TW200826749A - Improved plasma electrode - Google Patents
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Description
200826749 九、發明說明: C 明/^屬 々貝 相關申請案之相互參考 本申請案係請求在2006年十月3日提出申請之美國專 5 利暫時申請案第60/849,157之優先權。 本發明係為一種改良的電漿電極。 iltr 發明背景 本發明係與一種改良的電漿電極有關,其係在大氣壓 10力或是接近大氣壓之情況下,使用電暈或電漿處理來修飾 一基材,或者使用電漿輔助化學氣相沈積作用來包覆一基 材。 許多習知的電極結構已經被研發以用於大氣壓力或是 接近大氣壓之情況下的作業。習知的結構可以分為二種的 15主要類型。該第一種類型態係欲與一被設置於該基材的遠 離該工作電極之另一側上的接地電極一起運用。該電極的 第一種類型的具體例係被揭露在WO 2006/049794和WO 2006/049865中。第二種類型係使用一設置於該基材之與該 工作電極相同的側邊上的接地電極位置。第二種類型的電 20極之具體例係被討論於W002/23960、1^?6,441,553與1;8? 7,067,405 中。 儘官習知技藝的電極提供了顯著的進展,如果可以研 發一種允許在一定區域中控制電場強度、輕易地調整工作 氣體速度以及流體特性,並輕易移除和更換該電極的暴露 5 200826749 工作部分的電極,其將會是在此技藝中的一大進展。 【明内1 發明概要 - 本發明係用來解決上述的問題。本發明的電極允許在 . 5 一定區域上控制電場強度、提供易於調整之工作氣體速度 以及流體特性,以及易於移除和更換之該電極的暴露工作 - 部分。更明確地說,在一具體例中,本發明係為一用於在 大氣壓力或是接近大氣壓之情況下,使用電暈或電漿處理 來修飾一基材,或者使用電漿輔助化學氣相沈積作用來包 10 覆一基材之改良的電極,該電極包含有一其中至少界定一 第一空腔的本體,該本體在其中具有至少一與該第一空腔 形成氣體通連的進口通道,因而一氣體混合物可以藉著該 至少一進口通道的途徑而流入該第一空腔内,該電極具有 至少一與該第一空腔形成氣體通連的出口通道,因而一氣 15 體可以藉著該至少一出口通道的途徑而流出該第一空腔, 其中該改良包含有該至少一係為一槽孔之出口通道,該本 體包含有其之至少一第一可移除部分,該第一可移除部分 的邊緣會界定該至少一出口通道的一側邊。 在另一具體例中,本發明係為一種在大氣壓力或是接 20 近大氣壓之情況下,使用電暈或電漿處理來修飾一基材, 或者使用電漿輔助化學氣相沈積作用來包覆一基材之改良 方法,其中一氣體係流自一電極並流入一鄰近於該電極之 電場區域内,該電極係由一界定有一第一空腔之本體來界 定,該本體在其中具有至少一與該第一空腔成氣體通連之 6 200826749 進口通道,因而一氣體混合物可以藉著該至少一進口通道 的途徑而流入該第一空腔内,該電極具有至少一與該第一 空腔形成氣體通連的出口通道,因而一流入該第一空腔内 之氣體可以藉著該至少一出口通道的途徑而流出該第一空 5 腔,其中該改良包含有控制該本體的該溫度。 圖式簡單說明 第1圖是本發明的一較佳具體例之電極本體的透視圖; 第2圖係為本發明的一較佳具體例之可移除電場板件 部分之透視圖, 10 第3圖係為安裝在第1圖的該本體上之第2圖的可移除 電場板件部分之透視圖, 第4a、b、c和d圖顯示第2圖的可移除電場板件部分之 其他的剖面形狀圖;並且 第5圖顯示一種使用本發明之電極來在一基材上形成 15 一電漿聚合塗層的系統;並且 第6圖是本發明的另一種電極之具體例的端視圖。 