TW200800841A - Ceramic powder and uses thereof - Google Patents
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Description
200800841 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於陶瓷粉末及其用途。 【先前技術】 近年來,因應電子機器之小型輕量化、高性能化之需 求,半導體封裝之小型化、薄型化、細間距化正急遽進行。 此夕^’其安裝方法亦以適用在接線基板等高密度安裝之表 面安裝成為主流。如此,半導體封裝及其衫方法正發展 中’半導體封裝材料被要求高性能化、特別是成形性、耐 純/㈣等舰的提高,而正致力進行使喊粉末、 特別疋非晶質球狀二氧切粉末高填充於環氧樹脂中之研 究m材料高填充之_係為,會使半導體封裝材料 之黏度上升,而增加未填充、電線流動、電線切斷、 移位(Chip shift)等成形加工上之不良。 為了解決此問題,則從樹脂侧及從陶末侧進行改 攸闹瓷粉末侧 八σ,丨^ a雖啕如將華德耳(音譯; 使W R之球形度提高成USU之方法(專利文獻D、 ^ R-R-S # ^(Rosin-Rammler Size distribution) 直tr之直線坡度為G·6至G.95,而擴大粒度分布之方法 ’文獻2)、在粒度分布設置财之料做為多峰性之
St布:使嶋末接近最密填充構造之方法(專利文 之勒声_旦尚不充分’若提高填充率’則半導體封裝材料 之黏度急遽上升之問題尚未解決。 319244 5 200800841 近年來,在汽車用途方面亦正 ··且11炎荽以去麻m 、订私子裝置之裝载, I求耆以未使用對環境負荷大之難不 燃性,及提供-般民生機哭以上夕〜教方式而賦予難 性)、以及射皿放置特性(耐熱 f生 >> 以及耐冷熱循環性。最近Μ別3 Λ , 時,亦強烈追,與提高成形性之同
Amh 肠性(耐熱性)的提高1而,至 7尚…、可滿足如此要求之陶瓷粉末。 (專利文獻1)日本特開平3_〇66151號公報 (專利文獻2)日本特開平6_〇8〇863號公報 (專利文獻3)曰本特開平8-003365號公報 【發明内容】 (發明所欲解決的課題) 以女本I月之目的係提供—種組成物、特別是半導體封壯 才料’該組成物,即使提高填充率而成形性、而、衣 調製具優良耐熱性、難燃 料二而且能 與,使其含在樹脂及橡膠之至少一方而 ^才抖之陶免粉末 (解決課題的手段) 本發明係一種陶瓷粉末,係其特徵,在以雷射繞射 射式粒度分布測定機所測定几、 嵝夕夕i W ^ 具有至少有兩個波 峰之夕峰性之頻率粒度分布,第一 5 on μ /反章之取大粒徑在40 且心、弟二波峰之最大粒徑在3至^之範圍内,而 含0%)叫 4卜之粒子比例為2Q質以下(包 在本發明中,係以具備從(1)進一步,具 且其最大粒徑在〇.;[至〇 8 〃 /、 一 /峰, 0.8 /zm之靶圍内;(2)氨之化學吸 319244 6 200800841 附1為〇· 1至】· 8#ffloi/g ,· (3)陶瓷片 ΐ二 氧切粉末,而地含有率為100 _中選擇之至少-種實施方式較為理想。 陶莞二:二::明係-種組成物,其特徵係以使本發明之 明==橡膠之至少-方而成者。並且,本發 明係一種丰導體封裝材料, 樹脂組成物。 a ^之組成物為環氧 (發明的效果) 根據本發明,可提供一種樹 組成物ϊ之殖充粉末之樹脂組成物中或橡谬 性,而且有優質量%以上’仍維持高成形 ,仪良耐熱性與難燃性。 【實施方式】 以下,詳細說明關於本發明。 而人t月之秦末係’由陶曼粉末組成,而在陶究中、東方 :化Γ例如’二氧化'或、氧……= 氮化石夕、氮化叙、备 和化鎮、 站虱化硼等粉末。 近、及進一步提言= 牛與半導體封裝材料之熱膨脹率接 性來看,以二氧化石夕:t耐冷熱循環性、模具之低磨耗 矽以冋溫融化所製造之非日耕" 貝一虱化 製造之非晶質二氧化石貝—乳化石夕、或者以合成法所 匕夕取適宜。非晶質二氧化矽粉末之 319244 200800841 .·晶質率係以後述方法所測定之值在95%以上較為理相。 粒产π;:兗粉末之特徵係為,在以雷射繞射散射式 所測定之粒度中,具有至少有兩個波♦之 ^峰性=率粒度分布,且第—波峰之最大粒#在4〇锋至之 //m “波峰之最大粒徑在3至8^之 上未滿之粒子比例為2〇質量%以下(包含〇 由將陶究粉末變成具有如此般之特性者 ,陶免粉末之環氧樹脂等之填充率提高至〜、 成形性,而且具有優良耐熱性與難燃 分如專利文獻3所示之多峰性粒度 至52質量%至40㈣之粒子比例係成為約40 在40至80# m之範圍有最大粒徑之第一 本發明之陶兗粉末之主要粒子,但若 子群係 4〇心,則黏度急遽上升 4 厂從未滿 物。另一方面,甚曰士』 易衣具有南成形性之組成 粒子流動阻力增加,成形性同樣惡 -係以在5…。…範圍較為理 皮:之取:粒 之粒子含有率係以4〇質 40^0㈣ 質量%以上較更理想。以_^而▲為理想,特別是以45 適宜。 以上限而吕’例如’以70質量%為 在3至8#m之範園有最大 係放入第-波峰粒子群之間障,而波蜂粒子群由於 密,所以可提高㈣粉末子填充構造變緊 ^充生,且能使組成物黏度更 319244 8 200800841 ‘為降低。較理想係4至。特$
