TW200807163A - Lithographic processing cell and device manufacturing method - Google Patents

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Description

200807163 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一微影處理單元 早几（包括一微影裝置及一声 理裝置）以及一或多個器件製造方法。 置及處 【先前技術】 微景》裝置係一機器，其將一 m ^所需圖案施加至一基柘卜， 通常係施加至該基板之一目样 … 卩分上。微影裝置可甩於 (例如）積體電路（ic)的製造。在 、 化器件（或將其稱為一遮罩或—主光 ·案 ^ 尤皁）來產生一欲形成於 積體電路之-個別層上的電路 ’、 系 了將此圖案轉移至一 基板（例如石夕晶圓）上之目桿部八 邱八u 一以 刀（例如包含一或數個晶粒之 。刀）一般隸由成像將圖案轉移至 上的輻射敏感材料（光阻）層上。— 基板 版而g ’ 一單一美搞蔣 包含經連續圖案化之相鄰目# ' 冲曰铩冲分之一網路。已知的微影 裝置包括所謂步進機，其中藉 將 描μ、 -人將整個圖案曝光於目 才示口 Is分上來照射各目標部分· ^ 1刀，及所謂掃描器，其中藉由在 一給定方向（，，掃描”方向）中诵 斤通過輻射光束掃描圖案，同時 /、此方向平行或反平行地同步 \ — u_描基板來照射各目標部 为。藉由將該圖案麼印至其4 土板上，亦可以將該圖案從該圖 案化器件轉移至該基板。 在一使用投影微影裝置的哭#制、主 幻时件製造方法中，該最小特徵 尺寸（經常係稱為臨界尺寸⑽))係藉由曝光轄射之波長㈧ 及投影系統之數值孔徑（NA)來決定。已研發各種技術來降 低CD ’且此等技術係通常結合稱為k】之因數中，即 11921Ldoc 200807163 CD 1 λ/ΝΑ。使用當前技術，可能無法在—單—曝光至 顯影至處理循環中&榇_ ^ 、 肀成像一小於猎由大約〇·25之一 k〗因數所 決定之特徵。但是 由 — 使用一又曝光及雙處理技術可成像一 較小特徵。 在一雙曝光技術中，一單一 # T 早光阻層在顯影前曝光兩次， 其使用兩個不同圖荦或接用 口系忒便用相同圖案但使用一位置偏移。 =雙處理技術中’曝光及顯影—第—光阻層，然後钱刻 =，將圖案轉移至該基板，然後將-第二光咖^ 二土板°然後’曝光、顯影該第二層並㈣該基板，藉 由該兩個蝕刻步驟之έ厶產 曰 n、、且口產生该基板中的最後圖宰。雔虛 理技術可用於建立一較膚範 又藏 罕乂夂乾闽之了用結構但可能 一或兩天的時間1a #松 ⑽ /、原口鉍该專蝕刻步驟以及從該微影 早凡W微影裝置以及諸如_旋轉塗布機、顯影 烘烤與冷凝模板之處理裝置）移除嗲美柘也 ° ^φ , 亥基板以執行該蝕刻步 驟之茜要。雖然雙曝光技術可快速執行， 之範圍係受較大限制。 門之〜構 【發明内容】 因此，希望（例如）提供一可產生等 π u π小於或等於0.25 之一 k!值之結構的改良方法及裝置。 依據本發明之一方面，提供一微影單元，其包含· 一微影裝置； 、各· 複數個處理裝置，該複數個處理裝置包含一填充裝置， 或一剝離裝置，或同時包含一填 、 异兄辰置及一剝離裝置； 以及 1192Il.doc 200807163 一控制部件，其經組態甩以控制該微影裝置及該處理裝 置。 ’ 依據本發明之一方面，提供—使用一微影裝置之器件製 造方法，該方法包含： 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑； 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料；
