TW200809924A - Chemical vapor thin film deposition device - Google Patents
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Description
200809924 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種化學氣相薄膜沈積設備,尤指一種 具水平鍍覆面及動力源控制加熱線之化學氣相薄膜沈積設 5 備。 【先前技術】 一般應用在工業上的薄膜沈積(Thin Film Deposition) 之種類,視薄膜形成的沈積過程之中,是否產生化學反應, 10 而可略分為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition, PVD)、以及化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD) 兩種。 其中,熱線化學氣相沈積(Hot Filament CVD,HFCVD) 係屬於化學氣相沈積之一種,因熱線化學氣相沈積具有覆 15 蓋性佳、薄膜均勻度優良、純度高、以及可沈積大面積基 材等諸多優點,故廣泛應用在製作如鑽石薄膜、多晶矽奪 材料上。 熱線化學氣相沈積之基本原理,係透過設置在反應腔 體内之熱線(Hot Filament),利用其表面之高溫,將通過熱 20 線之反應氣體高溫裂解、或激發解離,使原子在基板上沈 積形成薄膜。 在實際的製程應用上,反應腔體内部之基板反應溫度 需控制在最佳的製程條件内,所沈積出的薄膜純度、厚度、 及均勻性等品質參數才能獲得控制。 ^ 200809924 然而,該化學氣相薄膜沈積設備在鍍覆時,反應腔體 2的熱線表面溫度(熱線溫度視欲鍍覆之材料而不同)有 時會高達2400。(:以上;在如此溫度變化的情形下,熱線會 自然伸長’且可能因為反應氣流的吹人而產生晃動,因而 左右偏移擺動’導致薄膜沈積厚度不均、甚或熱線斷裂碰 觸基材使基材破裂。 為了解決上述的問題,目前業界係以加裝彈簧、或琺 碼在熱線兩端等種種手段,欲解決熱線因溫度變化而伸長 之問題,然而均不甚理想,仍有改進之空間。 10 15
【發明内容】 本發明係有關於-種具水平錄覆面及動力源控制加熱 線之化學氣相薄膜沈積設備,其係、包括有—腔體、至少二 電極、複數條熱線、以及-旋轉動力源。 谷空間,欲進行鍍膜處理的基 内。前述之基材係包括一欲進 上述之腔體内具有一内 材可放置在腔體之内容空間 行鑛膜之上平面。 此外,上述之至少二電極,其係設置於腔體之内容空 間内,此至少二電極中包括有至少-旋轉電極。 另外上述複數條熱線,其兩端係分《憎置於上述至 少-電極上,並分別具有一特定張力。前述熱線係分別距 離上述基材之上平面一特定距離。 6 200809924 最後,上述之旋轉動力源,係可促使上述至少一旋轉 電極朝特定方向旋轉’進而保持上述熱線與基材間之特定 距離不變。 藉此,當熱線在腔體内受到高溫而產生伸長之時,可 透過旋轉電極旋轉拉樓,與基材之所欲鑛膜之上平面維持 固定距離,改善習知之缺點。 此外,本發明更可包括有至少一感測器,其係可感測 :線與基材上平面間之特定距離之變化、並輸出一感測訊 號。 承上所述,此至少一感測器係可採用光學感測器、熱 “偶感測為、或其他等效感測裂置。 述’本發明更可包括_控制器,其係可接收感 感:訊號、進而控制旋轉動力源。又感測器之感測 «亦可直接回駐旋轉動力料行 』 15 缺碼等僅單向控制熱線而沒有妹用^或 保熱線與基材可維持-特定距離。〜胃°技術更此確 測上=線:::::包括::少-應力感測器,其係感 力源,或亦可未經控制器而直 制。 我口饋至%轉動力源進行控 再者’本發明之旋轉動力源係可 产厂 紅、㈣缸、或其他等效之旋轉動力源。〜、μ 20 200809924 最後,本發明之每一 絲,當採用複數條熱絲時 述之熱線,藉以增加熱線 能0 熱線係可包括至少一條較細之熱 ’该等熱絲係可相互絞合成為上 之強度,並強化其高溫之物理性 【實施方式】 ス下為本發明較佳的實施例,進一步詳述本發明的 特點及功效。惟,該等實施細節僅係用於說明本發明之特 點而非以侷限本發明之範w壽。 ' 10 如圖1係本發明第一較佳實施例之示意圖,圖4係為圖! 之加熱線的局部放大示意圖。 如圖1所示,本實施例具有一進行鍍膜作業之腔體ι, 在腔體1内具有-内容空間u。所欲進行化學氣相沈積之鑛 膜作業的基材9,係放置於内容空間u内一適當之台座上, 15 基材9係具有欲進行鍵膜之一上平面91。
此外,在内容空間11内部兩邊,設置有二電極2,21。· 在本貫施例中,右側係為一旋轉電極21,其上設置有六條 熱線4,而左側係為一固定電極2。且如圖4 (圖1之熱線A 的放大圖)所示,每一熱線係分別由三條線徑較細之熱絲 20 401所相互絞合而成。 承上所述,每一熱線4之兩端除了分別設置於前述之固 定電極2、及旋轉電極21上之外,該等熱線4並相互平行形 成一與設備底槽水平之鍍覆面,每一熱線4係分別距離基材 8 200809924 9之上平面91一特定距離m,且每一熱線4係分別具有一特 定張力。 另卜%轉電極21 —端係設置在一旋轉動力源3上。在 本實施例中,旋轉動力源3係採用一電動馬達。 、卜$疋轉龟極21上係裝設有一應力感測器5 〇丨,其係 可感载置於旋轉電極21±之每—熱線4之特定張力,並輸 出感/則Λ就至外部之一控制器93進行運算。透過控制器 93進订運异| ’可控制旋轉動力源3,進而促使決定旋轉電 極21朝特疋方向旋轉’而維持特定距離⑴於一定值。 