TW200537543A - Image forming device - Google Patents

Description

200537543 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於將具有多數個電子放射元件之背面基 板與具有螢光體螢幕之前面基板相互對向後使其周緣部密 封的晝像顯示裝置。 【先前技術】

近年來，就次世代之輕量、薄型的平面型晝像顯示裝 置而言，係知道有使用場放射型之電子放射元件（以下稱 爲放射器）之畫像顯示裝置（以下稱爲FED)、或是使用表 面傳導型之放射器之畫像顯示裝置（以下稱爲SED)。 例如，一般而言，FED係具有隔著既定間隙對向配置 的前面基板及背面基板、而此等基板係介由矩形框狀的側 壁，使周緣部相互接合。於前面基板之內面上形成螢光體 螢幕，並於背面基板的內面上設置了作爲激發螢光體而使 其發光之電子放射源的多數個放射器。又爲了支撐施加於 背面基板及前面基板上的大氣壓負荷，而於此等基板之間 設置了複數個支撐構件。 背面基板側之電位係大約爲0V，並於螢光體螢幕上 施加陽極電壓Va。再者將由放射器所發射之電子束照射 於構成螢光體螢幕之紅、緣、藍螢光體上，藉由使螢光體 發光而達到顯示畫像。 於這樣的FED中，可以將前面基板與背面基板之間 的間隙設定爲數毫米以下，在與被使用於現在的電視或個 -5- 200537543 (2) 人電腦之顯示器的陰極射線管（CRT)相較之後，可以達到 輕量化、薄型化。

於這樣的畫像顯示裝置中，近年來則是在開發使用銦 之類的低熔點金屬材料密封前面基板與背面基板之周緣部 的方法（參考例如日本特開2002-3 1 9346號公報）。當利用 此方法時，於基板周緣部的密封面上塡充銦，並在真空環 境下通電加熱後熔融銦，密封前面基板與背面基板的周緣 部後，構成真空外圍器。藉此，可以使真空外圍器內部維 持在超高真空的狀態，而不必將基板加熱至必要以上即可 迅速密封。 當利用該方法，在銦塗布厚度均勻、且涵蓋整個基板 都沒有熱斑的狀態下，利用上述的通電加熱是有可能達到 迅速的真空密封，但是會造成塗布於4個邊部的銦先行熔 融’再使塗布於4個角部的銦隨後熔融的傾向，而於邊部 造成銦流出，發生使基板上的配線短路之問題。 換言之，由於基板係爲矩形，即使均勻地加熱，角部 的熱溢散係爲大的，而與邊部相較，角部的溫度係有較低 的傾向。又在經過一次烘烤工程的情況下，由於銦熔融後 流向角部，而造成角部的銦厚度係較邊部的銦厚度更厚之 傾向。爲此，爲了使銦熔融，在溫度低、且銦厚度厚的角 部必須花費比溫度高、且銦厚度薄的邊部更大的能量。 換言之，於上述的通電加熱中，由於角部的銦沒有熔 融，造成銦沒有由角部流出而使真空外圍器之厚度係在角 部位置變厚、或者是當爲了使角部的銦充分熔融而持續加 -6- 200537543 (3) 熱時，於邊部則提供了過多的能量而造成邊部的銦過度熔 融而斷線。如此一來，當在銦的熔融時間上產生了時間差 時，結果係造成通電加熱之本來目的，也就是迅速地真空 密封變得困難。又由於角部爲最後熔融，使得先行熔融之 邊部的銦沒有流竄的場所’而朝基板上流出，引發短路。 【發明內容】