在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層； 曝光及顯影該第二輻射敏感材料層以在其中一第二圖案 中形成第二孔徑； 一、 使用一第二填料填充該第二孔徑；以及 耖除该第二輻射敏感材料層而不移除該等第一或第二填 料0 、 八依據本發明之一方面，提供一器件製造方法，該方法包 含一微影單元，該微影單元包含一微影裝置及複數個處理 裝置： =用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑； 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料； 在_第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層；以及 曝光邊第二輻射敏感材料層至對應於一第二圖案之一影 像0 提供一使用一微影裝置之器件製 依據本發明之一方面 造方法，該方法包含： I19211.doc 200807163 使用第填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中的 一第一圖案中填充第一孔徑； 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料； 在。亥第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層； *光及員衫違弟二輻射敏感材料層以在其中一第二圖案 中形成第二孔徑； 〇 移除該第—填料而不移除該第二輻射敏感材料層以形成 對應於該第一孔徑之第三孔徑。 【實施方式】 圖1示意性說明依據本發明之—具體實施例之一微影裝 置。該裝置包含： …、月系統（照明器）IL，其經組態用以調節一輻射光束 B(例如UV輻射或DUV輻射）； -一支撐結構（例如遮罩台）MT，其係構造成用以支撐一 ㈣：器件(例如遮罩)MA，並連接至第一定位議，該 第疋位益PM經組態用以依據特定參數來精確地定位該 圖案化器件； -一基板台（例如晶圓台）WT，其係構造成用以固持一基 板（例如光阻塗布的晶圓）w，並連接至—第二定位器pw， 該第二定位HPW經組態用以依據特定參數來精確地定位 該基板；以及 一投影系統（例如-折射投影透㈣統）ps，其經組態用 以藉由圖案化器件MA賦予輻射光束B的—圖案投影至基板 W的一目標部分C(例如包含-或多個晶粒）上。 1I92lI.doc 200807163 該’照明系統可包括各類亦與 谷類先學組件，例如折射、反射、琉 性、電磁、靜電或其他類型 ϋ予Ί仵或其任何组人，田 以引導、成形或控制輻射。 、口用 該支撐結射依_案化器件之方向、 及其他條件（例如該圖案#裝置之心十 -方式來_案化器件。該支:::= = 空、靜電或其他夹鉗技術來固持圖案化器件。該二 :係(例如)-框架或-台，其可按需要而固定或=構 及支按結構可4㈣圖案以、件係處於 相對於投影系統）。本文中任 而位置（例如 Π遮罩”皆可視為與更通用竹⑺主先罩或 文逋用術浯圖案化器件”同義。 本文中所使用的術語"圖案化 用於賦予一_身+*击少^ ^午應廣泛地解釋成指可 之二=其斷面中的-圖案以便可於該基板 之目‘部分中產生一圖案之任何器 輻射光束之圖案可能不會 ：…賦予該 的所需囝垒^丄 Τ應於忒基板之目標部分中 而圖案，例如，若該圖案包 特徵。_妒而士缺2 柯相f夕特被或所謂的辅助 件中產攻\。 輪射光束之圖案將會對應於-器 生於該目標部分中的—特 〜 ° 路。 θ 例如一積體電 =案化器件可係透射型或反射型。圖案 影中传^ 面板。遮罩在微 減式相移等遮罩類型，替式相移及衰 陣列之-範例採用Η ^ 罩類型。可程式鏡 用知小鏡之—矩陣配置，其中每—鏡可個 H9211.doc -10- 200807163 別地傾曹以便，在不同方向反射一入射輻射光束。該等傾斜 鏡將一圖案賦予一藉由該鏡矩陣反射之輻射光束内。 