10 如此一來,當熱線4在腔體1内部因鍍膜作業之溫度變 化而產生伸長之時,可由旋轉電極21旋轉拉撐,使熱線4與 基材9之上平面91維持一固定距離。 、承上所述,雖然在本實施例中,應力感測器% 1係傳輸 -感測訊就至外部之控制器_行運算,然而應力感測器 15 501亦可透過自動控制等手段,不經由控制器%運算而直接 回饋感測訊號至旋轉動力源3直接進行控制。 請再參閱圖2係本發日月第二較佳實施例之示意圖。本實 %例之結構大致與第一較佳實施例大致相同,惟在旋轉電 極之處進行又化’並加裝感測器,故本實施例亦能達成前 20 例之各種功效。 —如圖2所不,本實施例之旋轉電極22係採用直立式,且 每方疋轉電極22上所分別設置之熱線41係同時連接至另一 侧之固定電極2。每-旋轉電極22係分別設置在一旋轉動力 源31上,本貫施例之旋轉動力源係採用電動馬達。 9 200809924 另外,一成對之感測器5,其係感測基材鍍膜面至每一 熱線41之間之特定距離〇2的變化,並輸出一感測訊號至外 部之一控制器931進行運算。在本實施例中,感測器5係採 用光學感測器,當然亦可採用紅外線、或其他等效之光感 5 測裝置。控制器931接收感測訊號之後,再透過線控方式, 控制旋轉動力源3 1輸出動力以控制旋轉電極22旋轉,藉以 拉撐母一熱線41,進而保持基材至每一熱線41之間之特定 距離D2維持在一定值。 承上所述,雖然在本實施例中,感測器5係傳輸一感測 °凡號至外°卩之控制為93 1進行運算,然而感測器5亦可透過 自動控制等手段,經由控制器931運算而直接回饋感測 訊號至旋轉動力源3 1進行控制。 請再參閱圖3係本發明第三較佳實施例之示意圖。同樣 的本貝鈿例之結構大致與第一較佳實施例大致相同,惟 15 «轉電極之處進行變化,並加裝感測器,故本實施例亦 能達成前例之各種功效。 如圖3所示,本實施例之旋轉電極23係採用直立式,且 分別設置在相對侧。每一成對之旋轉電極23係設置有熱線 42’ 一共為六對旋轉電極23、及六條熱線42。此外,每一 '旋轉電極23係分別設置在一旋轉動力源32上,本實施例之 旋轉動力源32係採用電動馬達。 另外 成對之感測器51係感測每一熱線42之溫度變 化’並輸出-相賴至外部__控㈣932 判斷每一熱線42是否因伸;而于丁如 货甲長而垂下。在本實施例中,感測 200809924 器51係採用熱電偶感測器。當控制器932運算比對完成之 後’透過線控方式控制旋轉動力源32輸出動:,以:制兩 側成對之旋轉電極23旋轉,藉以拉撐每—熱線42,避免教 線42因伸長而垂下碰觸到基材之鐘膜面,故本實施例亦能 達成第一較佳實施例之各種功效。 本發明所主張 而非僅限於上 上述實施例僅係為了方便說明而舉例
之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準 述實施例。 1〇 【圖式簡單說明】 圖1係本發明第一較佳實施例之示意圖。 圖2係本發明第二較佳實施例之示意圖。 圖3係本發明第三較佳實施例之示意圖。 圖4係圖1之熱線A的局部放大示意圖。 15
【主要元件符號說1 1 腔體 21,22,23旋轉電極 401熱絲 9 基材 m,D2特定距離 11 内容空間 3,31,32旋轉動力源 5,51感測器 91 上平面 2 固定電極 4,41,42,A 熱線 501應力感測器 93,931,932控制器 11
Claims (1)
- 200809924 十、申請專利範圍: 1·一種具水平鍍覆面及動力源控制加熱線之化學氣相 薄膜沈積設備,包括: 一腔體,其係包括一内容空間,該内容空間係設置有 5 至少一基材,該至少一基材係包括一上平面; 至少二電極,其係設置於該内容空間内,該至少二電 極包括至少一旋轉電極; 複數條熱線,其兩端係分別設置於該至少二電極上, 並相互平行形成一水平鍍覆面,該等熱線係分別距離該至 10少一基材之該上平面一特定距離,該等熱線係分別具有一 特定張力;以及 A 一旋轉動力源,係促使該至少一旋轉電極朝特定方向 旋轉,進而保持該特定距離不變。 ° 1520 2·如申請專利範圍第丨項所述之化學氣相薄暝沈積設 備:其更包括有至少-光學感測器,其係感測該特定= 之變化’並輸出一感測訊號。 薄膜沈積設 ’進而控制 3 ·如申請專利範圍第2項所述之化學氣相 備,其更包括一控制器,其係接收該感測訊號 該旋轉動力源。 4·如申請專利範圍第2項所述之化學氣相薄 備,其中,該感測訊號係直接控制該旋轉動力源。 、 5.如申請專利範圍第i項所述之化學氣相薄膜沈 備,其更包括有至少一應力感測器,其係感測該、 之變化,並輸出一感測訊號。 、張’ 12 200809924 薄膜沈積設 ,進而控制 6·如申請專利範圍第5項所述之化學氣相 備〃更包括一控制為,其係接收該感測訊號 該旋轉動力源。 i如中請專利範圍第5項所述之化學氣相薄膜沈積設 /、中,該感測訊號係直接控制該旋轉動力源。 ^如申請專利範圍第旧所述之化學氣相薄膜沈積設10 15 加命更包括有至 > —熱電偶感測11,其係、感測該等熱線 之溫又變化,並輸出一感測訊號。 薄膜沈積設 ,進而控制 9·如申請專利範圍第8項所述之化學氣相 備/、更包括一控制器,其係接收該感測訊號 該旋轉動力源。 =·如申請專利細8項所述之化學氣相薄膜沈積設 備/、中,該感測訊號係直接控制該旋轉動力源。 I,1如中請專利範圍第1項所述之化學氣相薄膜沈積設 、一中,該旋轉動力源係選自下列群組至少其一:+ 馬達、液壓缸、及氣壓缸。 ^ ^•如中請專利項所述之化學氣相薄膜沈積設 的八:Γ每一熱線係包括複數條熱絲,該等熱絲係相互 紅5成為該熱線。 20 13