I:實施方式3 較佳實施例之詳細說明 現在參照第1圖,其中顯示本發明的一較佳具體例之電 20 極本體10的透視圖。該本體10係由金屬製成的並在其中界 定有一第一空腔11。在該本體10中具有一與該空腔11成氣 體通連之由結構性介電材料所製成的第一進口通道12。在 該本體10中具有一與該空腔11成氣體通連之第二進口通道 13,其也是由結構性介電材料所製成的。該本體10也在其 7 200826749 中界定有一第二空腔16。本體1〇具有一進口 14與出口 18, 其等每個都係與該第二空腔16形成流體通連。該本體10也 在其中界定有一第三空胺17。該本體10具有一進口 15與出 口 19,其等每個均與該第三空腔17形成流體通連。在該本 5 體1〇中界定有一第一通道28和一第二通道29。孔洞 20,21,22,23,24,25,26與27係如所示的穿過該本體10而進入 該等通道28和29内。 現在參照第2圖,其中顯示本發明的一較佳具體例之一 對可移除鋁電場板件部分3〇和31的透視圖。電場板件部分 10 30具有一經過鑽孔與攻螺紋以產生具有螺紋之孔洞 34,35,36和37之脊狀隆起部分32。電場板件部分31具有一經 過鑽孔與攻螺紋以產生具有螺紋之孔洞38,39,40和41之脊 狀隆起部分33。該等脊狀隆起部分32與33的寬度係比在第1 圖所顯示的本體10之通道28和29的寬度更小。該脊狀隆起 15 32與33的高度係比在第1圖中所顯示的本體1〇之通道28和 29的深度更小。 現在參照第3圖,其中顯示在第2圖中之該對可移除的 電場板件部分30和31,藉著以在第2圖中所顯示的螺絲幻之 螺絲的方式,而安裝在第1圖的該本體1〇上之透視圖, 叫,该專 20螺絲係自該本體10的底部穿過在第1圖中所顯示之該等孔 洞20,21,22,23,24,25,26和27,並且與在第2圖中所顯示之1 等板件30和31部分的具螺紋孔洞34,35,36,37,对%4〇#1 嚅合,而產生依據本發明之一較佳的電極44。該等板件邛 分30與31會形成一槽孔43以使得在一氣體經著進口 ^和^ 8 200826749 的方式而流進該空腔11内的時候,該等氣體會經過槽孔43 而流出該等電極44。-對具有相同厚度的測隙規係較佳地 被插入於該槽孔43的每個末端,以在將會把該等板件部分 30和31夾合至該本體10的螺絲鎖緊之前,可以建立該槽孔 5 43的寬度。該槽孔43的寬度可以藉此被調整為例如但不限 於0.050吋至0.001吋。該槽孔43的寬度係較佳地被調整得相 對地較小(舉例來說,〇·〇〇 1至〇·〇丨吋)以使得工作氣體的消耗 最少化,而改善該經過電漿聚合之塗層的均勻度並使得此 專塗層的口口貝最佳化。在作業中,一加熱、冷卻,或是溫 10度控制流體可以經由進口丨4和15以及出口 18和19,而流進 與流出該等第二與第三空腔16和17,以控制電極44的溫度。 現在參照第4a、b、c和d圖,其中顯示第2圖的可移除 電場板件部分30與31之其他形狀的剖面圖。第乜圖顯示出 一係為平面的外表面以及一去角邊緣。第4b圖顯示出一係 15為平面的外表面以及一圓形邊緣。第4c圖顯示出一係為平 面的外表面以及一直角邊緣。第4d圖顯示出一係為圓形的 外表面以及一直角邊緣。在許多的應用中,在第4C圖中所 顯示的結構係為較佳的。該邊緣的形狀會影響自該槽孔流 向該欲被包覆之基材的工作氣體之流體特性。