本文使用的術語”投影系統”應廣義地解釋為涵蓋任何類 型的投影系統’其包含折射、反射、折反射、磁性、電磁 性及靜電光學系、统，或其任何組合，其適用於所使用的曝 光輻射或係其他因素，例如使用沉浸液體或使用真空。本 文中任何地方所用之術浯”投影透鏡，’皆可視為與更通用術 語"投影系統，，同義。 如此處所描述，該裝置係透射類型（例如採用透射遮 罩）。或者係，該裝置可係反射類型（例如採用上面所提到 類型之可程式鏡陣列，或採用反射遮罩）。 該微影裝置可係具有兩個（雙級）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上支撐結構）之一類型。在此”多級”機器 中’可平订使用額外台，或可在一或多個台上實施預備步 驟’而將一或多個其他台用於曝光。 微影裝置的類型亦可為，其中該基板之至少一部分可藉 具有相對較高折射率之液體（如水）所覆蓋，以填充投 影系統與基板之間的空間。亦可將沉浸液體施加於微影裝 置中的其他空間’例如在該遮罩與該投影系統之間。本技 術中已熟知使用沉浸技術來提高投影系統的數值孔徑。本 文使用之術語"沉浸"並非指一種結構（例如基板）必須被浸 液體之中，而係僅指在曝光期間液體位於該投影系統和 該基板之間。 參考圖1，照明器IL接收來自一輻射源s〇之一輻射光 H9211.doc 200807163 束、。雜射源與該微影裝置1可係分離實體，例如，當該賴 射源係準分子雷射時。在此等情況下，該輻射源不會被 視為形成微影裝置之一部分，且會借助於一光束輸送系統 BD(例如其包括適合導引鏡及/或光束擴展器）將輻射光束 從輻射源SO傳遞5昭日日紫、ττ ‘ ^ 寻逖至知、明,IL。在其他情況下，輻射源可係 泫u衫裝置之一整合部分，例如當該輻射源為水銀燈時。 該輻射源S 〇與該照明器IL，S同需要時的該光束輸送系統 BD，可稱為一輻射系統。 該照㈣IL可包含—用以調整該輻射光束之角強度分佈 的調整器AD。一般而言，可調整該照明器之一光瞳平面 中強度分佈之至少外徑範圍及/或内徑範圍（通常分別稱為 σ-外與σ-内）。此外，該照明器比可包括各種其他組件，諸 如一積分器IN及-聚光器⑶。該照明^可用以調節輕射 光束，以使其斷面中具有所需之均勻度及強度分佈。 該輻射光束B係入射至固持於支撐結構（例如遮罩台）mt 上的圖案化器件（例如遮罩）]^八上，並係藉由該圖案化器件 加以圖案化。在行經圖案化器件祖後，帛射光束β穿過投 影系統PS，其將光束聚焦在基板w之目標部分c上。借助 於第二定位器Pw及位置感測器IF(例如，—干涉器件、線 性編碼器或電容式感測器），基板台WT能準確地移動，以 致在輻射光束B之路徑中定位於不同目標部分c。同樣 地第一疋位姦PM及另一位置感測器（未明示於圖}中）可 用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA， 例如在自一遮罩庫以機械方式擷取或在掃描斯間。一般而 1192ll.doc -12. 200807163 g ’支撐結構Μτ之移動可借助於—長衝程模組（粗略定位） 短衝程模組（精確定位）來實現，該等模組形成該第— 定位器PM之部分。同樣地，基板台wt之移動可使用一長 :程模組及一短衝程模組來實現，該等模組形成第二定位 m PW之。P刀。在步進機的情況下（與掃描器相反），支撐結 構MT可僅係連接至一短衝程驅動器，或可係固定。可使 用圖案化益件對準標記M1、搬及基板對準標記^、P2來 對準圖案化器件MA與基板|。#^兒明之該等基板對準 標記佔據專用目標部分’然而其可位於目標部分(此等目 標部分稱為劃線道對準標記）之間的空間内。同樣地，在 圖案化器件MA上提供多個晶粒的情形中，該等圖案化器 件對準標記可位於該等晶粒之間…光束特徵或其他量測 可使用提供於該基板台臂丁上的一傳輸影像感測器Tls。 所描述裝置可用於以下至少一模式中·· 1·在步進模式中’該支撐結構MT與該基板台WT本質上 係靜止同日守賦予該輪射光束之一整個圖案係一次性 (即，單一靜態曝光）投影至一目標部分C上。