TW200819244A - Polishing pad with window for planarization - Google Patents

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200819244 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係針對-種具有-視窗之拋光墊，該拋光塾經建 構以尤其適用於微電子n件（諸如，半導體晶圓）之化學機 • 械拋光或平面化。該拋光墊之該視窗為至少部分地透明 .的，且因此，可特別適用於裝備有貫穿壓板晶圓計量 (thrcmgh-the-platen wafer metr〇1〇gy)之拋光或平面化工 具。 • 【先前技術】 一般而言，微電子器件之非平面表面至基本上平面表面 的拋光或平面化涉及以一拋光墊之工作表面使用一受控且 重複之運動來摩擦該非平面表面。可將一拋光研磨漿插入 於待拋光之物品之粗糙表面與拋光墊之工作表面之間。 諸如半導體晶圓之微電子器件之製造通常涉及在包含 (例如）矽或砷化鎵之晶圓上形成複數個積體電路。該等積 馨 體電路了藉由一糸列製程步驟而加以形成，在該等步驟 中，在基板上形成諸如導電、絕緣及半導電材料之材料的 圖案化層。為了最大化每晶圓上積體電路之密度，需要在 整個半導體晶圓生產製程之各種階段具有基本上平面之拋 - 光基板。因此，半導體晶圓生產可包括至少一拋光步驟且 更通常包括複數個拋光步驟，該等步驟可使用一或多個拋 光墊。 一化學機械拋光（CMP)製程可包括：將微電子基板置放 成與一拋光墊接觸；在將力施加至微電子器件之背側的同 122176.doc 200819244 時旋轉該墊；及在拋光期間將一通常被稱作”研磨漿”之含 研磨劑化學反應性溶液施加至該墊。CMP拋光研磨漿可含 有諸如二氧化矽、氧化铭、二氧化鈽或其混合物之研磨材 料。在將研磨漿提供至器件/墊界面時的墊相對於基板之 旋轉移動可有助於拋光製程。一般而言，可以此方式來繼 續拋光，直至移除所要膜厚度。 善 視撤光墊及研磨劑以及其他添加劑之選擇而定，CMP製 程可以所要拋光速率來提供有效拋光，同時減小或最小化 表面不完整性、缺陷、腐儀及侵钱。 拋光或平面化特性可自墊至墊而變化且在給定墊之整個 操作壽命中變化。墊之拋光特性之變化可能導致並不有用 的未經適當拋光或平面化之基板。因此，在此項技術中需 要開發出一種展現拋光或平面化特性之減小之塾至塾變化 的拋光墊。進一步需要開發出一種在墊之整個操作壽命中 展現拋光或平面化特性之減小之變化的拋光墊。 Φ 具有在將晶圓固持於工具中且與墊接觸的同時量測平面 化製程之進程之能力的平面化工具在此項技術中已為吾人 所知。在平面化製程期間量測平面化一微電子器件之進程 在此項技術中可被稱作”原位計量"。美國專利第5,964,643 號及第6，159,073號以及歐洲專利描述了拋光或平 面化工具及原位計量系統。一般而言，原位計量可包括將 一光束導向穿過一位於工具之壓板中的至少部分地透明之 、見固，該光束可被反射離開晶圓之表面，返回穿過壓板視 固且進入一偵測器。拋光墊可包括對用於計量系統中之波 122176.doc 200819244 長至少部分地透明且基本上與壓板視窗對準之視窗。 具有與抛光(表面共平面之視窗之已知塾^一缺點可包括 視窗部分與塾表面相比以較慢之速率而磨損。具有共平面 視固之已知^的另—缺點可包括視窗由於其在抛光或平面 化製程期間與研磨製中之研磨顆粒接觸而擦傷。擦傷之視 窗通常會降低視窗之透明度且可能引起計量信號之衰減。 因此’需要開發出-種包含一適用於原位計量之視窗區 域的拋光塾。進-步需要使視窗在墊之整個操作壽命中提 供合適之透明度。 【發明内容】 本發明包括-種具有-視窗之拋光#。在非限制性實施 例中，該拋光墊可包含第-層及第二層。第—層可充當塾 之工作表面或拋光層。第二層之至少一部分可包含對拋光 工具之計量儀器所使用之波長至少部分 外，第-層可吸收基於第一層之總重量的至少2重；百:: 比或大於4重量百分比之拋光研磨聚。 本發明之拋光墊可包含第一層及第二層。第一層可充當 墊之拋光或工作表面’使得第—層可至少部分地與待抛光 之基板及拋光研磨漿相互作用。在非限制性實施例中，第 一層可為多孔的且對拋光研純為可渗透的。在非限制性 實施例中，第二層可為實質上無孔的且實f上對拋光研磨 漿為不可滲透的。 如本文中及申請專利範圍所使用，術語"實質上無孔的" 意謂對液體、氣體及細菌之通過通常為不能透過的。在巨 122I76.doc 200819244 硯尺度上，實質上無孔的材料展現少數（若有的話）孔隙。 如本文中及t請專利範圍所使用，術語"多孔的”意謂具有 孔隙，且術語”孔隙，，係指物質所穿過之微小開口。 應注意，如本說明書中所使用，單數形式，，一，，及，，該"包 括複數個指示物，除非明顯且明確地限於—個指示物。 出於本說明書之目的’除非另有指示’否則用於本說明 書及申請專利II圍中之表達成份、反應條件等等之量的所 有數目應被理解為在所有情況下由術語，，約"修飾。因此，