本發明係有鑑於以上的缺點而加以發明的，其目的係 爲提供不必使背面基板及前面基板加熱至必要以上的程 度，即可使周緣部確實且容易地密封之畫像顯示裝置。 爲了達成上述目的，本發明之畫像顯示裝置，其係具 備：具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用藉由通電而熔融的密封材料加以密封之前面基板 的真空外圍器；及設置於該真空外圍器之內側的複數個畫 像顯示元件，其特徵爲：上述密封材料係爲涵蓋整個位於 上述背面基板及前面基板間之周緣部的環狀密封面而被設 置’並連接通電所用之電極，而連接該電極之部位的寬幅 係較其他部位的寬幅更爲狹窄。 又本發明之畫像顯示裝置，其係具備：具有背面基 板、及與該背面基板對向面配置，且其周緣係利用藉由通 電而熔融的密封材料加以密封之前面基板的真空外圍器； 及設置於該真空外圍器之內側的複數個畫像顯示元件，其 特徵爲··上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及 前面基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，並連接通電 200537543 (4) 所用之電極，而連接該電極之部位的剖面積係較其他部位 的剖面積更小。

再者’本發明之畫像顯示裝置，其係具備··具有背面 基板、及與該背面基板對向面配置，且其周緣係利用藉由 通電而熔融的密封材料加以密封之前面基板的真空外圍 器·，及形成於上述前面基板的內面之螢光體螢幕；及設置 於上述背面基板的內面，並可以放射出電子束至上述螢光 體螢幕而使螢光體螢幕發光之電子放射源，其特徵爲：上 述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面基板間 之周緣部的環狀密封面而被設置，並至少於2個地方連接 通電所用的電極，而連接該電極之部位的寬幅係較其他部 位的寬幅更爲狹窄。 根據上述發明時，可以使密封材料之連接電極的部位 先行熔融，並使遠離該部位的其他部位隨後熔融，因而可 以控制密封材料的熔融順序。 又，本發明之畫像顯示裝置，其係具備：具有背面基 板、及與該背面基板對向面配置，且其周緣係利用密封材 料加以密封之前面基板的真空外圍器；及設置於該真空外 圍器之內側的複數個畫像顯示元件，其特徵爲：上述密封 材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面基板間之周緣 部的環狀密封面而被設置，上述密封面之角部的密封材料 之剖面積係較其他部位的剖面積更小。 再者，本發明之畫像顯示裝置，其係具備：具有背面 基板、及與該背面基板對向面配置，且其周緣係利用密封 -8- 200537543 (5) 材料加以密封之前面基板的真空外圍器；及設置於該真空 外圍器之內側的複數個畫像顯示元件，其特徵爲：上述密 封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面基板間之周 緣部的環狀密封面而被設置，上述密封面之角部的密封材 料之寬幅係較其他部位的寬幅更爲狹窄。 【實施方式】

爲實施發明之最佳形態 以下，參照圖面，針對適用於FED之本發明之畫像 顯示裝置的實施形態加以詳細說明。 如第1圖及第2圖所示，該FED係具備了作爲絕緣 基板之分別由矩形狀的玻璃所構成之前面基板1 1及背面 基板1 2，此等基板係隔著約1 · 5〜3 · 0mm的間隙對向配 置。再者，前面基板1 1及背面基板1 2係介由矩形框狀的 側壁1 8使周緣部被密封，並使內部維持在真空狀態而構 成扁平矩形狀的真空外圍器1 0。 如後所述，背面基板1 2與側壁1 8之間的密封面係利 用燒結玻璃等低融點玻璃3 0加以密封，而前面基板1 2與 側壁1 8之間係利用被形成於密封面上之基底層3 1及被形 成之該基底層上之銦層3 2 (密封材料）熔融結合而成的密封 層3 3加以密封。 於真空外圍器1 0之內部，爲了支撐施加於背面基板 12及前面基板1〗的大氣壓負荷，而設置了複數個支撐構 件1 4。此等支撐構件1 4係朝向與真空外圍器1 〇之長邊 -9 - 200537543 (6) 平行的方向延伸的同時，並沿著與短邊平行的方向隔著既 定的間隔加以配置。又針對支撐構件1 4之形狀沒有特別 的限定，使用柱狀的支撐構件亦可。

