圖14係應用例之通信裝置之功能方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 MEMS元件 10 基板 10A 支持基體 10B 基礎層 11 可動部 12 密封層 121726.doc -21 -

200829506

12A

12B 13, 23, 33, 43 14

14A， 14B， 14C

15 15A 17 18, 28 19, 29 頂棚部分 侧壁部分 壁部 内部空間 間隙 開口部 最遠端部 密封構件 直線 影空間

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Claims (1)

1. 200829506 十、申請專利範圍： 1 _ 種功能元件，其特徵在於包括： 基板； 一個或複數個功能部，其形成於上述基板之表面； 密封層，其於上述功能部之周圍形成空間且具有由埋 入材料所密封之一個或複數個開口部；及 一個或複數個壁部，其不使上述空間分離而形成於上 述功能部與上述開口部之間。 2.如請求項1之功能元件，其中 上述功能部配置於無直線橫過之空間内，該直線係貫 通上述開口部而不貫通上述密封層及上述壁部。 3·如請求項1之功能元件，其中 上述壁部與上述密封層一體地形成。 4·如請求項3之功能元件，其中 上述壁部與上述基板相連接而配置。 5·如請求項3之功能元件，其中 上述壁部係與上述基板經由特定間隙而配置。 6·如請求項1之功能元件，其中 上述壁部與上述密封層個別地形成。 7·如睛求項6之功能元件，其中 上述壁部與上述密封層相連接而配置。 8·如哨求項6之功能元件，其中 上述壁部係與上述密封層經由特定間隙而配置。 9·如明求項1之功能元件，其中 121726.doc 200829506 上述開口部形成於上述密封層之與上述功能部之非對 向區域。 10· 一種半導體裳置，其特徵在於：其係内建有與一元件及 其他元件連接之功能元件者，且 上述功能元件包括·· 基板； -個或複數個功能部，其形成於上述基板之表面； 密封層，其於上述功能部之周圍形成空間且具有由埋 入材料所密封之一個或複數個開口部丨及 一個或複數個壁部，其不佶μ、+、咖_ 不使上述空間分離而形成於上 述功能部與上述開口部之間。 11 · 一種電子機器，其特徵在於：内豪 1矍有如請求項10之半導 體裝置。

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