隨後，該基 板台WT在X及/或Y方向中偏移，以便能曝光一不同的目標 部分C。在步進模式中，該曝光場之最大大小會限制單一 靜態曝光中成像的目標部分c之大小。 2·在掃描模式中，同步掃描該支撐結構MT與該基板台 WT ’同時賦予該輻射光束之一圖案投影至一目標部分〇上 (即’單一動態曝光）。該基板台貿丁相對於該支撐結構mt 的速度及方向，可藉由投影系統PS之放大（縮小）倍數及影 119211.doc •13- 200807163 像反轉特徵來決定。在掃描模式中，該曝光場之最大大, 會限制單-動態曝光中該目標部分之 大大小 中），而掃描動构夕e 覓度（在非掃描方向 乍之長度則會決定該目標部分 描方向中）。 刀之同度（在掃 ::二另：模式中’支撐結構MT本質上係靜止地固持一可
矛王式圖案化器件， A 守 T 予幸m w ' σ係移動或掃描’同時-膦 予幸田射先束之圖案投影至—目標部分c上 -般會利用-具脈衝之，且該 :=士中： 在掃描期間基板台w丁之每一次運 益件係 視需要# # 後或連績輻射脈衝間 ==新。此操作模式可易於應用於採用可程式圖案化 (例如一上述類型的可程式鏡陣歹”的無遮罩微影中。 亦可使用以上說明的使用模式之組合及 不同的使用模式。 夂一飞凡王 該微影裝置LA形成一微影單似之部分，該微影單元 LC亦包含用於在基板上執行前曝光及後曝光程序之裝置。 傳統上，此等裝置包含一或多個旋轉塗布機SC來沉積一光 阻層:一或多個顯影器DE來顯影曝光的光阻，一或多個 冷减杈板CH以及一或多個烘烤模板服。一基板處理器或 自動機RO從輸入/輸出埠Ι/〇1、ι/〇2獲得一基板，將其在 不同處理裝置之間移動’且然後將其傳送至該微影裝置之 裝載機木LB。此等器件(其係經常共同稱為製程軌道 (track))係由一製程執道控制部件τ⑶加以控㈣，而該擎程 執道控制部件TCU本身藉由—監督控制㈣⑽所控制， 同時該監督控制李續s Γ ς1 糸、、死SCS亦控制該微影裝置。該控制部件· 1192H.doc - 200807163 可控制（例如）照明器及投 作該等不lim十 于、先來曝先基、板。因此，可操. 依ΓΓ獲得最大化的生產量及處理效率。 依據-具體實施例，該製程 一剝離裝置ST加以補充。㈣填充裝置舰 填料材料層塗布—其板，：埴政置FI經組態用以使用-.PH, 基板该填料材料填充該曝光及聲-之 =二充_係-已知類= 以下群組中加以選擇真=科t供應)’該填料材料可從 矽、旋塗式L ‘旋塗式Si〇2、旋塗式氮化 以 y W切、以切聚合物。在製程軌道中，用 為標準提供的—旋轉塗布機，當連接至-塗；機二可使用為填充裝置。亦可使用-多目的 個材=接至數個不同材料之供應，以便將選擇的- 易於rrr至基板上°該填料材料之所需屬性係，其應可 至可控厚度之層令’當被施加用於填充曝光及顯 :及項:且層中之孔徑時應具有流動性，以及對於移除該曝 頌衫之光阻之方法應具有抵抗性。例如，該填料實質 σ係在命剤中（用於溶解該顯影的光阻 與該顯影的光阻㈣，至少具有一實質上較低的溶解产或 =離裝置ST可係_清洗器件，其連接至—溶劑或轉 /、應，该洛劑或試劑溶解或作用於該填料材料以便將其 私除而貫質上不影響下面的基板層。此剝離裝置可係一標 準顯影器器件，其係藉由連接至一適當試劑或溶劑之供應 來加以調適。同樣，可使用一多目的器件。 " 依據本發明之-具體實施例，上述微影單元係用於執行 119211.doc •15· 200807163 一雙處理技術，如下所述。應注意·，下述說明之方法可執 行於其他裝置，例如，在某一裝置中，該剝離及填充裝置 之一者或兩者未整合至製程執道内，但上述裝置之使用可 使該欲說明之方法之執行獲得更高生產量及更高良率。上 述裝置之使用可避免在曝光間將基板從微影單元移除之需 要’從而縮短了循環.時間並確保曝光間之更高的一致性。 尤其，基板處理步驟可避免。 