如第3圖所示，於前面基板1 1的內面上形成螢光體 螢幕1 6。此螢光體螢幕1 6係利用發光爲紅、綠、藍3色 的螢光體層R、G、B及矩陣狀的黑色光吸收部2 0加以形 成。上述之支撐構件1 4係像是隱藏於黑色光吸收部的影 子下加以配置。又螢光體螢幕1 6上係蒸鍍了作爲金屬背 層之未圖示的銘層。 如第2圖所示，於背面基板1 2的內面上設置了多個 作爲激發螢光體層R、G、B之電子放射源，分別放射出 電子束之場放射型的電子放射元件22。此等電子放射元 件22係分別對應每個畫素，呈複數列及複數行配置，具 有作爲畫像顯示元件的機能。 當詳細說明時，於背面基板1 2的內面上形成導電性 陰極層24，再於該導電性陰極層上形成具有複數個凹槽 25的二氧化矽膜26。於二氧化矽膜26上形成由鉬、鈮等 構成之閘極2 8。再者，於背面基板1 2內面之各個凹槽2 5 內，設置了由鉬等構成之錐狀的電子放射元件22。除此 之外，於背面基板1 2上，形成了連接於電子放射元件22 之未圖示之矩陣狀的配線等。 於如上述所構成之FED中，映像信號係被輸入於被 形成爲單純矩陣方式的電子放射元件2 2及閘極2 8。在以 電子放射元件2 2爲基準的情況下，亮度最大的狀態時， -10-

200537543 (7) 係爲施加了+ι〇〇ν的閘電壓。又於螢光體螢幕] 施加了 +1 OkV。再者，由電子放射元件22所放 電子束尺寸係根據閘極2 8的電壓而變更調整， 電子束激發螢光體螢幕16之螢光體層而使其發 示畫像。 其次，針對如上述所構成之FED的製造方 細說明。 首先，於構成前面基板1 1之板玻璃上形成 幕1 6。此係準備一塊與前面基板1 1相同尺寸的 於該板玻璃上利用繪圖機器形成螢光體層之條紋 由將形成了該螢光體條紋圖案的板玻璃與前面基 玻璃置放於定位器上後再設置於曝光台上，曝光 形成螢光體螢幕1 6。 其次，於背面基板用之板玻璃上形成電子 22。於該情況下，於板玻璃上形成矩陣狀之導 層，再於該導電性陰極層上，利用例如熱氧化 法、或是濺射法形成二氧化矽膜之絕緣膜。 其後，於該絕緣膜上，利用例如濺射法或電 法形成鉬或鈮等閘極形成用之金屬膜。其次，於 上’利用微影法形成對應於應該形成閘極之形狀 案。將該光阻圖案作爲光罩，利用重力蝕刻法或 刻法蝕刻金屬膜，形成閘極2 8。 其次，將光阻圖案及閘極作爲光罩，利用重 或是乾式蝕刻法絕緣膜，形成凹槽25。再者， .6上係爲 射出來的 藉由使該 光，以顯 法加以詳 螢光體螢 板玻璃， 圖案。藉 板用的板 、顯影後 放射元件 電性陰極 法、CVD 子束蒸鍍 該金屬膜 的光阻圖 是乾式蝕 力蝕刻法 除去光阻 -11 - 200537543 (8) 圖案後，利用由對於背面基板表面爲傾斜既定角度的方向 進行電子蒸鍍，而於閘極2 8上形成例如由鋁、鎳或是鈷 所構成的剝離層。其後，再由對於背面基板表面爲垂直的 方向，利用電子束蒸鍍法蒸鍍作爲陰極形成用之材料，例 如鉬。藉此，於各凹槽25內部形成電子放射元件22。接 著，利用微影法除去剝離層及被形成於其上之金屬膜。

