TW200822313A - Sensor type semiconductor package and fabrication method thereof - Google Patents

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TW200822313A TW095140686A TW95140686A TW200822313A TW 200822313 A TW200822313 A TW 200822313A TW 095140686 A TW095140686 A TW 095140686A TW 95140686 A TW95140686 A TW 95140686A TW 200822313 A TW200822313 A TW 200822313A
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Tse-Wen Chang
Chang-Yueh Chan
Chih-Ming Huang
Cheng-Hsu Hsiao
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Siliconware Precision Industries Co Ltd
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Description

200822313 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 、本發明係有關於一種半導體封裝件及其製法，尤指 種感測式封裝件及其製法。 【先前技術】 、傳統影像感測式封裝件（Image sensor package)主要係 f感測晶片（Senses ehip)接置於—晶片承載件上，並透過 加以電性連接該感測晶片及晶片承載件後，再於該感 片上方封蓋住一玻璃’以供影像光線能為該感測晶片 斤擷取如此，該完成構裝之影像感測式封裝件即可供系 統廠進行整合至如印刷電路板(pcB)等外部裝置上，以供 ㈣位相機(DSC)、數位攝影機（DV)、光學滑鼠、行動電 °舌^紋辨識态等各式電子產品之應用。 沪安吴國專利第 6,〇6〇,34〇、6,262,479、及6,59〇,269 式封料，係預先製備_結構於晶片 7,上’再將感測晶片接著及打線至該晶>{承載件上， 透光玻璃於攔壩結構上以封蓋住Μ間，惟此感 2封褒件受限於晶片承載件至少必須預留足夠之空間來 2攔壩結構，使得該感測式封裳件的大小受到限制，無 法進一步縮小。 揭-Γ參閱第1Α圖’鑑於前述缺失，美國專利第6,995,462 種毋需使用攔壩結構之感測式封褒件，其主要係 :::15預先黏置在感測晶片1〇上，其中該感測晶片ι〇 動面設有感測區103及電極塾1〇4，並使該玻璃㈣ 19924 5 200822313 一黏著層14接置於感測晶片i〇上，以覆蓋且密封該感測 區103，避免外在環境之污染粒子（particle)污染該感測晶 片10,接著再將該感測晶片1〇接置於基板n上，並利用 銲線12電性連接該感測晶片ι〇及基板n，之後於該基板 11上形成包覆感測晶片10及銲線12之封裝材料16。 1*隹别述之感測式封裝件中’由於該玻璃15與感測晶 片1 〇係藉由黏著層14及部分之封裝材料丨6接合，其中常 因附著力不佳而於使用環境之溫度變化中造成在該玻璃 15側邊與封裝材料16接合處發生裂損c，如第圖所 不甚而‘致外在水氣或污染物入侵至該感測晶片1〇，嚴 重影響產品壽命。 /因此，如何提供一種感測式封裝件及其製法，得以避 2限於晶片承載件至少必須預留足夠之空間 結構，使㈣相式職件的大小受到_， ^ ，3封裳材料接合處因附著力不佳所發生裂損，甚= 广戈污染物入侵至封褒件等問題，確為相關領域 上所而迫切面對之課題。 … 【發明内容】 ㈣以上所述…術之缺 於提供-種感測式封襄件及 ：：要目的在 測晶片之玻璃與封卿桩人：“以避免用以覆蓋感 致外在水氣或污染:=;:;=發，，導 題 、衣牛中而衫1«產品哥命等問 本發明之另— 目的在於提供一種感測式封裝件及其 19924 6 200822313 二会罢了以避免受限於晶片承載件至少必須預留足夠之* 間來=_結構’使彳㈣錢式封裝件的大小受到限^ 本兔明之再一目的在於提供一種感測式封裝件及i 製法，毋須限制感測晶片之感測區與電極塾間之距離^ 增加设計^，同時使得感測晶片之尺寸得以縮小。 要存=前=他…本發明之感測式封裝件製法主 載件上接置感測晶片，並使該她 匕、干、、、”生連接至該晶片承載件；將透光體間隔一黏 =接著於該感測晶片上，其中該透光體之起始平面; 寸係大於感測式封裳件預定完成之平面尺 載件上形成-膠封層，以包覆該感測晶片及鲜線 =先體之上表面；以及沿感測式封裝件預定完成之平面 =，行” ’其切割路徑係通過該透光體、膠封層及晶 二承載件’俾於㈣後使該透光體與所形成之感測式 件具同一平面尺寸。 本發明中該感測晶片之主動面設有感測區及電極 苗、’，ϋ將透光體間隔一黏著層而接著於該感測晶片上以覆 、’山封„亥感測區’其中該黏著層係可設於該感測區及電 =墊間亦或透過加熱方式使該黏著層呈現炫融狀態而設於 二電極墊上且包覆該銲線連接至該感測晶片電極墊之端 、p以仏》亥黏著層固化後’該透光體得以覆蓋並密封該感 測區。 a本^明A述製法所形成之感測式封裝件係可配合批 人方式製作’亦即提供—具複數晶片承載件單元之模組 19924 7 200822313 板，以於各該晶片承载件 光體、形成膠封+ 進仃置晶、打線、接置透 件。另外，該❹心一 》成歧感測式封裝 應模組片中各晶片承载 於批〜Ή係可對 _成切割成單體之破璃 之測晶片分別接置已完 ‘之感測晶片上二;=整“玻璃全面置於模組片 係可透過點勝方式，^此外’該膠封層 封層，並使作封展^片承載件及透光體間充填踢 膠封層表面，亦或可利用封褒模具以透過模麗方式形成該 上依發::-較佳實施態樣係可於晶片承載件 先利=二:^ 割路徑上㈣該透光成封裝件外觀尺寸之切 形成之倒角斜邊處進行第二 =先體所 測式封裝件，避免切割刀具：至如：：成所需之感 .☆ 八且接切吾彳至如玻璃之透井靜 生制問題，同時亦可增加㈣刀具使用壽命。 包括=:!.，本發明復揭示一種感測式封裝件，係 至$曰Γicl / ’感測晶片’係接置並以婷線電性連接 二日…載件，透光體’係藉一黏著層接置於該感測晶 =二=，層’係形成於該晶片承載件及透光體間’ 亥感測晶片及銲線，且露出該透光體之上表面，且 =透光體之平面尺寸係與所形成之感測式封裝件平面; 、同》亥感測曰曰片之主動面設有感測區及電極塾，以供 19924 8 200822313 透光體間隔一黏著層而垃Iμ # j 穷㈣〜/ ! 該感測晶片Λ，進而覆蓋並 山、"y品八中该黏著層係可設於該感測區及電極墊 間亦或透過加熱方式使該黏著層呈現㈣ 極塾^且包覆該銲線用以連接至該感測晶片之端部，、: 石亥黏者層固化後，★女^触π 透光體侍以覆蓋並密封該感測區。 另外，該透光體之側表面復可形成有倒角斜邊，以辦 加切割形成該感測式封裝件之㈣刀具壽命；以及可於該 透光體上與膠封層接觸之部分形成粗化結構，以增強該透 光體與膠封層之附著力。 、因此，本發明之感測式封裝件及其製法主要係在晶片 承載件上接置m片，並使該感測w透過銲線而電性 連'妾至晶片承载件，然後於該感測晶片上接著一表面設有 黏著層之透光體，再進行封裝及切割作業，其中由於在製 程中該透光體之起始平面尺寸係大於預定完成之平面尺 2，該封裝之膠封層得以完整形成於該晶片承載件及透光 心間亦即该透光體得以最大面積與該膠封層接著，因此 在&该感測式封裝件預定完成之平面尺寸切割後，使透光 體為膠封層所充份黏附，另更可在該透光體上與膠封層接 觸之。卩刀形成粗化結構，以增強該透光體之附著力，避免 外在水氣或污染物入侵至封裝件中而影響產品壽命等問 題。 再者，該黏著層係可設於該感測晶片之感測區及供銲 j打叹之電極墊間，亦或可透過加熱方式使該黏著層呈現 、合融狀t而设於該電極墊上且包覆該銲線連接至該感測晶 9 19924 200822313 片之端部’以供該黏著層固化後，該透光體得以覆蓋並密 封該感測區，以省去在感測晶片之感測區及供銲線打設之 電極墊間預設供接置透光體之空間，使得該感測晶片及感 測式封裝件的尺寸得以縮小，進而供晶圓產出感測晶片之 數里增加’降低感測晶片之成本，同時增加感測晶片之設 • 計彈性。 - 【實施方式】 以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之實施方 式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 瞭解本發明之其他優點與功效。 第一實施例 μ麥閱第2A至2D圖，係為本發明之感測式封裝件及 其製法示意圖，且將以採用批次方式大量製程本發明之感 測式封裝件作為說明。 如第2A圖所示，提供一具複數晶片承載件21之模組 片21A，以將感測晶片2〇接置於該晶片承載件上。 ， 該感測晶片20具有一主動面201及一相對之非主動 面202，且該感測晶片2〇之主動面2〇1上設有感測區⑽ 及電㈣2〇4’該感測晶片2〇係以其非主動φ2〇2對應接 置於該晶片承載件21上，並透過銲線22連結該感測晶片 2曰〇之電極墊綱及晶片承載件21，以供該感測晶片⑼與 片表載件21相互電性輕合。另該感測晶片⑼係可先對 =非主動面202進行薄化，並選擇出良品晶片（州他）， 再接置於晶片承載件21上；該晶片承載件係例如為基板， 19924 10 200822313 當然亦可為導線架。 如第2B圖所*，將透光體25接著於該感測晶片2〇 上，其中該透光體25與該感測晶片20間係間隔—黏 24 ’並使該黏著層24接著於該感測晶片20之感測區^ 及電極墊204間，藉以圍束並密封該感測區2〇3，发 透光體25之起始平面尺寸係大於感測式封裝件預定& = 之平面尺寸（如虛線所示）。 、喊 ，如第2C圖所示，進行封裝製程’於該晶片承载件η 上形成胳封層26，以包覆該感測晶片20、銲線22，曰 露出該透光體25之上表面。 ’ —如第2D ®所示，依預定形成之封裝件外圍尺寸進 =副’其中由於該透光體25之平面尺寸係大於封裝件預定 完f尺寸，因此其切割路徑係通過該透光體25、膠封層％ 及aa片承載件2卜藉以形成所需之感測式封裝件。另於切 割後，該透光體25之平面尺寸即與該感測式封裝件平面尺 …寸相同，亦即該透光體25、膠封層26及晶片承載件以之 .，表面係切齊，而使該透光體25得以與該膠封層％具有 最大之接著面積，以強化該透光體25之接著。 透過4述製私，本發明亦揭露一種感測式封裝件，係 ^ 日日片承載件21，感測晶片2〇，係接置並以銲線22 電性連接至該晶月承载件21 ;透光體25，係藉一黏著層 2曰4接置於該感測晶片2〇上；以及膠封層％，係形成於該 b曰片承載件21及透光體25間，以包覆該感測晶片汕及銲 線22,且露出該透光體25之上表面，其中該透光體^之 19924 11 200822313 平面尺寸係與所形成之感測式封裳件平面尺寸相同，亦即 該晶片承載件2卜透光體25及膠封層％具有相同之平面 尺寸，使该透光體25得以為該膠封層26所充分黏附。 1二實施例 凊簽閱第3A至3D圖，係為本發明之感測式封裝件及 .其製法第二實施例示意圖。