麥考圖3至1 2說明依據本發明之一具體實施例之一雙處 理方法’該等圖式繪示一透過本發明之該具體實施例之該 方法所應用的一基板的斷面。首先，使用一第一輻射敏感 材料層11(例如光阻）塗布基板1〇(例如矽晶圓），如圖3所 示對此加以曝光及顯影，從而依一間距P 1而形成孔徑 在/、體事貫例中，該間距接近藉由所使用的微影 裝置可成像的最小間距，如圖4所示。若該光阻係一正型 光阻，此步驟可使用一圖案化器件（例如遮罩）加以執行， 石亥圖案4匕器件且右一楚北旦f 、 /、有黑月景上之明亮特徵（例如線或凸 起），並顯影去除該光阻之被照明部分。 在一傳統雙圖案化技術中，缺 ,m ^ …、後蝕刻该基板，從而該光 阻圖案轉移至該基板 疋在本具體實施例中替換 為使用一上述類型之填料材料〗2埴古 ^ R ,,, 何卄12填充该光阻圖案中的孔 位（如圖5中所示）。如圖6所示 分，踨而兮… 士 秒丨牙…亥弟一光阻之剩餘部 伙而该弟一填料12形成島狀區 布一第-氺。 ^σ面，並在其周圍塗 ’ 弟一先阻層13，如圖7所千。、s a 法舌遂你田 ’、通吊對於第二次曝光盔 法重稷使用該第-光阻層， +光·”' 弟先阻層將保留已曝 H92Il.doc -16. 200807163 光之5己憶，兮笛 、ϊ> 之其他部分將係次臨:層::二孔:lla之形成部分外 度以致鉦法撻供七 弟一曝光將需要太高的對比 又…、凌扣供—有用的處理窗。 繼第二曝光及顯影步驟之後 _ 在第-夯阳思Λ 】如圖8所示之情形·
==中依間_形成—組第二孔徑 遠專弟一填料島狀區12係交錯 H 之圖案但呈有一仿罢& + 了鉍用於该弟一曝光相同 、 位置偏和來執行該第二曝光步驟，赤1 ± 用-不同圖案。進一步，雖如 ：°使 製，作县，每依 口武以如此方式加以繪 C疋’貫質上該等第二孔徑…騎 θ 不需要在第=尺寸’同樣，該等第二孔徑⑴ 真料島狀區12之料距間隔。 用一第二填料材料14填充該等第二孔徑…以 =〜情形。該等第二填料 的島狀ΓίΓ料12、14在基㈣之頂部形成分離間隔 島=。然後’最後步驟係將藉由該等第-及第二填料 =)14之間的空間所定義的圖案轉移至基板剛 亚私除該等填料材料(圖12)。該圖案轉 (例如)-蝕刻H / η 口系轉私步驟可係 理，以^ 板10中形成凹部15,或係其他處 基板進>填料島狀區12、14之間所定義的空間中對 . (u )错由该圖案轉移步驟形 2=具有—間距p2,該間距為成像步驟中㈣義之 Γ，Ρ1的-半。因此，可使用兩個具有一大於0.25 1值之成像步驟來圖案化具有一有效的小於〇 25u 1192ll.doc 200807163 值之特徵。 以下參考圖13至21說明本發明膏 又乃貝施之一弟二方法。在第 二曝光步驟執行及顯影之前， 成弟一方法之第一步驟與第 一方法中對應之步驟係相同，所以將不再說明。因此，圖 13至18係與圖3至8相同。 在該第二方法中’不使用一第二填料材料來填充該第二 孔徑Ua’而是選擇性地㈣或溶解該第—填料材料调 而：留該顯影的光阻13 ’在該光阻13中，孔徑13b(其對應 於第-曝光步驟中定義的孔徑na)與第二曝光步驟中定義 的孔徑na係交錯’如圖19所示。執行一圖案轉移步驟⑼ 如姓刻）以將該藉由孔徑lla與13a所定義的圖案轉移至基 板10中’從而形成如圖2〇所示之—特徵15，集。㈣，移除 該光阻13以僅保留如圖21所示之該圖案化的基板。可見， 特U 15具有間距P2，其為該等兩個曝光步驟之間距p】 的一半。 應瞭解，上述方法中任意一個’若該第二曝光非準確地 置放於該第一曝光之中部，可形成一雙間距圖案，其具有 :等於ΪΜ之外間距以及P3<P2之一内間距。此如圖^所 不 ° 雖然本文特別參考製造積體電路時使用的微影裝置，但 應瞭解此處所提及之微影裝置可有其他應用，例如製造整 合式光學系統、用於磁域記憶體的導引與偵測圖案、平板 顯不器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術 人士應瞭解，就此類替代應用而言，本文使用的術語,,晶 U92ll.doc -18 - 200807163 圓，或"晶粒”可被分別視為更通用術語”基板，，或，，目標部分， 的同義詞。