接著，在大氣中，將形成了電子放射元件22之背面 基板1 2的周緣部與矩形框狀的側壁1 8之間的密封面利用 低融點玻璃相互密封。同時，在大氣中，於背面基板12 上利用低融點玻璃3 0密封複數個支撐構件1 4。 其後，介由側壁1 8，將背面基板1 2與前面基板1 1 相互密封。於該情況下，如第4圖所示，首先，於構成前 面基板1 1側之密封面1 1 a的內面周緣部上，涵蓋整個周 緣部形成基底層3 1。該密封面1 1 a係對應於構成背面基 板12側之密封面18a的側壁18之上面而形成爲矩形框 狀，並順著前面基板1 1內面之周緣部延伸。再者，密封 面1 1 a係具有對向的2組直線部，換言之具有4個邊部及 4個角部的同時，且被形成爲大約與側壁1 8之上面相同 尺寸及相同寬幅。基底層3 1的寬幅係被形成比較密封面 1 1 a的寬幅稍微狹窄一點。於本實施形態中，基底層3 1 係爲塗布銀糊加以形成。 其次，於基底層3 1的上面，塗布由低融點金屬構成 之作爲密封材的銦，涵蓋整個基底層3 1，並形成無縫且 連續延伸的銦層3 2。此時，分別由密封面1 1 a之4個邊 -12- 200537543 Ο) 部之略爲中央的位置朝向隣接的角部，使剖面積爲緩慢變 窄的狀態下，分別形成各個邊部的銦層3 2。再者，分別 於4個角部中將電極3 4連接於銦層3 2上。又銦層3 2係 塗布於基底層3 1的寬幅內。

銦層3 2的形狀係不限於此，至少使角部中之銦層的 剖面積較其他部位的剖面積爲小即可。又電極3 4的位置 係不限於角部，連接於邊部亦可。於該情況下，以連接電 極3 4之部位的剖面積較其他部位的剖面積更小爲佳。 如上述所示，藉由在連接電極3 4的4個角部之銦層 3 2的剖面積較其他部位更小，如後述所示，在介由電極 3 4於銦層3 2上通電使其熔融時，使得剖面積爲小之角部 的銦層3 2較其他部位先行熔融，邊部之略呈中央位置的 剖面積較大之銦層3 2爲最後熔融。換言之，藉由控制銦 層3 2之剖面積，可以將銦層3之熔融順序控制爲上述的 順序，介由連接於角部的電極3 4，使熔融後的銦先流 動，由於熔融後的銦係由邊部流出，因此不必擔心會造成 背面基板1 2上之配線的短路，並可以使側壁1 8之密封面 1 8 a與前面基板1 1之密封面Π a容易且確實地密封。 於本實施形態中，在密封面1 1 a上形成銦層3 2後， 在通電加熱，並將前面基板Π黏著於側壁1 8之間，由於 經過了如後所述之烘烤工程，使得形成於密封面1 1 a上的 銦層3 2熔融。爲此，於本實施形態中，如第4圖所示， 由密封面1 1 a之各個邊部的略呈中央的位置朝向隣接的角 部方向，使銦層3 2的寬幅緩慢變窄地形成銦層3 2，使得 - 13- 200537543 (10) 銦層3 2之剖面積隨之變化。換言之，在銦層3 2熔融的情 況下，由於在塗布寬的部位有銦集中的傾向，藉由控制銦 層3 2之塗布寬度，可以使邊部之略呈中央位置的銦層3 2 之剖面積較角部更大。