本實施例與前述實施例大致相 同，主要差異在於前述實施例中為能供透光體藉黏著層接 置於感測晶片，該感測晶片之感測區必須和電極墊間預設 一疋之距離（一般即需大於3〇〇//m)，相對將使得所需感測 晶片尺寸增加；而本實施例主要透過加熱方式使黏著層呈 現熔融狀態而直接包覆銲線連接至感測晶片之端部，以供 該黏著層固化後，該透光體得以覆蓋並密封該感測區，以 省去在感測晶片之感測區及供銲線打設之電極墊間預設供 接置透光體之空間，使得該感測晶片及感測式封裝件的尺 寸得以縮小，進而供晶圓產出感測晶片之數量增加，降低 感測晶片之成本，同時增加感測晶片之設計彈性。 • 如第3A圖所示，提供一具複數晶片承載件31之模組 片31A，以將感測晶片30接置於該晶片承載件31上。 該感測晶片30具有一主動面301及一相對之非主動 面3 0 2 ’且ΰ玄感測晶片3 0之主動面3 01上設有感測區3 〇 3 及電極墊304，該感測晶片30係以其非主動面302對應接 置於該晶片承載件3 1上，並透過銲線3 2連結該感測晶片 30之電極墊304及晶片承載件31，以供該感測晶片3〇與 晶片承載件31相互電性耦合。 12 19924 200822313 如第3B圖所示，將透光體35接著於該感測晶片3〇 上，其中該透光體35與該感測晶片30間係間隔一黏著層 34,並使該黏著層34包覆該銲線32用以連接至該感測曰^ 片30之端部，且該透光體35之起始平面尺寸係大於感測 式封裝件預定完成之平面尺寸（如虛線所示）。 在將#亥透光體35接著於該感測晶片3〇時，係利用加 熱該透光體35及於該完成置晶及打線之晶片承載件3ι下 方提供熱源加熱，以於該透光體35進行接料，該黏著層 γ σ熔融待黏著層34與銲線接觸並使該黏著層％ 包覆該銲線32之端部後，即移開該熱源，使該黏著層μ 疑固，進而支撐該透光體35。 該黏著層34係可為如B_stage之環氧樹脂（Ep〇xy)， ί透體35被力，時，具半炫融狀且具黏性，以將 Γ〇4:置 黏著層34置於感測晶片30對應電極墊 部。 R 4包覆至接著於該電極墊304上之録線32端 如弟3B，圖所示 機奸辟w + 邳可利用一具有加熱功能之 桟械# 38夾取透光體35 读#鞅κ + 早體並同柃進仃加熱，使設於該 逐尤體35表面之勒签s % 融狀能 、^ 4呈現熔融狀態，以利用呈現熔 融狀悲之黏著層34句霜 分 30冰匕设该銲線32用以連接至該感測晶片 卻固化。 鐵煮38及熱源以供該黏著層34冷 如弟3C圖所示 上形成一膠封層36， 進行封裝製程，於該 以包覆該感測晶片30 晶片承載件3 1 、銲線32，且 19924 13 200822313 露出該透光體35之上表面。 如第3D圖所示，依預 切割，其中由於該透光體35之;成^_裳件外圍尺寸進行 完成尺寸，因此其”路徑係通過寸^於封裝件預定 及晶片承載件31，俾於切 μ —35、膠封層％ 感測式封裝件具同-平面^使錢光體35與所形成之 透過前述製程，本發明亦 + 包括·曰片1c恭杜u 4 一種感測式封裝件，俜 匕括.日日片承載件31 ;感測晶 係 電性連接至該日日日片承載件3l.UG #、接置亚以銲線32 戟1干J1，透光體35，係蕻— 34接置於該感測晶片3〇 、曰々耆曰 且該黏著層30包覆該鋥绐μ 用以連接至該感測晶片3〇之 、于边32 二、 之^部；以及膠封層36，係报 成於該晶片承載件31及透光^ 3 ^ ,Λ _ 迭尤體35間，以包覆該感測晶片 30及鲜線32，且露出該透光體 體35之平面尺寸係|所心μ之上表面’其中該透光 I、所开乂成之感測式封裝件平面尺寸相 同。 第三f施例 另請參閱第4A及4B圖’係為本發明之感測式封裝件 之製法第三實施例之剖面+立θ ^ _ 思圖。