該外表面的 20 形狀會影響在該暴露表面上之電場強度。 現在參照第5圖,在其中顯示一種使用第3圖的電極44 來在一基材上形成一電漿聚合塗層的系統。該電極44需要 經由電源45來施加足夠的電能與頻率至該電極44,以在該 電極44與設置於一相對電極47上之基材51之間,創造並維 9 200826749 持一例如為並且不侷於其之電暈放電46。本發明將會在〇瓦 特與20,〇〇〇瓦特之間操作。該操作頻率係介於〇赫茲和丨〇〇 仟赫之間。所輸送至該電極的最大電能不應該超過5〇,〇〇〇 瓦特。本發明之最大頻率可以是數百億赫茲。當然,如在 5此技藝中所了解的,空間大小上的改變將會需要變更電能 與頻率之操作範圍。 仍然參照第5圖,包括一個平衡氣體53和一個工作氣體 50的一氣體混合物48係流入進口 12、該電極44然後自槽孔 43排出,以藉著電暈放電46來電漿聚合而在該移動基材51 10上形成一塗層。當做在此使用,”工作氣體,,這個術語係指 一反應性物質,其在標準的溫度和壓力下可能是或者可能 不是可以被聚合而在該基材上形成一塗層之氣體。如在此 所使用的’ ”平衡氣體”這個術語係為攜帶該工作氣體通過 該電極並最後抵達該基材之反應性或非反應性的氣體。 15 適當工作氣體的具體例包含有自此等材料之被容納的 揮發性液體52之頂部空間(headspace)產生的有機石夕化合 物,例如矽烷、矽氧烷以及矽氮烷,其並且係被一輸送氣 體49自該頂部空間帶走,並與平衡氣體53結合以形成該氣 體混合物48。矽烷的具體例包含有二曱氧基二甲基矽烷、 20甲基三甲氧基矽烧、四甲氧基矽烧、甲基三乙氧基矽烧、 二乙氧基二甲基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、三乙氧基乙烯 基矽烧、四乙氧基矽烷、二甲氧基甲基苯基矽烷、苯基三 甲氧基石夕烧、3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯基 丙基三甲氧基矽烷、二乙氧基甲基苯基矽烷、三(2_甲氧基 200826749 乙氧基)乙稀基魏、苯基三乙氧基傾以及二甲〃— 基矽烷。矽氧烷的具體例包含有四 =虱基二苯 T丞一矽氧烷、 二石夕氧烧”V甲基三料如及四乙基原錢目旨。妙心 的具體例包含有六曱基矽氮烷與四y虱沉 土 氣燒。秒4 P么05 為較佳的謂《’而四甲基_魏係騎別二二 該工作氣體係較佳地在與該平衡氣 土的 、。口 <則,以一
例如空氣或氮氣之輸送氣體49來稀釋。辞τ A 甲孩工作氣體在輸送 氣體中之V/V濃度係與紅作㈣的錢壓有關,並且其係 10 15 20 較佳地為至少1%,更佳地為至少5%而最佳地為至m、 並且係較佳地不大於50%,更佳地不大於3〇%,且最佳地"不 大於20%。 適合的平衡氣體之具體例包含有空氣、氧、气、氦彳 氬,以及其等之組合。該平衡氣體的流速係高到足以將該 電漿聚合作用工作氣體,驅趕至該基材以形成一相對於粉 末之連續薄膜。較佳地該平衡氣體流速係可以使得該平衡 氣體以每分鐘至少1000呎的速度通過該槽孔,更佳地為每 分鐘至少2000吸,而最佳地為每分鐘至少4〇〇〇呎;並且其 係較佳地不大於每分鐘10000呎,更佳地不大於每分鐘8〇〇〇 呎,且最佳地不大於每分鐘6000呎。該平衡氣體和工作氣 體的相對流速之控制,也會對在該基材上所形成之塗層的 品質造成影響。較佳地,該流速係被調整以使得該平衡氣 體比上該工作氣體的v/v比例為至少0.002%,更佳地為至少 0.02%,且最佳地為至少0.2% ;並且係較佳地不大於1〇〇/0, 更佳地不大於6%大,且最佳地不大於1%。