倍之關係',藉此更提高填充性。再者,^為〇]至U 有率係以20質量%以卜鈐炎田士 之粒子含 ,“ 較為理想,特別是以30質旦0/ v 上更為理想。以上限而t 、里%以 =徑之苐三波峰粒子群係放入由第一波峰:::::最 構 填充構造之間隙,—= 性,所以可調製耐熱性與難辦性/卞仍、准持良好成形 0 ! 5 η 8 ,、難燃性更加優良之組成物。再者, :〇·8㈣之粒子含有率係以3質 特別是以U質㈣以上更為理想。…=想’ 25質量%為適宜。 敝而s ’例如’以 在本發明中,由於m ,、; l i、 μ 、 上未滿40//m之粒子在由 =Γ:或三個波•之粒子群所構成之密填充構造中 2二不含者⑽)最適宜,即使有也以最大為 ^ 取大為ι〇質量%(包含〇%)較 為理想。此條件極為重 ’早乂 v. . i ^ ,n 7尚热嚴格控制的20# m 以上未滿40# m之粒子群陶瓷粉末。 以2導體封裝材料中,通常為了促進環氧樹脂與硬化 應而進行硬化促進劑之調配。以硬化促進劑之例而 A)膦、二笼艙# 〒土―本私、三苯膦、参(4-〒苯 二—私、本膦、四苯膦四苯硼酸鹽、三苯膦四苯硼 酸鹽等有機磷系者,·如u—二氮雜雙環(5,4,g)十一婦 319244 9 200800841 :7、i’5-二氮雜雙環(no)壬烯、5,6_二丁胺基_丨,8_二 虱雜雙環(5,4, 0)十一烯_7等環脎(cycl〇amidine )化合物 所代表之有機氮系者等。—般對此等硬化促進劑組成物之 添加率係,按照組成物所要求之硬化速度在〇·丨至5質量 /6之間%擇。但疋,此等硬化促進劑之任一者皆表示強路 易士鹼性,而使半導體封裝材料之高溫放置特性(耐熱性) 於疋,在本發明之陶瓷粉末中,氨之化學性吸附量以 0·1至1.8/zm〇i/g較為理想。更加理想的係〇 i至上6 請i/g,特別理想的係U至U請1/g。氨之化學 陶係表不陶瓷粉末之表面酸度大小。經由控制 之:面酸度,可使組成物之安定硬化特性與高溫 =: 若氨之化學性吸附量未滿〇. , 成物之^進劑難以被陶£粉末之表面酸部捕捉,而惟恐組 ==置特性(耐熱性)惡化。另一方面,氨之化學 之.8_1/g’則硬化促進劑被陶究粉末 二表2性點過度捕捉’其結果使組成物之硬化速度變 又陶成形後亦難以得到所要求之組成物硬度。 吸附量別是為"氧切粉末之時,其氨之化學性 表面二:3之含有率控制。換言之’若在二氧切之 該點變成強路易士^ΓSl原子與心子之配位數不同, ”乂 塔易士酸性點。获出 一 β 含有率成為⑽至咖:"易 控制在。 將成之化學性吸附量 319244 10 200800841 、 本發明之陶瓷粉末之平均球形度係〇· 85以上、特別是 ·· 以0· 90以上較為理想。最大係以1· 〇〇為適宜。藉此,能 使組成物之黏度進一步降低。 本發明之陶瓷粉末之粒度分布係基於依雷射繞射散射 法測定粒度之值。以粒度分布測定機而言,有例如 Beckman · Coulter 公司製「Model LS-230」(粒徑通道 (channel)為log(//m) = 〇.〇4之寬度)。在測定之時,溶劑 係使用水,而前處理係在1分鐘内,使用均質機施加200W 籲之輸出進行分散處理。此外’將PUS(Polarization Intensity Differential Scattering)濃度調製成 45 至 55質量%。在水之折射率方面係使用1.33,而在樣品粉末 之折射率方面則考慮其材質之折射率。例如,在非晶質二 氧化矽方面將折射率設為1· 50。 所謂最大粒徑,係在依雷射繞射散射法之頻率粒度分 布中,表示最大值之粒子範圍之中心值。例如,在累積粒 鲁度分布中,至32//m為止之累積值為50質量%、至48/zm 為止之累積值為65質量%、至64/zm為止之累積值為70 質量%時,顯示最大值之粒子範圍係在32至48μπ!之間, 最大粒徑係被計算成32 // m與48 μ m中心之40 // m。 