本貫施例與前述實施例 大致相同，為簡化圖式而僅係顯示主要差異，亦即在於呈 複數晶片承載件41之模組片41八上接置並電性連接感測 晶片40後’復於該感測晶片4〇上覆蓋一如玻璃之整片式 之透光體45A’其中該整片式之透光體45a外圍尺寸係超 過預定完成之感測式封裝件裁切線，且於該整片式之透光 體45A上設有複數黏著層34，該黏著層位置係對應於接置 19924 14 200822313 於各該晶片承載件41上之感測晶片4〇’並使其包覆位於 »亥感測b曰片40上用以電性連接該感測晶片仙與晶片 件41之鮮線之一端。 如第4B圖所示，接著即可利用點膠方式以於該模組 片41A上對應於該模組片似與整片式透光體侃間填 充膠封層46 ’藉以包覆各該感測晶片及銲線A]。俾於 後續沿預定完成之感測式封裝件尺寸進行切單，以今 整片式透光體45A、膠封層46及模組片似，進而製得= 光體單體之平面尺寸朗形叙感;収封裝件平 同之感測式封裝件。 才相 、復請參閱第4B，圖，該勝封層46除可以前述點勝方式 形成外，或可透過將該模組片41A置入一設有模穴〇〇之 模具47中’並使該整片式透光體45A頂抵於該模穴㈣ 頂部，以供注人封料料，而於該模Μ 4ia上形成 感測晶片40及銲線42之膠封層46;其中為考量製程便 性及信賴性，該膠封層46較佳係以點膠方式形成。 第四實施例 ^ 另請蒼閱第5A至5C圖，係為本發明之感測式封裝件 之製法第四㈣之剖面示意圖。本實施例與前述實施例 大致相同，為間化圖式而僅係顯示主要差異，亦即程 中透光體之起始尺寸大於預定形成之封t件尺寸，因此在 切割形成所需之感測式封裝件時，其切割路徑會通過該透 光體，其中為避免如玻璃之透光體於切割過程；發生:： 損’以及避免切割刀具使用壽命之減少，亦可對應該：光 19924 15 200822313 =之切割路徑上U用倒角切法（bevel e 邊，復^安封裝件預定平面尺寸完成切割。 角斜 如弟5A及5B圖所示，係於一模組片51a之 承^ 51上依序進行置晶、打線、接著透光體55、:片 形成膠封層56後’由於該透光體55之起始平面尺寸係及大 :物式封裝件預定完成尺寸，因此可先利用倒角= =eut)⑽形成相式封裝件外觀尺寸之 切割該透光體55，進而於該透光體55形成m 550處如=圖戶Γ，接著沿透光體55所形成之^邊 二t進仃弟二次切割作業，亦即於預定完成之封裳件外 3=:!?上切割分離各該晶片承載件51，以製得 55側邊形成有倒角斜邊55〇之感測式封袭 避免㈣刀具直接於如玻璃之透光體於切割過程中 =生衣㈣題’同時復可增加切割刀具使用壽命。 益五實施例 另明麥閱第6圖’係為本發明之感測式 ::j之剖面示意圖。本實施例與前述實施例大致： 異在於本貫施例中為增加透光體65與膠封層66 有與:ΓΛ層64之接合性，係可在該 構65Γ ㈣64及供接觸膠封層66部分形成粗糙結 曾猎以避免在透光體65與膠封層64間產生裂隙， 甚而導致外在污染物入侵而毀損感測晶片。 六實施例 復請參閱第7圖，係為本發明之感測式封裝件第六實 19924 16 200822313 施例之剖㈣意圖。本實_之感測式封裝件係與前述實 %例大致相同，主要差異在於透光體75間隔—黏著声μ 而接置於感測晶片70時，僅需部分包覆接著於該感測晶片 上之料72端部即可，俾以進—步增加該感測晶片％ 及透光體7 5尺寸設計彈性。 因此，本發明之感測式封裝件及其製法主要係在晶片 =載件上接置感測晶片，並使該感測晶片透過銲線而電性 連接至晶片承載件，然後於該感測晶片上接著—表面設有 黏考層之透光體，再進行封裝及切割作業，其中由於在製 程中該透光體之起始平面尺寸係大於預定完成之平面尺、 寸’該封裝之膠封層得以完整形成於該晶片纟載件及透光 體間’亦即該透光體得以最A面積與該膠封層接著，因此 、》亥感測式封叙件預定完成之平面尺寸切割後，使透光 -為膠封層所充彳”黏附，另更可在該透光體上與膠封層接 觸之部㈣絲化結構，以增強該透光體之附著力，避免 β卜在水氣或污染物入侵至封裝件中而影響產品壽命等問 題。 