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095129181A TW200809924A (en) | 2006-08-09 | 2006-08-09 | Chemical vapor thin film deposition device |
US11/544,557 US20080035059A1 (en) | 2006-08-09 | 2006-10-10 | Chemical vapor deposition reactor |
JP2006285161A JP4417943B2 (ja) | 2006-08-09 | 2006-10-19 | 水平積層カバー覆面と動力源によるホットフィラメント制御を備えたcvd設備 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095129181A TW200809924A (en) | 2006-08-09 | 2006-08-09 | Chemical vapor thin film deposition device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200809924A true TW200809924A (en) | 2008-02-16 |
TWI315887B TWI315887B (zh) | 2009-10-11 |
Family
ID=39049329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095129181A TW200809924A (en) | 2006-08-09 | 2006-08-09 | Chemical vapor thin film deposition device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080035059A1 (zh) |
JP (1) | JP4417943B2 (zh) |
TW (1) | TW200809924A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104246011A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-12-24 | 日本帕卡濑精株式会社 | 自沉积型用于铜的表面处理剂和带树脂被膜的含铜基材的制造方法 |
TWI478773B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-04-01 | Jusung Eng Co Ltd | 用於供給來源之裝置及具有該裝置且用於沈積薄膜之裝置 |
TWI633588B (zh) * | 2016-11-11 | 2018-08-21 | 優材科技有限公司 | 冷壁式化學氣相薄膜沉積裝置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9157152B2 (en) * | 2007-03-29 | 2015-10-13 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
US8291856B2 (en) * | 2008-03-07 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | Gas heating device for a vapor deposition system |
DE102008044028A1 (de) * | 2008-11-24 | 2010-08-12 | Cemecon Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD |
DE102008044025A1 (de) * | 2008-11-24 | 2010-08-05 | Cemecon Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrats mittels CVD |
DE102009023471B4 (de) * | 2009-06-02 | 2012-08-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtungsanlage und -verfahren |
US8272347B2 (en) * | 2009-09-14 | 2012-09-25 | Tokyo Electron Limited | High temperature gas heating device for a vapor deposition system |
US8906432B2 (en) * | 2009-10-02 | 2014-12-09 | Johnson & Johnson Consumer Companies, Inc. | Compositions comprising an NFκB-inhibitor and a non-retinoid collagen promoter |
JP2013534970A (ja) * | 2010-06-11 | 2013-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 化学気相成長を制御するための装置及び方法 |