除非相反地指否則下列說明書及附加申請專利範圍中 所陳述之數值參數為可視設法由本發明所獲得之所要性質 而變化之近似值。最低限度地，且並非試圖將均等物之準 則之應用限於巾請專利範圍之㈣，至少應按照所報告之 有效數位之數目且藉由應用一般捨入技術來解釋每一數值 參數。 儘管陳述本發明廣泛範疇的數值範圍及參數為近似值， 但盡可能精確地報告特定實例中所陳述之數值。然而，任 何數值固有地含有必要地由在其各別測試量測中所發現之 標準差產生的特定誤差。 應注意，如本說明書中所使用，單數形式"一"及”該"包 括複數個指示物，除非明顯且明確地限於一個指示物。數 值範圍意欲包括彼範圍内之所有子集，無論是否被明顯地 進一步界定。 本發明將在連同圖式而採取之較佳實施例之描述中加以 詳細地描述，在該等圖式中，相同的參考數字自始至終表 122176.doc 200819244 示相同的元件。圖式說明本發明，但並不意欲限制本發 明。 【實施方式】 本發明係針對一種用於拋光一微電子基板之拋光墊〗〇。 適用於本發明中之各種墊構造“在此項技術中已為吾人所 知，在圖1至圖5中展示且在以下描述了其代表性實例。詳 言之’本發明之拋光墊10可包括一視窗32。本發明之拋光 塾10可適用於拋光物品且可尤其適用於一微電子器件（諸 如，半導體晶圓）之化學機械拋光或平面化。拋光塾1〇之 視窗32為至少部分地透明的，且因此，可特別適用於裝備 有貫穿壓板晶圓計量（示意性地表示於34處）之拋光或平面 化工具（壓板24)。 拋光墊10可包括一拋光或第一層12及一子層14。拋光層 12可經由一第二層26而經由子層14之一覆蓋表面20至少部 分地連接至子層14,其中子層14具有一外部周邊或暴露邊 緣16。子層14可具有一外部周邊邊緣16。在第一層12小於 第二層26及第三層14的一實施例中，外部周邊邊緣包括一 徑向表面16A及一環形表面16B。 第一層12可包括此項技術中已知之多種材料。包含第_ 層12之合適材料的非限制性實例可包括（但不限於）：如美 國專利第6,477,926B1號中所述之微粒聚合物及交聯聚合物 黏合劑；如被公開為公開案號2003-02175 17的美國專利申 請案第10/3 17,982號中所述之微粒聚合物及有機聚合物霉占 合劑；如美國專利第6,062,968號、第6，117,0〇〇號及第 122176.doc -10- 200819244 6，126,532號中所述之熱塑性樹脂之燒結顆粒；及如美國專 利第 6,231，434B1號、第 6,325,703B2號、第 6，106,754號及 第6,017,265號中所述之熱塑性聚合物之加壓燒結粉末壓 塊。如美國專利第5,900，164號及第5,578,362號中所述，包 含第一層之合適材料的其他非限制性實例可包括被浸潰有 複數個聚合微量元素之聚合基質，其中每一聚合微量元素 可在其中具有一空隙空間。 第一層12之厚度可變化。在替代非限制性實施例中，第 一層可具有至少0.020吋或至少〇·〇4〇吋或0.150吋或更少或 0.080时或更少之厚度。 在另一非限制性實施例中，第一層12可包括孔隙，使得 拋光研磨漿可至少部分地由第一層12吸收。孔隙之數目可 變化。在替代非限制性實施例中，第一層12可具有一被表 達為孔隙體積百分比之孔隙率，其為基於第一層之總體積 的至少2體積百分比，或基於第一層之總體積的5〇體積百 分比或更少，或基於第一層之總體積的2體積百分比至％ 體積百分比，或基於第一層之總體積的5體積百分比至Μ 體積百分比，或基於第一層之總體積的1〇體積百分比至 體積百分比，或基於第一層之總體積的15體積百分比至Μ 體積百分比。 、可使用此項技術中已知之多種技術來判定拋光墊層之孔 隙體積百刀比。在_非限制性實施例中，可使用下列表達 式來計算孔隙體積百分比： 1〇〇χ(墊之密度）χ(墊之孔隙體積）。 122176.doc -11- 200819244 密度可以公克/立方公分為單位來表達，且可藉由此項 技術中已知之多種習知方法而加以判定。在—非_㈣ 施例中，可根據ASTM D 1622-88來判定密度。孔隙體積 可以立方公分/公克為單位來表達，且可使用此項技術中 - 已知之習知方法及設備而加以判定。在一非限制性實施例 . 中，可根據ASTM D 4284-88中之汞壓孔率測定法而使用 一可被使用的來自MiCr〇meritiCSiAutop〇re m汞壓孔率測 疋汁來量測孔隙體積。在另一非限制性實施例中，可在下 1 列條件下進行孔隙體積量測：140。之接觸角；48〇達因/cm 之汞表面張力；及拋光墊層樣本在5〇微米汞之真空下的脫 氣。 在一非限制性實施例中，第一層12可具有一至少部分地 開放之結構，使得其可吸收研磨漿。在替代非限制性實施 例中，第一層可吸收基於第一層之總重量的至少2重量百 分比之拋光研磨漿，或不多於5 〇重量百分比，或2重量百 | 分比至50重量百分比，或大於4重量百分比至5〇重量百分 比，或5重量百分比至45重量百分比，或6重量百分比至40 重量百分比，或10重量百分比至25重量百分比。 在本發明之另一非限制性實施例中，拋光墊1 〇之第一層 ， 12可具有大於第二層26之壓縮性。如本文中所使用，術語 ·’壓縮性’’係指體積壓縮性百分比量測。在另一非限制性實 施例中，當施加20 psi之負載時，第一層12之體積壓縮性 百分比可為至少0.3百分比；或3百分比或更少；或0.3百分 比至3百分比。 122176.doc • 12 - 200819244 可使用此項技術中已知之各種方法來判定塾1 〇之声 (12、14或26)的體積壓縮性百分比。在一非限制性實施例 中’可使用下列表達式來判定墊ίο之層（12、14或26)的體 積壓縮性百分比。 l〇〇x(無負載之墊體積-負載下之墊體積）/(無負載之墊體積）

在一非限制性實施例中，墊10之層（12、14或26)之面積 在將負載置放於其上時並不改變；因此，可依據墊層厚度 而藉由下列表達式來表達體積壓縮性之先前方程式。 l〇〇x(無負載之墊層厚度-負載下之墊層厚度)/(無負載之墊層厚度） 可使用多種已知方法來判定墊層厚度。在一非限制性實 鈿例中，可藉由將一負載（諸如（但不限於）已校準砝碼）置 放於塾層12、14或26之樣本上且量測由於該負載而導致的 墊層12、14或26之厚度改變來判定墊層厚度。在另一非限 制性貝把例中，可使用一 Mhut〇y〇電子指示器（模型ID_ C112EB)。該指示3具有—可在—末端處裝配有一扁平接 點之軸或螺桿，墊層12、14或26置放於該扁平接點下方。 该軸可在另—末端處裝配有—用於將指定負載施加至接觸 ，域之器件’諸如（但不限於）接受已校準破碼之天平盤。 指示器顯示由施加負载產生的墊層12、 指示器顯示通常代表对或毫米。電子指示器可安二： 架(堵如，MitUt〇yo精確花岗岩支架)上，以在採取量測的 同時提供穩定性。塾層12、14或26之侧向尺寸可足以許可 離任何邊緣為至少0.5，，之量測。塾層12、14或26之表面在 122176.doc 200819244 足以許可測试墊層12、14或26與扁平接點之間的均句接 觸之區域上可為扁平且平行的。可將待測試之㈣12、14 或26置放於扁平接點下方。可在施加負載之前量測墊層 12 14或26之厚度。可將已校準天平砝碼添加至天平盤以

用於-特定合成負冑。可接著在指定負載下壓縮墊層& 14或26。指示器可顯示墊層12、Η或26在減負載下之厚 度/高度。在施加負載之前的塾層12、_26之厚度減去 塾層12、14或26在指定負載下之厚度可用以判定墊層12、 或26之位私。在一非限制性實施例中，可將㈣之負 載施加至墊層12、14或26。可在-標準化溫度(諸如，室 溫）下進行量測。在-非限制性實施例中，可在饥+m 之溫度下採取量測。 在替代非限制性實施例中，量測墊層厚度之上述方法可 適用於—堆疊墊1G之總成或包含堆疊墊10之總成之層12、 14 或 2 6 〇 在-非限制性實施例中，—用於量測體積壓縮性百分比 ,程序可包括將接點置放於花岗岩基底上及調整指示器以 貝取零可接著升尚接點，且將試樣（諸如，墊層〗2、14 或26)置放於接點下方之花岗岩支架上，其中接點之邊緣 離試樣之任何邊緣為至少〇·5，，。可將接點降低至試樣上， 且可在5+/-1秒之後採取試樣厚度量測。在不移動試樣或接 點之情況下，可將充足砝碼添加至盤以使2〇卩以之力藉由 接點而施加至試樣。可在丨5+/-丨秒之後進行對在負載量測 下試樣厚度之讀取。可重複量測程序，從而使用2〇卩以之 122176.doc -14- 200819244 壓縮力在試樣上之相隔至少0·25”之不同位置處進行五次量 測。 在一非限制性實施例中，可判定第一層12之軟度。如本 文中及申請專利範圍所使用，術語，，軟度”係指材料之肖氏 . Α硬度。一般而言，材料愈軟，肖氏Α硬度值愈低。在替 . 代非限制性實施例中，第一層12可具有至少85或99或更少 或85至99之肖氏Α硬度。可使用此項技術中已知之各種方 法及設備來判定肖氏A硬度值。在一非限制性實施例中， 可根據ASTM D 2240中所敍述之程序而使用一具有一最大 值指示器之肖氏"A型，，硬度計（可自PCT Instruments，Los Angeles, Calif·獲付）來判定肖氏a硬度。在一非限制性實 施例中，用於肖氏A硬度之測試方法可包括在指定條件下 穿透實質上被迫使進入測試材料的特定類型之壓針 (indentor)。在此實施例中，肖氏A硬度可與穿透深度成相 反關係且可依賴於測試材料之彈性模數及黏彈性行為。 • 在一非限制性實施例中，第一層12在工作或拋光表面18 上可包含凹槽19或圖案。凹槽19及/或圖案之類型可變化 ^ 且可包括此項技術中已知的各種類型之凹槽19及/或圖 案。用於製造凹槽I9及圖案之製程亦可變化且可包括此項 ^ 技術中已知之各種習知方法。 本發明之拋光墊10進一步包含一第二層26❶在一非限制 性實施例令，第二層26可連接至第一層12之至少一部分。 在另一非限制性實施例中，第一層12可連接至第二層26之 至少一部分，且第二層26可連接至一可選第三或子層“之 122176.doc -15- 200819244 至少一部分。 第二層26可包括此項技術中已知之多種材料。第二層26 可選自實質上非體積可壓縮聚合物及金屬膜以及箔。如本 文中及申請專利範圍所使用，"實質上非體積可壓縮，，意 謂：在施加20 psi之負載時，體積可減小小於1%。在一非 限制性實施例中，可採用本文中先前所述的用於施加負載 及量測體積減小之方法。 實質上非體積可壓縮聚合物之非限制性實例可包括··聚 烯烴，諸如（但不限於）低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超 南分子量聚乙烯及聚丙烯；聚氯乙烯；纖維素基聚合物， 諸如（但不限於）乙酸纖維素及丁酸纖維素；丙烯酸系；聚 酯及共聚酯’諸如（但不限於）PET及petG ;聚碳酸酯；聚 醯胺，諸如（但不限於）耐綸6/6及耐綸6/12 ;及高效能塑 膠，諸如（但不限於）聚醚轉酮、聚苯醚、聚砜、聚醯亞胺 及聚醚醯亞胺及其混合物。 金屬膜之非限制性實例可包括（但不限於）鋁、銅、黃 銅、鎳、不銹鋼及其組合。 弟層2 6之尽度可變化。在替代非限制性實施例中，第 一層26可具有至少〇 〇〇〇5吋或至少〇 〇〇ι〇吋或〇 mm吋或 更少或0.0030对或更少之厚度。 在非限制性實施例中，第二層26可為可換性的，以增 強或i曰加拋光墊10與被拋光之基板之表面之間的接觸均勻 I4生在為第一層26選擇材料時之考慮可為材料向拋光墊1〇 作表面18提供柔性支撐以使得第一層12實質上符合被 122176.doc * 16 - 200819244 撤光之器件之巨觀輪料長期表面的能力。—具有該能力 之材料可被需要用作本發明中之第二層26。 第二層26之可撓性可變化。可使用此項技術中已知之多 種習知技術來判定可撓性。如本文中及中請專利範圍所使 用，術語"可撓性，，(F)係指第二層厚度之立方屮）及第二層 材料之撓曲模數（E)的逆關係，亦即，F=1/(t3xE)。在替代