本文所提到的基板可在曝光之前或之後，在 (例如）製程執道工具（通常可將一光阻層施加於基板並顯影 已曝光光阻之工具）、度量衡工具及/或檢驗工具中進行處 理备可應用時，本揭示内容可應用於此類及其他基板處 理工具。此外，例如為了產生一多層積·體電路，可對該基 板進行夕次處理，因而本文所使用術語基板亦可指已包含 多個處理層的基板。 3 雖然以上可能已特別參考使用在光學微影之背景中的本 發明之具體實施例，但應明白本發明可用在其他應用中， 例如壓印微影，且若情況允許，並不限定於光學微影。在 壓印微影中，圖案化器件中的佈局定義產生於一基板上的 圖案。可將該圖案化器件之佈局壓製於供應至該基板之一 光阻層中，在其上該光阻係藉由施加電磁輻射、熱、壓力 或其組合而固化。在光阻固化後’該圖案化器件從該光阻 移離，在其中留下一圖案。 本文所用術語"輻射"以及"光束"涵蓋所有類型的電磁輻 射，包括紫外線（UV)輻射（例如，波長約為365、355、 248、193、157或126奈米）及遠紫外線（Euv)輻射（例如， 具有5至20奈米之範圍内的波長），以及粒子束，例如離子 束或電子束。 在允許之情況下，術語”透鏡"可表示各類光學組件之任 組件或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學 組件。 119211.doc -19- 200807163 儘管以上已說明本發
之特疋具脱實施例，應明白可以 除已說明外之其他方十每#丄 M 式j施本發明。例如，本發明可採取 以下形式.-電腦程式， 器可讀取指令之-或多個“… 上揭不方法的機 士、# 個序列，或一資料儲存媒體（例如 體記憶體、磁碟或光旬，其具有儲存於其中的此_ 電腦程式。 上文所述旨在說明而非限制。因此，熟習此項技術者將 明白’可依照說明對本發明進行修改，而不會脫離下列申 清專利範圍所提出之範轉。 【圖式簡單說明】 以上已僅藉由舉例並參考隨附示意圖說明本發明之具體 實施例，其中對應參考符號指示對應部分，且其中：/、 圖1描述依據本發明之一具體實施例的一微影裝置； 圖2描述包含圖1之裝置的一微影單元； 圖3至12描述依據本發明之一具體實施例的一製造方法 中的各階段； 彳 圖13至21描述依據本發明之一具體實施例的另一製造方 法中的各階段；.以及 【主要元件符號說明】 圖22描述本發明之製造方法之一變化之結果。 10 基板 11 第一輕射敏感材料層 11a 孔徑 12 第一填料材料/第一填料島狀區 119211.doc -20· 200807163 13 第二光阻層 13 a 第二孔徑集 13b 孔徑 14 第二填料材料/第二辱 15 凹部/特徵 15， 特徵 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束輸送系統 BK 烘烤模板 C 目標部分 CH 冷凝模板 CO 聚光器 DE 顯影器 FI 填充裝置 I/Ol 輸入/輸出埠 1/02 輸入/輸出埠 IF 位置感測器 IL 照明系統/照明器 IN 積分器 LA 微影裝置 LB 裝載機架 LC 微影單元 Ml 圖案化器件對準標記 填料島狀區 119211.doc -21 - 200807163 圖案化器件對準標記 圖案化器件 支撐結構
M2 ΜΑ ΜΤ Ρ1 Ρ2 ΡΜ PS PW RO SC SCS 基板對準標記/間距 基板對準標記/間距 第一定位器 投影系統 第二定位器 基板處理器或自動機 旋轉塗布機 監督控制系統 SO 輻射源 ST 剝離裝置 TCU 製程執道控制部件 TIS 傳輸影像感測器
W WT 基板 基板台 il9211.doc -22 -