再者’該黏著層係可設於該感測晶片之感測區及供銲 f打口又之電極墊間’亦或可透過加熱方式使該黏著層呈現 狀您而&於該電極塾上且包覆該銲線連接至該感測晶 ，化。卩’以供該黏著層固化後，該透光體得以覆蓋並密 ^ η亥感測區’以省去在感測晶片之感測區及供銲線打設之 :極墊間預設供接置透総之空間，使得該感測晶月及感 貝4式封叙件的尺寸得以縮小，進而供晶圓產出感測晶片之 17 19924 200822313 數量增加’降低感測晶片之成本，同時增加感測晶片之抓 計彈性。 & 上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效， 非用於限制本發明，任何熟習此項技藝之人士均可二不^ _背本發明之精神及範田壽下，對上述實施例進行修 變。因此，本發明之權利保護範圍，應如後述之申請專利 _ 範圍所列。 、 【圖式簡單說明】 、第1Α及㈣係美國專利第6,995,462號案所揭露之 感測式封裝件剖面示意圖； 第2 Α至2D圖係本發明之感測式封裝件及其製法 實施例之示意圖； ’…彳 第3A至3D圖係本發明之感測式封裝件及其製法 實施例之示意圖； 一 第3B，圖係本發明中透光體接置於感測晶片之另— 1實施態樣示意圖； ， 第4八及犯圖係本發明之感測式封裝件之製法第三與
施例之示意圖； —K 第4B ’圖係本發明中以封梦握 一立. 对衣杈壓方式包覆感測晶片之 /¾ 圖， 弟5A至5C圖係為本發明之片 四 〜枝感測式封裝件之製法第 貝轭例之剖面示意圖；
^ 6圖係為本發明之_式料件第五實 不意圖；以及 4 W 19924 18 200822313 弟7圖係為本發明之感測式封裝件第五實施例之剖面 示意圖。 【主要元件符號說明】 10 感測晶片 103 感測區 104 電極墊 11 基板 12 銲線 14 黏著層 15 玻璃 16 封裝材料 20 感測晶片 201 主動面 202 非主動面 203 感測區 204 電極墊 21 晶片承載件 21A 模組片 22 銲線 24 黏著層 25 透光體 26 膠封層 30 感測晶片 主動面 19 19924 301 200822313 302 非主動面 303 感測區 304 電極墊 31 晶片承載件 31A 模組片 •32 銲線 ,34 黏著層 35 透光體 36 膠封層 38 機械臂 40 感測晶片 41 晶片承載件 41A 模組片 42 銲線 44 黏著層 45 A 整片式透光體 46 膠封層
V 47 模具 470 模穴 51 晶片承載件 51A 模組片 55 透光體 550 倒角斜邊 56 膠封層 20 19924 200822313 64 65 651 66 70 703 72 74 75 76 黏著層 透光體 粗链結構 膠封層 感測晶片 感測區 銲線 黏著層 透光體 膠封層 21 19924

Claims (1)

  1. 200822313 、申請專利範圍： -種感：式封裝件之製法，係包括： ;片I载件上接置感測晶#，並使該感測晶片 透過銲線f性連接至該W承載件； 將透光體間隔一黏著層以接著於該感測晶片上， 2中該透光體之起始平面尺寸係大於感測式封裝件預 疋完成之平面尺寸； , 力該晶片承載件上形成一膠封層，以包覆該感測 、曰曰曰片及銲線’且露出該透光體之上表面；以及 ^感測式封裝件預定完成之平面尺寸進行切割， 其切釗路径係通過該透光體、膠封層及晶片承載件， 俾於切剎後使該透光體與所形成之感測式封裝件具同 一平面尺寸。 2·如申請專利範圍第1項之感測式封裝件之製法，其中， 該感測式封裝件係以批次方式製作，首先提供一具複 - 數晶片承载件之模組片，以將感測晶片接置於該晶片 • 承载件，再於該感測晶片上接置透光體、形成膠封層 及進行切割作業，以形成複數感測式封裝件。 