非限制性實施例巾，第二層之可撓性可為至少化“； 或至少 100 in-1 lb·1 ;或 i in-i 比-丨至 1〇〇 in」lb]。 在-非限制性實施例中，第二層26可具有允許拋光塾ι〇 實質上符合待拋光之物品之表面的壓縮性。一微電子基板 (諸如，半導體晶圓）之表面由於製造製程而可能具有一"波" 輪廓。預期，若拋光塾1G不能充分地符合基板表面之"波” 輪廓，則減效能之均勻性可能降級。I例而t，若墊1〇 實質上符合”波"之末端’但不能實質上符合且接觸”波"之 中間部分，則僅可拋光或平面化”波，，之末端，且中間部分 可能保持實質上未抛光或未平面化。 第二層26之壓縮性可變化。如先前所述，術語"壓縮性” 係指體積壓縮性百分比量測。在替代非限制性實施例中， 第二層26之體積壓縮性百分比可為至少一百分比；戋二百 分比或更少；或一百分比至三百分比。 判定體積壓縮性百分比 可使用此項技術中已知之多種習知方法來判定體積廢縮 性百分比。在-非限制性實施例中，如本文中先前所述來 在另一非限制性實施例中 第二層26可將第一層12所經 122176.doc -17- 200819244 受之壓縮力分配於一可選第三層14之較大區域上。在一非 限制性實施例中，第二層26為實質上非體積可壓縮的。 在另一非限制性實施例中，第二層26可充當對第一層12 與至少部分地連接至第二層26之可選第三層14之間的流體 傳送之實質障壁。因此，在選擇包含第二層26之材料時的 考慮可為材料實質上減小、最小化或基本上防止拋光研磨 漿自第一層12至可選第三層14之傳送的能力。在一非限制 性實施例中，第二層26可實質上對拋光研磨漿為不可滲透 的’使得可選第三層14並不浸透有拋光研磨漿。 在一替代非限制性實施例，第二層26可為穿孔的（未圖 不）’使得拋光研磨漿可穿透第一層12及第二層26以濕潤 可選第二層14。在另一非限制性實施例中，可選第三層J 4 可灵夤上浸透有拋光研磨漿。第二層26中之穿孔可藉由熟 έ此項技術者已知之多種技術（諸如（但不限於）衝壓、刀模 切割、雷射切割或喷水切割）而加以形成。穿孔之孔大 瞻小、數目及組態可變化。在一非限制性實施例中，穿孔直 徑可為至少（1/16)吋，其中在一交錯孔圖案中，每平方吋 具有至少26個孔。 在一非限制性實施例中，第一層12可連接至第二層26之 ’ 至少一部分以產生一堆疊墊10之總成。如本文中及申請專 利範圍所使用，術語”連接至”意謂直接地或藉由一或多種 插入材料而間接地鏈接在一起或成關係地置放。在一非限 制性實施例中，第一層12及第二層26經至少部分地連接， 使得第-層28之開口可與第二層26之至少部分地透明之視 122176.doc -18· 200819244 窗32至少部分地對準。

在一非限制性實施例中，拋光墊1〇之第一層12可使用一 钻著^而連接至第二層％之至少一部分。一用於本發明中 之合適黏著劑可提供充足抗m生，使得墊層（η、14及 26)在使用期間基本上保持在適當位置。另外，黏著劑可 經選擇以充分地耐受在拋光或平面化製程期間存在之剪切 心力且此外，可充分地抵抗在使用期間之化學及濕氣降 級。可使用熟習此項技術者已知之習知技術來施加黏著 劑。在一非限制性實施例中，可將黏著劑施加至第一層U 下表面及/或第一層26之上表面，該等表面面向彼此地 平行。 黏著劑可選自此項技術中已知的廣泛種類之黏著材料， 諸如（但不限於）接觸黏著劑、壓感性黏著劑、結構黏著 劑、熱炫黏著劑、熱塑性黏著劑，及諸如熱固性黏著劑之 固化黏著劑。結構黏著劑之非限制性實例可選自聚胺基曱 酸酯黏著劑及環氧樹脂黏著劑；諸如基於雙酚A之二縮水 甘油醚之黏著劑。壓感性黏著劑之非限制性實例可包括彈 性體聚合物及增黏性樹脂。 彈性體聚合物可選自天然、橡膠、丁基橡膠、氯化橡膠、 聚異丁烯、聚（乙稀基烧基醚）、醇酸黏著劑、諸如基於丙 烯酸2-乙基己酯與丙烯酸之共聚物之丙烯酸系的丙烯酸 系、諸如苯乙稀-丁二稀_苯乙烯之嵌段共聚物，及其混合 物。在一非限制性實施例中，可使用諸如甲苯或己烷之有 機溶劑或自水基乳液或自熔融劑而將壓感性黏著劑施加至 122176.doc -19· 200819244 基板。如本文中所使用，"熱熔黏著劑"係指包含可被加熱 至熔融劑、接著作為液體而施加至基板之非揮發性熱塑性 材料的黏著劑。熱熔黏著劑之非限制實例可選自乙烯_乙 酸乙烯酯共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物 '乙烯_丙烯酸乙 酯共聚物、聚酯、諸如由二胺與二聚酸之反應而形成之聚 醯胺的聚醯胺，及聚胺基甲酸g旨。 在本發明之一非限制性實施例中，第一層12可包含一開 口 28。在另一非限制性實施例中，第二層26之至少一部分 可包含對平面化設備34之計量儀器所使用之波長至少部分 地透明之視窗32。第一層12中之開口 28及/或第二層26中 之視窗32的大小、形狀及定位可依賴於計量儀器34及被用 以拋光及/或平面化墊之拋光裝置（諸如，壓板24)。開口28 可藉由此項技術中已知之多種習知方法而加以產生。在替 代非限制性實施例中，開口 28可藉由衝壓、刀模切割、雷 射切割或喷水切割而加以製造。在另一非限制性實施例 中，開口 28可藉由模製第一層12而加以形成。在一替代非 限制性實施例中，可使用自MS Instruments company，

Stony Brook，Ν·Υ·可購得的裝配有合適之大小及形狀之刀 模的NAEF模型Β刀模壓機（die press)來將開口 28刀模切入 第一層12。 在一非限制性實施例中，可在堆疊在一起及/或將第一 層12與第二層26至少部分地連接之前產生第一層12中之開 口 28 〇 第二層26之至少一部分可包含一至少部分地透明之視窗 122176.doc 200819244 32。在一非限制性眚 只&例中，第二層26可包含一至少部分 地透明之材料。在另_ —非限制性實施例中，第二層26可包 含一實質上非透明；bh · 遗月材枓，可將一開口切入第二層26以移除 弟一層26之一部分； J將一至少部分地透明之材料插入第 二層26中之開口，於 攸而形成部分地透明之視窗32。可使用 本文中先兩所述之多籍古、土十& 夕檀方法來製造第二層26中之開口。在

一非限制性實例中，第二層26可包卜金屬箱；可將-開 刀入”亥孟屬vg以移除該金屬箔之一部分；可將一聚酯片 段切入只貝上對應於開口之大小及形狀；可將聚酯裝配入 至屬箔中之開口以形成-至少部分地透明之視窗32。 在一非限制性實施例中，第二層26可包含-黏著總成。 該黏著總成可包括將第二層26插入於上黏著層肖下黏著層 之間。在一非限制性實施例中，黏著總成之上黏著層可至 /。卩刀地連接至第一層12之下表面。黏著總成之下黏著層 可至少部分地連接至可選第三層14之上表面。黏著總成之 第一層可選自用於拋光墊10之第二層26的前述合適材料。 黏著總成之上黏著層及下黏著層可選自本文中先前所提及 之黏著劑的非限制性實例。在一非限制性實施例中，上黏 著層及下黏著層可各為接觸黏著劑。黏著總成在此項技術 中可被稱作兩面或雙重塗佈之膠帶。可購得之黏著總成之 非限制性實例包括來自3M，Industrial Tape and Speciahies

Division之黏著總成。 在另一非限制性實施例中，可自黏著總成之第二層移除 黏著層之至少一部分，從而暴露黏著總成之至少部分地透 122176.doc -21- 200819244 明之中間層之至少"*部分，藉此在第二層26中形成-至少 :分地透明之視窗32。在替代非限制性實施例中，可在堆 疊層（12、26及（視情況）14)之前或在堆疊層（12、26及（視 丨月況)14)之後執行黏著劑之移除。移除製程可包括熟習此 項技術者已知之多種方法，包括（但不限於）將黏著劑溶解 於溶劑或清潔劑水溶液中，或自第二層物理地剝離黏著 劑。在-非限制性實施例中，物理地剝離黏著劑可包括使 黏著劑與黏著劑實質上所黏附之材料接觸，及接著自第二 層26拉動該材料，藉以將黏著劑與材料一起移除。 在另一非限制性實施例中，第二層26之視窗32可在墊1〇 之拋光表面18下方凹入一等於墊1〇之第一層12之厚度的距 離。 在另一非限制性實施例中，墊丨〇之總成可包括一在第二 層26之視自32之頂侧及/或底側之至少一部分上的塗層。 可在適當位置以一黏著劑或在移除該黏著劑之後至少部分 地施加該塗層。可在堆疊層（12、26及（視情況）14)之前或 在已堆$層（12、26及（視情況）14)之後至少部分地施加塗 層。塗層可提供（例如）下列性質中之任一者：視窗32之區 或之改良之透明度、改良之耐磨性、改良之耐穿刺性。在 一非限制性實施例中，塗層可包括樹脂膜或現場澆鑄樹脂 塗層。 用於本發明中之合適樹脂膜之非限制性實例可包括以上 對於第二層26所述之材料。在替代非限制性實施例中，被 選擇用於塗層之樹脂膜可為與包含第二墊層26之材料相同 122176.doc -22- 200819244 的材料或不同的材料。樹脂膜可藉由熟習此項技術者已知 之任何手段（諸如，以上對於㈣之堆疊黏著劑所列出之 =者方法二材料）而至少部分地黏附至第二層％之視窗區 5。在—非限制性實施例中，塗層可為可與用於第二層 26之材料相同的樹脂膜層。可在㈣之堆疊之裝配之後： 少部分地施加塗層。可將塗層至少部分地施加至第二層26 之視窗區域32之頂表面盘念主上 ♦ 貝表面與底表面，且可使用一用作堆疊黏

著劑之接觸黏著劑來至少部分地黏附黏著劑。 在一非限制性實施例中，塗層可為現場⑽樹脂塗層， 其可被施加作為液體、作為溶劑溶液、分散液或水性乳 膠；作為㈣劑，或作為可起反應以形成塗層之樹脂前驅 物之摻合物。可藉由多種已知方法(包括噴塗、填充及澆 注）來實現液體之施加。用於塗層之合適材料的非限制性 實例包括.熱塑性丙烯酸樹脂；&固性丙烯酸樹脂，諸 如，與尿素-甲醛或三聚氰胺_甲醛樹脂交聯之羥基官能丙 烯酸乳膠、與環氧樹脂交聯之經基官能丙稀酸樹脂，或與 碳化二醯亞胺或聚亞胺或環氧樹脂交聯之缓基官能丙稀酸 礼膠，胺基甲酸自旨系統，諸如，肖聚異氰酸醋、濕氣固化 異虱酸酯封端樹脂交聯之羥基官能丙烯酸樹脂；與三聚氰 胺-甲醛樹脂交聯之胺基曱酸酯官能丙烯酸樹脂；環氧樹 月曰諸如，與雙酚A環氧樹脂交聯之聚醯胺樹脂、與雙酚 A環氧樹脂交聯之酚系樹脂；聚酯樹脂，諸如，與三聚氰 胺曱醛树知或與聚異氰酸酯或與環氧交聯劑交聯之羥基 封端聚S旨。 122176.doc •23- 200819244 在一非限制性實施例中，塗層可為水性丙烯酸乳膠，其 可在堆疊塾1 〇之總成之後得以施加。可將塗層至少部分地 施加至第一層26之視窗區域32之頂表面及底表面。可在自 視窗區域32移除黏著劑之後執行塗層之施加。 本發明之視窗墊10可與此項技術中已知之多種拋光設備 一起使用。在一非限制性實施例中，可使用一由Appiied

