TW200528794A - Liquid crystal display and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200528794 九、發明說明： 【發明所屬之技彳衧領域】 發明領域 本發明係有關於液晶顯示器及製造液晶顯示器的方 5 法。 【先前技術3 發明背景 諸如液晶顯示n(LCD)的顯林置，包括複數之以矩陣 形式配置的像素’以及每-像素包括—用於顯示影像的可 透錄素電極。像素電極鋪由來自包㈣極線及資料線 的信號線的錢職，彼此相交心界定像素區域並係經 由諸如薄膜電晶體(TFTs)的切換树與像素電極連接。切 換元件控制來自信號線的資料信號關應來自閘極線的掃 描信號。 15 20 液晶顯示器（LCD)包括一薄膜電晶體(TFT)陣列面板， 其包括信號線、像素電極、以及薄膜電晶體，以及—共通 電極面板其包括-面向像素電極的共通電極與—具有= 像素區域的開口的黑色矩陣。 當供液晶顯示器所用位在一底板上的一顯示區域係太 致無法使用-曝光光罩時，職個曝光補由重複 謂的分步重複製程的—區域曝光而完成。—區域曝光單一 或區域係稱作為-發射(sh〇t)。由於轉變、轉動、扭曲等： 在曝光期間產生，所以發射並未精4地對準。因此，在線 路及像素電極之間所產生的寄生電容係、視發射而不同，而 200528794 如此將在發射之間造成壳度差異，於發射之間在坐落一邊 界處的像素處會識别出該現象。因此，由於在發射間的亮 度中斷，因而在液晶顯示器之螢幕上產生編結缺陷。 特別地，有機材料製成的黑色矩陣，包括黑色素並具 5 有負光敏性，其亦係藉由區域曝光所構成，會在影像上| 成諸如斑點的編結缺陷。其係由於負光敏性有機材料係視 曝光之次數而定，具有不同的形態。詳言之，該等發射才目 互間之部分重疊的邊界係考量對準邊緣，因而位在相鄰發 射之邊界上的該等部分之負光敏性材料係為二次曝光，同 10時發射内的其他部分係僅為一次曝光。因此，光阻礙構件 之二次曝光部分具有與其他部分不同的形態，並且此形態 上差異造成不同的光學特性，從而產生斑點。 L發明内容】 發明概要 15 本發明之目的在於解決傳統先前技術上的問題。 提供-製造液晶顯示器面板的方法，該方法包括：將 一負有機光阻劑塗佈在—基板上；利用包括彼此相鄰之第 4k❹的複數之發射執行區域曝光；以及將光阻劑 顯影用以構成一具有複數之開口的光阻礙構件，其中第— 及第j發射具有-與開口交又的邊界。 〃 X方法可it步包括··製備一編結區域其係配置接近 第一ί第二發射之邊界，以及包括複數之編結單元，每- 編結早元係在第一反I - 弟一务射的其中之一發射中受曝光， 亚在第及第一發射的另一發射中受到光阻礙。 20 200528794 曝光編結單元或光阻礙編結單元之數目，較佳地係沿 著一方向由第/發射至第二發射逐漸地減少或增加。 每-編結單元可包括-像素區域、複數之像素區域， 或是一像素區城的一部分。 編結單元可具有與開口交又的邊界，以及每一編結單 元可具有與至少其中二開口交叉的邊界。 提供製造液晶顯示器面板的方法，其係利用包括彼此 相鄰之第-及第二發射的複數之發射執行區域曝光，該方 法包括：將-負有機光阻劑塗佈在一基板上；製備士 區域其係配置接近第-及第二發射之邊界，以及包括魏 之編結單元；連續地執行第-及第二發射；以及將光阻劑 顯影用以構成-具有複數之開口的光阻礙構件，直中每一 編結單元係在第-及第二發射的其中之一發射中受曝光， 15 並在第-及第二發射的另一發射中受到光阻礙，並且編結 早兀具有與開口交叉的邊界。 =光編結單元或綠礙編結單元之數目，係沿著一方 ° 發射至第二發射逐漸地減少或增加。 每^結單元可包括—像素區域、複數之像素 或疋一像素區域的一部分。 結單元可具有與至少其中二開口相交的邊界。 ”液晶顯示器，1包括·筮而知；甘 之，件及透先構件:、:：二：有複數 礙構件，复佐、, 第一面板其具有一光阻 光的第-及二貞光卩且㈣成並包括接受不同次數之曝 弟二部分，第二部分面向不透光構件。 