氨吸附量係使用升溫脫附-質譜儀(Temperature Programmed Desorption-Mass Spectrometry)TPD-MS(例 如,Anelva公司製商品名「Model Μ-400」),如以下方式 進行測定。(前處理)將樣品粉末約0. lg精秤至白金盤,以 送入管狀爐中之氦流量40ml/分鐘之狀態下以30分鐘從 11 319244 200800841 ‘ 室溫昇溫至60(TC,保持原狀10分鐘後,降溫至100°C。(氨 • 吸附)一面維持100°C,同時真空排氣,導入氨氣約13kPa, 使其吸附15分鐘。真空排氣後,使氦以50ml/分鐘之流 量流出15分鐘而將剩餘氨排出且降溫至室溫。(水處理) 在室溫中,將氬以10 ml/分鐘之流量使純水起泡 (bubbl ing),在其中混合40ml/分鐘之流量之氬而製造相 對濕度20%之惰性氣體,在此氣流下,將樣品粉末放置1 小時並將經物理吸附之氨以水取代。(氨吸附量測定)以氦 _流量40ml/分鐘,從室溫至1000°C、以20°C/分鐘之昇 溫速度昇溫並定量已脫附之氨量。再者,在氨吸附量之定 量方面係使用已修正水之影響後之m/z= 17之模型。 非晶質率係使用粉末X射線繞射儀(例如,RIGAKU公 司製商品名「Model Mini Flex」),CuK α線之20在26° 至2 7. 5 °之範圍中進行X射線繞射分析,而從特定繞射锋 之強度比測定。例如。在二氧化矽粉末之情形中,結晶質 ⑩二氧化石夕係在2 6. 7 °存在主峰,但非晶質二氧化石夕則不存 在峰值。若非晶質二氧化矽與結晶質二氧化矽摻混,則因 得到依結晶質二氧化矽比例之26. 7°之峰高,所以從相對 於結晶質二氧化矽標準樣品X射線強度之樣品X射線強度 比,算出結晶質二氧化矽摻混比(樣品之X射線繞射強度/ 結晶質二氧化矽之X射線繞射強度),而從式子:非晶質率 (% )=(1-結晶質二氧化矽摻混比)xl 00求出非晶質率。
Al2〇3含有率係經由例如X射線螢光分析儀(XRF)、X 射線能量散佈螢光分析儀(EDX)、原子吸光光譜儀(AAS)、 12 319244 200800841 ‘‘ 感應耦合電漿光譜儀(ICP)等測定。在本發明中,係將陶瓷 、 粉末以氟化氫、過氯酸之20 : 1 (體積比)之混合溶液加熱 溶解,以純水稀釋後,使用島津製作所公司製造之原子吸 光光譜儀測定A1含有率,並將其換算成Al2〇3而定量。 平均球形度係將經立體顯微鏡(例如,Nikon公司製商 品名「Model SMZ-10型」)等攝影之粒子影像放入影像解 析儀(例如,Mountech公司製商品名「MacView」),而從 照片測定粒子之投影面積(A)與周長(PM)。若將對應於周長 * (PM)之正圓面積當做(B),則因其粒子之正圓度成為 A/B,所以若假定具有與樣品之周長(PM)相同周長之正 圓,則從 PM = 2 7Γ r、Β= 7Γ r2,得到 Β= 7Γ χ(ΡΜ/2 7Γ )2, 而每個粒子之正圓度係為:正圓度二A/B=Ax47r/ (PM)2。求出如此進行所得到之任何粒子200個之正圓度, 而其平均值之平方值為平均球形度。 本發明之陶瓷粉末係例如經由混合任何成分之平均粒 馨徑為0. 1至0. 8// m之粒子、與3至8// m之粒子、與40 至80//m之粒子即可容易製造。此外,陶瓷粉末為球狀二 氧化矽粉末等球狀氧化物粉末時,係可藉由在高溫火焰中 喷射粉末原料而進行融化球狀化處理後,在以如重量沉澱 室、旋風分離器(cyclone separator)、袋濾式捕集器 (bagii Iter)、電子集塵器等捕集裝置回收之方法中,適當 變更粉末原料之粒度、喷射量、火焰溫度等處理條件,或 將回收粉做分級、篩選、混合等操作,或併用兩者而製造。 A 1 2〇3含有率之控制可例如在原料二氧化石夕粉末之表面以 13 319244 200800841 粒徑約0. i至⑹、約〇·〇1至2質量%左右之範圍内塗 -佈氧化铭粒子後,經由以火培進行溶融球形化處理。在氧 化鋁粒子之塗佈方面,可使用市售之塗佈裝置、摻合機等。 本發明之組成物係使本發明之陶竞粉末含在樹脂及橡 膠之至少-方者。組成物中 ”曰及橡 文叔末含有率通常為10 至99貝買%、以30至95質量%較為理相。 以樹脂而言’能使用例如’環氧樹脂或、石夕樹脂、齡 樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹月旨、不飽和 聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚鍵釀 二甲酸丁二醋、聚對苯二甲酸乙聚對苯 ,,u , 欠G—酉日4聚酯,聚笨硫醚 (P〇lyPhenylene sulfide)、全芳香族聚醋、聚石風 (一驗)、液晶聚合物、聚㈣、聚碳酸醋、順丁浠 一醯亞胺(maleimide)改良樹脂、ABS樹脂、AAS(丙埽腈_ 丙細橡膠•苯乙烯)樹月旨、AES(丙烯腈· 橡膠-苯乙烯)樹脂等。 