US8852347B2 (en) * | 2010-06-11 | 2014-10-07 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for chemical vapor deposition control |
CN103429786A (zh) * | 2011-03-22 | 2013-12-04 | 应用材料公司 | 用于使用热丝来涂布的设备与方法 |
JP5803003B2 (ja) * | 2011-07-07 | 2015-11-04 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 熱フィラメントcvd装置及び成膜方法 |
US9957618B2 (en) * | 2012-02-28 | 2018-05-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition |
CN104862670B (zh) * | 2015-05-06 | 2017-04-19 | 华中科技大学 | 一种热丝拉紧装置 |
DE102015121773B4 (de) | 2015-12-14 | 2019-10-24 | Khs Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern |
JP6994446B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱フィラメントcvd装置 |
JP7061049B2 (ja) * | 2018-09-10 | 2022-04-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱フィラメントcvd装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2624027A (en) * | 1949-12-02 | 1952-12-30 | Gen Electric | Tension adjusting apparatus |
US4803908A (en) * | 1987-12-04 | 1989-02-14 | Skinn Neil C | Automatic musical instrument tuning system |
US5146481A (en) * | 1991-06-25 | 1992-09-08 | Diwakar Garg | Diamond membranes for X-ray lithography |
US5833753A (en) * | 1995-12-20 | 1998-11-10 | Sp 3, Inc. | Reactor having an array of heating filaments and a filament force regulator |
US5879450A (en) * | 1997-08-13 | 1999-03-09 | City University Of Hong Kong | Method of heteroepitaxial growth of beta silicon carbide on silicon |
KR100382943B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-05-09 | 프리시젼다이아몬드 주식회사 | 고온 열 필라멘트를 이용한 기상화학다이아몬드증착장치 |
-
2006
- 2006-08-09 TW TW095129181A patent/TW200809924A/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-10-10 US US11/544,557 patent/US20080035059A1/en not_active Abandoned
- 2006-10-19 JP JP2006285161A patent/JP4417943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI478773B (zh) * | 2008-05-23 | 2015-04-01 | Jusung Eng Co Ltd | 用於供給來源之裝置及具有該裝置且用於沈積薄膜之裝置 |
CN104246011A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-12-24 | 日本帕卡濑精株式会社 | 自沉积型用于铜的表面处理剂和带树脂被膜的含铜基材的制造方法 |
TWI633588B (zh) * | 2016-11-11 | 2018-08-21 | 優材科技有限公司 | 冷壁式化學氣相薄膜沉積裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI315887B (zh) | 2009-10-11 |
JP2008038243A (ja) | 2008-02-21 |
US20080035059A1 (en) | 2008-02-14 |
JP4417943B2 (ja) | 2010-02-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |