TW200814333A - Flexible substrate with electronic devices formed thereon - Google Patents

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Taiwan
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plastic
electronic device
particulate material
plastic material
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TW096127807A
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Timothy J Tredwell
Roger S Kerr
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Eastman Kodak Co
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200814333 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於電子裝置且更特定而言係關於在 可撓性基材上製造之電子裝置。 【先前技術】 溥膜電晶體（TFT)裝置廣泛地在用於電光陣列與顯示面 板之開關或驅動器電路中使用。以往使用為人熟知之沈
積、圖案化及蝕刻步驟之順序將TFT裝置製造在硬質基材 (通常為玻璃或矽）上。舉例而言，非晶矽tft裝置需要將 金屬（諸如鋁、鉻或鉬）、非晶矽半導體及絕緣體或
Si3N4)在基材上沈積、圖案化及蝕刻。半導體薄膜乃形成 為具有若干奈米至數百奈米之典型厚度的數層，其中中間 層之厚度為大約數微米，且可形成於位於硬質基材頂部的 絕緣表面上。 對於硬貝基材之要求在很大程度上乃基於對製程本身之 要求熱特點係尤為重要的，此係因為tft裝置係於相對 較高的溫度下製造。因此，已成功使用之基材材料之範圍 在某種私度上文限，通常限於玻璃、石英或其他硬質基於 石夕之材料。 TFT裝置可形成於某些類型之金屬箱與塑膠基材上，從 而在其製造中允許某此愈、、壬神。妙 一 1 / f生’、、> 而，諸如基材與TFT材 料之間的化學不相容性、基 W 衣置層之間的熱膨脹失 配、平面度與表面形態，電 电谷耦3或可能的短路之各種 問題使得金屬，绪其好/ 1夕$ 蜀泊基材在許多應用中係較不合意的。 120970.doc 200814333 顯然，將用於諸如丁打之 m st ^ ^ ^ μ ^ 冤子旋置之合適基材材料之範 料將係有利的。此將^/、Γ 膠與塑朦材 減小顯°可撓性基材上進行製造且幫助 裝置。此外，…可二:、重里。亦可能製造更薄的 Ψ,, 匕σ吏侍月匕夠製造較大的顯示器與裝 置’此係因為以往用令曰 巧 土材之日日體矽與許多類型之玻璃變 盈難於錢大薄片形式形成及處理。
雖然塑膠與其他可撓性㈣具有明顯優勢， 使·用該等基材之多種顯著缺陷，此等缺陷包㈣下各項： TFT裏造所需之高溫範圍之不相容性。 •高溫下之較差的尺寸穩定性。 •塑谬及薄膜半導體材料之熱膨脹係數（CM)的失配。 •塑膠之高吸濕特點。 •許多類型之塑膠之較差的透通性。 •附著塑膠基材及自載體拆卸塑膠基材之要求。 ，此等缺fe中之主要者為與溫度相關之要求。針對TF丁之 製私可〶要在力至如代或更高（包括許多類型之塑膠基 材將不可用之水準的溫度)之範圍内的溫度。因此，如在 美國專利第7,0455442號（Maruyama等人）中所陳述，廣泛地 認為TFT無法直接形成於塑膠基材上。為提供安裝於塑勝 基材上之TFT裝置之益處，Maruyama等人之1442揭示案描 述在起初附著至載體基材之釋放層上形成TFT之方法。一 旦製造了 TFT電路，則釋放層接著與其載體基#分離且可 層壓至更輕且可撓性更強之塑膠材料上。 120970.doc 200814333 作為-替代解決方案，A國專利第6,492,〇26號（(}禮等 人）揭示使用具有相對較高的玻璃轉移溫度Tg(通常高於 120°C)之可撓性塑膠基材 '然而，此等基材耐受遠高:此 範圍之習知TFT製造溫度之能力係值得懷疑的。此外，為 了使用此等塑膠 '花費相當大的努力(諸如使用多個障壁 層）來使基材與所形成之裝置免划痕損壞與濕氣渗透。 另一替代解決方案描述於美國專利第6,68〇,485號⑼巧 等人）中。在Carey等人，485揭示案中所描述之方法中，使 用來自脈衝雷射源之能量以在低溫塑膠基材上形成非晶與 多晶通道矽TFT。此方法關於其所描述之習知低溫塑膠基 材，括（例如）：聚對苯二甲酸乙二s|(pET)、聚_(啊 及高密度聚乙烯（HDPE)。 類似地，美國專利第6,762，124號（幻扣等人）揭示使甩準 分子雷射器來經由光罩消融材料以形成經圖案化之導體或 半導體材料以用於在基材上形成TFh在幻时等人似揭 不案中，所使用之基材為複合，，玻璃替代，，材料，其可具有 補充有-或多個障壁與保護層之可撓性或硬質塑膠材料。 儘管關於在可撓性基材上形成TFT組件已提議此等及類 似解決方案’但仍存在缺點。在组裝有所裝置之釋放層 的層壓（如在Maruyama等人，442中所描述）需要額外的製造 步驟及材料且展現固有的對準困難叫吏用高效能塑膠（諸 如Graff等人’026揭示案之塑膠）仍具有熱膨脹（cte)困難且 需要額外層及處理以保護塑膠。等人，似與⑽等 人’i24揭示案中所提議之準分子層解決方案並不提供更為 120970.doc 200814333 白知之TFT製造技術之全幅能力且因此具有有限的利用 性。此等揭示案皆未提供真正地用於替代玻璃或其他基於 矽之基材之可撓性基材，此係因為tft必須形成於釋放層 上抑或形成於某些中間層（其必須形成於可撓性基材頂部） 上。 —^作基材（具有包括尺寸敎性與耐熱㈣化學性 之性質之相關特定可撓性材料為聚醯亞胺類。然而，儘管 籲 聚醯錢材料具有某些«，但錢於TFT之直接沈積呈 現顯著的阻礙。舉例而言，必須採用額外釋放層與轉移 |’此係因為回焊行為並不是聚醯亞胺之特點。聚酿亞胺 = CTE不同於薄膜半導體材料之CTE，“導致在高溫製 k之後之破|{及電不連續性。在改良聚醯亞胺材料特點之 θ °式中，美國專利申請案公開案第2005/0163968號 (Hanket)描述具有改良之CTE及其他耐久性增強之微植聚 醯亞胺薄膜。然而，即使在可使用微填料添加劑使CM更 • A密切地匹配的情況下，仍存在關於層壓之其他問題。雖 然其他相關塑膠（諸如Tef〗on⑧）可具有更有利地用作可撓性 基材之某些性質，但存在排除其與習知製造方法一起使用 之其他組阻礙。 因此，應瞭解：對於以最小數目之額外步驟及程序進行 製備或調節基材本身而在可撓性基材上直接形成丁打之製 造方法而言，存在未被滿足之需要。 【發明内容】 本發明之目標在於提供一種製造一電子裝置之方法，其 120970.doc 200814333 包含： a) 提供—包含至少—塑膠材料之基材； b) 將一顆粒树料後入在該基材之至少-表面中；及 C)在該具有該顆粒材料之表面上形成—薄膜電子裝置。 1發明之特徵在於其提供-種製造於-可撓性基材上之 電子衣置A可繞性基材可包括聚四氟乙烯（PTFE)或 硫11⑧，其允許回焊且因此最小化或消除對中間層塵材 枓之需要。本發明亦使得在更薄的基材上製造電子裝置成 為可能。 毛月之3 1勢在於其提供一種可提供改良之層壓 (包括對載體之自層壓）之塑膠基材。 本發^之此等及其他目標、特徵及優勢在結合附圖閱讀 U &方式]之後對於熟習此項技術者將顯而易見， 在附圖中展示並描述本發明之說明性實施例。 【實施方式】 本說明書詳言之係針對形成根據本發明之設備之-部份 之兀件或與根據本發明之設備更直接地協作之元件。應瞭 解.並未具體展示或描述之元件可採取熟習此項技術者所. 熟知的各種形式。 在本申請案中給出之圖式代表沈積於基材上之層之總體 空間關係及配置且可不必按照比例繪製。 、曾Γ看圖1，其展示根據本發明形成之電子裝置10。諸如 V to薄膜電晶體、二極體或其他組件之薄膜組件12形成 於諸如塑膠之可撓性基材2G上.，該可撓性基材2G為由如下 120970.doc -10- 200814333 文所描述之一或多種顆粒黏社 4、，、°材科與一或多種塑膠黏合劑 、，且成之複合材料。在夢拌Λ 雕 每加工期間，複合基材20附著至載 肢18(諸如玻璃薄片）為制 片）在製造電路10之後，後續程序可使 =2〇與载體18分離。可形成-或多個層⑽提供電隔離 ”平坦化或平滑度且提供用於形成薄膜裝置之合適表面。 在一個實施例令，層14為翁朴 马虱化矽，其用於密封表面且使表 面絕緣以允許進行薄膜、分接 相沈積。在另-實施例中，使用補充 本幷環丁烯（BCB)或旋塗式姑璁“ 飞坡离（spun-on glass)(s〇G)層以 用於平坦化。當以此方式使用時’將層14習知地稱作一種 平坦化層。 本發明亦係關於塑膠黏合劑與施加至基材之至少一表面 之顆粒材料之共同最佳化，及用於將裝置層黏結至可挽性 基材且最小化基材内之應力的載體材料及製程。 ^本說明書中所使用之術語，"塑膠"係指具有高聚合物 T量之材料’其通常由聚合合成樹脂製成，該等聚合合成 樹脂可與諸如固化劑、填充劑、增強劑、著色劑及增塑劑 :其他成份組合。"樹脂”為合成或天然產生之聚合物。塑 膠在其成品狀態為固態’且在其製造或處理為成品期間之 某一階段可藉由流動成形。塑膠通常係藉由使用其中溶劑 以合適速率蒸發之固化製程形成。塑膠包括熱塑性材料及 熱固性材料。 術語"可撓性”通常指比大約i mm更薄且展現通常在大約 1〇〇,〇〇〇 psi至500,000 psi之間之塑膠彈性模數E的薄片 料0 120970.doc 200814333 為了支援如圖1中所示之電子裝置10之製造，基材2〇具 有一特點調配物，其由合適塑膠黏合劑組成且利用在其表 面附近或在其表面上浸潰之顆粒材料而調節。參看圖2， 以放大圖表示針對一實施例之複合基材2〇的結構配置。將 顆粒材料16添加至基材20之基礎塑膠複合物中，該基礎塑 膠複合物充當關於該顆粒之黏合劑。顆粒材料16為某一類 型之固體顆粒，其經適當地選擇以既能夠黏結至層〗4使得 層14可提供絕緣、鈍化或平滑性且亦修改塑膠材料自身之 CTE。藉由在表面附近添加顆粒材料16，現可能將π丁及 其他溥膜裝置製造在先前與薄膜沈積不相容的基材（諸如 PTFE)上。因此，對基材2〇之表面之此調節允許在可撓性 基材上製造電子裝置及其相關連接跡線及其他組件。當以 此方式製造時之複合基材2〇能夠耐受高溫且能夠抵禦各種 類型之餘刻劑及TET形成所需的處理。 塑膠材料 藉由將適當顆粒材料16添加至塑膠中（如下文所述），本 發明之方法允許為可撓性基材使用擴展的塑膠材料清單。 例示性黏合劑塑膠材料包括（但不限於”熱穩定型聚對苯 二甲酸乙二酯（HS-PET)。許多其他塑膠基材可用作黏合 劑，例如·聚乙烯萘酸酯（PEN)、聚碳酸酯、聚芳酯 (PAR)、聚醚醯亞胺（PEI)、聚醚砜（pES)、聚醯亞胺（打）、
Tefl〇_聚（全氟·烷氧基）氟聚合物（PFA)、聚（醚醚 酉同）(peek)、聚㈤酮）(PEK)、聚（乙烯四氣乙烯）氟聚合物 (PETFE)及聚（甲基丙烯酸甲酯）及各種丙烯酸酯/甲基丙烯 120970.doc -12- 200814333 酸脂共聚物（PMMA)。用作黏合劑之合適塑膠可包括各種 環狀聚烯烴：由JSR公司製造之ARTON、由Zeon Chemicals L.P·製造之 Zeonor 及由 Celanese AG 製造之 Topas。亦可使用其他低溫塑膠基材，包括：作為來自 Ausimont U.S.A., Inc·之HALAR上市之乙烯-氣三氟-乙烯 (E-CTFE)、由Dupont公司以商標名TEFZEL銷售之乙烯-四 氟乙烯（E-TFE)、聚四氟乙烯（PTFE)、纖維玻璃增強型塑 膠（FEP)及高密度聚乙烯（HDPE)。在某些應用中透明塑膠 將為1¾度有利的。 由於所添加之顆粒材料16，此等塑膠基材中之某些塑膠 基材可耐受高達至少大約200°C之更高的處理溫度，且某 些能夠耐受300°C或更高的溫度而不造成損壞。 尤其相關之塑膠黏合劑材料包括聚醯亞胺（如前文所提 及）及聚四氟乙烯（PTFE)或聚（全氟-烷氧基）氟聚合物 (PFA)(商業上已知為Teflon®，由DuPont, Inc·銷售）。如前 文所提及，儘管許多不同表面處理已展示有限的成功，但 如習知形成之聚醯亞胺或PTFE皆不固有地適合用作TFT沈 積之基材。然而，當根據本發明處理此等材料時，其可提 供具有用於支撐TFT電路之高度有利特點的可撓性基材。 在其他實施例中，包括此等塑膠材料中之一或多者之組 合物可為較佳解決方案。舉例而言，可有利地將聚醯亞胺 與聚四氟乙烯（PTFE)或聚（全氟-烷氧基）氟聚合物（PFA)組 合以獲得兩種塑膠之更為有利的性質。 顆粒材料之特點 120970.doc -13- 200814333
a適顆粒材料1 6包括姑殖γ A 匕括玻璃（包括旋塗式玻璃）、碳、纖 维、^纖維及塑膠1粒材料16亦可為編織材料或纖 二:❹，編織纖維玻璃。顆粒材料16可具有一系列結構 ”貝兵形狀。顆粒材料16可為粗糖球形粒子、尺寸小於或 =過基材厚度之片狀物。顆粒材料μ之形狀可為細長形， 括(例如).線、桿或纖維。陶瓷填充劑或其他介電材料 可用作顆粒材料1 6。