20 200528794 光阻礙構件之第一部分可配置環繞著第二部分，用以 構成光阻礙構件之邊緣。 光阻礙構件之第二部分可沿著光阻礙構件之形_ 伸0 5 光阻礙構件可較不透光構件為寬。 光阻礙構件之第-部分可曝光—次，以及該光阻礙構 件之第二部分可曝光二次。 透光構件可包括複數之像素電極，以及不透光構件可 包括複數之信號線將信號傳送至像素電極。 ί0 光阻礙構件可具有複數之面向像素電極的開口。 不透光構件可進一步包括複數之與像素電極連接的薄 膜電晶體以及信號線包括複數之閘極線及與薄膜電晶體連 接的資料線。 圖式簡單說明 15 本發明藉由相關於該等伴隨的圖式詳細地說明其之具 體實施例，將更為顯而易見，其中： 第1圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器面 板的一佈置圖； 第2圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器面 20 板的相鄰發射間之一編結區域的平面圖； 第3圖係為本發明之另一具體實施例的一液晶顯示器 面板的相鄰發射間的一編結區域的平面圖； 第4圖係為顯示一編結區域的平面圖，其係為介於本發 明之一具體實施例的一液晶顯示器的該等發射之間的一邊 200528794 界區域； 第5圖係為相鄰發射之邊界，以及本發明之-具體實施 例的一編結區域； 々^ '為本备明之一具體實施例的一液晶顯示器的 5 的佈置圖；以及 第7圖係為彡儿&给< ^ 1〜耆弟6圖中線νιμνιι，所取之液晶顯示器 的斷面圖。 * I：實施冷式】 較佳實施例之詳細說明 10 15 复 —Μ 半隨圖式於之後更為詳細地說明本發明， 、中所不係為本發明之該等具體實施例。然而，本發明可 以不同的形式加以呈辦 ^ ，、篮化，並且不應視為限制在於此所提 出的邊4具體實施例。 於該等圖式中，兔τ、主 、 r 马了凊晰起見，將該等層、薄膜及區 或的厚度β張地顯示。整_式中相同的代表符號係表示 。同之兀件應瞭解的是，當一元件，諸如一層、薄膜、 品或或基板係视為“位在另_元件上，，時，其可直接地位在 其他元件上或亦可存在介於中間元件。 因此，將相關於伴隨圖式說明本發明之具體實施例的 液晶顯示器及製造方法。 第1圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器面 板的一佈置圖，第2圖係為本發明之一具體實施例的一液晶 顯示器面板的相鄰發射間之一編結區域的平面圖，第3圖係 為本發明之另^具體貫施例的一液晶顯示器面板的相鄰發 20 200528794 射間的一編結區域的平面圖，第4圖係為顯示一編結區域的 平面圖，其係為介於本發明之一具體實施例的一液晶顯示 器的該等發射之間的-邊界區域，以及第5圖係、為相鄰發射 之邊界，以及本發明之一具體實施例的一編結單元。 5 芩考第1圖，此具體實施例的一液晶顯示器面板包括亦 視為一黑色矩陣的一光阻礙構件220，其具有界定像素區域 的複數之開口〇。光阻礙構件220阻礙相鄰像素區域間之光 洩漏。 光阻礙構件220係藉由將一包含黑色素的負光阻劑薄 1〇膜（未顯示）塗佈在一絕緣基板(未顯示）上，利用具有光阻礙 區域及透光區域的一曝光光罩執行曝光，並將光阻劑薄膜 顯影而製成。去除面向光阻礙區域的該等部分之光阻劑薄 膜，用以構成開口0,同時保留面向透光區域的該等部分之 光阻劑薄膜，用以構成光阻礙層220。 當液晶顯示器面板之一顯示區域的尺寸，其包括複數 之像素區域，係大於曝光光罩之尺寸時，利用分步重複製 裎將顯示區域接受一區域曝光。如第2圖中所示，主動區域 係藉由諸如發射A及B的複數之發射而曝光。 此外，考量對準邊緣，提供介於二相鄰發射A及B之間 20 的一部分重疊區域。因而，位在部分重疊區域中光阻劑薄 祺之一些部分，係經二次曝光。由於，負有機光阻劑係視 曝光之次數而一再地變化其之材料特性，諸如光學密度， 所以一次曝光部分及二次曝光部分之透光性可為不同的， 造成影像上之斑點。 