Claims (1)

  1. 200807163 十、f請專利範圍·· 1 · 一種微影單元，其包含·· 一微影裝置； 該複數個處理裝置包含 或同時包含一填充裝置及 一填充裝 —韌離裝 複數個處理裝置 置，或一剝離裝置 置；以及 控制部件，其經組 裝置。 籲 2 ·如請求項 機0 悲用以控制該微影裝 置及該處理 1之微影單元，其中該填充裝置係 旋轉塗布 3'
    ’其中該控制部件包含-儲存媒 於促使該微影單元執行一方法， 4·如請求項1之微影單元 體，其中儲存之指令用 该專指令包含： 輻射敏感材料層中 使用一第一填料在一基板之一第 的一第一圖案中填充第一孔徑； 移除㈣-輻射敏感材料層而不移除該第—填料； 在忒第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層；以及 曝光該第二輻射*感材料層至對應於一第二圖案之一 影像。 5. 士响求項4之铋影單元，其中該儲存媒體進一步包含用 於促使該微影單元執行—方法之指令，該等指令包含： 119211.doc 200807163 顯影該第二輪射敏感材料層 成第二孔徑； 以在其中該第 二圖案中形 使用一第二填料填充該等第二孔徑；以及 移除该第一輻射敏感材料層而不移除該等第一戋 填料。 6.如請求項5之微影單元，其中該儲存媒體進一步包含甩 於促使該微影單元執行一方法之指令，該等指令包含： 將-藉由沒有藉由該等第一及第二填料所覆蓋之：基 板之區域所定義的第三圖案轉移至該基板；以及 移除該等第一及第二填料。 7·如請求項4之微影單元，其中該儲存媒體進一步包含用 於促使該微影單元執行一方法之指令，該等指令包含： 顯影該第二輻射敏感材料層以在其中形成對應於該第 二圖案的第二孔徑； 移除該第一填料以在對應於該等第一孔徑之該第二輻 射敏感材料層中形成第三空隙；以及 將一藉由該等第二及第三孔徑定義之第三圖案轉移至 該基板中；以及 移除該第二輻射敏感材料層。 8·如請求項4之微影單元，其中該儲存媒體進一步包含用 於促使該微影單元執行一方法之指令，該等指令包含： 施加該第一輻射敏感材料層至該基板；以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其中該第一圖 案中形成該等第一孔徑。 119211.doc 200807163 9.如請求項I之微影單元’其中該微影裝置包含： -照明器’其經組態用以調節一輻射光束； '支撐結構’其經組態用以固持一圖案化器件，該圖 案化器件經組態用以圖案化該輻射光束； 一基板台’其經組態用以固持一基板；及 安一投影系統，其經組態用以將該圖案化的輻射光束投 衫至该基板之一目標部分上。 1〇·如請求項9之微影單元，其中控制部件經組態用以控制 照明器及投影系統來曝光該基板。 η.如請求項1之微影單元，#包含作為該填充裝置的一旋 轉塗布機以及作為該剝離裝置的一顯影器。 12. —種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含： 使用第填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 的一第一圖案中填充第一孔徑； 移除該第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料； 在忒第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層； 曝光及顯影該第二輻射敏感材料層以在其中一第二圖 案中形成第二孔徑； 使用一第一填料填充該等第二孔徑；以及 矛夕除该弟一輪射敏感材料層而不移除該等第一或第二 填料。 13 ·如請求項12之方法，其進一步包含： 將藉由沒有藉由該等第一及第二填料所覆蓋之該基板 之區域所定義的一第三圖案轉移至該基板中；以及 119211.doc 200807163 移除該等第—及第二填:料。 14 ·如凊求項13夕古、么 -, #十:方法’其中該第一圖案及該第二圖案係交 錯使件該第三圖秦中之特Μ之n , 甲之特砍之間距係小於該等第一及 弟一圖案中特徵之間距。 15·如請求項14之 苴 入 〜轉私5亥弟二圖案至該基板中之 / 1"匕3 ·蝕刻沒有藉由該等第一 該基，板之區域。 *弟-填料所覆蓋的