"顆粒材料16在塑膠黏合劑材料中之角度定向亦可發生改 1舉例而言’細長顆粒材料16可在維度上對準（諸如在 -單個方向或在交替方向之多層上)，或沿一平面中之兩 個或，個以上軸對準。顆粒材料16可相對於基材之表面 以特定方向或圖案定向，此可影響各向異性光學、電子、 熱、磁、化學或物理性質。僅作為一實例，在黏合劑内之 顆粒材料16之纖維可垂直定向以在垂直方向導引光或熱。 或者’側向定向之光學纖維可用於在其他方向上使光導引 穿過複合基材2〇。 可將…、機材料作為顆粒材料〗6引入以便修改許多性質， 諸如以下性質： 、 •選定光學性質，諸如顏色或光散射； l疋龟子性枭，諸如碳填充，以用於傳導性或電屏 蔽； 選疋熱性質，諸如金屬粒子填充，以改良熱導率； k疋磁性質’其中包括磁鐵材料之磁性材料用於磁性 附著或資料儲存； 120970.doc •14· 200814333 •化學性質’諸如對過程化學的抗性，或物理性質，諸 如CTE、拉伸強度、抗壓強度、模數或可撓性；或 •輻射性質，諸如輻射屏蔽或能量選擇性X射線傳輸或吸 收0 根據本發明之顆粒材料16與塑膠黏合劑材料之組合的一 個重要結果係關於改良的熱膨脹係數(CTE)。已發現：複 合基材之CTE與其近似塑膠黏合劑之（：7£程度相比，更密
切地近似針對TFT裝置之裝置層的CTE。因此，複合基^ 之CTE更密切地近似習知用於裝置製造之玻璃或矽載體u 之CTE 口此，在裝置製造期間將更少的應力引入至裝置 層中’從而改良裝置效能、尺寸穩定性及可靠性。此亦使 分層之可能性最小化，其巾加裝置將與其基材分離。 u力諸如玻璃或陶瓷之無機顆粒材料作為顆粒材料1 6亦 具有許多額外優勢，包括·· •TFT層之黏著性得到改良，此係因為顆粒表面較之僅使 用塑膠黏合劑提供更佳的黏著性。 •針對裝置製造之改良的溫度限度：使用顆粒材料增加 吾失尺寸穩定性之前的、、切痒im ώ： 溫度下製造褒置。度限度，從而允許在更高的 數在組合中，顆粒材料可減小基材之介電常 數攸而有利地減小電容。 重==:16將在許多應用中係有利的。在光行為係 於折射率〜選擇顆於塑膠黏合劑材料之折射率〜基 擇顆拉材料16。在其各別折射率以〜匹配 120970.doc 15 200814333 或非常接近匹配的情況下，可使光學散射最小化。折射率 〜與〜愈緊密匹配，則將產生愈少的散射。 4考，可需要 先予政射，在此狀況下，折射率〜與心之間增加的差（諸 如，增加超過大約O.i)，導致相應增加的散射。可使用不 透明或反射性材料。可將吸光著色劑添加至塑膠材料中以 及顆粒材料16中以吸收雜散光、添加顏色，或提供對於入 射光或射出光之濾光材料。類似地，平坦化層14可具有著 色劑。 實例1 在一個實施例中，用於複合基材20之材料為PTFE編織 纖維玻璃層壓板，諸如，來自可購自Ar〗〇n，Inc. Raneh()
Cucamonga，CA之DiClad 522, 527系列之材料。已將在溫 度應力下尺寸穩定之PTFE編織纖維玻璃層壓板用於（例如） 印刷電路板（PCB)且當用於此目的時，被供應銅層（通常為 電沈積銅層）。對於本發明之可撓性基材2〇，不使用銅鍍 敷。為用作可撓性基材20，PTFE編織纖維玻璃層壓板之 理想厚度係在大約25微米至大約3000微米之範圍内。 給定此基材，TFT製造處理如下： 1·安裝於載體18上。最初將可撓性基材層壓於玻璃載體 18上。此係藉由將基材2〇定位在載體18上且藉由施加熱 與壓力以達成PTFE材料之流動溫度大約3〇〇cc)處理 此組合而達成。PTFE材料軟化、回焊及黏結至載體〗8之 表面。 2·表面處理。此下一步驟調節或處理基材2〇之表面以提 120970.doc •16- 200814333 供合適的基礎來允許層14之黏著。在_ 為平坦化層。層14可 ^ ，層14 4有马另一種預備材料 於形成薄膜電子裝置用 料㈣入於基材表面内而實現處理精由將顆粒材 , 貝現。如圖2中所示，最糞说 基材20之表面添加顆粒材料⑽有利地。可籍 f將顆粒材料16應用至表面，該等方法包括(例如)··輥 乾或敷粉（dusting)。顆枚# ^ 此 ㈣ώ士可或者藉由喷墨沈積、 Ρ刷.、自中間材料轉移、#用&丨將 、 得才夕使用刮漿刀削磨（doctor_b〗ade 2_技術助（諸如在溶劑中）、喷灑或其他方法而應 彳將塑膠材料加熱以促進顆粒材料16之嵌入。： :’可在固化處理期間’將顆粒材料16添加至黏合劑塑 修材料中。在下文中y、十、田 隹卜文中描述用於表面處理之其他方法。 3.平坦化。針對TFT沈積 槓之所要表面粗糙度在某些應用 中可峰料約小於〇.2至〇.3微米。為達成此，沈積旋塗 式玻璃（⑽）。為塗覆此物質，將溶劑中之膠態二氧化 石夕顆粒之溶膠塗覆至基材20表面。施加3崎至·。C之 溫度以使溶膠材料固化、移除溶劑且留下凝膠殘餘物， 當凝膠殘餘物自身被加熱時，其轉化為介電常數£在約3 與5之間且在TFT沈積之前提供所需的必要絕緣與平坦化 之Si〇2薄膜。在下文中描述替代平坦化材料。 除了 CTE匹配與回應之改良外，本發明之方法亦以改良 的方式將TFT組件黏合至基材2G之表面。㈣靠近表面或 甚至自複合基材20之表面略微向外延伸之顆粒材料16為可 為絕緣氣化碎或氧化㈣之層14提供黏合表面區域。在無 120970.doc 200814333 顆粒材料16之狀況下，此等矽化合物將無法黏結至該表 面，伙而嚴重地阻礙於其上製造可使用TFT裝置或其他類 型之電子裝置的能力。 ' 4·形成電隔離層。作為調節基材之表面之最終表面製備 步驟（其為可選的），在平坦化層之頂部上沈積電隔離 層。合適隔離層材料可為Si〇2、SiNx、Si〇N或此等材料 之某些組合。此通常在約〇·5 15 之範圍内。〃 5·形成TFT元件。在製備可撓性基材2〇表面之後，可開 始敷設TFT元件。此通常需要在基材上沈積薄膜半導^ 材料層，接著藉由選擇性地移除半導體材料之部分而形 成一圖案。此程序使用在組件製造技術中熟知之用於敷 設閘極、源極及汲極組件及其他支撐層之製程。 6.與載體18分層。此可需要以接近基材塑膠材料之流動 溫度的溫度施加熱。此允許使基材2〇與載體18分離。一 _
旦被分離，則可將基材20層壓至某一其他表面或允 卻。 V 實例1之方法可經修改以用於特定基材及組件類型。例 如，可替代使用其他旋塗式介電處理。 1 實例2 基礎 此下一實例考慮調配複合基材2〇所需的韻外步驟 步驟如下： 1.將塑膠加熱至其熔融溫度Tg。 2·將顆粒材料16作為填充劑添加至熔融塑膠 之黏結，若顆粒材料被沈積於基材2〇 本 ^之表面或靠近基 120970.doc -18 · 200814333 材2 〇之表面沈積’.則顆粒材料1 6隶佳地工作。然而，為 了改良之CTE，在整個塑膠材料上混合之顆粒的更為普 遍的分布係較佳的。在大多數狀況下，較佳地顆粒材料 16 ’或顆粒材料16之靠近基材20之表面之暴露的部分具 有更濃的濃度。因此，此步驟將需要顆粒材料16與熔融 塑膠黏合劑之一定程度的混合。 3·安裝於載體18上。最初將可撓性基材層壓於玻璃載體 W上。此藉由將基材2〇定位在載體18上且藉由施加熱及 壓力以達成PTFE材料之流動溫度（Tg)(大約3〇〇t：)處理此 組合而達成。PTFE材料軟化、回焊且黏合至載體18之表 面。 平i一化。針對TFT沈積之所要表面粗糙度在某些應用 中可峰對峰約小於〇·2至〇·3微米。為了達成此，沈積旋 土式玻璃(SOG)。為塗覆此物質，將溶劑中之膠態二氧 夕顆粒之浴膠塗覆至基材2〇表面。施加它至扣〇艺 Μ X以使γ谷膠材料固化、移除溶劑且留下凝膠殘餘 物田/旋膠殘餘物自身被加熱時，其轉化為介電常數ε 在勺3 _ 5之間且在TFT沈積之前提供所需的必要絕緣與 平坦化之Si〇2_。在下文中描述替代平坦化材料。 形成電隔離層。作為調節基材之表面之最終表面製備 /驟“為可選的），在平坦化層之頂部上沈積電隔離 ^ ° SiNx. si0N^,b## 料之某些组人。+A丄 一、口 此通吊在大約〇·5 μιη至1.5 μπι之範圍 内0 120970.doc >19· 200814333 6·形成TFT元件。在製備可撓性基材2〇表面之後，可開 始敷設TFT元件。此程序使用在組件製造技術中熟知之 用於敷設閘極、源極及汲極組件及其他支撐層之製程。 作為TFT製造之一部分，沈積半導體材料，接下來，藉 由選擇性地移除半導體材料之部分而形成一圖案。 7·與載體18分層。此可需要以接近基材塑膠材料之流動 溫度的溫度施加熱。此允許使基材2〇與載體18分離。一 _ 旦被分離，則可將基材20層壓至某一其他表面或允許冷 卻。亦可採用替代分層方法。 實例3 在另一實施财，基材20係由聚醯亞胺或聚酿亞胺組名 物及黏合劑形成，使用以下步驟： 1·將未固化塑膠黏合劑材料塗佈在合適載體上。此處， ’部分固化之聚醯亞胺塗佈於載體上。可使用任何合途 塗覆方法，包括浸潰削磨、旋塗式塗覆或擠壓。 2 ·使未固化塑膠材料固化直泛名 直至在很大程度上完成固化製 程。 3·當固化週期中之大約娜完成時，將顆粒材料16添加 至基㈣之表面上。此處，將顆粒材料16喷灑至該表面 上以提供均勻塗層。 4·完成固化製程，烘烤掉剩餘溶劑。 5·平坦化。針對TF1>U積之所 ,^ ^ β要表面粗糙度在某些應用 中可峰對峰約小於〇·2至03微 ^ , 為了達成此，沈積旋 主式破璃（SOG)。為塗覆此物質 貝 將〉谷劑中之膠態二氧 120970.doc •20· 200814333 化石夕顆粒之溶膠塗覆至基材2G表面。施加3啊至譬c :溫度以使溶谬材_、移除溶劑且留下凝膠殘餘 :，當凝膠殘餘物自身被加熱時，其轉化為介電常數ε 、，、勺3145之間且在TFT沈積之前提供所需的必要絕緣與 平化之薄^在下文巾描述替代平坦化材料。 6 ·形成電隔離層0作兔士两会斤盆 作為凋即基材之表面之最終表面製備 ^驟（其為可選的），在平坦化層之頂部上沈積電隔離
層。合適隔離層材料可為Si〇2、SiNx、Si〇N或此等材料 之某二、、且口。此通常在約〇·5 ^瓜至丨5 pm之範圍内。 7.形成TFT元件。在製備可撓性基材別表面之後，可開 口敷叹TFT兀件。此程序使用在組件製造技術中熟知之 用於敷設閘極、源極及汲極組件及其他支撐層之製程。 作為TFT製造之一部分，沈積半導體材料，接下來，藉 由遥擇性地移除半導體材料之部分而形成一圖案。 I·與載體18分層。此可需$以接近基材塑勝材料之流動 溫度的溫度施加熱。此允許使基材20與載體18分離。一 旦被分離，則可將基材2 〇層壓至某一其他表面或允許冷 卻。亦可採用替代分層方法。 在一替代實施例中，可將顆粒材料16作為填充劑添加至 未固化塑膠中，其具有在實例2中所描述之CTE優勢。 表面處理方法 乂許夕方式執行基材2 0表面之調節以改良層14與針對 4膜衣置製造之其他材料之黏結。如先前所提及，當顆粒 材料16之表面暴露在基材2〇之表面上，藉以提供黏結表面 120970.doc -21 - 200814333 時’本Mm最佳m由於塑膠材料在基㈣中 用士作黏合劑之性質’即使在已使用顆粒材料16之填充劑 時，基材20之表面亦通常具有高比例的樹脂含量。因此， 用於改良之黏結之顆粒材料16之暴露可需要某些方法來沿 其表面移除某些百分比之塑膠材料。 圖3之放大部分展示當暴露顆粒材料16時如何可使表面 22之特徵化1於以此方式調節該表面之方法包括如下：
•化學移除’例如使純刻劑材料，包括許多合適酸。 •電漿餘刻。 •電暈放電處理。 •施加熱。 •使用超臨界二氧化碳，C〇2。 •雷射切除。 •在異空中熱分解。 應用此等表面處理方法以用於塑膝黏合劑材料移除是孰 習f面處理技術者所熟悉的。不同於其中將顆粒材料16作 為向度集中於基材2〇之表面另妓、 衣曲及接近基材20之表面之填充劑 添加或嵌入的圖1之例示#眘 』丁〖生貧％例，可在基材2〇由或多哎 少地在整個塑膠黏合劑内 j内作為填充劑均勻混合之顆粒材料 1 6的混合物組成時使用 史用此荨表面處理方法。如先前所提 及，此種材料之固有優勢為其改良的CTE。 在另一實施例中，利用 ⑺用PTFE之回焊優勢以有利於表面 調節。可將顆粒材料16連同另一合適材料（在僅高於复玻 璃轉移溫度Tg增粉或讀纽戰PTFE組合物之熱表 120970.doc •22· 200814333 二上=，冷卻，接著得到針對平坦化層或其 他增之沈積而進行調節 4- ^ - He ^ 表面。可使用一定量之使用剛剛 抱迷之调即方法的處 20之表面。 在沈積顆 粒材料16之後改良基材 在又一實施例中，如圖 為基礎基#24^τ± ^ ’提供第—塑勝材料作 “上h ’⑽合物崎駐祕礎基材之 表面上，其中該組合物 ,_ M ^ _ 一至一種顆粒材料16混合之 種塑膠黏合劑材料。 ，此製程提供經適當處理以用 於沈積一或多層之表面，豈 ，、 為（例如）··如圖4中所示之平 一化層14、絕緣層，或用 ^ ^ 次用於形成薄膜電子裝置之某歧部分 之電活性半導體層。 一1刀 平坦化材料 :了旋塗式玻璃之外’在不同實施例 化材料： 丁一 ^苯幷環丁_CB)e此材料必須為半導體級，無行動離 子。 •丙稀酸。 •四乙氧基矽甲烷（TEOS)。 相對於試圖採用塑膠基材之其他解決方案，本發明之方 法促進TFT層之改良的黏著性’此係因為玻璃、陶竞或其 他合適顆粒提供較之僅使用塑膠黏合劑更佳的黏著性。使 用顆粒材料16增加在丟失尺寸穩定性之前的溫度限度，從 而允許在更高的溫度下製造裝置。 ， 本發明之方法係有利的，此係因為其允許在可撓性基材 120970.doc -23 · 200814333 上直接形成TFT組件，而不需要諸如層屋之中間步驟。此 f法可尤其適於腹板或卷軸式製造，其中基材薄片將自第 一卷筒展開、藉由如前文所㈣人顆粒材料Η而經歷表面 調節，及進一步經處理或重新纏繞在第二卷筒上進— 步使用。 ^ 可採用較廣範圍之多種類型的顆粒物質作為所使用之顆 粒:料16或顆粒材料之混合物，從而利用多種材料之有利 性質《如前文所述，藉由使用諸如電漿蝕刻之工具，可在 電子裝置製造過程中之不同點使用額外類型之表面調節。 可使用本發明之方法對基材材料薄片的一側或兩側進行處 理。可使用包括壓印之多種方法來在應用平坦化層叫 I置形成之則製備基材2〇之表面。形成於基材Μ或形 成於平坦化層14上之組件可包括光學組件，該等光學细件 包括諸如-或多個透鏡或微透鏡之繞射組件。微透鏡可與 FT、，且件在空間上對準以提供輸入或輸出像素元件。 形成於基材20上之電子裝置可用於與許多不同類型組件 者來回地提供信號且將具有用於影像顯示像素或 影像感應像素之^田 血 〒夂特疋應用。舉例而言，形成於基材2〇表面 亡之電子裝置可與(例如)用於顯示器之相應液晶像素、發 光二極體像素或有機發光二極體像素_合。對於影像感 應形成於基材20表面上之電子裝置可與可激勵石舞光體像 、或…、他一型之感應11像素（包括生物彳貞測H)编合。 、本發明亦係關於多層基材，其中底層經最佳化以用於與 載月且相關之性質（諸如，至載體之黏著性），頂層經最佳化 120970.doc ‘24- 200814333 之黏著性）且 電子、敎、 以用於與電子裝置相關之性質（諸如至裝置層 中間層經最佳化以達成選定性質，例如光學 磁或化學性質。 因此，本發明所提供之為用於在基材 設備及方法。 上製造電子裝置 之 【圖式簡單說明】 電路之橫截面 圖1為展示使用本發明之方法形成之電子
圖 圖2為展示本發明之複合基材之放大部分之橫截面圖； 圖3為展示在表面調節之後之複合基材之放大部分的橫 截面圖；及 圖4為展示在一實施例中在基礎層頂部上之具有複合層 之基材之放大部分的橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10 電子裝置 12 薄膜組件 14 層 16 顆粒材料 18 載體 20 基材 22 表面 24 基礎基材 26 組合物 120970.doc -25 -

Claims (1)

  1. 200814333 十、申請專利範園： 1. 一種製造一電子裝置之方法，其包含： a)提供—包含至少—塑膠材料之基材； :顆粒材㈣入在該基材之至少一表面中；及 置。μ具有該顆粒材料之表面上形成一薄膜電子$ 2. 如請求項1之方法，其中該顆粒材料係纖維。 3. 如請求項丨之方法，其進一步包含. d)將該顆粒材料嵌人在該基材之第二表面中；及 =该具有該經嵌入之顆粒材料之第二 溥Μ電子裝置。 y取 4. 如請求項1之方法，i击分雨 電晶體。 八〜電子裝置包含一或多個薄廢 5. —種製造-電子裝置之方法，其包含： a) 提供—包含至少—塑㈣料之基材； b) 將-顆粒材料嵌人在該基材之至少—表面中； 顆c)將—平坦化材料塗覆於該基材之該具有該經喪入之 拉材料的表面上’藉以形成一平坦化層；及 置d。)在該具有該顆粒材料之表面上形成一薄膜電子裝 6. 如請求項3之方法，盆中 電晶體。 電子裝置包含-或多個薄瑕 7. 一種製造-電子裝置之方法，其包含： Θ提供一包含至少-塑膠材料之基材作為—基礎1 120970.doc 200814333 材； b) 將-組合物材料塗佈在該基礎基材之至, 上’其中該組合物材料包含至少一塑膠黏合劑：料2 少-顆粒材料’藉以形成至少一經塗佈之表面；及 8. c) 在该至少-經塗佈之表面上形成 -τ-電子裝置之方法，其包含：電子裝置。 a)提供一包含至少一塑斗 材； ^ 顆粒材料之基 )调“基材之至少一表面以在該表面 相對於塑膠材料之比例；及 顆粒材料 Ο在該至少—經調節之表面上 9·如請求項8之方法， _電子裝置。 具宁凋即至少一表面包合 上化學移除該塑膠材料。 ®^在邊表面 10.如請求項8之方 上_由f將 中凋即至少—表面包含在該表面 上错由電漿蝕刻移除塑膠材料。 /表面 11 ·如清求項8之古、、丄 上藉由加埶作、、中調節至少一表面包含在該表面 加熱移除塑膠材料。 12.如請求項8之方法，其中調節至少… 上糟由暴露於超陟界 、匕3在该表面 认如請求項8夕士 2下移除塑谬材料。 負8之方法，並中士 r 上藉由雷射切^ ” 少一表面包含在該表面 田射切除移除塑膠材料。 14 ·如請求項8 上藉由在一直〜其中5周郎至少一表面包含在該表面 15.如請求項8之、 熱分解移除塑膠材料。 、彳法，其中調節至少-表面包含在該表面 I20970.doc 200814333 上藉由電暈放電處理移除塑膠材料。 16. —種製造一電子裝置之方法，其包含： a)提供一包含聚四氟乙烯（pTFE)與至少一 顆粒材料之 基材；及 b)在該基材之至少—表面上形成—薄膜電子裝置。 17. —種製造一電子裝置之方法，其包含： 幻提供一包含聚四氟乙烯（PTFE)、至少一 料與至少一顆粒材料之基材；及 其他塑膠材 )在孩基材之至少一表面上形成一薄膜電子裝置。 18· —種製造一電子裝置之方法，其包含： a)提供一包含聚四氟乙烯(PTFE)與至少一 顆粒材料之 基材； b) 將該基材層壓至一載體；及 c) 在該基材上形成一電子裝置。 19· 一種製造一電子裝置之方法，其包含： a)提供-包含聚四氟乙_TFE)、至少一顆粒材料與 至少一其他塑膠材料之基材； W將該基材層壓至一載體； C)在该基材上形成一電子裝置，·及 2使该含有該電子裝置之基材與該載體分層。 2〇·如明求項17之#法，丨中該至少一其他塑膠材料為聚酿 亞胺。 2 1 ·如清求項1 貝之方法，其中該塑膠材料係取自由聚對苯二 二酯（HS-PET)、聚乙烯萘酸酯（PEN)、聚碳酸，酯 120970.doc 200814333 (PC)、聚芳酯（PAR)、聚酸亞胺（PEI)、聚_颯(pES)、 聚醯亞胺（PI)、鐵氟龍聚（全氟_烷氧基）氟聚合物（PFA)、 聚（醚__)(PEEK)、聚（醚酮）(PEK)、聚（乙烯四氟乙烯） 氟聚合物（PETFE)及聚（甲基丙烯酸甲酯）、丙烯酸酯/甲 基丙烯酸脂共聚物（PMMa)、環聚烯烴、乙烯·氯三氟_乙 烯（E CTFE)、I四獻乙烯（pTFE)及高密度聚乙烤（肋叩） 組成之群組。
    22·如請求項1之方法’其中該顆粒材料係選自由玻璃、陶 瓷、金屬、塑膠及纖維玻璃組成之群組。 23. 如明求項5之方法’其中該形成一薄膜電子裝置之步驟 包含將一薄膜半導體材料旋塗在該表面上。 其中該嵌入一顆粒材料之步驟包 24·如請求項1之方法 含·· 一接近其破璃轉移溫度Tg之溫 a)將該塑膠材料加熱至 度，及
    25. b)將该顆粒材料應用至該塑膠材料。 如請求項1之方法’其進一步包含將一 該基材之該至少—表面上。 介電材料沈積在 26.如請求項25之方法 27·如請求項1之方法 一或兩個方向對準 28. 如請求項1之方法， 29. 如請求項1之方法， 30. 如請求項1之方法， ’其中該介電材料包含旋塗式破璃。 ’其中該顆粒材料包含大體上相對於 之顆粒。 ' 其中該顆粒材料係有磁性的。 其中該顆粒材料包含-磁鐵材料。 其中該顆粒材料係傳導性的。 120970.doc 200814333 女明求項1之方法’盆中續辩膠 之組合。 ，、宁d塑膠材科包含-個以上塑膠 32.如°月求項1之方法，其進一步包含自-^ 材。 /L s自一載體移除該基 3 3 ·如請求項〗之方法， -卜亥顆拉材料係選自—由纖 ~或片狀物組成之群組。 34:=項1之方法，其進-步包含將該基材層壓至另- 35. -種製造一電子農置之方法，其包含·· a) 提供一包含—塑膠材料與至少―顆粒材料 b) 將該基材安裝在一载體層上； ^ 積〇;)调節該基材之該表面以用於薄膜半導體材料之沈 形成一圖 案 句將―薄膜何體材料層沈積在該基材上；及 e)精由選擇性地移除該半導體材料之部分 36.如請求項35之方法，其進一步包含·· e)使用熱自該載體層移除該基材。 3 7·如請求項〗之方 '’ /、令該塑膠材料大體上為if _ μ 38.如請求項37之士^ 八ϋ上馮透明的。 、之方法，其中該塑膠材料之折鼾皇*粞 於該顆粒材料之折射率。 叙折射率大體上等 39·如請求項37之 ' ㈣μ 其中該塑膠材料之折射率，㈣ 材科之折射率之差超過〇1。 +…亥顆拉 40·如請求項1之 方法，其中該塑勝封料大體上為不透明 I20970.doc 200814333 的0 41·如請求項1之方法 劑。 42·如請求項i之方法 劑。 43.如請求項5之方法 劑。 /、中4塑膠材料包含—吸光著色 其中該顆粒材料包含一吸光著色 ’、中名平坦化材牙斗包含—吸光著色
    44. 一種製造 電子裝置之方法，其包含 Θ提供一包含至少一塑膠材料之基材； )在》亥基材之至少一表面上形成一圖案； Ο將一顆粒材料嵌入於該基材之該至少一表面中； d) 將-平坦化材料塗覆於該基材之該具有該經嵌入 顆粒材料之表面上，藉以形成—平坦化層；及 e) 在該具有該顆粒材料之表面上形成一薄膜電子置。 、
    45. 如請求項44之方法，其中形成一圖案包含壓印。 46. 如請求項44之方法，其中該圖案包含一或多個透鏡元件0 47·如請求項44之方法，其中該或該等透鏡元件在空間上與 该等形成於該表®上之薄膜電子裝置對準。 48·如請求項1之方法，其中該提供該基材之步驟包含自一 卷同展開該基材。 49·如請求項48之方法，其進一步包含將該形成有該電子裝 置之基材重新縷繞在一卷筒上。 120970.doc -6- 200814533 50·如請求項1之方法复 之電子繁署 其進一步包含將該形成於該表面上 51. 如請求項4—Γ晶像素輕合。 之電子鞋迪 、’其進一步包含將該形成於該表面上 展置與_恭止一 52. 如請求項丨之方/ 極體像素耦合。 之電子弟去’其進一步包含將該形成於該表面上 ^ 、置與一有機發光二極體像素耦合。 53. 如凊求項it 夕法，其進一步包含將該形成於該表面上 心％于裝署你 直興一可激勵磷光體像素耦合。 54. 如請求項1古 方法，其進一步包含將該形成於該表面上 之’子裝置與一感應器像素耦合。
    120970.doc
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI387138B (zh) * 2009-07-10 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 磁性發光元件、磁性發光裝置以及氮化物半導體模板
TWI400673B (zh) * 2009-02-18 2013-07-01 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示面板及其製作方法
US8502259B2 (en) 2008-01-11 2013-08-06 Industrial Technology Research Institute Light emitting device

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7977170B2 (en) * 2006-10-03 2011-07-12 Eastman Kodak Company Flexible substrate with electronic devices and traces
US7913381B2 (en) * 2006-10-26 2011-03-29 Carestream Health, Inc. Metal substrate having electronic devices formed thereon
KR101408510B1 (ko) * 2007-05-18 2014-06-17 삼성전자주식회사 표시소자용 연성기판 및 이를 이용한 디스플레이 소자
US20090200543A1 (en) * 2008-02-08 2009-08-13 Roger Stanley Kerr Method of forming an electronic device on a substrate supported by a carrier and resultant device
US8800138B2 (en) * 2008-02-08 2014-08-12 Carestream Health, Inc. Method for conditioning a substrate surface for forming an electronic device thereon and resultant device
US20100032702A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 E. I. Du Pont De Nemours And Company Light-Emitting Diode Housing Comprising Fluoropolymer
US8074349B2 (en) * 2009-04-16 2011-12-13 Carestream Health, Inc. Magnetic hold-down for foil substrate processing
GB0909721D0 (en) * 2009-06-05 2009-07-22 Plastic Logic Ltd Dielectric seed layer
EP2404650A1 (de) * 2010-07-09 2012-01-11 Bayer MaterialScience AG Vorrichtung und Verfahren zur Fest-/Flüssig-Trennung von Fest-Flüssig-Suspensionen
JP5899220B2 (ja) * 2010-09-29 2016-04-06 ポスコ ロール状の母基板を利用したフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板
USRE49869E1 (en) * 2015-02-10 2024-03-12 iBeam Materials, Inc. Group-III nitride devices and systems on IBAD-textured substrates
KR20160127892A (ko) * 2015-04-27 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7044802B2 (ja) 2017-04-04 2022-03-30 ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエーツ，ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 強化されたエラストマー及び統合電極を含む誘電複合体
JP2019121734A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 半導体装置および表示装置
EP3791697A1 (en) 2018-05-08 2021-03-17 W. L. Gore & Associates Inc Flexible and stretchable printed circuits on stretchable substrates
JP7089064B2 (ja) 2018-05-08 2022-06-21 ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド 皮膚適用のためのフレキシブルプリント回路
JP7085023B2 (ja) 2018-05-08 2022-06-15 ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド 伸長性基材及び非伸長性基材上の可撓性かつ耐久性プリント回路
CN109285462B (zh) * 2018-12-12 2021-04-20 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置
KR102084519B1 (ko) * 2019-07-16 2020-03-04 주식회사 오플렉스 자외선(uv) 경화형 점착제층을 포함하는 백플레이트 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237436A (en) * 1990-12-14 1993-08-17 North American Philips Corporation Active matrix electro-optic display device with light shielding layer and projection and color employing same
US5891552A (en) * 1996-01-04 1999-04-06 Mobil Oil Corporation Printed plastic films and method of thermal transfer printing
US5817550A (en) 1996-03-05 1998-10-06 Regents Of The University Of California Method for formation of thin film transistors on plastic substrates
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
WO2001097974A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-27 Caliper Technologies Corp. Methods and devices for enhancing bonded substrate yields and regulating temperature
JP2002108250A (ja) * 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
DE10059498A1 (de) * 2000-11-30 2002-06-13 Infineon Technologies Ag Substrat mit einer halbleitenden Schicht, elektronisches Bauelement mit diesem Substrat, elektronische Schaltung mit mindestens einem solchen elektronischen Bauelement, druckbare Zusammensetzung sowie Verfahren zur Herstellung eines Substrats
US6762124B2 (en) 2001-02-14 2004-07-13 Avery Dennison Corporation Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure
US7535624B2 (en) * 2001-07-09 2009-05-19 E Ink Corporation Electro-optic display and materials for use therein
US7110163B2 (en) * 2001-07-09 2006-09-19 E Ink Corporation Electro-optic display and lamination adhesive for use therein
JP2003045234A (ja) * 2001-07-26 2003-02-14 Dainippon Printing Co Ltd 透明導電性フィルム
TWI308231B (en) * 2001-08-28 2009-04-01 Sipix Imaging Inc Electrophoretic display
US20030193796A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-16 Heeks Stephen K. Light-emitting devices
US7223672B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-29 E Ink Corporation Processes for forming backplanes for electro-optic displays
EP1362682A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-19 ZBD Displays Ltd, Method and apparatus for liquid crystal alignment
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2004200365A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Konica Minolta Holdings Inc 有機薄膜トランジスタ素子
TWI330269B (en) 2002-12-27 2010-09-11 Semiconductor Energy Lab Separating method
US20050216075A1 (en) * 2003-04-08 2005-09-29 Xingwu Wang Materials and devices of enhanced electromagnetic transparency
JP4233433B2 (ja) * 2003-11-06 2009-03-04 シャープ株式会社 表示装置の製造方法
JP4554344B2 (ja) * 2003-12-02 2010-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1707590B1 (en) * 2003-12-26 2008-12-10 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Polyimide film
US8053171B2 (en) * 2004-01-16 2011-11-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television
US20050163968A1 (en) * 2004-01-20 2005-07-28 Hanket Gregory M. Microfiller-reinforced polymer film
EP1737053B1 (en) * 2004-03-25 2012-02-29 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module
JP5089027B2 (ja) * 2004-05-28 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
EP1791185A1 (en) * 2004-07-27 2007-05-30 Quantum 14 KK Light-emitting element, light-emitting device and information display
JP4715149B2 (ja) * 2004-09-30 2011-07-06 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US7582904B2 (en) * 2004-11-26 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device
US20060180890A1 (en) * 2005-01-18 2006-08-17 Naugler W E Jr Top emission flat panel display with sensor feedback stabilization
TWI408734B (zh) * 2005-04-28 2013-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
TWI402935B (zh) * 2005-05-17 2013-07-21 Koninkl Philips Electronics Nv 彩色主動矩陣顯示器
CN101203976B (zh) * 2005-06-20 2011-04-06 松下电器产业株式会社 膜-电极接合体的制造方法
KR101102152B1 (ko) * 2005-06-28 2012-01-02 삼성전자주식회사 유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된유기박막 트랜지스터
US20070002199A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US20070007579A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Matrix Semiconductor, Inc. Memory cell comprising a thin film three-terminal switching device having a metal source and /or drain region
GB2430547A (en) 2005-09-20 2007-03-28 Seiko Epson Corp A method of producing a substrate having areas of different hydrophilicity and/or oleophilicity on the same surface
US7235736B1 (en) * 2006-03-18 2007-06-26 Solyndra, Inc. Monolithic integration of cylindrical solar cells

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8502259B2 (en) 2008-01-11 2013-08-06 Industrial Technology Research Institute Light emitting device
TWI400673B (zh) * 2009-02-18 2013-07-01 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示面板及其製作方法
TWI387138B (zh) * 2009-07-10 2013-02-21 Ind Tech Res Inst 磁性發光元件、磁性發光裝置以及氮化物半導體模板

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WO2008016479A1 (en) 2008-02-07
JP2009545878A (ja) 2009-12-24
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