200528794 弟5圖係顯示相鄰發射之間的邊界線a及b，其橫跨開口 〇用於將二次曝光部分減至最小。比較由X表示的一邊界 線’與光阻礙薄膜220相交的邊界線a及b之曝光長度a，及y 係為極短的。相反地，沿著光阻礙薄膜220延伸的邊界線χ， 5 可造成一相當長的二次曝光部分。 此時，如第3圖中所示，該部分重疊區域係經構形為_ 編結區域。於編結區域中，位在左發射Α中光阻礙區域或曝 光區域，並未與位在右發射B中的該等區域部分重疊。編結 區域係化分成複數之編結單元，其每一單元構成一光卩且礙 10區域或是一曝光區域，並且在發射A及B中，光阻礙區域與 曝光區域係可交換的。例如，編結區域可劃分成複數之編 結單兀’其係如第4圖中所示般的一NxM(其中Μ及N係為自 然數)矩陣方式配置。 第4圖係圖示分別地位在左發射a及右發射β中光阻礙 15區域及曝光區域的配置。白色區域表示曝光區域，同時累 色區域表示光阻礙區域。 如第4圖中所示，在左發射八中，一修正行包括更多的 曝光區域，同時在右發射B中，包括較少曝光區域。 像素區域可包括一或更多編結單元，或是一編結單元 20包括複數之像素區域。減小尺寸的編結單元，可更為有效 地防止無法識別的馬賽克圖案。 >

上第5圖顯示一示範的編結單元c，其之邊緣與開口〇相 又因而，-像素區域係由四編結單元之該等四分之 刀所組成’較為接近發射3之像素區域包括更多屬於發射B 200528794 之編結單元。然而，編結單元可僅包括一像素之一部分， 或可包括至少一像素。 假若無編結區域，則相鄰二發射A&B係經對準，致使 位在二發射AAB之邊界上的開σ〇係小於或大於二發射A 5及B内的該等開口。然而，假若編結區知知係如第頂中所示 地構形，則在編結區域中開口 〇之尺寸自左至右逐漸地變 化，並無法察覺位在二發射a&b之邊界處亮度的差異。 相關於第6及7圖壯說明本發明之另—具體實施例的 一液晶顯示器。 10 第6圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器之 一佈置圖，以及第7圖係為沿著第6圖中線νπ_νπ，所取之液 晶顯示器的斷面圖。 本發明之一具體實施例的一液晶顯示器，包括一薄膜 電晶體(TFT)陣列面板1〇〇、一共通電極面板2〇〇，其係面向 15薄膜電晶體(tft)陣列面板1〇〇具有一預定間隙，以及一液 晶層（未顯示），其係填注於薄膜電晶體(TFT)陣列面板 1〇〇與共通電極面板2〇〇之間。用於將液晶（LC)層中液晶（LC) 分子對準的對準層（未顯示），可塗佈在面板100極200之内表 面上。 20 就薄膜電晶體(TFT)陣列面板100而言，用於傳達閘極 信號的複數之閘極線121，係構成在一絕緣基板110上。每 閘極線121實質上在一橫方向上延伸，並且每一閘極線 121之複數部分構成複數之閘極電極124。每一閘極線121包 括複數之向下突出的膨脹部分127。 12 200528794 閘極線121包括二具有不同物理性質的薄膜，一為下薄 膜而另為上薄膜。該上薄膜較佳地係以低電阻率金屬製 成，其包括包含金屬之鋁，諸如鋁及鋁合金，用於減少閘 極線121中的信號延遲或電壓降。另一方面，下薄膜較佳地 5係以諸如路、錮及銦合金之材料製成，其具有與諸如氧化 銦錫(ιτο)或氧化銦鋅(IZ〇)的其他材料具有良好的接觸特 性。下薄膜材料及上薄膜材料之一良好示範性結合，係為 鉻及鋁_歛合金。於第7圖中，閘極電極124之下及上薄膜係 分別以代表符號241及242標示，以及膨脹部分127之下及上 10薄膜係分別以代表符號271及272標示。 上溥膜及下薄膜的橫向側邊係相對於基板1 1 〇之一表 面傾斜，其之傾斜角的範圍約為30-80度。 構成在閘極線121上的一閘極絕緣層14〇，較佳地係以 氮化矽(SiNx)製成。 構成在閘極絕緣層140上的複數之半導體帶條151，較 it地係以氫化非晶砍（間寫成“a_Si”)製成。每一半導體帶條 151實質上係於縱方向延伸，並具有複數之突出部分154朝 向閘極電極124分支。