更具體言之，在本實施形態中，將各邊部之略呈中央 的附近且爲寬幅最大的部位設定爲2.0 [mm]的寬幅，而靠 近角部之寬幅最小的部位設定爲1 · 8 [mm]的寬幅，使銦層 3 2的寬幅緩慢變化。換言之，在本實施形態中，密封面 1 1 a之角部中的銦層3 2寬幅係對於邊部之略呈中央位置 的寬幅而言爲9 0 %的狀態，將銦層3 2的寬幅緩慢變化。 然而，邊部中央與角部中之銦層 3 2的寬幅比過大 時，造成角部附近之銦層32的發熱變大，造成角部與邊 部中的銦所須熔融的時間差變大，最糟的情況會造成角部 附近之銦層3 2斷線的可能。反之，當銦層3 2之寬幅比過 小時，如上述所示，使得角部附近之銦層3 2的厚度變 厚，造成邊部的部份先熔融，產生由邊部中央使銦流動的 問題。實驗的結果得知，對於邊部中央而言，將角部的寬 幅比設定在50〜98%的情況下就不會發生這樣的狀況。 又，於本發明中係使用銦作爲密封材料，但是亦可以 使用Ga、Bi、Sn、Pb、Sb等低融點金屬或此等低融點金 屬的合金。 又於上述說明中，雖然使用所謂「融點」的表現，但 是在由2種以上之金屬所構成的合金時，會造成融點不被 定義爲單一的情況。一般而言，在那樣的情況下，係被定 -14- 200537543 (11) 義爲液相線溫度及固相線溫度。前者係爲由液體的狀態下 降溫度時，合金的一部份開始固化的溫度，而後者係爲使 合金全部固化的溫度。於本實施形態中，就說明的便利性 上’即使在這樣的情況下亦使用所謂融點的表現，係指將 固相線溫度稱作爲融點。

一方面’如前述所示之基底層3 1係對於金屬密封材 料而S爲潤濕性及密合性佳的材料，換言之係使用對於金 屬密封材料而言爲親和性高的材料。除了上述的銀糊之 外，亦可以使用金、鋁、鎳、鈷、銅等金屬糊。金屬糊之 外，亦可以使用銀、金、鋁、鎳、鈷、銅等金屬電鍍層或 蒸鍍膜、或者是玻璃材料層。 接著，如第5圖所示，將基底層3 1及銦層3 2被形成 於密封面1 1 a上之前面基板1 1、與將側壁1 8黏著於背面 基板1 2上之背面側組合體，在使密封面η &、1 8 a相互面 對，且隔著既定的距離相互對向的狀態下，利用器具等加 以支撐，放入真空處理裝置內。 如第6圖所示，該真空處理裝置1 〇 〇係依序被設置了 裝載室1 0 1 ;烘烤、電子束洗淨室1 0 2 ;冷卻室1 0 3 ;吸 氣膜蒸鍍室104;組裝室105;冷卻室1〇6;及卸載室 1 0 7。此等各室係以作爲可進行真空處理之處理室加以構 成，因此於FED之製造時全室係維持真空排氣的狀態。 又相鄰的處理室之間係利用未圖示之管閘（gate bulb)等加 以連接。 隔著既定間隔對向配置之背面側組合體及前面基板 -15- 200537543 (12) 1 1，係放入於裝載室1 0 1後再將裝載室1 0 1內形成爲真空 環境後，傳送至烘烤、電子束洗淨室1 02。在烘烤、電子 束洗淨室1 〇 2中，係在達到1 (Γ 5 p a程度的高真空度狀態 下，將背面側組合體及前面基板1 1加熱烘烤至3 00 °C左 右的溫度，使各零件之表面吸附氣體充份排出。

在此溫度下使銦層3 2 (融點約爲1 5 6 t )熔融。此時如 前述所示，由於銦層3 2係由密封面1 1 a之各邊部略呈中 央的位置朝向隣接的角部方向緩慢地使寬幅變窄地加以構 成，因此即使在熔融的情況下，銦係集中於各邊部之略呈 中央位置之寬幅寬的部位，使得角部的銦之剖面積係較其 他部位爲小。同時，由於銦層3 2係被形成於親和性高之 基底層3 1上，因此熔融的銦係不會流動而會維持在基底 層3 1上，因此可以防止朝電子放射元件側或背面基板的 外側、或是螢光體螢幕1 6側流出。 又，在烘烤、電子束洗淨室1 〇 2中，在加熱的同時， 由被安裝於烘烤、電子束洗淨室1 02之未圖示的電子束產 生裝置，朝向前面基板11之螢光體螢幕面、及背面基板 1 2之電子放射元件面照射電子束。由於此電子束係利用 安裝於電子束產生裝置外部的偏向裝置，進行偏向掃描， 因此可以利用電子束洗淨整個螢光體螢幕面及整個電子放 射元件面。 加熱、電子束洗淨後，背面側組合體及前面基板11 係被傳送至冷卻室1 03，將其冷卻至例如1 〇〇°C的溫度。 接著，背面側組合體及前面基板11係被傳送至吸氣膜蒸 -16 - 200537543 (13) 鍍室1 04，此時於螢光體螢幕的外側上蒸鍍形成Ba膜來 作爲吸氣膜2 7。該B a膜係可以防止表面由於氧或碳等而 被污染，可以維持在活性的狀態。