邱一坤 此等之中,在半導體封裝材料方面,以i分子中 ^固以上環氧基之環氧樹脂較為理想。若舉例說明之,’俜 2 :㈣清漆型環氧樹脂、鄰甲_型環氧樹脂、紛, 等=:W脂經環氧化者、雙紛A、雙紛F及雙紛;、 4鈿水甘油醚、經由鄰苯二甲酸與二 氯丙烧之反應所得之縮水甘油酉旨酸環酸與環氧 俨与财此 衣乳樹脂、線狀脂肪族 :础曰、脂環式環氧樹脂、雜環式 、 多官能環氧樹脂、…祕型環氣樹脂、"二 型環氧樹脂、2, 7—二嶋型環氧樹脂、雙經基以 319244 14 200800841 氧树脂、進一井*炎 '脂等。尤其,二⑼了賦予難燃性而導入溴等鹵素之環氧樹 點來看,係以=耐微性和耐回焊Η— SC>ldering)性之 樹脂、萘骨竿之^祕型環氧樹脂、雙經基聯苯型環氧 、四月永之%氧樹脂等為適宜。 甲酚::樹月曰之硬化劑而言,能舉出例如,使從酚或、 異丙基::其間苯二紛、氯紛、第三丁基紛、壬基紛、 物與甲所選擇之1種或2種以上之混合 所得到之二:或==在氧化催化劑 酚ς笼雔+尹二基本乙烯樹脂、雙酚A與雙 酌S 4雙酚化合物 、叉 mrm- mm. 0子酚,、間本三酚等3官能基酚類, i丁烯一馱酐、鄰苯二曱酸
acid)酐等酸酐,間 、一酉夂—…C 苯基石風等芳香族胺基M、二胺基二 庫q田促進環氧樹脂與硬化劑之反 應’月b使用上述之如r笼贐、7。 一婦]等硬化促㈣ ,8-二氮雜-雙環(5,4,0)十 在2明之組成物方面’進一步可依需要而調配以下 髁刀:δ之’做為低應力化劑而言則有矽橡膠、多硫橡 ^ ^ ^ ^ 埤糸橡膠、本乙烯系嵌段(block) 石夕樹脂等樹脂狀物質,還有將==匕各種熱塑性樹脂、 * ,塒%乳樹脂、酚樹脂之一部份 t部以胺基聚㈣燒、環氧料氧院、絲聚石夕氧烧等 文貝之樹脂等;做為彻馬合劑而言,有 ,ldoxy)丙基三甲氧基石夕燒、終(3,4_環氧環己基)乙 基二甲氧基雜等環氧石夕燒、胺丙基三乙氧基石夕烧、服基 319244 15 200800841 -¾ 丙基三乙氧基矽烷、N_苯胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽 .烷、苯基三曱氧基矽烷、曱基三甲氧基矽烷、十八基三曱 氧基矽烷等疏水性矽烷化合物或酼基矽烷 (merxaptosilane)等;做為表面處理劑而言,有^螯合 物、鈥酸醋耦合劑、銘系輕合劑等:做為難燃助劑而言, 有Sb2〇3 Sb2〇4、Sb2〇5等,做為難燃劑而言,有鹵化環氧 樹月曰與辑化合物等,做為着色劑而言,有碳黑、氧化鐵、 染2、顏料等;再者’做為脫模劑(HK>ldreleasingagent) 而-有天然樣類、合成填類、直鏈脂肪酸金屬鹽、酿胺 類、酯類、石蠟等。 树明之組成物係可將上述各材料之預定量經由推合 =、曰了氏混合機(Hensehel mixer)等摻合後,並將經加熱 二m(kneader)、一軸或二軸擠壓機等之混練者於冷 部後,經由粉碎而製造。 气丹ίΓ!:半導體封裝材料係’本發明之組成物以由環 =體:為二宜。在使用本發明之半導體封裝材料封 衣:V體方面,係採用轉移成形(transfer·多柱塞 (multi-Plunger)等慣用之成形手段。 (實施例) -施例丄,比輕、例1 將天然矽石之粉碎物供給 形成之火焰中,進行炫融球狀化之燃燒所 二氧化梦粉末。調整火__。二=球㈣晶質 量、分級條件、混合條件,f …、、原料供給 衣k如表1所示之10種球狀非 319244 16 200800841 晶質二氧化矽粉末A至 田 ' 40/ζηι之粒子含有 敕取,徑及20/ζπι以上未滿 理粉之多段篩選操作=係糟由將原料粒度、球狀化處 子、微粒子、超微彳1木、及以篩選操作所回收之粗粒 含有率之調整係在將天^=里力乂欠更而進灯。Α1必 之前,經由在表面=之粉碎物經炼融球狀化處理 質量%之範圍下予以冷:之氧化紹超粒子在〇. 01至2 由火焰加戶1甩41 土臊而進行。平均球形度之控制係藉 由火W度與原料供給量之調整而進行。 精 皆在氧切粉以幻之非晶料其任一者 詩、2G °、°測定此等粉末之粒度分布,且求出最大 气:化C乂上未滿4Mm之粒子比例。此外,也求出 二之:學性吸附量、Ah03含有率、…m 球形度。將在40至80/am之笳圍,^ β 卞乏十均 #之乾圍、3至8"之範圍、及 ..# m之範圍中之最大粒徑各自以PI、Ρ2、Ρ3夺 示並示於表1。 