每一半導體帶條151之寬度變大接近 閘極線121，致使半導體帶條151覆蓋閘極線121之較大區 2G 域。 構成在半導體帶條151上的複數之歐姆接觸帶條及島 狀部分161及165 ’較佳地係以石夕化物或重摟雜^^型雜質的 氫化非晶碎製成。母一歐姆接觸帶條161具有複數之突出部 分163，該等突出部分163及歐姆接觸島狀部分165，係成對 13 200528794 地配置在半導體帶條151之突出部分154上。 半導體帶條151及歐姆接點161及165之橫向側邊係經 推拔，其之傾斜角範圍較佳地約介於3〇-8〇度之間。 複數之資料線171、複數之汲極電極175及複數之儲存 5電容器導體177係構成在歐姆接點161及165與閘極絕緣層 140 上。 θ 用於傳達資料電壓的資料線171，實質上在縱方向上延 伸並與閘極線121相交。每一資料線171的複數之分支，朝 向汲極電極175突出，構成複數之源極電極173。每一汲極 10電極175係與資料線171分開，並相關於一閘極電極124與i 源極電極173相對配置。一閘極電極123、一源極電極、 以及一汲極電極175連同一半導體帶條151之一突出部分 154，構成一薄膜電晶體，具有一構成在配置介於源極電極 173與汲極電極175之間的突出部分154中的一通道。 15 儲存電容器導體177與閘極線121之膨脹部分丨27部八 重叠。 資料線17卜汲極電極175及儲存電容器導體177包括— 傳導性薄膜，其較佳地係以鉬、鉬合金、鉻、鋁或鋁合金。 然而，其可具有三層式結構，包括（1)鉬或鉬合金，（2)鋁， 20及（3)鉬或鉬合金。 如同閘極線121，資料線171、汲極電極175以及儲存電 容器導體177具有推拔的橫向側邊，並且其之傾斜角範圍約 為 30-80度^。 歐姆接點161及165係僅插入介於在下面的半導體帶條 200528794 151與壓在上面的資料線171以及壓在上面的汲極電極1乃 之間’亚降低介於其間的接觸電阻。半導體帶條151包括複 數之曝露部分，其並未以f料線171及汲極電極175覆蓋， · 諸如配置在源極電極173與汲極電極175之間的該等部分。 5 f官半導體帶條151在大多位置處係較資料線i7i為窄，但 ' 疋如上所述半導體帶條151之寬度變大接近閘極線，用以使 · 表面之外形平順，從而防止資料線171中斷。 一保護層180係構成在資料線17卜汲極電極175、儲存 ^體177、以及半導體帶條151之暴露部分上。保護層180較 # ^地係以具有良好的平坦特性之光敏有㈣料，或是低介 電邑、彖材料，諸如藉由電漿增強式化學氣相沉積(服 2成之Si:c:〇及a_Si:〇:F所製成。該保護層18〇可為一雙層 、:構&括-無機下薄膜，較佳地係以氮化石夕或是氧化矽 製成，以及一有機上薄膜，因而半導體帶條151之暴露部分 15不致與有機材料接觸。 保濩層180具有複數之接點孔185及187,分別地露出汲 極電極175及儲存導體lr/。 修 ^構成在保護層180上的複數之像素電極190，其較佳地 係以穿透性傳導材料製成，諸如ΠΌ及IZQ或是反射性傳導 · 20材料，諸如鋁及銀。 · 像素電極19 〇係通過接點孔丨8 5實體地與汲極電極} 7 $ 電連接，並且經由接點孔187與儲存電容器導體177連接， 使像素電極190自汲極電極175接收資料電壓，並將接收 的貧料電壓傳送至儲存電容器導體177。供給資料電壓的像 15 200528794 素電極190與位在共通電極面板200的一共通電極(27〇)合作 產生電場，將配置於其間之液晶層中的液晶分子再定向。 像素電極190及共通電極構成一液晶電容器cLc，其在 關掉薄膜電晶體Q之後，儲存施加的電壓。配置稱為_‘‘儲 5存電谷器”的一附加電容器，其係與液晶電容器CLC並聯， 用於增強電壓儲存容量。藉由將像素電極19〇與和其相鄰的 閘極線121(稱為“事先閘極線，，)部分重疊，作動該儲存電容 器。儲存電容器之電容，亦即，藉由在閘極線121處配置膨 脹部分127用於增加部分重疊區域，並藉由在像素電極19〇 1〇下方配置儲存電容器導體177，其係與像素電極190連接並 與膨脹部分127部分重疊，用於減少終端間的距離而增加儲 存電谷除此之外，可增加一儲存電極（未顯示），其較佳地 係以與閘極線121相同層製成並與像素電極19〇部分重疊。 像素電極190係與閘極線121及資料線171部分重疊，用 15以增加開口率Operture ratio)但係為可任擇的。 面向TFT陣列面板1〇〇的共通電極面板2〇〇，包括一較 佳地係以透光玻璃製成的絕緣基板21〇、一光阻礙構件 22〇其具有複數之面向像素電極190的開口並較佳地係以 負有機材料或光阻礙材料製成、複數之紅、綠及藍光彩色 2〇濾光片230，其實質上配置位在由光阻礙構件220所界定之 開口中、一保濩層250其係構成在彩色濾光片230以及光阻 礙構件220上、以及一共通電極27〇其係構成在保護層25〇上 並較佳地係以諸如IT0及IZ〇的穿透性導體所製成。 根據第6及7圖中所示之一製造液晶顯示器1〇〇的方 16 200528794 法，藉由利肖區域曝光將一有機光阻劑薄膜(未顯示）塗佈、 曝光以及顯影而構成光阻礙構件220。此時，藉由將一像素 劃分成左與右半部分或是上與下半部分，而麟_編結單 元。除此之外，-或更多的像素區域可使用作為一編結單 元。因此，編結單元之邊界係與光阻礙構件22q之邊緣間隔 開的光阻礙構件22 0之中心線相配合，因而光阻劑薄膜之二 次曝光部分220,構成光阻礙構件22〇之中心部分，而非其之 邊緣部分。 ^ TFT陣列面板刚及共通電極面板2_經對準，並裝 1〇配成其間具一間隙以及將液晶注射入該間隙中用以構成-液晶層。此時’ TFT陣列面板1〇〇中不透光構件，諸如問極 線121及㈣線17卜其係較光阻礙構件220騎，面向光阻 礙構件220之中心部分。易言之，光阻礙構件220之中心、 二次曝光部分220,，其係與編結單元之邊界減合，面向 15閘極線121及資料線⑺。因此，光阻礙構件咖之二次曝光 j刀220的不同透光率’係藉由閘極線⑵及資料線加以覆 蓋’從而防止在影像中產生斑點。 、於第5圖中所示之編結區域可用在第S及7圖中所示之 液晶顯示器。 20

彩色濾、光片230可配置在TFT陣列面板觸上，於此狀 況下，其較佳地配置在㈣層⑽上或是保護層下方。 如上所述，㈣造LCD所用之面板的方法中，在一區 _光_發射之邊界係與光阻礙構件之開口上方相交，或 疋在光阻礙構件之邊界中的二次曝光部分與信號線部分重 17 200528794 疊，從而將呈現為斑點的編結缺陷減至最少。 仏吕本發明已詳細地相關於較佳的具體實施例加以說 明，但热知此技蟄之人士應察知的是可作不同的修改及替 代而不致月離於附加的申請專利範圍中所提出之本發明 5 的精神與範疇。 ' 【圖式簡單說明】 第1圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器面 板的一佈置圖； 第2圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器面 鲁 10板的相鄰發射間之一編結區域的平面圖； 第3圖係為本發明之另一具體實施例的一液晶顯示器 面板的相鄰發射間的一編結區域的平面圖； 第4圖係為顯示一編結區域的平面圖，其係為介於本發 明之一具體實施例的一液晶顯示器的該等發射之間的一邊 15 界區域； 第5圖係為相鄰發射之邊界，以及本發明之一具體實施 例的一編結區域； 第6圖係為本發明之一具體實施例的一液晶顯示器的 的佈置圖；以及 ， 20 第7圖係為沿著第6圖中線VII-VII，所取之液晶顯示器 ▲ 的斷面圖。 【主要元件符號說明】 50,52,54···光阻劑 110,210…絕緣基板 81，82...接點輔助裝置 121，127…閘極線 18 200528794 124…閘極電極 140.. .閘極絕緣層 151，154···半導體 161，163，165…歐姆接點 170.. .傳導層 171.179.. .資料線 173.. .源極電極 175…汲極電極 177.. .儲存電容器導體 180.. .保護層 185，187·..接點孔 190.. .像素電極 220.. .光阻礙構件 220’...二次曝光部分 230.. .彩色濾光片 250.. .保護層 270.. .共通電極

