TW200534378A - Method of testing semiconductor wafers with non-penetrating probes - Google Patents

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五、發明說明α) 本申請案主張西元2004年4月8曰申請之美國臨時 申請案件第60/ 560, 682號優先權，且參考先前申請案$利 本申請案中。 ~ 發明背景 發明領域 _本發明係關於測定半導體晶圓或樣品、絕緣體上半、曾 體晶圓（semiconductor_on-insulator wafer)或樣 σ = 任何置放於其上之薄膜的電性；更明確地，係關於二種° 非破壞性之方式來測定那些電性。 g目關技術說明 迄今，半導體晶圓、樣品或絕緣體上半導體晶圓、 二口，半導體材敎薄膜t阻測言式需要使用㈣的如合金或 電：ί他ΐ屬！一種所構成之具有相當堅硬且無彈性的導 胖&二二二ΐ益（contacts)或探針。這些探針通常被安 =十;·八有惮黃而能提供順應性的、接觸的壓力給各個觸點 1P )及精確滑動軸承，以使各個觸點能順應地縮回樣 個:ί之手持機械裝置。覆蓋於受測樣品之上通常包括一 置的或是於石夕晶的情況下係自然產生的介層或薄 儀k Φ =時Α’一或更多這些探針（視測試種類而定）被用 探斜網二層薄膜後接觸半導體材料表面。此穿入之結果由 十觸點硬度及所施力道而定。雖然為接觸置於其下之層 人；TiT目或办材料’ &穿入介層係必要的，但其亦產生令 桌見之穿入半導體材料本身之結果。 又薄膜電阻測試之晶圓或樣品之半導體材料的每個區

• 200534378 五、發明說明（2) 域包括為改變其電性而以於此種技術中已知 丰導體材料之摻雜劑原子（dopant atoms)。隨；：： 術的改良，形成於晶圓上之積體電路 喃氣工 劑原子被導入各晶圓之半導體材料的深度也二：；摻， 二，今該摻雜劑原子通常被導入緊接半導體材料之： 體（volume )内而其深度小於5〇奈米之處。 ▲ ¥入4雜劑原子之處之塊體與位於其下方 料的導電性通常並不相同於此種廣人1體材 则基板（substrate)上方之N型塊體，^為之人亦知缺的’例 •b益當被用來執行晶圓或樣品的薄膜電阻探針 半導體材料的表面時，通常深達數十奈米，==十2 針的觸點通常位於比介於塊體及其下半 ^夕二 間電荷區（4接人而、V , 啊^十之間的空 电二 ^飞接。面）（space-Charge regi〇n (〇Γ junc ion))更低的位置。我們已知當一或多探 B ! 個接合f 位於其下的半導體材料的一項或多項特性^ 併入測！中’因此其精確性就會受到損害。並且：因：鬥 或於其上形成之薄膜之半導體材料之薄膜電阻於s曰曰二 上多個點實施，此種測試產生的毁損使得晶圓不 ^產積體電路的量產晶圓來使用。 、。作為 =此1要克服上述及其他問題者係—個 =要穿入半導體材料或薄膜之晶圓或於其上形成之 半導體材料的薄膜電阻測試。 / 、 本發明是一種測試半導體樣品的方法。此方 (a)提供複數隔開的探觸器，其中每種探觸器係由一^不會

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五、發明說明（3) 於其上形成氧化物或會形成導電的氧化物之具彈性、可變 形的且會導電的材料所構成；（b )使探觸器與半導體樣品 相接觸，探觸器因此於其彈性限度内變形但並未穿入或毁 損半導體樣品的表面；（c )經由探觸器的次群組 (subse t )，使電流於半導體樣品内流動；（d)測量半導 體樣品内因電流流動而引起之電壓；及（e )測定半導體樣 品至少一項電性作為於其内流動電流值及測得電壓之函 數0 採觸益之次群組得包括複數探觸器之全部的或少於全 的探觸器。 ' 依此方法，步驟（a)得包括供給二探觸器；步驟（〇)得 包括胃使得電流經由該二探觸器於半導體樣品中流動；步驟 (^)得包括測量半導體樣品中經由該二探觸器所引起之電 壓’及步驟（e)得包括測定下列中至少一項：半導體樣品 之電m率、(resistivity )、半導體樣品之薄膜電阻、及 為改變半導體樣品之半導體材料之電性而導入之摻雜劑原 子之密度。 μ 或者，步驟（a)得包括供給三探觸器；步驟（c)得包y ^得π電流經由探觸器中二種於半導體樣品中流動；步驟 、古侍包括測量半導體樣品中經由剩下的探觸器及帶有電 ϊΐϊ中一探觸器所引起之電壓；及步驟（e)得包括測定 雪中至少一項：半導體樣品之電阻率、半導體樣品之丨 阻、及為改變半導體樣品之半導體材料之電性而導> 之摻雜劑原子之密度。

200534378 五、發明說明（4) 或者’步驟(a)得包括供給四探觸器；步驟(c)得包括 Π電流經由探觸器中二種於半導體樣品中流動；步驟 U)传包括測1半導體樣品中、經由探觸器另外 之電壓；及步驟（e)得包括測定下列中至少一項：半導體 J品之電阻率、半導體樣品之薄膜電阻、及為改變半導體 ί之ί導？材料之電性而導入之摻雜劑原子之密度。此 四：觸窃之貫體間隔及相關位置係可選擇的，用以決定當 =定半導體樣品至少-項電性時所在之半導體樣品之區 域0 複數探觸器能被線性間隔。 此方法可進一步包括重複步驟（c )至步驟（d )複數 =，改變母次重複步驟（c)至步驟（d)時的探觸器次群組的 ；於重複步驟（C)至步驟（(〇程序其中，步驟㈠）包括 ::I :中至少一項：半導體樣品之電阻率、半導體樣品 道〜、:阻、及為改變半導體樣品之半導體材料之電性而 雜劑原子之密度，作為半導體樣品内流動之電流 及所測得電壓之函數。 導體樣品包括一覆蓋半導體材料之介電膜，探觸 U =接觸到相反於半導體材料面的介電膜表面且該電流 月b =机經介於半導體材料及任一次群組探觸器間之介電 二之牙隧電流（tunneling current )。合於意欲地，電 到抑制（constrained)，因此介電膜不會發生任何 介電膜可以是刻意置放之（或生成之）膜及/或因暴