其次，背面側組合體及前面基板1 1係被傳送至組裝 室1 0 5。此時介由4個電極3 4將銦層3 2通電加熱，使得 銦層3 2再度熔融爲液狀或是軟化。即使如此，如上述所 示相同，銦層3 2係因爲使寬幅由各邊部之略呈中央的位 置朝向隣接的角部緩慢變窄地加以構成，因此會由剖面積 小的角部先熔融，再朝向邊部的中央部慢慢熔融。如此一 來，藉由可以控制銦的熔融順序，成爲在由角部之銦流出 的情況下熔融邊部的銦，因而可以防止在邊部中央熔融後 的銦流出。 再者，在該狀態下，接合前面基板1 1及側壁1 8並施 加既定的壓力後，使銦冷卻固化。藉此，使前面基板11 之密封面11a與側壁18之密封面18a利用熔融結合銦層 3 2及基底層3 1而成的密封層3 3加以密封，形成真空外 圍器10。 如此所構成之真空外圍器1 〇係在冷卻室1 〇6冷卻室 常溫後，由卸載窒1 〇7取出。藉由以上的工程，完成了 FED。 如以上所述，當根據本實施形態時，於前面基板11 之密封面11a上形成銦層32，並藉由通電加熱該銦層32 而使其熔融，由於如此密封前面基板Π，因此不必將前 面基板1 1及背面基板1 2加熱到必要以上即可使兩者密 -17- 200537543 (14) 封。尤其是在本實施形態中，由於矩形框狀之密封面1 1 a 的4個邊部各自從略呈中央的位置朝向隣接的角部，使銦 層3 2的寬幅緩慢變窄地加以構成，因此在通電加熱銦層 使其熔融時，會造成由4個角部附近的銦先行熔融，並可 以防止銦由各邊部中央附近流出，因此可以將前面基板 U容易且確實地密封於側壁1 8上。

又，本發明係不限定上述實施形態，在實施階段中只 要不脫離本發明之要旨的範圍下具體變化構成要素亦可。 又可以藉由揭示於上述實施形態中之複數種構成要素的適 當組合，形成各種發明。例如從揭示於上述實施形態中的 全部構成要素中削除幾個構成要素亦可。再者，將涵蓋不 同的實施形態之構成要素適當組合亦可。 例如在上述實施形態中，雖然針對在基底層3 1上面 形成如上述所示之使寬幅變化的銦層3 2的情況加以說 明’但是先涵蓋整個基底層3 1形成銦層3 2後，再藉由削 除邊緣部使寬幅變化，進行形狀加工亦可，無論任何一種 方式，只要將銦層的形狀設定爲連接電極3 4之部位的寬 幅係小於其他部位的寬幅即可。 例如，於上述的實施形態中，雖然由密封面丨〗a之各 邊部略呈中央的位置朝向隣接角部方向緩慢地使寬幅變窄 小’以形成銦層32，但是如第7圖所示，於錯開各邊部 中央位置作爲最大寬幅的情況來形成銦層3 2亦可。具體 而言’對於各邊部之整個長度，於與角部分離3 〇%以上的 位置形成爲最大寬幅爲佳。 -18- 200537543 (15) 又於上述實施形態中，雖然使銦層3 2的寬幅連續性 地變化，但是如第8圖所示，將銦層的寬幅成爲階段性變 化亦可。再者如第9圖所示，於局部形成凸部亦可。該凸 邰係具有集合熔融後的銦’並防止由邊部流出的機能（日 本特開 2002-184329)。