當然,如在此技 11 200826749 藝中所充份了解的是,該氣體之注入速度、濃度以及組成 成分之實際數值,係依據被置於該基材上之塗層的種類而 定。應該要了解的是,本發明的運用並不侷限於上述的數 值。 5 雖然其可以藉著在例如但不限於電暈放電區域(也就 是’形成該電暈放電之區域)裡施加真空或是部份真空來實 施本發明的方法,該方法係較佳地以使得該電暈放電區域 不會出現真空或是部份真空之方式來實施,也就是係於大 氣壓力下或是接近大氣壓力下來實施。 10 欲被本發明的電極所包覆或處理之基材並未被限制。 基材的具體例包含有,例如聚乙稀和聚丙烯、聚苯乙烯、 聚碳酸酯之聚稀烴,以及例如聚對苯二甲酸乙二酯與聚對 苯二甲酸丁二醇酯之聚酯。 再次參照第5圖,溫度控制氣體54係流過熱交換器55 15並進入進口 14和丨5内。埋設於電極44的該本體中之入的熱 敏電阻(ThermiSter)57係被連接至溫度控制系統56。溫度控 制系統56會控制熱交換器55以調控電極44的溫度。較佳 地,該電極44的溫度係被控制於攝氏五十至七十度的範圍 内。 2〇 如上述所討論的,對電場板件和31來說一扁平的或 是平面的外表面係為較佳的。如第4d圖所示的一弧狀表面 會在該電漿區域中之槽孔附近增強該電場,而可能會一些 應用中係為較佳的。該等電場板件3〇與31係易於移除以進 灯清洗、用以自一平面更換成一弧狀暴露表面,並用以變 12 200826749 更該槽孔的形狀。 現在參照第6圖,其中顯示本發明的另一種電極%具體 例之端視圖,其包含有一紹質本㈣以及一被問在該本體 61之可移除部分59。該本體61具有—工作氣體進口6〇,以 5使知.亥工作氣體可以流入由該本體&與可移除部分顺界 疋之第一空腔,並接著從—由該部分59和本體61之間的 間隙所界疋之槽孔流過。介電性部分62和63係被附接至該 本體61並且係包含有接地棒咐…。在被適當地施加能量 時,一由介於該本體61與部分59以及接地棒66和67之間的 Η)電場所產生之電漿,會在其等之間形成。冷卻進口料⑽ 係以與第5圖的該電極44之進口神⑽同的方式來使 用。在第6圖所顯示的具體例中,該槽孔寬度係無法調整的 並且係藉著小心地機械加工會界定該槽孔之該本體“及/ 或可移除部分59來加以控制。較佳地,該槽孔的寬度係介 15 於0.001至0.01吋之間。 結論 在結論中,可以被輕易理解的是,雖然本發明已經在 上述依據其之較佳具體例來加以描述,但是應該要了解的 是本發明並不侷限於此,而是要涵蓋包含有落入以下列的 20申請專利範圍所界定之本發明的範圍之所有的替代例、變 化以及等效物。 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明的一較佳具體例之電極本體的透視圖; 第2圖係為本發明的一較佳具體例之可移除電場板件 13 200826749 部分之透視圖; 第3圖係為安裝在第1圖的該本體上之第2圖的可移除 電場板件部分之透視圖; 第4a、b、c和d圖顯示第2圖的可移除電場板件部分之 5 其他的剖面形狀圖;並且 第5圖顯示一種使用本發明之電極來在一基材上形成 一電漿聚合塗層的系統;並且 第6圖是本發明的另一種電極之具體例的端視圖。 【主要元件符號說明】 10…電極本體 34,35,36,37...