Materials Inc·，Santa Clara Calif·生產之 Mirra拋光器，其 中開口 28(及可選子層14中之開口 3〇)之形狀為矩形，具有 0.5πχ2”之大小，以徑向地定向之長軸且離墊1〇之中心為4，， 而居中地定位。用於Miira拋光器之壓板24的直徑為20，，。 一供包括壓板24之此拋光器使用的墊1〇可包含一具有位於 如所述之區域中之視窗32的20吋直徑之圓。 在另一非限制性實施例中，可採用一自Lam Research Corporation，Fremont，Calif·可購得之Teres拋光器。在圖4 中以滾筒24’表示之此拋光器使用一連續帶，而非一圓形壓 板。用於此拋光器之墊1〇可為具有12”寬度及93.25"圓周之 連續帶，其具有經合適地定大小且定位以與丁“以拋光器之 計量視窗（34)對準的視窗區域32，可使得其可與第二層％ 中之至少部分地透明之視窗32及第一層12及可選第三層14 之對準開口 28及30至少部分地對準。在另一非限制性實施 例中，可採用一分度帶拋光器。在圖5中以滾筒24"表示之 此拋光器使用一分度帶，而非較早設計之圓形墊或連續 f。在此類型之拋光裔中，塾1〇包括在塾之每一分度位 置處的複數個視窗32，其中每一分度位置將使一視窗32與 122176.doc •24 200819244 计夏視窗34對準。 如本文中先前所識別，本發明之拋光墊1〇可包含諸如14 之額外可選層。額外層14可含有與第一層12中之開口 28及 第二層26中之至少部分地透明之視窗32實質上對準的開口 30 〇 在一非限制性實施例中，本發明之拋光墊j 〇可包含一第 一層14。第二層14可充當墊1〇之底層14，其可附著至拋光 裝置之壓板24(或視拋光設備而嚙合拋光設備之滾筒24,或 24，，）° 在一非限制性實施例中，第三層丨4可包含一比第一層i 2 軟之材料。如本文中所使用，術語，，軟度”係指材料之肖氏 A硬度。材料愈軟，肖氏a硬度值愈低。因此，在本發明 中’第三層14之肖氏A硬度值可低於第一層12之肖氏A硬 度值。在一非限制性實施例中，第三層14可具有至少15之 肖氏A硬度。在替代非限制性實施例中，第三層〗4之肖氏 A硬度可為至少45、或75或更少，或45至75。可使用此項 技術中已知之多種習知方法來判定肖氏A硬度。在一非限 制性實施例中，可如本文中先前所述來判定肖氏A硬度。 在一非限制性實施例中，第三層14可用以增加拋光墊10 與經受拋光之基板之表面之間的接觸均勻性。 在本發明之一非限制性實施例中，包含拋光墊1 〇之第三 層14的材料可具有一大於包含第一層12之材料的壓縮性。 如先前所述，術語”壓縮性”係指體積壓縮性百分比量測。 因此’第三層14之體積壓縮性百分比大於第一層12之體積 I22I76.doc -25- 200819244 壓縮性百分比。在一非限制性實施例中，第三層14之體積 壓縮性百分比在施加20 psi之負載時可小於2〇百分比。在 替代非限制性實施例卜第i層14之體積壓縮性百分比在 施加20psi之負載時可小於1〇百分比，或在施加2〇ρδ〗之負 載時可小於5百分比。如先前所識別，可藉由此項技術中 之夕種I知方法來判定體積壓縮性百分比。在一非限 制欧只靶例中，可如本文中先前所述來判定體積壓縮性百 分比。 第三層14之厚度可變化。一般而言，第三層14之厚度應 使得墊10並不過厚。過厚之墊10可能難以置放於平面化設 備（24)上及自平面化設備（24)取出。因此，在替代非限制 性實施例中，第三層14之厚度可為至少〇〇4〇吋、或至少 0.045吋、或0.100吋或更少、或〇 〇8〇吋或更少或〇 〇65吋 或更少。 子層或第三層14可包含此項技術中已知的廣泛種類之材 料。合適之材料可包括天然橡膠、合成橡膠、熱塑性彈性 體、發泡體薄片及其組合。子層之材料可經發泡或吹製以 產生一多孔結構。該多孔結構可為開放氣室、封閉氣室或 其組合。合成橡膠之非限制性實例可包括氯丁橡膠、聚矽 氧橡膠、氣丁二烯橡膠、乙烯_丙烯橡膠、丁基橡膠、聚 丁一烯橡膠、聚異戊二烯橡膠、Ερ〇Μ聚合物、苯乙烯-丁 二烯共聚物、乙烯與乙酸乙烯乙酯之共聚物、氯丁 /乙烯 基腈橡膠、氣丁/EPDM/SBR橡膠，及其組合。熱塑性彈性 體之非限制性實例可包括聚烯烴、聚酉旨、聚醯胺、諸如基 122176.doc -26 - 200819244 於聚醚及聚醋之聚胺基甲酸醋的聚胺基甲酸醋，及其共聚 物。發泡體薄片之非限制性實例可包括：乙稀乙酸乙稀酉旨 薄片及水乙烯發泡體薄片’諸如（但不限於）自Sentinel Products，Hyannis，NJ•可購得之發泡體薄片；聚胺基甲酸 酉日I /包體薄片’諸如（但不限於）自mbruck，Inc·，

Minneapolis，Minn•可購得之發泡體薄片；及聚胺基甲酸酉旨 發泡體薄片，及聚烯烴發泡體薄片，諸如（但不限於）可自

Rogers Corporation，Woodstock，Conn獲得之發泡體薄片。 在另非限制性實施例中，子層14可包括非編織或編織纖 維墊料，及其組合；諸如(但不限於)聚烯Μ、聚酯、聚醯 胺或丙烯I纖維，其已被浸潰有一樹脂。纖維在纖維塾 料中可為切#又或只貝上連續的。非限制性實例可包括（但 不限於）如纟國專利第4,728,552號中所述之被浸潰有聚胺 基甲酸酯的非編織品，諸如，聚胺基甲酸酯浸潰之毛氈。 一可講得之非編織子塾之—非限制性實例可為來自以机