3·如申請專利範圍第2項之感測式封裝件之製法，其中， "亥透光體係為一整片式玻璃’且於該整片式玻璃設有 複數黏著層，該黏著層位置係對應於接置於各該晶片 承载件上之感測晶片。 4·如申請專利範圍第1項之感測式封裝件之製法，其中， 係利用點膠方式以於該晶片承載件上對應於該晶片承 22 19924 200822313 載件與透光體間填充勝封層，藉以包覆該感 銲線。 5.如申請專利範圍第i項之感測式封裝件之製法，其中 係透過將該晶片承載件置入一設有模穴之模具中，並 使該透光體頂抵於該模穴頂部，以供注入封裝材料， 而於該晶片承載件上形成包覆感測晶片及鲜線之膠封 層。 (6.如申請專利範圍第i項之感測式封裝件之製法，其中 該感測晶片|有一主動面及一相董子之非主動面，且該 感測晶片之主動面上設有感測區及電極塾，該感測晶 片係以其非主動面對應接置於該晶片承載件上，並透 過銲線連結該感測晶片之電極塾及晶片承載件，以供 该感測晶片與晶片承載件相互電性耦合。 7. 如申請專利範圍第6項之感測式封裝件之製法，其中， =透光體與該感測晶片間係間隔—黏著層，並使該黏 著層接著於该感測晶片之感測區及電極墊間，藉以圍 束並密封該感測區。 8. 如申請專利範圍第丨項之感測式封裝件之製法，其中， 該感測晶片係先對其非主動面進行薄化，並選擇出良 品晶片（good die)，再接置於晶片承載件。 9. 如申請專利範圍第1項之感測式封裝件之製法，其中， 由於該透光體之起始平面尺寸係大於該感測式封裝件 預定完成尺彳，因此先利用倒角切法（bevel加）以於 形成感測式封裝件外觀尺寸之切割路徑上切割該透光 19924 23 200822313 -，進而於該透光體形成倒角斜邊，接著沿透光體所 形成之倒角斜邊位置進行第二次切割作業，以製得在 透光體側邊形成有倒角斜邊之感測式封裝件。 1〇.如申請專利範圍第1項之感測式封裝件之製法，其中， 該透光體表面上對應設有黏著層及供接觸滕封層部分 形成有粗糖結構。 並使该感測晶片 其中該透光體與 11 · 一種感測式封裝件之製法，係包括 於晶片承載件上接置感測晶片 透過銲線電性連接至該晶片承載件 將透光體接著於該感測晶片上 斗4、，Q 八丨咏返尤體興 该感測晶片間係間隔一黏著層，並使該黏著層包覆今 銲線用以連接至該感測晶片之端部，該透光體之起始 千面尺5係大於感測式封裝件預定完成之平面尺寸； 於該晶片承載件上形成一膠封層， 曰Η这力曰A g曰U包覆该感測 曰曰片及1干線，且路出該透光體之上表面；以及 沿感測式封裝件預定完成之平面尺寸進行切判， 其切割路徑係通過該透光體、膠封層及晶片; 俾於切割後使該透光體與所形成之感測式封 一平面尺寸。 1 Μ it如申請專利範圍第η項之感測式封裂件之製法，直 :，在將該透光體接著於該感測晶片時，係衣加埶該透 光體及於該完成置晶及打線之晶片承载件下方提" 源加熱，以於該透光體進行接著時，該黏著層開始^ ㈤’待黏者層與鋅線接觸並使該黏著層包覆該鮮線之 19924 24 200822313 端部後，即移開該熱源，使該黏著層凝固。 13. 如申請專利範圍第u項之感測式封裝件之製法，其 二=!層為B:s tage之環氧樹脂(Ep〇Xy)，使其於 二 ?加熱時，具半熔融狀且具黏性，以將該透 光體間隔該黏著声晉於#彳 Μ層置於，同時包覆至接著於 该感測晶片之銲線端部。 14. 如申請專利範圍第u項之感測式封裝件之製法，其 { ^ 用具有加熱功能之機械臂夾取透光體並同 :夺ί行加熱’使設於該透光體表面之黏著層呈現熔融 H，利用呈現溶融狀態之黏著層包覆該焊線用以 連接至j感測晶片之端部，之後移除機械臂及熱#以 供該黏著層冷卻固化。 15·如申請專利範圍第n項之感測式封裝件之製法，其 中二該感測式封裝件係以批次方式製作，首先提供一 曰片7|C載件之模組片’以將感測晶片接置於該 ,曰曰片承載件，再於該感測晶片上接置透光體、形成膠 封層及進行切割作業，以形成複數感測式封裝件。 16·如申請專利範圍第15項之感測式封裝件之製法，其 中"亥透光體係為一整片式玻璃，且於該整片式玻璃 叹有複數黏著層，該黏著層位置係對應於接置於各該 晶片承載件上之感測晶片。 I7·如申請專利範圍第11項之感測式封裝件之製法，其 中係利用點膠方式以於該晶片承載件上對應於該晶 片承載件與透光體間填充膠封層，藉以包覆該感測晶 19924 25 200822313 片及銲線。 18. 如申請專利範圍第11項之感測式封裝件之製法，其 中’係透過將該晶片承載件置入一設有模穴&之模具、 中，並使該透光體頂抵於該模穴頂部，以供注2封裝 材料，而於該晶片承載件上形成包覆感測晶 = 之膠封層。 $ 19. 如申請專利範圍第u項之感測式封裝件之製法，其 中，該感測晶片具有一主動面及一相對之非主動面、， 且該感測晶片之主動面上設有感測區及電極塾，該 測晶片係以其非主動面對應接置於該晶片承載件上: 並透過銲線連結該感測晶片之電極塾及晶片承載件，’ 以供該感測晶片與晶片承載件相互電性耦合。 20·如申請專利範圍第u項之感測式封裝件之製法，其 中，該感測晶片係先對其非主動面進行薄化，並選擇 出良品晶片（good die)，再接置於晶片承載件。 如申請專利範圍第U項之感測式封農件之製法，1 ^由於該透光體之起始平面尺寸敍於該感測式封 衣件預定完成尺寸，因此先利用倒角切法（bevei c⑷ 以於形成感測式封裝件外觀尺寸之切割路徑上切判該 二:體’進而於該透光體形成倒角斜邊，接著沿透光 2所形成之倒角斜邊位置進行第二次切割作業，以製 传在透光體側邊形成有倒角斜邊之感測式封裝件。 2.:申請專利範圍㈣項之感測式封裝件之製法，盆 ，该透光體表面上對應設有黏著層及供接觸膠封層 19924 26 200822313 部分形成有粗糙結構。 23·如申請專利範圍第11項之感測式封裝件之製法，其 中，該黏著層係全面或部分包覆接著於該感測晶片上 之銲線端部。 24· 種感測式封裝件，係包括· 晶片承載件； 感測晶片，係接置並以銲線電性連接至該晶片 載件； W日日7 透光體，係藉一黏著層接置於該感測晶片上；以 及 膠封層，係形成於該晶片承载件及透光體間，以 包覆該感測晶片及銲線，且外露出該透光體之上表 面，其中該透光體之平面尺寸係與所形成之感測^封 裝件平面尺寸相同。 25.如申請專利範圍帛24j員之感測式封裝件，#中，該黏 著層係全面或部分包覆該銲線用以連接至該感測晶^ 之端部。 队如申請專利範圍第24項之感測式封裝件，其中，該膠 封層係利㈣膠方式填充於該晶片承載件上對岸於 晶片承載件與透光體間’藉以包覆該感測晶片及銲線。 27.如申請專利範㈣24J員之感測式封裝#，其中，亨腰 封層係透過將該晶片承載件置人—設有模穴之模且〇 中，並使該透光體頂抵於該模穴頂部，以供注入封穿 材料，而於該晶片承载件上形成包覆感測晶片及銲缘 19924 27 200822313 之膠封層。 28.如申請專利範圍第24項之感測式封裝件，其中，竣愿 測晶片具有-主動面及-相對之非主動面，且該感^ 晶片之主動面上設有感測區及電極塾，該感測晶片係 以其非主動面對應接置於該晶片承载件上，並透過鲜 線連結該感測晶片之電極塾及晶片承載件，以供 測晶片與晶片承載件相互電性耦合。 认:申請專利範圍第28項之感測式口封裝件， 光體與該感測晶片間係間隔 :亥透 ^ ^ . A ^ ^ ^ 亚使该黏著層 接者於该感測晶片之感測區及電極 密封該感測區。 猎以圍束並 I:,專：範圍第24項之感測式封農件，其中，，透 先肢之側邊形成有倒角斜邊。 τ该透 礼2請專利範圍第24項之感測式封裝件， 先體表面上對應設有黏著層 〃中’該透 有粗糙結構。 楼觸私封層部分形成 19924 28
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