第9頁 200534378 五、發明說明（5) 路於大氣％ i兄中而生成於半導體材料上之膜。 "電膜可以是厚度小於或等 每，探觸器可由翻或鈒所構成3。不未之—乳化石夕層。 半‘體樣品可以包括為改變其電 之摻雜劑原子之半導體材料。摻雜丄：：由其表面導入 表面之下的半導體接人 ’、㈡，、子可以形成位於該 Γ W千V體接合面，例如p—尺接合面。 中且ί Ϊ劑原子合於意欲地位於緊鄰該表面之半導體材料 步驟(C)之電流進入含有該摻雜劑原子之半導體材材 #膜。在本道Μ 包括覆蓋半導體材料之介 半‘體材料及任一探觸5| -女雜知、六 步驟(C )中可以是受到抑制之穿广組間流動的電流於 發生任何不可逆轉的因此介電膜不會 鄰表面的半導體材料層中流動域“亦可能受抑制而於緊 广步驟（c)之電流可能是直流電或疊加 (superimposed)交流電於其上吉冷 :有不會大幅地改變半導體樣品的電：率之；=::能 。步驟（c)的電流可能是因應每 $大 體樣品測定的電阻率值大體種直机電數值而為丰導 任何一種。 係類似的之複數種直流電之 •本發明亦是-種測試支樓 方法，包括下列：（a)提供複數隔開°〇方之半導體層的 面會形成-；電：= 其他絕緣體或於其表 且會導電的材料所構成；(b):物1之具彈性、可變形的 、；使彳木針與半導體層表面相接 200534378 五、發明說明（6) 觸’探針的觸點因此於其彈性 損丰導齅厣沾主二·,、 限度内變形但並未穿入或毁 )經由探觸器的第-組次群組，使 组，測景主道減成咖m J ‘由楝觸器的第二組次群 定半導體層至少-項電性作起之電壓；及⑷測 壓之函數。 為於其内流動電流值及測得電 探觸器之第一組及第二纟且 闾，且熘鎇哭夕—, 、、且-人群組可能相同也可能不 或少於全部。 砰、、且了此包括複數探觸器之全部 依此方法，步驟（a)得包括供給 "包括使電流經由該二探觸5|;_如觸裔，步驟（c)付 r ^ ^ ^ ?木觸為於+導體層中流動；步驟（d) :由二二探觸器於半導體層所引起之電壓；及 下列中至少—項：半導體層之電阻 電阻、及為改變半導體層之半導體材 料之電性而導入之摻雜劑原子之密度。 或f，：驟(a)得包括供給三探觸器；步驟(c =得電流：由探觸器中二種於半導體層中流動；步驟⑷ 付包括里：導體層中經由剩下的一探觸器及帶有電流之 f中-探觸器所引起之電壓；及步驟(e)得包括測定下列 鲁至少-項.半導體層之電阻率、半導體層之薄膜電阻、 及為改變半導體層 < 半導體材料之電性而導入之推 子之密度。 μ 或者，步驟（a)得包括供給四探觸器；步驟（c)得包括 使得電流經由探觸器中二種於半導體層中流動；步驟（d)

第11頁 200534378 五、發明說明（7) __ 得包括測量半導體層中經由另外 率、半導體層之薄膜電阻、及為改 +導體層之電阻 料之電性而導入之摻雜劑原子之穷产 體層之半導體材 此四探觸器之實體隔開空間 用以決定當測定半導體層至 2可k擇的， 之區域。 貝^ 日寸所在之半導體層 複數探觸器能被線性隔開。 步驟(C)至步驟⑷得重複複數次 《巧步驟⑷時的探觸器次群組 _丰遙辦®豆：之電阻率、半導體層之薄膜電I5且、及為改 4 +導體層之半導體材料之電性而導 炎二J為改 度，作為半導體層内流動之電流及所^ f ^原子之密 [ 0 0 3 1 1丰導俨展^ 所'則侍電壓之函數。 L 丰導體層仔包括一覆蓋半導體材料之 步驟（b)中，探觸器能接觸到相 f :表面且在步驟(c)中，電流可能是ί = = 二群，之採觸器間流經介電膜之穿隧電 (leakage current) ) 。 、1局茂電机 t改制：因,！電膜不會發生任何不能逆轉 環境中而以疋 放之膜或一因暴露於大氣 二1二人半導體材料上之原生氧化物 氧二膜。"電膜可以是厚度小於或等於3〇埃之一層二

Ml ΙΗΐι 第12頁 ^ 200534378 五、發明說明（8) 每種探觸器可由鉑或銥所構成。 半導體層可以由半導體材料組成而半 括為改變其電性而經由其表面導入之摻雜口枓：以包 原子可以形成位於該表面之下的p_N接合雜原子。摻雜劑 牛驟m原子可以位於緊鄰該表面之半導體材料中且於 受到抑制。 亍守®材枓時會 半導體層得包括一覆蓋半導體材料之介電膜。 步驟（C)中，在半導體材料及探觸 群 制不可逆轉的改變。電流亦可能受抑 制而於緊郇表面的半導體材料中的一層中流動。 治步驟（C )之電流可能是直流電或疊加交流電於其上之 直机電此父流電可能具有一不會大幅地改變半導體声的 ，阻率的最大或尖峰值。步驟（c)的電流可能是複數種曰直 ^電之一種、。複數種直流電之任何一種具有一因應每種直 肌電數值而為半導體層測定的電阻率值大體上係類似的之 數值。 ，後，本發明是一種測試覆蓋半導體晶圓或樣品之導 ® 1膜的方法，包括（a)提供複數隔開的探觸器，其中每 種採觸器係由一不會於其上形成氧化物或會形成導電的氧 =物=具彈性、可變形的且會導電的材料所構成；（b)使 棟觸器與導電薄膜表面相接觸，探觸器因此於其彈性限度 内變形但並未穿入或毁損導電薄膜的表面；（c)經由探觸