Inc· Newark Del之 SubaTM IV。 在本發明中，可選第三層14可包含一開口 30。在替代非 限制性實施例中’可選第三層14中之開口 30可藉由此項技 術中已知之任何合適手段（諸如，先前相對於第一層Η中 之開口28而識別的手段）而加以產生。另外，如先^所識 別’開口 30之大小、形狀及位置可依賴於所採用之計量儀 器及拋光裝置。 一在-非限制性實施例中’第三層14可至少部分地連接至 弟二層26且可與平面化機器之基底或壓板24接觸。第三層 122176.doc •27- 200819244 w可含有一與第一層12之開口 28及第二層26之至少部分地 透明或視窗區域32至少部分地對準的開口 30。 在一替代非限制性實施例中，拋光墊1〇之第一層12可連 接至第二層26之至少一部分’且第二層26可使用黏著劑而 連接至弟二層14之至少一部分。合適之黏著劑可包括本文 中先前所敍述之黏著劑。 在另一非限制性實施例中，本發明之拋光墊1〇可包含一 第一層12、一第二層26及一第三層14。第一層12及第三層 14各包含一開口 28及30。第一層12及第三層14之開口 28及 30可至少部分地彼此對準。第二層26之至少一部分可包括 一至少部分地透明之視窗3 2。視窗3 2可以接觸黏著劑而在 兩側上被至少部分地塗佈，且可將層12、14及26擠壓在一 起以形成一堆疊墊1〇之總成。可接著使用黏著劑實質上所 黏附之材料而自第二層26之視窗區域32之頂表面及底表面 物理地剝離黏著劑。黏著劑實質上所黏附之材料之一非限 制性實例為 Teslin ㊣ SP-1000，其為自 ppG IndustHes，―， Pittsburgh，Pa可購得之合成薄片材料。 本發明之拋光墊10可與拋光研磨漿（諸如，此項技術中 已知之拋光研磨漿）組合使用。供本發明之墊使用之合適 研磨漿的非限制性實例包括（但不限於）美國專利第 6,656,24!號及美國專利申請案第咖82,549號（其被公開為 公開案號2003/0094593)中所揭示之研磨漿。在一非限制性 實施例中，拋光研磨漿可插人㈣1Q之第—層邮待抛光 之基板之間。抛光或平面化製程可包括相對於被拋光之 I22176.doc -28· 200819244 基板而移動拋光墊10。在此項技術中已知多種拋光研磨 漿。用於本發明中之合適研磨漿之非限制性實例包括包含 研磨顆粒之研磨漿。可用於研磨漿甲之研磨劑包括微粒氧 化鈽、微粒氧化鋁、微粒二氧化矽，及其類似物。用於半 導體基板之拋光中之商業研磨漿的實例包括（但不限於）可 自 Rodel，Inc· Newark Del.獲得之 ILD1200 及 ILD1300，以 及可自 Cabot Microelectronics Materials Division，Aurora， 111.獲得之861111-8卩6心八]^100及86111^8卩6以12。 在一非限制性實施例中，本發明之拋光墊1〇可與一用於 平面化一具有非平面表面之物品的裝置一起利用。該平面 化裝置可包括：一保持構件，其用於固持該物品；及一原 動力構件，其用於使墊10與保持構件相對於彼此而移動， 使得墊10及保持構件之移動使研磨漿及墊10之平面化表面 1 8接觸且平面化物品之非平面表面。在另一非限制性實施 例中，平面化裝置可包括一更新墊1〇之拋光或平面化表面 的構件。一合適更新構件之一非限制性實例包括一裝備有 一研磨墊1〇之工作表面18之研磨盤的機械臂。 在一替代非限制性實施例中，平面化裝置可包括一用於 進行被拋光或平面化之物品之原位計量的裝置34。商業拋 光或平面化裝置可自諸如Applied Materials、LAM Research、SpeedFam-IPEC 及 Ebara Corp·之設備製造者獲 在一非限制性實施例中，本發明之墊10可置放於一圓柱 形金屬基底上；且可以一黏著劑層而連接至該基底之至少 122176.doc -29- 200819244 一部分。合適之黏著劑可包括廣泛種類之已知黏著劑。在 另一非限制性實例中，墊10可置放於一包括一進行被拋光 之物品之原位計量的構件34之拋光或平面化裝置之圓柱形 金屬基底或壓板24上。墊1〇可經置放成使得其視窗32可與 壓板24之計量視窗34對準。 實例1 如下製備一具有一視窗32之拋光墊1〇 : 1.根據以下所述之配方A來製備一第一層12。 2·使用一直邊緣及刮刀式實用刀來將ι/2"χ2"之矩形孔28 切入第一層12。 3.使用自 3M Industrial Tape and Specialties Division購得 之高效能雙重塗佈之膠帶9500PC來形成一第二層26。將膠 f之黏著層黏附至第一層12之底側，使得第一層12中之矩 形開口 28實質上由膠帶跨越。 使用具有商名 PORON 4701-50、自 Rogers Corporation 講知之0·060”厚之聚胺基甲酸酯發泡體薄片來形成一第三 層14。使用一直邊緣及刮刀式實用刀來將ι/2，，χ2，，之矩形孔 30切入第三層14。 5·藉由自第二層26移除黏性處理紙且將第三層14施加至 因此暴露之黏著膜來將第三層14黏附至第二層26。第三層 m又位成使得第一層12及第三層14中之矩形開口 28及30 實質上對準。 6·接著將三層堆疊總成（墊10)擠壓在一起且穿過一砑光 滾筒組。 122I76.doc -30- 200819244 7.藉由移除第二層26之上侧及下側上的黏著劑之一部分 來形成一視窗32。藉由使黏著劑與自PPG Industries， Incorporated可購得之 ΐ/2"χ2，，的 Teslin⑧ SP-1000矩形片段 接觸、用手擠壓該片段以確保黏著劑與Teslin® SP-1000之 間的良好接觸、接著剝落開Teslin® SP-1000來移除黏著 劑。黏著劑選擇性地黏附至Teslin® SP-1000，從而留下無 ^ 黏著劑之視窗32的實質上清潔之膜。 所得墊10之堆疊具有一具有1/2"χ2”之大小的矩形視窗 , 32 〇 用於墊10之第一層14之配方A: 步驟1 使用表A中所列出之成份來製備微粒交聯聚胺基甲酸酯。

表A 成份 重量(公克) 裝料1 二胺固化劑(a) 810 界面活性劑(b) 30.6 曱基異丁基酮溶劑 822 裝料2 異氰酸酯官能預聚物(C) 2112 其中，（a)可為自 Air Products and Chemicals，Inc·獲得之 LONZACURE MCDEA二胺固化劑，該公司將其描述為亞 曱基雙（氯二乙苯胺）；（b)可為自BASF Corporation獲得之 PLURONIC F108界面活性劑；且（c)可為自Air Products and Chemicals，Inc·獲得之 ARITHANE PHP-75D預聚物， 122176.doc -31- 200819244 該公司將其描述為二異氰酸甲苯酯與聚（四亞甲基乙二醇） 之異氰酸酯官能反應產物。 將裝料1添加至一開放容器且在一熱板上攪拌之情況下 加酿，直至容器之内含物達到3 5之溫度。在此溫度下繼 、、’ΐ擾拌，直至成份形成實質上均質之溶液。接著自熱板移 除容器。使用一水浴來將裝料2加溫至55〇c之溫度，接著 添加至裝料1。以一馬達驅動葉輪來混合内含物歷時三 分鐘之時期，直至均勻。接著在4〇。〇之溫度下將容器之内 含物快速地澆注入1〇公斤之去離子水中，其中同時用力攪 拌去離子水。在凡成谷器之内含物之添加後，即繼續用力 混合去離子水歷時額外60分鐘。使用兩個篩之堆疊來分類 濕微粒交聯聚胺基甲酸酯。頂篩具有5〇個篩孔（3〇〇微米之 篩開口）之篩孔大小，且底篩具有14〇個篩孔（1〇5微米之篩 開口）之篩孔大小。將與14〇個篩孔隔離之微粒交聯聚胺基 甲酸醋在80。(：之溫度下的烘箱中乾燥隔夜。 步驟2 : 使用在下表B中所概述之成份來製備一包含微粒交聯聚 胺基甲酸酯及交聯聚胺基甲酸酯黏合劑之拋光墊1〇。

表B 重量(公克） 裝料1 918 裝料2 265 8.5 8.5丙酮溶劑62 成份 步驟1之微粒交聯聚胺基甲酸酯 異氰酸酯官能預聚物(c) 脂族聚異氰酸醋(d) 添加劑(e) 122176.doc -32- 200819244 其中’（c)在以上加以描述；（d)可為自Bayer Corporation，

CoatmgS and Colorants Division獲得之DESMODUR N 3300 脂族聚異氰酸酯，該公司將其描述為基於六亞甲基二異氰 酸自旨之多官能脂族異氰酸酯樹脂；（e)可為自The Lubriz〇1