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Claims (1)

1. 200528794 十、申請專利範圍： 1. 一種製造液晶顯示器面板的方法，該方法包括： 將一負有機光阻劑塗佈在一基板上； 利用包括彼此相鄰之第一及第二發射的複數之發 5 射執行區域曝光；以及 將光阻劑顯影用以構成一具有複數之開口的光阻 礙構件， 其中第一及第二發射具有一與開口交叉的邊界。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括： 10 製備一編結區域其係配置接近第一及第二發射之 邊界，以及包括複數之編結單元，每一編結單元係在第 一及第二發射的其中之一發射中受曝光，並在第一及第 二發射的另一發射中受到光阻礙。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該曝光編結單元或 15 光阻礙編結單元之數目，係沿著一方向由第一發射至第 二發射逐漸地減少或增加。 4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中該每一編結單元可 包括一像素區域、複數之像素區域，或是一像素區域的 一部分。 20 5.如申請專利範圍第3項之方法，其中該編結單元具有與 開口交叉的邊界。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該每一編結單元可 具有與至少其中二開口交叉的邊界。 7. —種製造液晶顯示器面板的方法，其係利用包括彼此相 20 200528794 鄰之第一及第二發射的複數之發射執行區域曝光，該方 法包括： 將一負有機光阻劑塗佈在一基板上； 製備一編結區域其係配置接近第一及第二發射之 5 邊界’以及包括複數之編結单元； 連續地執行第一及第二發射；以及 將光阻劑顯影用以構成一具有複數之開口的光阻 礙構件， 其中每一編結單元係在第一及第二發射的其中之 10 一發射中受曝光，並在第一及第二發射的另一發射中受 到光阻礙，並且編結單元具有與開口交叉的邊界。 8.如申請專利範圍第7項之方法，其中該曝光編結單元或 光阻礙編結单元之數目’係沿著一方向由第一發射至第 二發射逐漸地減少或增加。 15 9.如申請專利範圍第8項之方法，其中該每一編結單元可 包括一像素區域、複數之像素區域，或是一像素區域的 一部分。 10.如申請專利範圍第7項之方法，其中該每一編結單元可 具有與至少其中二開口相交的邊界。 20 11. 一種液晶顯示器，其包括： 一第一面板，其具有複數之不透光構件及透光構 件；以及 一第二面板，其具有一光阻礙構件係以一負光阻劑 製成並包括接受不同次數之曝光的第一及第二部分，第 21 200528794 二部分面向不透光構件。 以如申請專利範圍第叫之液晶顯示器 域構件之第-料偏④雜著第阻 阻礙構件之邊緣。 用从構成光 13.如申請專職圍第12項之液晶顯示器岐， 礙構件之第二部分可沿著光 ”中该光阻 14·如申請專利範圍第13項之構件之形狀延伸° 礙構件可财透紐件衫m其中該先随 10 15 20 15:=:r::=-- 二部分係曝光二次。 16*；；rtw 構件包括複數之像音雷托、 /、干忒透先 信號線將信號傳送至像素電2不透光構件包括複數之 17t：：I：：i：r 礙構件了具有贿之面向像素電極的開口。 =Γ:17項之液晶顯_板，其中該不透 t件了進—步包括複數之與像素電極連接的薄膜電 晶體以及信號線包括複 ㈣㈣㈣ 接的資料線。 雜線及與薄膜電晶體連 22