換言之’本發明不限於如上述所示之利用通電加熱使 銦熔融的情況，利用角部與邊部之熱容量的不同決定銦熔 融順序的加熱方式’換言之，在利用高周波加熱或紅外線 加熱、雷射加熱，使銦局部加熱的情況下，亦可以採用本 發明之銦塗布形狀。又雖然在利用單獨加熱使銦熔融後再 密封的情況下，多少會有些差異，但是由於產生熱容量的 差異因此也可以採用本發明之銦塗布形狀，在該情況下， 設置上述的凸部尤其有效。 又於上述的實施形態中，雖然將對於各邊部中央之寬 幅而言，使角部的寬幅設定爲5 0 %〜9 8 %，但是在烘烤處 理後則不受該限制。又銦的塗布工程係在烘烤工程後的情 況下或是在沒有烘烤工程的情況下，除了藉由銦的塗布寬 幅外，亦可以利用塗布厚度或銦的剖面形狀加以變化，使 其剖面積緩慢變化。 又在上述的的實施形態中，雖然在密封面上形成基底 層，再於其上形成銦層的構造，但是不採用基底層，而直 接於密封面上塡充銦層的構造亦可。於該情況下，由密封 面之各邊部的略呈中央位置朝向隣接的角部，使寬幅緩慢 變窄的狀態下來設置銦層，亦可以得到與前述實施形態相 -19- 200537543 (16) 同的作用效果。 一方面，於上述的實施形態中，雖然爲僅於前面基板 1 1之密封面1 1 a上形成基底層3 1及銦層3 2的狀態下進 行密封的構造，但是僅於側壁1 8之密封面1 8a、或是於 前面基板1 1之密封面1 1 a及側壁1 8之密封面1 8 a的兩方 上皆形成基底層3 1及銦層3 2的狀態下進行密封的構造亦 可 〇

另外，本發明係不限於上述的實施形態，在本發明的 範圍內各種變更皆可。例如將背面基板與側壁之間，利用 與上述相同之熔融結合基底層3 1及銦層3 2而成的密封層 加以密封亦可。又將前面基板或是背面基板之一方的周緣 部彎曲形成，不必介由側壁而直接黏合此等基板的構造亦 可〇 又於上述的實施形態中，雖然使用了場放射型之電子 放射元件作爲電子放射元件，但是不限於此，使用pn型 之冷陰極元件或是表面傳導型之電子放射元件等其他電子 放射元件亦可。又本發明係也可適用於電漿顯示面板 (PDP)、電致發光（EL)等其他畫像顯示裝置。 產業上之可利用性 本發明之畫像顯示裝置係因爲具有上述之構造及作 用，因此不必將背面基板及前面基板加熱至必要以上的程 度，即可使周緣部確實且容易地密封。 -20- 200537543 (17) 【圖式簡單說明】 第1圖係爲顯示關於本發明之實施形態之FED外觀 的立體圖。 第2圖係爲沿著第1圖之線A-A的剖面圖。 第3圖係顯示上述FED之螢光體螢幕之部份平面 圖。

第4圖係顯示在構成上述FED之真空外圍器的前面 基板之密封面上形成銦層的狀態之部份平面圖。 第5圖係顯示將於上述密封面形成銦層的前面基板與 背面側組合體相互對向的狀態之部份剖面圖。 第6圖係顯示用於上述FED製造之真空處理裝置的 槪略圖。 第7圖係爲第4圖之銦層的變形例的影像圖。 第8圖係爲第4圖之銦層的其他變形例的影像圖。 第9圖係爲第4圖之銦層的另一變形例的影像圖。 【主要元件符號說明】 1 〇真空外圍器 1 1前面基板 1 1 a密封面 1 2背面基板 1 4支撐構件 16螢光體螢幕 -21 - 200537543 (18) 1 8 a密封面 2 0黑色光吸收部 2 2電子放射元件 24導電性陰極層 25凹槽 2 6二氧化砂膜 2 8閘極

3 0低融點玻璃 3 1基底層 32銦層 3 3密封層 34電極 100真空處理裝置 101裝載室 102烘烤、電子束洗淨室 1 〇 3冷卻室 104吸氣膜蒸鍍室 1 〇 5組裝室 1 〇 6冷卻室 107卸載室 -22-

Claims (1)

1. 200537543 (1) 十、申請專利範圍 1·一種畫像顯示裝置，其係具備： 具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用藉由通電而熔融的密封材料加以密封之前面基板 的真空外圍器；及 設置於該真空外圍器之內側的複數個畫像顯示元件， 其特徵爲：

   上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面 基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，並連接通電所用 之電極’而連接該電極之部位的寬幅係較其他部位的寬幅 更爲狹窄。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之畫像顯示裝置，其中 上述密封面係具有略呈矩形框狀， 上述電極係於上述密封面的4個角部各自與上述密封 面材料連接， 上述密封材料係由上述密封面4個邊部之略爲中央的 位置朝鄰接角部的方向，使寬幅變狹窄地被設置於上述密 封面上。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之畫像顯示裝置，其中 上述角部之上述密封材料的寬幅係對於上述邊部之略爲中 央的寬幅而言爲5 0 %〜9 8 %。 4 · 一種畫像顯示裝置，其係具備： 具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用藉由通電而熔融的密封材料加以密封之前面基板 -23- 200537543 (2) 的真空外圍器；及 設置於該真空外圍器之內側的複數個畫像顯示元件， 其特徵爲： 上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面 基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，並連接通電所用 之電極，而連接該電極之部位的剖面積係較其他部位的剖 面積更小。

   5 ·如申請專利範圍第4項所述之畫像顯示裝置，其中 上述密封面係具有略呈矩形框狀， 上述電極係於上述密封面的4個角部各自與上述密封 面材料連接， 上述密封材料係由上述密封面4個邊部之略爲中央的 位置朝鄰接角部的方向，使剖面積變小地被設置於上述密 封面上。 6 .如申請專利範圍第5項所述之畫像顯示裝置，其中 上述角部之上述密封材料的剖面積係對於上述邊部之略爲 中央的剖面積而言爲50%〜98%。 7.—種畫像顯示裝置，其係具備： 具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用藉由通電而熔融的密封材料加以密封之前面基板 的真空外圍器；及 形成於上述前面基板內面上之螢光體螢幕；及 設置於上述背面基板內面，並可以放射出電子束至上 述螢光體螢幕而使螢光體螢幕發光之電子放射源，其特徵 >24- 200537543 (3) 爲： 上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面 基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，並至少於2個地 方連接通電所用的電極，而連接該電極之部位的寬幅係較 其他部位的寬幅更爲狹窄。 8·—種畫像顯示裝置，其係具備：

   具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用密封材料加以密封之前面基板的真空外圍器；及 設置於該真空外圍器之內側的複數個畫像顯示元件， 其特徵爲： 上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面 基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，上述密封面之角 部的密封材料之剖面積係較其他部位的剖面積更小。 9·一種晝像顯示裝置，其係具備： 具有背面基板、及與該背面基板對向面配置，且其周 緣係利用密封材料加以密封之前面基板的真空外圍器；及 設置於該真空外圍器之內側的複數個畫像顯示元件， 其特徵爲： 上述密封材料係爲涵蓋整個位於上述背面基板及前面 基板間之周緣部的環狀密封面而被設置，上述密封面之角 部的密封材料之寬幅係較其他部位的寬幅更爲狹窄。 1 〇 ·如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之畫像 顯示裝置，其中上述密封材料係爲含有In、Ga、Bi、 Sn、Pb、Sb之低融點金屬、及含有此等低融點金屬之合 -25- 200537543 (4) 金中的任一'種。

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