TW200527982A - Antenna for use in producing plasma and plasma processing apparatus comprising the same - Google Patents

Description

200527982 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用於半導體裝置和類似者之製造上之 黾K處理。又備更具體地說，本發明係關於一種用於在電 漿處理設備中產生電漿之天線。 【先前技術】 取+ π，隹一半導體基板上進行一沉積程序和一蝕 刻程序，以形成—半導體之微電路樣式或特徵。用以執行 沉積和钮刻程序之一常用之裝備為一電聚處理設備。 電锻處理設備可根據該等設備用來產生電漿之方法而 加:分類-如電感耦合電毁處理設備、電容耦合電聚處 理：，和微波電漿處理設備。電容耦合電漿處理設備具有 簡早、構’且產生均一的電漿。電容耦合電漿處理 ::::時：來執行一沉積程序，因為它們產生具有低密 …另一方面’電感耦合電漿處理設備可於—短日士 間内執行一沉積程序，因為它們可且古 衆。然而，雖然膚泛地被使用度之電 產生不均一之電激被使用但電感搞合電激處理設備 更具體地說’一電感耦合電聚處理設備包括 ， 在其内產生電漿。該腔室具有··一 透過其被供應至腔室中；…幫：：—作用氣體 ·、 至甲，具工資浦，用以在腔室中產生 :’以及一氣體出口，氣體透過其從腔室中排出。一在 -支撐晶圓之吸盤被置於腔室之下方部份上。 於腔至内之一上方部份上。藉由使用天線施加—電壓至該 200527982 作用氣體來於腔室中產生電漿。 ^該：線可為—單分支型式或多分支型式之天線。雖然 阻抗在單/刀支型式之天線中容易匹配，但單分支型式以低 率輸出射頻（rf)功率，因為其高阻抗之故。另—方面， 夕刀支型式之天線在產生RF功率方面是高度有效率的，因 =其低阻抗及其所提供之方位角—致性之故。’然而，在多 /刀支型式之天線中，電流可能非均—地分佈至以平行配置 第“圖顯示用以產生電聚之其他型式之傳統天線。此 .友匕括螺方疋分支，以及分別設於該螺旋分支之二末端 士 ：輪入/輸出端點。因為分支是螺旋的，所以分支之曲率 半k在整分支長度皆有變化。換句話說，分支之幾何令心 及分支本身間之距離根據分支之相對角位置而改變。 由傳統天線所產生之電場之樣式對應於分支之螺旋形 —、乡。果’使用傳統天線所產生之電漿分佈被偏壓朝向腔 至之一側。即，傳統天線無法被用來產生一均一之電漿。 再者’傳統天線係電氣串聯方式。因此，傳統天線特 倣為具有-高阻抗。因此，該傳統天線係以低度效率來傳 送一 RF功率。 【發明内容】 “本發明之一目標為提供一種天線，其促使產生均一之 電漿且亦具有低阻抗。 相@地，本發明之一目標為提供一種電聚處理設備， -產生均一之電漿且包含一具有低阻抗之天線。 200527982 根據本發明之— — 有實質上為相同之形狀:分:天線包括分離之分支，其具 何圖形，該幾何”對稱地配置且沿著至少二幾 相對於該中心轴而對稱地配置。中〜軸而為同心，分支係 X等刀支可沿著同心圓而 支包括複數個弧型之樣式形U月況中，每個分 構成每個分支部份間延伸並連接該連接部份。 根據本發明之另一顧點 m"1的曲率半徑。 室，一作用氣f、& 2| —電漿處理設備包括：一腔 用矾體被引入至Α φ · 被配置在腔室之下分、，'、上支樓有晶圓之吸盤 線，其具有前述特徵。用以二及—被配置在腔室上之天 輸，點係設置在分支之二末端上。 股至之上方辟开每讲、 之分支之揭 只貝上為平坦的。在此情況申，天線 心刀又之樣式形成部 者，腔室之上方壁可為圓; 相同之平面中。或 支之每一個夕媒+ , 在此情況中，構成該等分 # 7式形成部份係分別配置於平行平面中，产 者該圓頂形上方 J己置於千仃千面中〜 ^ 乏呵度來加以間隔開來。 