d表 為了評估做為所得到之球狀非晶質二氧化石夕粉末之 導體封裝材料之填充材之特性,相對於球狀非晶質二氧化 矽粉末A至J 90份(質量份,以下相同),加入4,4,一貳 (2, 3-環氧丙氧基)_3, 3’,5, 5’ _四f基聯苯基型環氧樹脂 4.2份、酚樹脂4.3份、三苯磷〇.2份、r_環氧丙氧基丙 基三甲氧基矽烷0.5份、碳黑〇.3份、棕櫊蠟(carnai2a wax)0. 5份,且以亨氏混合機乾摻合後,以同方向咬合二 軸擠壓混練機(螺桿直徑=25mm、捏合盤長i〇Dmm、葉片迴 轉數150rpm、擠出量5kg/h、加熱器溫度1〇5至U(rc) 319244 17 200800841 /加熱混練。將混練物(擠出物)以冷卻加壓機冷卻後, •而製造半導體封裝材料,且將成形性、難燃性及耐 以下評估。此等結果係如表丨所示。 … (1) 成形性/螺旋流動 使用已裝配依據職-I-66(EP〇xy Molding Material Insti—tute,Society 〇f piastic Industry)之螺旋流動測 定用模型之轉移成形機,测定半導體封裝材料之螺旋流動 值。轉移成形條件係,模型溫度175=、成形壓力7.指卯、 響壓力保持時間90秒。 (2) 難燃性/UL-94 將半導體封裝材料轉移成形製作厚度1/8英吋之測 試片,在175°C下經後硬化(after cure)8小時後,依據 UL-94規格進行難燃性評估。 (3) 耐熱性/高溫放置特性 在S0P - 28p(導線42合金製)裝載TEG-ML1020晶片, ⑩將導線與晶片經由03〇//m之金線連接8處後,以半導體 封裝材料封裝製作模擬半導體。製作2〇個如此之模擬半導 將此等20個模擬半導體在175它下經後硬化8小時 後,在195 C中放置1500小時,冷卻至室溫後,測定有無 通電。測量8處接線中只有丨接線也算導電不良之模擬半 導體的個數。 319244 18 200800841 v 表i 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 球狀非晶質二氧化 矽粉末記號 A B C D E 隶大 粒徑 ?Κ μ m) 48 48 55 55 64 Ρ2( β m) 5. 6 7. 6 3.5 4.5 4.5 P3( μ ra) 0· 5 0.5 0. 6 0. 9 0.4 20 /z m以上未滿 40 // m之粒子比例 (%) 6.4 13.9 7.4 15. 6 14. 3 氨化學性吸附量 (//mol/g) 0.8 0.6 1.2 1.6 0.05 AI2O3含有量 (ppm) 1190 910 2600 5810 310 45 //m以上粒子之平 均球形度(-) 0.92 0.91 0.89 0. 90 0. 90 成形性/螺旋流動 (cm) 135 127 131 119 120 難燃性/UL-94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 财熱性/南溫放置 特性 0/20 0/20 0/20 0/20 1/20 19 319244 200800841 表i (接續) 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 球狀非晶質二氧化 矽粉末記號 F G Η I J 隶大 粒徑 Pl( /zm) 85 35 48 55 42 —P2Um) 5· 6 5.6 2.2 11 3.5 P3(//m) 0.5 0.5 0· 5 0.5 0.6 2 0 // in以上未滿 40 之粒子比例 (%) 5.9 18.6 14.6 19.8 37.0 氨化學性吸附量 (/zmol/g) 1· 6 1.8 0· 1 1· 1 0.2 AI2O3 含有量(ppm) 5560 6670 390 1560 560 45//m以上粒子之平 均球形度) 0.89 0.94 0.90 0. 91 0.88 成形性/螺旋流動 (cm) 80 72 106 103 86 難燃性/UL - 94 V-0 V-0 V-0 V-0 V-1 耐熱性/咼溫放置 特性 1/20 0/20 2/20 0/20 3/20 從貝知例與比較例之對比顯而易見的,根據本發明之 陶瓷粉末,能調製較比較例有優良成形性、耐熱性及難燃 性之組成物、特別是半導體封裝材料。 (產業上之可利用性) 本發明之陶瓷粉末係被使用於汽車、攜帶型電子裝 =、電腦、家庭電器等之半導體封裝材料,搭載半導體之 2板進一步係使用做為油灰、密封(sealing)材、各種 >各種工程塑膠等填充材。此外,本發明之組成物除 319244 20 200800841 % 了半導體封裝材料外,亦能使用做為使玻璃織布、玻璃不 織布、其他有機基材浸潰硬化成之如印刷基板用之預浸體 (prepreg)、與各種工程塑膠等。