    16·如晴求項12之方法，其進一步包含·· 施加一第一輻射敏感材料層至一基板；以及 *光及顯景戍第—輻射敏感材料層以在其巾該第一圖 案中形成該等第一孔徑。 口月求項12之方法’其中填充該等第一及第二孔徑之步 驟包含：旋塗_填料材料至該基板上覆蓋該曝光及顯影 的輻射敏感材料層。 18·如睛求項12之方法，其中該第一填料及該第二填料係由 相同材料形成。 種在包合一微影裝置及複數個處理裝置之微影單元 中之器件製造方法，該方法包含： 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 的一第一圖案中填充第一孔徑； 矛夕除該第一輻射敏感材枓層而不移除該第一填料； 在忒第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層；以及 曝光該第二輻射敏感材料層至對應於一第二圖案之一 影像。 1192】l.dOC 200807163 2〇·如請求項19之方法，其進_步包含： 顯影該第二輕射敏感材料層以在其中 Mu 中形 使用一第二填料填充該等第二孔徑；以及 移除該第二輻射敏感材料層而不移除該等第一一 填料。 $弟一 21·如請求項20之方法，其進一步包含： 將藉由沒有藉由該等第—及第二填料所覆蓋之該基板 之區域所定義的一第三圖案轉移至該基板中；以及 移除該等第一及第二填料。 22·如請求項19之方法，其進一步包含： 顯影該第二輻射敏感材料層以在其中該第二圖案中形 成第二孔徑； / 移除該第一填料以形成對應於該等第一孔徑之第三孔 徑； 將藉由忒等第二及第二孔徑定義的一第三圖案轉移至 該基板中；以及 移除該第二輻射敏感材料層。 23·如請求項19之方法，其進一步包含： 施加該第一輻射敏感材料層至該基板；以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其中該第一圖 案中形成該等第一孔徑。 24· —種使用一微影裝置之器件製造方法，該方法包含： 使用一第一填料在一基板之一第一輻射敏感材料層中 119211.doc 200807163 的一第一圖案中填充第一孔徑； 牙夕除°亥第一輻射敏感材料層而不移除該第一填料； 在該第一填料周圍施加一第二輻射敏感材料層； 本光及顯衫该弟二輕射敏感材料層以在其中一第二圖 案中形成第二孔徑； 移除該第一填料而，不移除該第二輻射敏感材料層以形 成對應於該等第一孔徑之第三孔徑。 25·如請求項24之方法，其進一步包含： 將藉由δ亥專第二及第三孔徑定義的一第三圖案轉移至 該基板中；以及 移除該第二輻射敏感材料層。 26. 如請求項25之方法，其中該第一圖案及該第二圖案係交 錯’使付e亥弟二圖案中特徵之間距係小於該等第一及第 二圖案中特徵之間距。 27. 如請求項26之方法，其中轉移該第三圖案至該基板中之 步驟包含：餘刻沒有藉由該等第一及第二填料所覆蓋的 该基板之區域。 28·如請求項24之方法，其進一步包含： 施加一第一輻射敏感材料屠至一基板；以及 曝光及顯影該第一輻射敏感材料層以在其中該第—圖 案中形成該等第一孔徑。 29·如請求項24之方法，其中填充該等第一及第二孔徑之步 驟包含：旋塗一填料材斜至該基板上覆蓋該爆先及顯影 的輻射敏感材料層。 119211.doc 200807163 3 0.如請求項24之方法，其中該第一填料及該第二填料係由 相同材料形成。
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