才乂據本發明，可產生 本上形成諸如圓之H 《電-，因為天線之分支基 電氣並_ P〜成何圖形之樣式。又，該等分支係 傳Γ使得該天線具有低阻抗，且因此可以-高 旱來傳送功率至作用氣體。 【實施方式】 實施例1 200527982 參考第1圖，和播 例包括第一和第…根康本發明之-天線_之-第一實施 〜分支110和120,1且右香斯 狀。第一和第二八士 一，、有實質上相同之形 刀克110和120包含值道从』丨 之形式。再者，第一 &一、 傳導材料且係為電線 於一通過中心c > ^刀支11 〇和1 20為對稱地相對 同心圓之中心邀中 #來配置且沿著二同心圓設置，該 ”中心C 一致。 更具體地說，繁一 # 一 半圓樣式形成部份〇弟一分支110和120包括··第一 123，其每一個旦 > 121’·第二半圓樣形成部份H3和 半# .以i、$Μ、 第一樣式形成部份111和12〗者之 部份;】=::?2和122,分別延伸於苐-樣式形成 之間。第-樣2!'?末端和第二樣式形成部份⑴和⑵ ， v成部份11 1和1 2 ][和笛—接 113和123位於實質 苐—樣式形成部份 月貝上相同之平面中。 之第'U°之第一樣式形成部份111和第二分支120 第一樣式形成部份⑵沿著具有中心刀支120 伸。第_八士 L之弟一圓而延 之第刀 式形成部份113和第二分支12() Γ樣式形成料123沿著具有大於第-圓直徑之吉Γ 之弟—圓而延伸。第-樣式形成部份in和121 位 式形成部份113和123 和⑵和苐二樣 向上笛 123間之間隔’即在從中心C之半徑方 白上弟—樣式形成部份lu和12 方 和123間之間隔實質上係為固定。 式形成部份113 又’第一和第二分Φ 11Π4 1 〇 Λ 心Γ夕 〇和120之末端係沿著通過中 L之一中心線而設置。輸 ⑵設在第…二八± 出^點114’115’⑶和 77 1〇和120之末端。輸入/輸出端 .200527982 點114，115，124和125係用來施加一電壓跨越第一和第 二分支110和120。因此，當最接近中心c之端點114和 1 24為第一和第二分支n 〇和〗2〇之輸入端點時，端點11 $ 和1 25係用以將第一和第二分支丨〗〇和〗2〇接地之輸出端 點。另一方面，當最接近中心c之端點114和124為用以 將第一和第二分支110和12〇接地之輸出端點時，端點US 和1 2 5便為輸入端點。 實施例2 麥考第2圖，根據本發明之其他天線2〇〇 第：分支一 〇,其具有實質上相同之形狀 -分支210牙口 220形成三個同心圓，其位於實質上相同之 :面中。第-和第二分《21(^⑽包括第三樣式形成部 2 217和227,其藉由連接部份216和226連接至第—和 支广义於第1圖中所示之第一和第二分支丨；和 一。苐二樣式形成部份217_ 227沿著具有大於第 第一 0而延伸。在每對相鄰同心圓間之間 相同的。端點215和225 μ於筮-接々π上 网疋 之外部末端。225 -於弟二樣式形成部份叫227 頁抛例3 參考第3圖’根據本發明之另一天線3 弟二分支310和320, n右杏所μ π 匕栝第一和 二分支⑽和32〇於、_上γ门相同之形狀。第—和第 圓。第-和第二八面中形成四個同心 一刀支310和32〇包括四個樣式形成部 和329,其藉由連接部份318和328連接至第—，第二^ 200527982 三分支，其類似於…中所示者。第四個樣式 ㈣和329沿著第四（最外面）同心圓㈣伸H ^ =只貝上相同。端，點31 5 # 325設於第四同心樣式形 份31 9和3 2 9之外部末端。 σ ’根據本發明之一 其中每對沿著個別 又，根據第一至第三實施例之原理 天線可具有五或更多對樣式形成部份， 的同心圓延伸。 實施例4

弟一和弟三分支410,420 乐 狀。第-，第-和笛… 具有貫質上相同之 而對稱地配置，且形成 糸對一中心 笛一⑯ 形成具有中心C之二個同心圓。 -, 一和第二分支41〇，420和430包& . g 樣式形成部份411，421和431 匕^弟一

一個具有較大圓之三之部份413,423 ^H 和432，其在第一接之形狀，以及連接部份412, 4: 式形成部份413,423:=:: 411，421和切和第二; 第二和第三分支41。，420二目鄰末端之間而延伸。第- 更具體地說，第—八位於實質上相同之平面中 第二分支420之第—媒 1〇之第一樣式形成部份411 之第-樣式形成…：：成，份421以及第三分支心 =之第二樣式形成部份413者弟=而延伸。第… 成部份423以及第二八± 第二分支“Ο之第二樣式无 3〇之第二樣式形成部份433 , 10 .200527982 著第二圓而延伸，哕楚 徑。介於第… 弟二圓具有一大於第-圓直徑之直 樣式形成部份411，421和431以及第二 @ 1 和433間之距離（亦即在半徑方向上之 間隔）係為固定。如此， ^ 弟—和第二圓相對於中心C係為同 —’第二和第三分支41。，42。和430之末端之每一 個係Ά者從中心c辦& & ^ A C仫向向外延伸之三條線之一而設置。三 备、線之對角係為約1 2 0。 之角。輸入/輪出端點414，415，

424 ’ 425 ’ 434和435今於楚 墙. 於弟一，弟二和第三分支410，42( 〇之末端。輸入/輪出端點414，415，424，425，43/ 和挪用以將一電壓加在橫跨 420和430上。因此，當最靠近中心C之端點414 ’ 424和 434被用來做為第―，第二和第三分支川，和權之

^㈣時，端點415,425和435被用來做為用卩將第一， 弟一和=三分支410，42〇和43〇接地之輸出端點。另一方 田最*近於中〜C之端點414’ 424 #〇 434被用來做為 用以將第-’第二和第三分支41〇’42〇和43〇接地之輸出 端點時，端點415，425和435被用來做為第一，第二和第 二分支410，420和430之輸入端點。 實施例5 麥考第5圖，根據本發明之其他天線5〇〇包括具有實 質上相同之形狀之第一，第二和第三分支51〇,52〇和53〇。 第一，第二和第三分支510，520和530沿著三個同心圓而 延伸’該同心圓係位於實質上相同之平面中。第一，第二 11 200527982 和第二分支5l〇，e b20和530包括第三樣式形成部份517， 527和537，苴八…―丄 ，、刀別猎由連接部份51 6，526和536連接是 第一和第二樣式形成部份，其類似於第4圖尹所示之第一 份4]] ’ 42]和43]和第二樣式形成部份4J3，

4 2 3和4 3 3。第：r祥斗、卫/ L 一 σ 樣式形成部份517，527和537沿著一第

二圓而延伸，並且古I 八八有大於第二圓直徑之直徑，第 成部份係沿著第—圓& 示樣式形 者弟一 0而延伸。同心圓間之間隔 同。端點515，525知uc： \ 月貝上相 牙535为別設在第三樣式形成部份517， 527和537之外部末端。 實施例6 圖’根據本發明之其他天線6gg包括第一， 弟一年弟二分支610，620和 狀。第-，第-和第-八士 一有貫為上相同之形 圓…： 支610,62°和63°沿著四個同心 ®…申’该同心圓位於實質上相同之平面 —和第三分支610, 62〇和63〇 第 627和637，其分別藉由連接 。知617， 第-，第-和第26和636連接至 者。第四樣式形成部份61 7,627和637沿 圖中所不 伸’第四圓係具有大於第三圓直徑之直 弟四圓而延 部份係沿著第三圓而延伸m㈣^樣式形成 端點61 5,625和635分別設在第四 =相同。 和咖之外部末端。 U份617, 627 又’根據第四至第六實施例之原理 天線可具有五個或更多組三個樣式形成部^^發明之一 其中每一組 12 200527982 沿著一個別同心圓而延伸。 實施例7 參考第7圖，根據本發明之另一天線7〇〇包括第一， 第二，第三和第四分支710，720，730和740，其具有實質 上相同之形狀。第，第二，第三和第四分支710，720， 730和740係對稱地相對於一中心c而配置且沿著二個具有 中心C之同心圓而設置。 "八,1υ ， /ζϋ ， 和 7

包括··第一樣式形成部份71卜721，731和74ι，並每一 具有圓之四分之一之形狀；第二樣式形成部份713、 :二和743每一個具有較大圓之四分之-之形狀以及連接. 份 712，722，732 和 742，苴 # ▲ 硬接 721 7qi, 7 742其係於第—樣式形成部份711 卜⑶和741與第二樣式形成部份 之個別末端間延伸。第一， 733和74 — 740位於實質上相同和第四分支川，72〇 第一分支710之第一揭々^

之第-樣式形成部份721，第式:、成部份711，第二分支72 份川以及第四分支74〇之=支730之第—樣式形成奇 一第一圓而設詈。楚 樣式形成部份741係沿| 第二分支咖之—分支71G之第二樣式形成部份713 二樣式形成部份733 ^式形成部份723’第三分支730之筹 份743係沿著以及第四分支740之第二樣式形成部 直徑之直徑。介：第二圓：設置’該第二圓具有大於第一圓 ’ 733和743間之距離（即種 13 200527982 向間隔）貫質上為固定。如此，第一和第二圓相對於中心c 係為同心。 第一、第二、第三和第四分支710，720，730和740 之末端之每一個之位置係沿著從中心c徑向向外延伸之四 條線之個別之一上。該等線之對角係約9〇。之角。輸入/輸 出端點 714, 71 5, 724, 725, 734, 735, 744 和 745 分別設在第 一、第二、第三和第四分支71 0, 720, 730和740之末端。 輸入 / 輸出端點 714, 715, 724, 725,734, 735, 744 和 745 係用 於施加一電壓跨越第一、第二、第三和第四分支 71 0, 720, 730和740上。因此，當最靠近於中心c之埠 714, 724, 734和744被用來做為第一、第二、第三和第四分 支71 0,720,730和740之輸入端點時，端點 和745被用來做為用以將第一、第二、第三和第四分支 710, 720, 730和740接地之輸出端點。另一方面，當最靠近 於中心C之端點714,724,734和744被用來做為用以將第 一、 第二、第三和第四分支710,72〇,73〇和74〇接地之輸 出端點時，端點71 5,725,735和745被用來做為第一、第 二、 第三和第四分支710,72〇,73〇和74〇之輸入端點。 實施例8 芩考第8圖，根據本發明之另一天線8〇〇包括第一、 第二、第三和第四分支810,82〇83〇和84〇，其具有實質上 相同之形狀。第一、第二、第三和第四分支81〇,82〇,83〇 和840沿著三個位於實質上相同之平面中之同心圓而延 伸。第一、第二、第三和第四分支81〇, 82〇, 83〇和84〇包 14 200527982

Hr式形成部份δ17,827,837和847,其藉由連接部份 斤’836和846連接至第一和第二樣式形成部份，其類 似於第一樣式形成部份711 7?1 7Ή # 741 、； /、、 又Η刀71 1,721,731和741以及第二樣式 成二” 713,723,733和743,如第7圖所示。第三樣式形 口习81 7, 827, 837牙口 847沿著具有大於第 控之一篦二m 工〜且

I伸，第二樣式形成部份係沿著第二圓而 延伸。同心圓間之pq A 間隔貫貝上相同。端點81 5, 825, 835和 /刀別設在第三樣式形成部份817,827,837㈣η之外部 末端。 實施例9 第一 μ ^ 9圖，根據本發明之另一天線9〇〇包括第一、 弟四刀支910, 920，930和940，Α呈有實質上 相同之形狀。篦—咕 八八π只貝工 4 0 .. 、第一、第三和第四分支910，920，930 第、VI著四Λ位於實質上相同平面中之同心圓而延伸。 第二和第四分支91 0, 920, 930和940包括第 ===部份 91 7,927,937 和 W，其藉 和946連接至第一、第二、第三樣式形成敎^ 射於第8圖中所示者。第四樣式形成部份 L1:，著—第四圓而延伸，該第四圓具有大於第三圓直 彳r—第二樣式形成部份沿著第三圓而延伸。同心圓 間之間隔貫質上知门 第四m 端點91 5,925, 935 #奶分別設在 弟樣式形成部份91 7,927,937和947之外部末端。 天線Ϊ且Γ據第七至第九實施例之原理，根據本發明之-…'有五或更多組四樣式形成部份，其冲每組係沿著 15 200527982 個別之同心圓而延伸。 實施例1 〇 片筝考第10圖，根據本發明之另一天線11 00包括第一、 第二和=三分支1110,1120和1130，其具有實質上相同之 ^、第 第一和第二分支111 〇，1120和1130係相對 2通過中心、c之中心軸而對稱地配置且於沿著二同心圓 設置，該同心圓之中心與該中心軸相符。 第 第〜和第二分支1110，1120和1130包括：第 Γ樣式形成部份U11，1121和113卜其每-個具有-圓之 一刀之之形狀；第二樣式形成部份1113, 1123和1133， 其每一個具有一鲂夬 孝乂大0之二分之一之形狀；以及連接部份 1112’1122 # 1132’其介於第—樣式形成部份1111，1121 和1131以及第二樣式形成部份⑴3，1123和之末端 間而延伸。第—樣式形成部份1111,1121和1131沿著-第

“平=u ’且第二樣式形成部份⑴3, i⑶和沿 著一第二平面而設置，贫笼―亚二Y 一 直 4弟一千面係與第一平面垂直地間 隔開來。 外輸入/輸出端點⑴4，1 1 1 5 1 124 1 1 25，1134和1135設 於第一、第二和第三分古111Λ 11n 一 支Ul0, ^20和1130之末端。輸入 /輸出端點 1114, 1115 1 , ，1124, 1 125, 1 134 和 1135 被用來施加 一電壓跨越第一、第-釦笛—八+， 弟一和第二分支1110, 1120和1130上。 因此，當最靠近於中心C夕ρ科，，，， 之*而點1114, 1124和1134被用來 做為第一、第二和第三分古 一 支1110，Π20和1130之輸入端點 時，端點 1115, 1125 和 m + 1135被用來做為用以將第一、第二 16 200527982 和第三分支110, 1120和1130接地之輸出端點。另一方面 當最靠近於中心C之端點1114, 1124和1134被用來做為用 以將第一、第二和第三分支lll〇，U2〇* 113〇接地之輪出 端點時，端點1115, 1125和1135被用來做為第一、第二矛 第三分支1110, 1120和1130之輸入端點。 口 在本實施例中，天線11 00具有三個分支i J丨〇，丨丨 和1130,其包含樣式形成部份，其每一個具有一圓之三八 之一之形狀。然而，根據本發明之一天線可具有其他數目 之分支，其包含樣式形成部份，其每一個為半圓或具有一春 圓之四分之一之形狀。 實施例11 參考第11圖，根據本發明之一天線1 3 〇 〇包括第一和 第二分支1310和1 320，其具有實質上相同之形狀。第一和 第一分支1310和1 320被彎曲約90度之角度。第一和第二 分支1310和1320係相對於一中心點來對稱地配置，且沿 著一系列矩形而延伸，其每一個之中心係在該點上。 上述之天線之實施例之分支係電氣地連接至一高頻電 馨 源。因此，電流沿著分支而平行流動，藉此減少天線之阻 抗、、’°果，可以南度效率來傳送一 RF功率給電漿。再者， 刀支對稱地配置，如此使得利用天線所產生之電漿係為均 一的。 第12圖說明一電漿處理設備ι〇〇〇，其具有根據第1圖 之具轭例之天線1〇〇。參考第12圖，電漿處理設備1〇〇〇亦 ^括· 一腔室1〇1〇，其中執行一電漿程序；一氣體入口 17 200527982 1120，藉由氣體入口 1120引入作用氣體至腔室loio中； 以及一氣體出口 1130，藉由氣體出口 mo將腔室1010中 之作用所產生之氣體從腔室101 0排出。一用以在腔室1010 中產生真空之真空幫浦1 040被連接至腔室1〇1〇。腔室1〇1〇 為圓柱形，且亦具有一平坦的上壁1〇7〇。 一在其上支撐一晶圓之吸盤1〇5〇被配置在腔室1〇1〇 之下方部份。天線100配置在腔室1〇1〇上。或者，根據本 發明之天線之其他實施例可用於電漿處理設備1 〇 〇 〇中。一 輸出一高頻功率之電源1 060係連接至天線1〇〇。 馨 第13圖說明一電漿處理設備12 〇 〇，其具有根據第1 〇 圖之實施例之一天線11 00。參考第13圖，電襞處理設備 1 200亦包括一腔室izio，其具有一圓頂形上壁。一氣體入 口 1 220和一氣體出口 1 230與腔室121〇之内部交流。一用 以在腔室1210内部產生一真空之真空幫浦124〇連接至腔 至1210。一在其上支撐一晶圓之吸盤125〇配置於腔室ΐ2ι〇 之下方部份。一輸出一高頻功率之電源i 26〇連接至天線 1100。天線1100圍繞腔室1210之上方部份，亦即為圓頂鲁 开v因為天線之樣式形成部份係沿著個別平面來加以配置 的’如配合第1 0圖而加以說明的。 藉由一習知天線及藉由一根據本發明之天線所產生之 磁場之測量 第14圖為一習知天線之一立體圖。第15圖為第工圖 中所示之天線之立體圖。 第14和15圖中所示之天線之内部端點係做為輸入端 18 200527982 點，用以施加-電壓跨越天線，且天線之外部端點被用來 將天線接地。天線之中心位於—點上。約5安典且在約 U’MMHz之頻率之評電流被供應至每個天線之内部端點。 =場之㈣分量⑽/„)係於—與天線平行且與該天線間 隔約5cm之平面中測量的。 第16圖顯示由通過第14圖中所示之習知天線之電流 所產生之磁場。