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Claims (1)
- 200800841 、申請專利範圍: 戶中係射式粒度分布測定機 一 及峰之取大粒徑在40至80/zm、第 大粒徑在3至8…範圍内,而且2— 者。滿4〇“之粒子比例為2〇質量%以下(包含0%)t申請專難圍第丨項之陶末, ::,且其最大粒徑在0.1至U—内二一 申睛專利範圍第1項或第2項之陶曼粉末,1中 之化學性吸附量為G.1至1.8#m〇l/g。 ★ 如申請專利範圍第1項$當q j 罕固昂i項至弟3項中任一項之陶瓷粉末, 其中,前述陶瓷粉末為二氧化矽粉末。 如申請專利範圍第4項之陶究粉末,其中 率為100至8000ppm。 3有 —種組成物’係使如申請專利範圍第1項至第5項中任 —項之陶瓷粉末含在樹脂及橡膠之至少一方中而成者。 一種半導體封裝材料,係由申請專利範圍第6項之組成 物所構成,且樹脂及橡膠之至少一方係為環氧樹脂。 319244 22 200800841 ‘ 七、指定代表圖:無 ' (一)本案指定代表圖為:第()圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明: 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 本案無代表之化學式。 319244
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TWI457282B (zh) * | 2008-06-20 | 2014-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 非晶質矽石質粉末、其製造方法、樹脂組成物、及半導體封止材 |
Families Citing this family (20)
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---|---|---|---|---|
TWI412506B (zh) | 2006-05-12 | 2013-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 陶瓷粉末及其用途 |
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JP5265097B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-08-14 | 株式会社アドマテックス | 球状シリカ粒子、樹脂組成物及び半導体液状封止材及び球状シリカ粒子の製造方法 |
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CN102015531B (zh) * | 2008-05-16 | 2013-10-16 | 电气化学工业株式会社 | 无定形二氧化硅质粉末、其制造方法以及用途 |
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JP5555588B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-07-23 | 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社 | ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからなる成形品 |
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JP6064905B2 (ja) * | 2011-08-10 | 2017-01-25 | 日立化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、永久レジスト及び永久レジストの製造方法 |
JP6305002B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2018-04-04 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 球状シリカ粒子、その製造法およびこれを含有する樹脂組成物 |