200534378 五、發明說明（9) 器的次群組，使電流於導電薄膜内流動；（d)測量導電薄 膜内因電流流動所引起之電壓；及（e)測定導電薄膜至少 一項電性作為於其内流動電流值及測得電壓之函數。 實施方式 述。所有附圖中相同 本發明將以參考附圖的方式來敘 的參考號碼係指相同的元件。 裸晶圓片或樣品之二探針薄膜電阻測試 、^參考第1A圖，為執行半導體晶圓或樣品4之薄膜電阻 測試之儀器2包括為支撐晶圓4之背部（backside ) 8而利 毫^一真空吸氣器具（未標示）之真空夾具6。依不同需求 ^所測晶圓的種類而定，真空夾具6可以是導電的或是不 因此’真空夾具6之導電性或缺乏導電性不能被 ”、、、發明之限制。儀器2亦包括為使之個別地與晶圓4 之表面或頂部（t〇Pside ) 18接觸而界定導電部位14及16 之一對探觸器或探針1〇及12。於第u圖中，頂部18被圖示 為自適合的半導體材料所構成、並且界定了晶圓4之半導 ，基板=的暴露面。然而，如第2圖所示，晶圓4可能包括 一個由介層（如二氧化矽）形成的層或薄膜22，因此晶圓 4的頂部18即是層22的暴露面。 •、至少探觸器1 〇及i 2之導電部位1 4及i 6係個別地由不會 =/、表面开> 成氧化物或會於其表面形成導電的氧化物的具 彈丨生、可變形的材料（如光滑、高度研磨過之金屬如鉑或 银）所構成。探觸器1 〇及丨2之形狀可能是每一個皆大約為 半球狀之探針觸點之具有導電部位1 4及1 6的加長型探針，

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最佳圖示如第1B圖。然而探觸器1 0及/或1 2具有大約為半 球狀之觸點探針的形狀，是不能被解釋為本發明之限制。 乂儀器2包括一探觸器配置方式24，此方式於這種技術 中係廣為人知的並且被用來控制夾具6及/或探觸器丨〇及 12依圖示箭頭26方向移動，使晶圓4與探觸器1〇及12互相 朝對方移動直至導電部位丨4及丨6下壓接觸頂部丨8而又不毁 損（如摩擦）晶圓4。使探觸器1 〇及/或1 2與頂部1 8相接 觸之合適的探觸器配置方式24係由1991年6月n日授給 Hillard的美國專利第5, 〇23, 56 1號所揭露並參考、整合於 麵p發明中之探觸器運動臂。當下壓與頂部丨8接觸時，導電 部位14及16會於其彈性限度内變形但又不穿入頂部18或毀 損（如摩擦）晶圓4。 儀器2亦包括一種應用電刺激源（electr ical s t i mu 1 us ) 3 2的方法及一種連結探觸器1 〇及1 2的測量方式 3 4。在導電部位丨4及1 6接觸頂部1 8之後的適當時候，應用 電刺激源32的方法施用一適當的電刺激源於半導體基板 2〇 ’而測量方式34測量半導體基板20對於該電刺激源的反 應。當執行半導體基板2 〇的薄膜電阻測試時，適當的電刺 激源導致直流電於探觸器1 〇及丨2之間的塊體3 6中流動。若 •所希望者，該適當的電刺激源亦可導致交流電疊加於直 流電之上。 正如於此種技術中為人所知地，半導體基板2 0的薄膜 電阻測試係於頂部18之下的塊體36上進行的。塊體36可以 疋構成半導體基板20之本徵半導體（intrinsic

第15頁 •200534378 五、發明說明（11) semiconductor )材料或是炎扑供甘 雜劑原子，例如形成一適\為的改^\電V?入適當的推 η λτ u x W人 、田的二間電荷區或例如但不限於 P-N接合面之接a面之本徵半導體材料。在第u圖及第2一9 圖中’塊體36被圖不為頂部18之下的半導體基板 隔絕部位。然而，這並不能被解釋為本發明之限制因為= 體36可以構成頂部18之下的半導體基板2〇之任何百分比: 當電流於塊體36中流動時，測量方式⑷則量晶圓 於形式上為電壓而在探觸器！ 〇及！ 2之間之塊體3 6中所弓^子 而流動的電流的反應。為了不同的電流及電壓，此一 <重複複數次。之後，電流及其相稱之電壓即可在電】電 流對比圖上標不其所在位置的點。此後，冑結所有的 ，之斜、線或最符合戶斤冑#點的位s而成之斜線#可用來 定塊體36之薄膜電P且。根據此、薄膜電阻，塊體％之薄 阻率於此種技術中即可以已知之方式被測定。 、 利用訂定於ASTM標準之F723-9 9程序或任何其他適告 的方式為塊體36所測定之薄膜電阻率即可用來決定塊沪田 之摻雜濃度（或摻雜劑原子密度）。 ^ 迄今，當執行一先前技術之薄膜電阻測試，係由堅硬 且不具彈性的材料所構成探針狀之探觸器穿入半導體基板 ·〇至數十奈米深之位置。雖然此種測試可在測試晶圓^進 行’但很顯然地並不適用於量產晶圓之上。而且，隨著位 於今日的晶圓上的積體電路的相關機具的持續微型^，捧 ，劑原子被導入半導體基板20之塊體36中深達自頂部18 ^ 算小於50奈米之處，此深度剛好是自頂部丨8起算大^分摻

第16頁 200534378 五、發明說明（12) ' *- 雜切原子所在之處。然而，已知的是，當利用穿入塊體Μ 的採觸於這種晶圓上執行先前技術之薄膜電阻測試會產 生，量薄膜電阻上的重大錯誤，因為此種穿入或一或$探 觸裔的末端典型地位在低於介在塊體36及其下的半導體 料之接合面之下。 為克服這些問題，本發明利用不會形成氧化物或會形 成導電的氧化物之具彈性、可變形且導電的探觸器。使用 运些探觸器及前述之適當的探觸器配置方式24可避免於執 行薄膜電阻測試時穿入及/或毀損半導體基板2〇的頂部 g 8。因此，使用這些探觸器使其得以進行量產晶圓的薄膜 電阻測試。 具有覆蓋介層之晶圓或樣品之二探針薄膜電阻測試 參考第2圖，目前所製造之晶圓4典型地包括一層介層 形式如二氧化石夕之原生介層（na^ive dielectric)及/ 或刻意置放' 厚度小於或等於大約3奈米之介層之層22。 因為介層形式之層22相當地薄，探觸器10及12亦可用來執 行包括層2 2的晶圓4的薄膜電阻測試。為此目的，探觸器 配置方式24使導電部位14及16下壓接觸層22的頂部18以致 導電部位1 4及1 6於其彈性限度内變形但並未穿入頂部1 8或 損晶圓4。此後，應用電刺激源3 2的方法施用一種會導 致穿隧電流於層2 2中流動，但又能避免會導致層2 2發生不 可逆轉的改變的充足能量之應用之適當的電刺激源於探觸 器1 〇及1 2之上。 因應流經層22的穿隧電流，一相稱之電流會分別於探