帛17圖顯示由通過第15圖中所示之天線 之電流所產生之磁場。 如從第Η圖可清楚看到的，磁場之中心。“系與習知 天狀中心Co(在朝向圖形之右下方部份之方向)有偏移。 二：方面’如第17圖中所示的’磁場之中心&與根據本 二之天線之中心Co 一致。應注意到由第14圖之天線所 =之磁場之中心_從天線之中心位移朝向用於將天線 接地之外部端點。結果，使用第14圖中所示之天線所產生 之電漿具有-密度，該密度係沿著對應於從天線之中心朝 ?部端點之方向之方向而變化’即電漿在腔室中可能不 疋均：地分佈。相對來說，從第15圖中所示之天線所產生 =场之中心⑺係位於天線之中心C。。如此，使用第15 天線所產生之電漿可於腔室中均-地分佈。 由一習知天線與根據本發明之一天線所產生之 測Ϊ 在與上述相同之條件下， 線所產生之電場之方位角分量 約5Cm之平面中測量的。 由第14和15圖中所示之天 Εθ (V/m)係於一與天線間隔 19 200527982 第18圖顯不由第14圖之天線所產生之電場。第a 顯示由第15圖之天線所產生之電場。 θ 如從第18圖可清楚看出的，從第14圖之天線發出 電場相對於天線之中心&來說並不是均—的。另一方面， 參 如第“19圖中所示的’從第15圖中之天線所發出之電場形 成繞著天線之中心c〇之同心圓。因此，習知天線可能無法 被用來於電漿處理腔室中產生均一之電漿。然而， 明之天線容易地促使於這樣一個腔室中形成均一的電漿： 根據本發明，一電漿處理設備之天線包含分離之分 支’其具有實質上相同之形狀，且其係對稱地配置且形成 同〜樣式。如此，使用根據本發明之天線可產生均一性。 又刀支係電氣並聯，如此使得天線之阻抗相對地低，藉 此天線可以高度效率來傳送RF功率。 雖然已配合較佳實施例來說明本發明，但於閱讀本說 =内容後，熟悉本項技術之人士係將明確地了解該等較佳 貫施例之修改和變化。因此，應了解到，於申請專利範圍 所界疋之本發明真實精神與範圍内，所揭示之實施例可加 以修改或變化。 【圖式簡單說明】 閱項苓照圖式之較佳實施例之詳細說明可更加了解本 發明之上述和其他目標、特徵和優點 圖； 第1圖為根據本發明之一天線之一第一實施例之平 面 第 圖為根據本發明之一天線之一第二實施例之平 面 20 圖； 圖； 圖； 圖 圖 200527982 圖； 第 3圖為根據 圖； 第 4圖為根據 圖； 本發明之一天線之 本發明之一天線之 第5圖為根據本發明之一天線之一 第6圖為根據本發明之—天線之一 第7圖為根據本發明之〜天線之一 第8圖為根據本發明之〜天線之一 第9圖為根據本發明之〜天線之一 第1 〇圖為根據本發明之 圖 第11圖為根據本發明之〜天線之一 面圖； 第12圖為根據本發明具有如第i圖 裝處理设備之截面圖； 第13圖為根據本發明具有如第工〇 電漿處理设備之截面圖· 第14圖為一習知天線之一立體圖； 第三實施例之平面 第四實施例之平面 第五實施例之平面 第六實施例之平面 第七實施例之平面 第八實施例之平面 第九實施例之平面 第十實施例之平面 第十一實施例之平 中所示之天線之電 圖中所示之天線之 21 200527982 第15圖為根據本發明 圖· 文弟5圖中所示之天線之立體 第1 6圖為由流經如 ^ ^ . . ^ 禾J 4圓中所示之習知天線之電流 所產生之磁場之影像； 弟Ϊ 7圖為由流經赏 ^ ^ ^ 15圖令所示之習知天線之電流所 產生之磁場之影像； 苐18圖為由流細楚 ^ ^ ^ ^ 弟以圖中所示之習知天線之電流所 產生之電場之影像；以及 圖中所示之天線所產生之.電場之影 像 第19 圖為由第15圖 【主要 元件符號說明 100 天線 110 分支 111 樣式形成部份 112 連接部份 113 樣式形成部份 114 端點 115 端點 120 分支 121 樣式形成部份 122 連接部份 123 樣式形成部份 124 端點 22 200527982 125 端點 200 天線 210 分支 215 端點 216 連接部份 217 樣式形成部份 220 分支 225 端點 226 連接部份 227 樣式形成部份 300 天線 310 分支 315 端點 318 連接部份 319 樣式形成部份 320 分支 325 端點 328 連接部份 329 樣式形成部份 400 天線 410 分支 411 樣式形成部份 412 連接部份 413 樣式形成部份