JP6305007B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-04-04 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 球状非晶質シリカ粒子、その製造方法およびこれを含有する樹脂組成物 |
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CN104908143B (zh) * | 2015-03-23 | 2017-04-19 | 济南大学 | 一种激光烧结3d打印快速成型氧化铝粉末的制备 |
EP3364524A1 (de) * | 2017-02-21 | 2018-08-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Stator für eine elektrische rotierende maschine |
JP7063705B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2022-05-09 | 積水化学工業株式会社 | 窒化ホウ素粒子の凝集体及び熱硬化性材料 |
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Family Cites Families (15)
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JPH083365A (ja) | 1994-06-20 | 1996-01-09 | Sumitomo Chem Co Ltd | 成形用樹脂組成物 |
DE19751542A1 (de) * | 1997-11-20 | 1999-07-29 | Siemens Ag | Kunststoffmassen zur Umhüllung eines Metall- oder Halbleiterkörpers |
JP3483817B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2004-01-06 | 電気化学工業株式会社 | 球状無機質粉末及びその用途 |
CN1288914A (zh) * | 2000-08-30 | 2001-03-28 | 中国科学院化学研究所 | 一种含复合无机填料的环氧树脂组合物 |
JP4155719B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2008-09-24 | 電気化学工業株式会社 | 球状無機質粉末及びその用途 |
JP4155729B2 (ja) | 2001-10-01 | 2008-09-24 | 電気化学工業株式会社 | 球状無機質粉末およびその用途 |
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DE602004010717T2 (de) * | 2003-12-22 | 2008-04-30 | Denki Kagaku Kogyo K.K. | Härtbare harzzusammensetzung |
JP2005306923A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 無機質粉末及びこれを含有した組成物 |
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TWI412506B (zh) | 2006-05-12 | 2013-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 陶瓷粉末及其用途 |
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2011
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI457282B (zh) * | 2008-06-20 | 2014-10-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 非晶質矽石質粉末、其製造方法、樹脂組成物、及半導體封止材 |
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