Corporation獲得之Lanco PP1362D微米尺寸化之經改質聚 丙稀壤。 使用一馬達驅動不銹鋼葉輪來混合裝料2，直至實質上 均質。接著，在一合適之容器中將裝料2之實質上均質之 混合物與裝料1組合，且藉由一馬達驅動混合器而混合在 一起。接著，將裝料1與2之組合之1〇4〇公克部分引入至 26"乘26"之扁平模具上。在環境溫度下將模具饋入穿過一 對滾筒以形成一為0.100"厚之薄片。在25t：之溫度及8〇% 相對濕度下固化該薄片歷時1 8小時，接著在13 0 °c之溫度 下固化該薄片歷時1小時。自薄片切割具有22·5”直徑之圓 形墊層12’接著使用一研磨機來使墊層丨2之上表面與下表 面平行。 所得墊層12用作實例1中之第一層12。 【圖式簡單說明】 圖1為根據本發明之一態樣的在旋轉壓板上之具有視窗 之堆疊拋光墊的示意性侧面正視圖； 圖2為根據圖1的在旋轉壓板上之堆疊拋光墊之示意性俯 視平面圖； 圖3為根據本發明之一態樣的在旋轉壓板上之具有視窗 122176.doc -33- 200819244 之堆疊拋光墊的示意性側面正視圖； 圖4為根據本發明之一態樣的具有視窗 _ I狀帶拋光墊 的示意性側面正視圖；及 圖5為根據本發明之一態樣的具有視窗之分度帶拋光墊 的示意性侧面正視圖。 【主要元件符號說明】 1〇 抛光塾 12 椒光層/第一層/塾層

14 子層/第三層/墊層 16 外部周邊邊緣 16A 徑向表面 16B 環形表面 18 工作表面/拋光表面/平面化表面 19 凹槽 20 覆蓋表面 24 壓板/平面化設備 24’ 滾筒 24" 滾筒 26 第二層/墊層 28 開口 30 開口 32 視窗/視窗區域 34 計量儀器/計量視窗/裝置/構件 122176.doc •34-

Claims (1)

1. 200819244 十、申請專利範圍： 1· 一種用於一旋轉拋光器之圓形拋光墊，其包含： a· —第一層，其具有一用於拋光一工件之外部面向工 作表面及一開口；及 b· —第二層，其中該第二層之至少一部分包含一至少 部分透明之視窗，其中該視窗實質上以該第一表面之厚 度而與該工作表面間隔，且其中該第一層至少部分地連

   接至該第二層，且其中該第一層包含下列性質中之至少 一者： I) 該第一層吸收基於該第一層之總重量的至少二 重量百分比之拋光研磨漿； II) 該第一層具有基於該第一層之總體積的至少二 體積百分比之孔隙率；或 iii)該第一層具有大於該第二層之體積壓縮性百分 比。 2.如請求項！之拋光墊，其中該帛一層吸收基於該第一層 之總重量；的至少4重量％且小於5〇重量％之拋光研磨 漿。 3·如請求項域2之抛光墊，其中該第一層係選自：微粒聚 合物及父聯聚合物黏合劑；微粒聚合物及有機聚合物黏 ^ “、、塑〖生树知之燒結顆粒；熱塑性聚合物之加壓燒 結粉二壓塊；浸潰有複數個聚合微量元素之聚合基質， ’、中每聚合微量兀素可在其中具有一空隙空間;或其 組合。 122176.doc 200819244 4.如請求項丨之拋光墊，其中該第一層具有一厚度至* 0·020吋且小於〇·15〇吋之厚度。 5·如請求項丨之拋光墊，其中該第二層係選自實上 外體 積可壓縮聚合物及金屬膜以及箔。 6.如請求項1或5之拋光墊，其中該第二層係選自： t一· 1 烯 烴，纖維素為主之聚合物；丙烯酸系；聚酯及共聚醋· 聚碳酸酯；聚醯胺；高效能塑膠；或其混合物。 ’ 7·如請求項之拋光墊，其中該第二層係選自：低您声 ，聚乙烯、高密度聚乙稀、超高分子量聚乙烯或聚丙 乙酸纖維素或丁酸纖維素；PET或PETG ;耐輪6/6咬耐 綸6/12 ;聚醚醚酮、聚苯醚、聚砜、聚醯亞胺或聚醚醯 亞胺；或其混合物。 8·如請求項1之拋光墊，其中該第二層具有一至少〇〇〇〇5吋 之厚度，且該第二層具有一小於0 0650吋之厚度。 9·如請求項1之拋光墊，其中該第一及該第二層藉由—黏 _ 著材料至少部分地連接。 10·如請求項9之拋光墊，其中該黏著材料係選自：接觸黏 著劑、壓感性黏著劑、結構黏著劑、熱熔黏著劑、熱塑 ’ 性黏著劑及固化黏著劑、熱固性黏著劑；及其組合。 • 11_如请求項1之拋光墊，其進一步包含一至少部分連接至 該第二層之第三層，該第三層具有一開口。 12·如請求項1丨之拋光墊，其中該第三層係選自··天然橡 膠、合成橡膠、熱塑性彈性體、發泡體薄片，及其組 合0 122176.doc 200819244 13·如請求項11之拋光墊，其中該第三層具有一至小Λ μ上 王少0.04时 之厚度，且該第三層具有一 0.100吋或更少之厚度。 14·如請求項11之拋光墊，其中該第一、該第二及該第三層 藉由黏著材料至少部分地連接。 15.如請求項11之拋光墊，其中該第一層中之該開口、該第 二層中之該視窗及該第三層中之該開口至少部分地對 準。 16·如請求項1之拋光墊，其中在施加20 psi之負栽時，該第 一層具有至少0.3%之體積壓縮性百分比。 17·如請求項1之拋光墊，其中在施加2〇 psi之負栽時，該第 一層具有3%或更少之體積壓縮性百分比。 18· —種用於拋光器之拋光墊，其包含： a· —第一層，其具有一用於拋光工件之外部面向工作 表面及開口；及 b· —第二層，其中該第二層之至少一部分包含至少部 分透明之視窗，其中該視窗實質上以該第一表面之厚度 而與該工作表面間隔，且其中該第一層至少部分地連接 至该弟二層’且其中該第一層包含下列性質中之至少一 者： i) 該第一層吸收基於該第一層之總重量的至少四 重量百分比之拋光研磨漿； ii) 該第一層具有基於該第一層之總體積的至少二 體積百分比之孔隙率；或 iii) 該第一層具有大於該第二層之體積壓縮性百分 122176.doc 200819244 比。 至少部分地連接 19·如請求項18之拋光墊，其進一步包含一 至該弟一層之第三層’該第二層具有一 20· —種旋轉拋光墊，其包含： a•一第一層，其具有一開口； 包含一至少部 b· —第二層，其中該第二層之至少部分 分透明之視窗；及

   ，、 罘一層至少部分 地連接至該第二層，且該第二層至少部分地連接至該第 二層，其中該視窗實質上以第一表面之厚度而與工作表 面間隔，且其中該第一層包含下列性質中之至少一者： 旦i)該第一層吸收基於該第一層之總重量的至少二 重量百分比之拋光研磨漿； U)該第一層具有基於該第一爲夕地触姓 Λ昂 層之總體積的至少二 體積百分比之孔隙率；或 出）該第一層具有大於該筮-μ · 弟一層之體積壓縮性百分 ，及 軟 iv)該第三層比該第一層 122176.doc