孑匕洞 ll···第一空腔 38,39,40,41 …孔洞 12…第一進口通道 42…螺絲 13…第二進口通道 43…槽孔 14,15…進口 44…電極 16…第二空腔 45…電源 17…第三空腔 46…電暈放電 18,19…出口 47···相對電極 20,21,22,23,24,25,26,27· · ·孔洞 48…氣體混合物 28…第一通道 49…輸送氣體 29…第二通道 50…工作氣體 30,31…電場板件部分 51…紐 32,33…脊狀隆起部分 52…揮發性液體 14 200826749 53…平衡氣體 60…工作氣體進口 54…溫度控制氣體 61…鋁質本體 55…熱交換器 62,63…介電性部分 56…溫度控制系統 64,65···冷卻進口 58…電極 59…可移除部分 66,67…接地棒 15
Claims (1)
- 200826749 十、申請專利範圍: 1· 一種改良的電極,其係在大氣壓力或是接近大氣壓之情 況下,使用電暈或電漿處理來修飾一基材,或是使用電 漿辅助化學氣相沈積作用來包覆一基材,該電極包含有 5 10 15 20 一其中至少界定有一第一空腔的本體,該本體在其中具 有一與該弟一空腔成氣體通連之至少一進口通道,以使 得一氣體混合物可以藉著該至少一進口通道的方式而 流入該第一空腔内,該電極在其中具有一與該第一空腔 成氣體通連之至少一個出口通道,以使得一流入該第一 空腔内之氣體可以藉著該至少一出口通道的方式而流 出該第一空腔,其中該改良部分包含有該至少一出口通 道係為一槽孔,該本體係由其之至少一第一可移除部分 所組成’韻—可移除部分之_邊緣會界定該至少一出 口通道的一側邊。 2.如申請專利範圍第i項的改良電極,其中該第一可移除 部件的外表面係為平面的。 3·如申請專利範圍第i項的改良電極,其中該第—可移除 部件的外表面係為弧形的。 一步包含有其之—第二可移除部分,該第二可移除部分 的-邊緣會界定該至少—出σ通道的另—個側邊。 5. 如申請專利範圍第4項的改良電極,其中該第一與第二 可移除部分之外表面係為平面的。 6. 如申請專利範圍第4項的改良電極,其中該第-與第二 4·如申請專利範圍第丨項較良電極,其中該改良部分進 16 200826749 可移除部分之外表面係為弧形的。 7. 如申請專利範圍第1-6項中之任一項的改良電極,其中 該改良部分進一步在該本體中包含有至少一第二空 腔,在該本體中具有至少一與該第二空腔形成流體通連 5 之進口通道,以及至少一與該第二空腔形成流體通連之 出口通道,因此一流體可以流入與流出該第二空腔來控 制該本體的溫度。 8. —種在大氣壓力或是接近大氣壓之情況下,使用電暈或 電漿處理來修飾一基材,或者使用電漿輔助化學氣相沈 10 積作用來包覆一基材之改良方法,其中一氣體係流自一 電極並流入一鄰近於該電極之電場區域内,該電極係由 在其中界定有至少一第一空腔之一本體來界定,在該本 體中具有與該第一空腔成氣體通連之至少一進口通 道,因而一氣體混合物可以藉著該至少一進口通道的途 15 徑而流入該第一空腔内,該電極具有與該第一空腔形成 氣體通連的至少一出口通道,因而一流入該第一空腔内 之氣體可以藉著該至少一出口通道的途徑而流出該第 一空腔,其中該改良部分包含有控制該本體的該溫度的 步驟。 20 9.如申請專利範圍第8項的的改良方法,其中在該本體中 界定有一第二空腔,在該本體中具有至少一與該第二空 腔形成流體通連之進口通道,以及至少一與該第二空腔 形成流體通連之出口通道,因此一流體可以流入與流出 該第二空腔來控制該本體的溫度。 17
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