第17頁 .200534378 五、發明說明（13) 觸器10及12及塊體36中流動。當此一電流於塊體36中流 時，測量方式34會測量塊體36對於此一形式卜 机 於探觸器1 0及1 2之間的電流的反應。為了不同的電流及 壓，此一程序可重複複數次。每一股電流及其相稱:電壓 即可在電壓電流對比圖上標示其所在位置的點。此後， 結所有的點而成之斜線或最符合所有的點的位置而成之 線即可用來測定塊體36之薄膜電阻。根據此薄膜電阻，即 ，介層22存在的情形下，塊體36之薄膜電阻率仍可被測 定。 因為導電部 I化物，當導電 應用及對電刺激 當層22之形 被應用於探觸器 伏特。 因為在測試 地都不會穿入頂 測試即可被執行 為外覆半導體基 用堅硬且不具 20接觸的方式， 具有覆蓋導電 當層22係導 觸，使得層2 2之 位14及16不會形成氧化物或會形成導電的 部位14及16與層22相接觸時，電刺激源的 源所測得的反應就不會受其影響。 式為一厚度大約為1· 4奈米的介層時，能 1 0及1 2之間的適當的電刺激源之範例為4 5 牯，棟觸器10及12之導電部位14及16分別 部1 8或毁損晶圓4，量產晶圓的薄膜電阻 。這點與先前技術於執行具有層22、形狀 板2 0之介層之測試晶圓的薄膜電阻測試係 彈性的探針必須穿入層22以與半導體基板 顯然不同。 薄膜=Ba圓或樣品之二探針薄膜電阻測試 電體時，下壓導電部位14及16與層22接 薄膜電阻測試能以上述有關裸晶圓片之二

200534378 五、發明說明（14) 探針之薄膜電阻測試之方式來執行。 上述二探針之薄膜電阻測試之敘述 間的距離並非多種的。然而，若係 木^益10及12 1?的門阡古b士-π β a 所希立者’探觸器ίο及 m:可以是複數種的；而每種探觸器π及12間的 =隔=經塊體36及因該電流所引起的電壓也是可被測量 二：：二'電流及其相稱之電壓即可在電壓電流對比圖上 才:不其所在位置的點。此後，連結所有的點而成之斜線或 有的位置而成之斜線即可用來測定塊體36之 薄膜電阻。根據此薄膜電阻’塊體36之薄媒電阻率即可以 .在此種技術中為人所知之方式被測定。 裸晶圓片之三探針薄膜電阻測試 參考第3圖並繼續參考第以―2圖，雖然上述之薄膜電 阻測試使用二探觸!i，可以預見的是，具有三探觸器;〇、 1 2及28的儀器2’可作為測試之用，而探觸器其中之一（如 探觸器Μ )作為施用電刺激源32的方法及作為測量方式^ 之同一探觸器··因此這一共用之探觸器係作為測量用之唯 了探觸器。儀器2,類似第1Α圖所示的儀器2，除了儀器 2進步包括類似探觸器10及12的探觸器28。探觸器28包 括由與探觸器10及12之導電部位14及16各自的相同材料所 ♦成並具有相同形狀之導電部位30。探觸器1〇、12及28具 有合於意欲地線性排列之導電部位丨4、16及3〇。然而，這 並不能被解釋為本發明之限制。 Μ測δ式第3圖所示之晶圓4之塊體3 6時，探觸器配置方 式24使導電部位14、16及30下壓與塊體36之上的^導體基 .200534378 五、發明說明（15) -- 板20之頂部18相接觸。之後應用電刺激源32的方法施用一 適當的電刺激源於探觸器1〇及12之上，因此電流會經由探 觸器1 0及1 2於塊體3 6中流動。當此一電流流動時，測量方 式34就能測量因應此電流而在探觸器1〇及28 (或探觸器12 及28 )之間於塊體36中所引起之電壓。利用於塊體36中流 動的電流值及所測得的電壓值，塊體36的電性就能被測 定。 具覆蓋介層之晶圓或樣品之三探針薄膜電阻測試 參考第4圖並繼續參考第1A-3圖，利用探觸器1〇、12 馨及28之薄膜電阻測試亦可在包括層22的晶圓4上執行。當 層2 2為一介層時，其厚度（例如小於或等於3 · 〇奈米）合 於思欲地使牙隨電流能回應施用適當的電刺激源於探觸器 1 0及1 2之上而流經層22。適當的電刺激源之數值被選用以 使穿隧電流能流經層2 2又能避免會對於層2 2產生不可逆轉 的改變的電力崩潰（b r e a k d 〇 w η )。 一種當儀器2 ’作為測試包括形式為覆蓋半導體基板2 〇 之介層之層22的晶圓4之用時，探觸器配置方式24使部位 1 4、1 6及3 0下壓與塊體3 6之上的層2 2之頂部1 8相接觸。此 後’應用電刺激源的方法施用一適當的電刺激源於探觸器 隹0及1 2之上，使一穿隧電流流經層2 2又能避免會對於層2 2 產生不可逆轉的改變的電力崩潰。 因應流經層2 2的穿隧電流，一相稱的電流會於探觸器 10及12各自與塊體36中流動。當此一電流於塊體36中流動 時，測量方式34就能測量因此電流於探觸器1〇及28 (或探

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觸器12及28 )之間在塊體36中所引起之電i。能夠測量探 觸器10及28 (或探觸器12及28)之間電壓的能力係因自塊 體36經層22往探觸器28流動之穿隧電流。利用於探觸器1〇 及12間在塊體36中流動的電流之數值及介於探觸器1〇及以 (或探觸器12及28 )《間所測得之電壓，因此塊體36之薄 膜電阻及塊體3 6之薄膜電阻率即可被測定。 具覆蓋導電薄膜之晶圓或樣品之三探針薄膜電阻測試 §層2 2係一導電體時，下壓儀器2，的導電部位丨46 及30與層22相接觸使層22之薄膜電阻測試可以用上述有關 修裸晶圓片之三探針的薄膜電阻測試的方式被執行。 裸晶圓片之四探針薄膜電阻測試 的參考第5圖，一為執行半導體晶圓4之薄膜電阻測試之 ，态2，將會被敘述如下。儀器2,，類似於第丨A圖所示之儀 器2，除了儀器2’，進一步包括探觸器4〇及42。探觸器4〇及 42分別包括由與探觸器丨〇及丨2之導電部位丨4及丨6相同材料 所構成並具有相同形狀的導電部位44及46。探觸器1〇、 12 4 0及4 2合於意欲地分別具有線性排列之相鄰導電部位 之間隔介於· 5至4· 5微米之導電部位14、16、44及46。然 而，此一線性排列及間隔不能被解釋為本發明之限制。w 當執行半導體基板2 〇之塊體3 6之薄膜電阻測試時，探 觸器配置方式24使導電部位14、16、44及46下壓與塊體36 之上的半導體基板2 0之頂部1 8相接觸。此後，應用電刺激 源3 2的方法施用一適當的電刺激源於第一對探觸器之上， 例如探觸器1〇及12、探觸器12及40或探觸器1 〇及4〇，使電

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流經由該探觸器而於塊體36中流動。之後測量方式34即測 量因於塊體36中流動的電流，經由第二對探觸器例如探觸 器40及42、探觸器1〇及12或探觸器12及40，於塊體36中所 引起之電麼。當探觸器1〇及12、探觸器12及40或探觸器1〇 及42被用來施用電刺激源，探觸器4〇及42、探觸器1〇及“ 或探觸器1 2及4 0分別地被利用來測量在塊體3 6中所引起之 電壓。利用在塊體36中流動的電流之數值及所測得之電壓 值，因此塊體36之薄膜電阻及塊體36之薄膜電阻率即可在 此技術中以廣為人知的方式被測定。 φ 因為探觸器10、12、40及42之導電部位14、16、44及 46於測試時分別地都不會穿入頂部丨8，測量具有大部分摻 雜劑原子緊鄰頂部1 8之塊體36之薄膜電阻會產生之錯二 可被避免。而且，因為導電部位14、16、44及46在測試時 不會穿入頂部1 8，量產晶圓之薄膜電阻測試即可被執行。 具有一覆蓋介層之晶圓或樣品之四探針薄膜電阻測試 一參考第6圖，儀器2,，亦可被用來測定薄膜電阻，因此 當半導體晶圓4包括形狀為覆蓋半導體基板2〇之介層之層 2 2時’半導體晶圓4之塊體3 6之電阻率亦可被測定。本例 中，探觸器10、12、40及42之導電部位14、16、44及46下 t與塊體36之上，於本例中其形式係介層之層22之暴露 面’之頂部1 8相接觸。合於意欲地，形狀為介層之層2 2之 厚度許可穿隧電流因適當電刺激源施用於第_對探^器之 上而流經層22。此後，應用電刺激源32的方法，即施^會 使得穿隧電流流經層22又能避免會使層22產生不可逆轉^

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改變之電力崩潰之適當電刺激源於第一對探觸器之上，例 如探觸器1 0及1 2。 因應流輕層22之穿随電流’—相稱之電流會於塊體36 =流動。當此一電流於塊體36中流動時’測量方式34即測 里半$體基板20對於形式為電壓而在塊體36中於第二對探 觸器（如探觸器40及42)之間所弓丨起之電流的反應。能夠 j量第二對探觸器間電壓的能力係因經由層22在塊體36及 第一對採觸器之間流動之低度漏洩電流。$用介於第 塊體36中流動的電流之數值及介於第二對探觸 ·:間所測付之電Μ ’因此塊體36之薄膜電阻 率即可被測定。 具^蓋導電層之晶圓或樣品之四探針薄膜電阻測試 虽層22係一導電體，下壓儀器2，，的導電部位14、 16、44及46與層22相接觸使層22之薄膜雷阳、目丨丨# π ” L | 联电阻測試得以上述 有關稞晶圓片之薄膜電阻測試之方式而執 =要利用連接於應用電刺激源32方法之探觸器1〇 ' 12、40及42其中一對及如第1A及第2圖之探觸器^及^ ，儀器2”亦可被用來執行上述有關儀器2 之方式之薄膜電阻測試。 籲儀器2 ’’能被用來執行薄膜電阻測試的另一種方去 ^括，、:應用電刺激源32方法使第一股電流經由探觸器;。 體36中流動’及連結測量方式34以測量經由探觸 益10及40在塊體36中流動之第一股電流所引起之第一種電 壓。之後，應用電刺激源32的方法被連結以使第二股電流

第23頁 .200534378 五、發明說明（19) 經由探觸器10及42在塊體36中流動，而測量方式34被連結 以測量經由探觸器10及42在塊體36中流動之第二股電流所 引起之第二種電壓。最後，應用電刺激源32的方法被連結 =使第三股電流經由探觸器10及12在塊體36中流動，而& 量方式34被連結以測量經由探觸器10及12在塊體36中流動 之第三股電流所引起之第三種電壓。為求精簡，上述之連 結方式並未顯示於第5及/或第6圖中。 因此所測得的每一股電流及其相稱之電壓即可在電壓 電流對比圖上標示其所在位置的點。此後，連結所有的點 _而成之斜線或最符合所有的點的位置而成之斜線即可用來 測疋塊體3 6之薄膜電阻。根據此一薄膜電阻，塊體3 6之薄 膜電阻率於此種技術中即可以已知之方式被測定。 裸晶圓片之四點三角形探針薄膜電阻測試 參考第7A及第7B圖，一為執行半導體晶圓4之薄膜電 祖測試之儀器2 將會被敘述如下。儀器2，，，類似於第5 圖所示之儀器2,，，除了探觸器1〇、12、40及42之排列方 式為三角形，最佳圖示為第7B圖。為測試半導體基板2 〇之 塊體3 6之薄膜電阻，探觸器配置方式2 4使得探觸器1 〇、 ^2、40及42之導電部位14、16、44及46分別地下壓與塊體 _6之上的半導體基板2〇之頂部18相接觸。應用電刺激源32 之方法之後施用一適當的電刺激源於探觸器1 〇及1 2之上， 因此電流會經由該探觸器於塊體3 6中流動。當此一電流流 動時’測量方式34即測量因應此一電流經由探觸器40及42 在塊體3 6中所引起之電壓。利用在塊體3 6中流動的電流之

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數值及所測得之電壓，因此塊體3 6之薄膜電阻及其薄膜 阻率即可於此技術中以為人所知之方式被測定。 、< 因為探觸器10、12、40及42之導電部位14、16、 4 4及 4 6於測試時分別地都不會穿入頂部1 8，測量具有大部分捧 雜劑原子緊鄰頂部1 8之塊體3 6之薄膜電阻會產生之錯誤^ 可被避免。而且，因為導電部位14、16、44及46在测試時 不會穿入頂部1 8 ’量產晶圓之薄膜電阻測試即可被執行。' 具有一覆蓋介層之晶圓或樣品之四點三角形探針薄膜 阻測試 ' ~ φ 參考第8圖，儀器2’ ’’亦可被用來測定薄膜電阻，因 此當半導體晶圓4包括形狀為覆蓋半導體基板2〇之介層之 層22時，半導體晶圓4之塊體36之電阻率亦可以儀器 2’ ’’來測定。本例中，探觸器1〇、12、40及42之導電部位 14、16、44及46分別地下壓與塊體36之上，於本例中其形 式係介層之層2 2之暴露面之頂部1 8相接觸。此後，應用電 刺激源3 2的方法，即施用會使得穿隧電流流經層2 2又能避 免會使層22產生不可逆轉的改變之電力崩潰之適當電刺激 源於探觸器1 0及1 2之上。 因應流經層2 2之穿隧電流，一相稱之電流會於探觸器 及12各自及塊體36中流動。當此一電流於塊體36中流動 時，測量方式即測量半導體基板2 0對於形式為介於探觸器 40及42間在塊體36中所引起之電壓之電流的反應。能夠測 量探觸器40及42間電壓的能力係因經由層22在塊體36及探 觸器4 0及4 2之間流動之漏洩電流。利用介於探觸器1 〇及1 2

.200534378 五、發明說明（21) 間在塊體36中流動的電流之數值及介於探觸器4〇及42間所 測得之電壓，因此塊體36之薄膜電阻及塊體36之薄膜電阻 率即可被測定。 具一覆蓋導電層之晶圓或樣品之四點三角形探針薄膜 阻測試 ' % 當層22係一導電體，下壓儀器2，，的導電部位14、 16、44及46與頂部18相接觸使層22之薄膜電阻 述有關裸晶圓片之四點三角形探針薄膜電阻 方 執行。 刀式而 _絕緣體上半導體晶圓之薄膜電阻測試 .上述敘述中，晶圓4被敘述為自半導體材斜播士 導體基板20所構成。然而，若係所希望上 之半 可被用來測試如第9圖所示之由真空夾 =J觸器 上半導體晶圓（SOI)50。5〇1晶圓、括栽=緣體 捨的羊導體基板52、一介声f备外仏、匕括一可自由取 之2t導體頂層56導體頂層：可4能：二蓋氧化 導體基板20之塊體36的塊體58 ;盆係 j類似於半 導體頂層56以改變其電性之處。s 原子被導入半 是半導體頂層56之Λ霪而十、曰西 日日050之頂部60可以 •層或導電體之層=露導：頂層〜式為 2。之：Hi:論有無介層形式之層22之測試半據 π之塊體36的方法， 々列忒+導體基板 ^皮用來執行半導體頂層=⑽’儀器2皆 外，同於上述測試形式為導電 第26頁 200534378 五、發明說明（22) 體之層62之薄膜電阻測試。並 立，W於上述不論有盔介屉形 ^ 20之塊體36的方法，不論^ 之測試半導體基板 儀器2,，或儀哭？，，，可、+ …、w層形式之層62，儀器2，、 之薄膜電阻測V最後'用同來於執^ 22的方法，儀器2, 試^^之層 的几長敘述，上述有關笛1ΑΘ77Α^ V心无卜 > 文 述於岸用在SOI s ηςη t 圖及第2 — 8圖之測試之詳細敘 應用在SOI晶固50時，將不再重複。 k A 周知’上述之具彈性、可變形的且會導電的、形 導電的氧化物所構成之材料形成氧化物或會形成 圓之半dn;:至其深度少於50奈米處之哪晶 i言此π 2 ^0曰0 +導體材料之薄膜電阻及薄膜電阻率。 的表面接觸或與雜劑原子之半導體材料 化物）的表面接觸 之覆蓋介層（氧 料之薄==;米處之半導體材料，使得此半導體材 氣/或覆以吏用測試時會穿入半導體材料 之非毀損性術的探觸器會導致之不正確測量 或會ϋ導探觸器，導電部位不會形成氧化物 劑或不含摻雜劑m 2 15可被用純行覆蓋含掺雜 J之+導體材料之導電材料層之薄膜電阻測 第27頁 200534378 . 五、發明說明（23) 試而不必穿入或毁損導電層之表面。 本發明已以較佳實施例而為敘述。於閱讀及瞭解上述 敛述後，他人將會想到明顯的修正及更改。例如，若直流 電具有疊加於其上的交流電’且該交流電具有不會大幅地 改變塊體36的電阻率的最大或尖峰值。若係所希望者，複 數個不同數值之電流會在塊體36中流動且各個直汽 ，電T率=因電流流動於塊體36中所引起之 ‘

疋。本例中，因應每種吉 P J被：/貝J 雷阻傘大俨μ日Γ/ 机電數值而為半導體樣品測定的 [阻羊大體上是類似的之 ^ _意地被解釋為包括電數值會被選用。本發明係 气等物之所在之後的聲明的範圍内或係其 <娟的修正及更改。

第28頁 200534378 .圖式簡單說明 第1 A圖是一張為測量半導體晶圓的電性而裝載於第一具體 實施例儀器的真空夾具（vacuum chuck )上之半導 體晶圓之連結方塊圖及橫斷面側視圖。 弟1B圖是第1A圖所示其中一探觸器之末端放大圖。 第2圖是儀器及第1A圖所示半導體晶圓之示意圖；其中半 導體晶圓包括一覆蓋半導體晶圓之半導體基座之介 層或導電層。

第3圖是一張為測量半導體晶圓的電性而裝載於第二具體 實施例儀器的真空夾具上之半導體晶圓之連結方塊 φ 圖及橫斷面側視圖。 A 第4圖疋儀器及第3圖所示半導體晶圓之示意圖；其中半導 體晶圓包括一覆蓋半導體晶圓之半導體基座之介層 或導電層。 θ 第5圖是一張為測量半導體晶圓的電性而裝載於第三具體 實施例儀器的真空夾具上之半導體晶圓之連結方塊 圖及橫斷面側視圖。 第6圖疋儀器及苐5圖所示半導體晶圓之示意圖丨其中半導 體晶圓包括一覆蓋半導體晶圓之半導體基座之介層 或導電層。 %7Α圖是一張為測量半導體晶圓的電性而裝載於第四具體 貫施例儀器的真空夾具上之半導體晶圓之連結方塊 圖及橫斷面側視圖。 第7Β圖是儀器及第7Α圖中VII β —νιι β線之示意圖。 弟容圖疋儀裔及第7Α圖所示半導體晶圓之示意圖；其中半

第29頁 200534378 圖式簡單說明 導體晶圓包括一覆蓋半導體晶圓之半導體基座之介 層或導電層。 第9圖是一張裝載於如第1A圖及第2-8圖任一所示之儀器真 空夾具上之絕緣體上半導體晶圓之單獨示意圖。 主要元件符號說明： 2、2’ 、2’ ’ 、2’ ’ ’儀器 4半導體晶圓或樣品 6真空夾具 8背部 10、12、28、40、42 探觸器 14、16、30、44、46 導電部位 18、60 頂部 • 0、52 半導體基板 22、62層 24探觸器配置方式 26 箭頭方向 32 電刺激源 34 測量方式 3 6、5 8塊體 50絕緣體上半導體晶圓（SOI ) 54介層 56半導體頂層

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Claims (1)

1. 200534378 六、申請專利範圍 !· 一種測試半導體樣品的方法，包括 (a) 提供複數隔開之探觸器，其中各探觸器是由不會於 其上形成氧化物或會於其上形成導電氧化物之^彈 性、可變形且導電的材料所形成； ~ (b) 使探觸器與該半導體樣品的一表面接觸，探觸器因 此於其彈性限度内變形但並未穿入或毁損該半^體 樣品的該表面； ~ (c )經由一次群組探觸器，使電流於半導體樣品内流 動； & • (d)測量該半導體樣品内因該電流流動而引起之一雷 壓；及 (e)測定該半導體樣品至少一電性，作為於其内流動的 該電流值及測得電壓之一函數。 •如，印專利範圍第1項之方法，其中該次群組探觸器包 括邊複數探觸器的全部或少於全部。 3·如申請專利範圍第丨項之方法，其中： 步驟（a )包括供給二探觸器； ^ ^(C)包括經由該二探觸器使得電流於半導體樣品中 〇丨L動， ‘ ί (η括測夏半導體樣品中經由該二探觸器所引起 m包主括決定下列至少其-：該半導體樣品之-電 品之半=:體樣品之一膜電阻、及為改變半導體樣 …導體材料之電性而導入之摻雜劑原子之密度。

   200534378 申請專利範圍 如申請專利範圍第1項之方法，其令·· 步驟（a )包括供給三探觸器； 步驟（c)包括經由該等探觸器中- 半導體樣品中流動； τ—探觸益，使得電流於 步驟（d)包括測量該半導艟樣品中經由 帶有電流之其中-探觸器所引起之電壓'下的板觸益及 步驟（e )包括測定下列中至少1 / 電阻率、嗲丰莫駟# /其一 ·該半導體樣品之一 Ϊ ϊ ί ΐ ί導體樣品之一薄膜電阻及為改變該半導 气 6. 度。 夺八之糁雜劑原子之密 如申請專利範圍第丨項之方法，其中： 步驟（a)包括供給四探觸· == 動該等探觸器中二探觸胃’使得電流於 =⑷包括.測量該半導體樣品中經由另外：探觸 引起之電壓；及 、 ‘ ^驟（e)包括測定下列t至少其—：該半導體樣品之一 麟阻率4半導體樣品之一薄膜電阻及為改變該半導 由樣°口之半導體材料之電性而導入之摻雜劑原子之密 度。 ^申睛專利範圍第5項之方法，其中選擇該四探觸器之 貝體間隔及相對位置，用以定義當測定該半導體樣品 至少一電性時的半導體樣品之區域。 如申请專利範圍第1項之方法，其中複數探觸器被線性

   第32頁 200534378 六 申請專利範圍 間隔。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括〃 (c)至步驟（d)複數次，其中步驟（c)至步驟Q複步驟 複是以探觸器次群組不同的定位進行，其中牛的各重 括測定下列中至少其一 ··該半導體樣品之一=驟（e)包 该半導體樣品之一薄膜電阻及為改變半導體阻率、 導體材料之電性而導入之掺雜劑原子之密声樣品之半 步驟（c )至步驟（d )的各重複中該半導體樣？以作為 電流及所測得電壓之一函數。 中流動之 如申請專利範圍第1項之方法，其中·· 該半導體樣品包括一覆蓋半導體材料之 在步驟（b)中探觸器接觸到與該半導體材相媒， 膜表面，·及 相對的介電 在步驟（c)中該電流為流經介於半導 10 探觸器間的介電膜的一穿隧電流。 〃及各次群組 如申請專利範圍第9項之方法，其中該 ☆ 11 因此介電膜不會發生任何、 人歲文到抑制， 如由4蜜w # 何不旎圯轉的改變。 士申5月專利範圍第9項之方 膜或因暴露於大氣境巾八電膜是施加之 介電膜。 大乱衣彡兄中而生成於半導體材料上之一 1 2·如申請專利範圍第9項之方法，1 小於或等於30埃之：氧切層/、中5“電膜是一厚度 13.如申請專利範圍第】項之方法曰 鉑及銥其中之一所形成。 、甲锿専如觸态疋各由 六、 14 15 16

   18· 19· • · 申請專利範圍 •如申請專利範圍第1項之方法，其中· 该半導體樣品是包含由半導體材料； 該半導體材料包括經由其表面夕及 變其電性。 心雜劑原子以改 •如申請專利範圍第14項之方法，農 該表、面下形成一Ρ_Ν接合。 ” 穆雜劑原子在 ，如申請專利範圍第1 4項之方法，其中· 該摻雜劑原子位於鄰接該表面之^髀 於步驟⑷之電流是受到含有 導體材料中；以及 料的抑制。 雜Μ原子之半導體材 如申請專利範圍第丨4項之方法， 括一覆蓋該半導體材料之介電臈了 μ半導體樣品包 如申請專利範圍第17項之方法二 該半導體材料及各次群組 ;;、=驟(C)中’在 隨電流：該電流會受到㈣，的電流是-穿 可逆轉的&變；χ該電流=電膜不會發生不 的一半導體材料層中流動。副抑制而於鄰接其表面 如申凊專利範圍第1項之方法，甘 是一直流電或一疊加交流電〃中步驟（c)中的電流 如申請專利範圍第丨9項之方法了上之直流電。 會大幅地改變該丰導㈣媒〇 八中3亥父流電具有不 值。 °的—電阻率的最大或尖峰 如申請專利範圍第1項之方 是複數種直流電令之—種。 其中步驟（C)中的電流 21· .200534378

   22. ^請專利範圍第21項之方法，其中各該 當〃，一針對各直流電數值的該半導體 電阻率大體上是類似的數值。 厅判疋的 23 —種測試支撐晶圓樣品上之半導體層的方法， (a)提供複數隔開的探針，其中各探針是由不會於其表 面形成氧化物或其他絕緣體或於其上形成二導^氧 $物或其他物質的彈性、可變形且導電的材料所形 成， (b)使彳木針與該半導體層的一表面相接觸，藉以該探針 • 的觸點於其彈性限度内變形但並未穿人或毁損該半 導體層的表面； (c )、、、呈由忒探觸器的一第一次群組，使一電流於該半導 體層内流動； (d) ;由β亥揼觸裔的一第二次群組來 因該電流於其内流動所引起之-電壓；$導 (e) 測定該半導體層至少一電性作為於其内流動的電流 值及測得電壓之函數。 24·如申請專利範圍第23項之方法，其中： 該探觸器的該第一及第二次群組可以是相同的或是不 •同的；以及 及棟觸器的各次群組包括該等複數探觸器之全部或少 於全部。 2 5·如申請專利範圍第23項之方法，其中： 步驟（a)包括供給二探觸器；

   •200534378 六、申請專利範圍 包括使該電流經由該二探觸器而於該半導體層 包及括測量經由該二探觸器於半導體層中所引起 步驟（e)包括測定下列至少其一：該半 率、該半導體層的一薄膜電阻、及為已_ 9的一電阻 的半導體材料以改變其電性的摻雜 =，體層 26.如申請專利範圍第23項之方法，其中/:、、一密度。 步驟（a )包括供給三探觸器； 步驟（C)包括使該電流經由該等探觸器 半導體層中流動； 的一探觸益於 步驟（d )包括測量在半導體層中經由 帶有電流的探觸器的其一所引起之電壓；以及探觸器及 步驟（e)包括測定下列至少其一：該半導 率、該半導體層的薄膜電阻、及為已導 q 、電阻 半導體材料以改變其電性的摻雜劑原子的一户 曰的 27·如申請專利範圍第23項之方法，其中：〕密度。 步驟（a)包括供給四探觸器； 步驟（c)包括使該電流經由該等探觸器中 半導體層中流動； ο—如觸益於 步驟u)包括測量在半導體層中經由另 起之電壓；及 力夕卜—抓觸盗所引 :驟(:)包括測定下，至少其-··該半導體層的電阻 率 4半導體層的薄膜電阻、及為已導入主道挪 ▼八千導體層的

   第36頁 .200534378 六、申請專利範圍 半導體材料以改變其電性的摻雜劑原子的一密度。 28·如申請專利範圍第27項之方法，其中選擇該等四探 器之實體隔開空間及相對位置以定義當測定該半 層至少一電性的半導體層之區域。 — 29.::=範圍第23項的方法中’其中是將複數探觸 3〇.(如c)申Λ專二ΚΓ.3項之方法’進一步包括針對步驟 Cc)至步驟（d)的各重稷，以該等次群組接觸器 間隔來重複步驟（c)至步驟（d)複數次. 同 至步驟⑷程序其中，步驟(e)包。定^匕步，) 半-薄膜電 :ί;:原子"度，為: 電及所測得電壓之函數。 勁之 3h如申請專利範圍第23項之方法，其中. ^亥I導體層包括一覆蓋半導體材料的介電膜； 在乂驟（1〇中，該探觸器接觸與、 電膜的一表面，·以及 、1牛導體材料相對的介 在步驟(c) — ’ f亥電流是流經 組探觸器間的介電膜的一穿随電；體材料及各次群 •如甲請專利範圍第31項之方法，发L 制，因此介電膜不會發生任何不卜^電流會受到抑 •如申請專利範圍第31項之方法，』2轉的改變。 加的膜或-因應暴露於大氣環境；=電膜是-施 ^ Τ而於該半導體材料 第37頁 200534378 六、申請專利範圍 上生成的一原生氧化物膜 34·如申請專利範圍第31項之方法，其 小於或等於3 0埃之一層二氧化石夕。、 電膜是厚度 35·如申請專利範圍第23項之方法，1中該 由鉑或銥所形成。 、μ等心觸器是各 3 6.如申請專利範圍第23項之方法，其中·· 該半導體層是包含半導體材料；^及 該半導體材料包括經由其表面而 以改變其電性。 守 < 播雜劑原子 _7·如申請專利範圍第36項之方 於 該表面下形成一P-N接合面。，、中該摻雜劑原子 M·如申請專利範圍第36項之方法，苴 該掺雜劑原子位於鄰接該表面ς · 及 Μ半導體材料中；以 於步驟（C)之電流受含有該摻 的抑制。 〃剑原子的該半導體材料 39·如申請專利範圍第36項之方法， 一覆蓋半導體材料之介電膜。其中該半導體雇包括 ·如申請專利範圍第3 9項之方法， 鼹半導體材料及各次群組探觸$ ’其中在步驟（〇,在該 隨電流；該電流會受到：:心流動的電流中是-穿 可逆轉的改變·，且該電流會在森此介電膜不會發生不 面的一半導體材料層中流^。文到抑制而於鄰接其表 41·如申請專利範圍第23項之方

   第38頁 '，其中步驟（c)之電流為 六、申請專利範圍 直流電或疊加交流電於其上之直流電 4 2 ·如申凊專利範圍第41項之方法，其中該交流電具有一 不會大幅地改變該半導體層的一電阻率的最大或尖峰 值。 43. 如申請專利範圍第23項之方法，其中步驟（c)中的電流 是複數種直流電中之一。 ^ 44. 如申請專利範圍第43項之方法，其中各該複數種直流 電具有一針對各直流電數值的該半導體層所判定的電 阻率值大體上係類似的數值。 一 5 ·種測σ式覆蓋半導體晶圓或樣品之導電薄膜的方法， 包括： ⑷，供複數隔開的探觸器，其中各探觸器是由不會於 :上=氧化物或於其上形成一導電氧化物之具彈 性、可艾形的且導電的材料所形成； (b) 使該探觸器與導電薄膜 觸哭於a “二表面相接觸，藉以該探 薄膜的表面； …-並未穿入或毀損該導電 (c) 經由該探觸器的次群組 ☆ 動； 使電^於該導電薄膜内流 (d) 測量該導電薄膜内因應 壓；及 、門電/爪流動所引起之電 (e) 測定導電薄膜至少其一電性以 值及測得電壓之函數。 "、、於其内流動電流

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