23 200527982 414 端點 415 端點 420 分支 421 樣式形成部份 422 連接部份 423 樣式形成部份 424 端點 425 端點 430 分支 431 樣式形成部份 432 連接部份 433 樣式形成部份 434 端點 435 端點 500 天線 510 分支 515 端點 516 連接部份 517 樣式形成部份 520 分支 525 端點 526 連接部份 527 樣式形成部份 530 分支

24 200527982 535 端點 536 連接部份 537 樣式形成部份 600 天線 610 分支 615 端點 618 連接部份

619 樣式形成部份 620 分支 625 端點 628 連接部份 629 樣式形成部份 630 分支 635 端點 638 連接部份

639 樣式形成部份 700 天線 710 分支 711 樣式形成部份 712 連接部份 713 樣式形成部份 714 端點 715 端點 720 分支 25 200527982 721 樣式形成部份 722 連接部份 723 樣式形成部份 724 端點 730 分支 731 樣式形成部份 732 連接部份 733 樣式形成部份 734 端點 735 端點 740 分支 741 樣式形成部份 742 連接部份 743 樣式形成部份 744 端點 745 端點 755 端點 800 天線 810 分支 815 端點 816 連接部份 817 樣式形成部份 820 分支 825 端點

26 200527982 826 連接部份 827 樣式形成部份 830 分支 835 端點 836 連接部份 837 樣式形成部份 840 分支 845 端點 846 連接部份 847 樣式形成部份 900 天線 910 分支 915 端點 918 連接部份 919 樣式形成部份 920 分支 925 端點 928 連接部份 929 樣式形成部份 930 分支 935 端點 938 連接部份 939 樣式形成部份 940 分支

27 200527982 945 端點 948 連接部份 949 樣式形成部份 1 000 電漿處理裝置 1 000 電漿處理裝置 1010 腔室 1 020 氣體入口

1 030 氣體出口 1 040 真空幫浦 1 050 吸盤 1 060 電源 1 070 壁 1100 天線 1110 分支 1111 樣式形成部份

1112 連接部份 1113 樣式形成部份 1114 端點 1115 端點 1120 分支 1121 樣式形成部份 1122 連接部份 1123 樣式形成部份 1124 端點 28 200527982 1125 端點 1130 分支 1131 樣式形成部份 1132 連接部份 1133 樣式形成部份 1134 端點 1135 端點 1210 腔室

1 220 氣體入口

1 230 氣體出口 1 240 真空幫浦 1 250 吸盤 1 260 電源 1 300 天線 1310 分支 1 320 分支 29

Claims (1)

1. .200527982 十、申請專利範圍·· 1· 一種用於產生電漿之天線，包含： 複數個分離分支，其具有實質上相同之形狀，該等分 支係對於中心轴對稱地配置，且該分離分支包含樣式形 成部份’其完全位於至少二個同心幾何圖形内，該幾何圖 形中心與該中心軸一致。 2. 如申請專利範圍第"員之天線，其中該同心 形為同心圓。 3. 如申請專利範圍帛2項之天線，其中每個分支包含 U:形樣式形成部份及至少一個連接部份，該連接部 該檨·^於該樣式形成部份之間且連接該樣式形成部份， 二；：成部份分別構成每個分支，該分支係沿著同心圓 ^半:此構成每個該等分支之樣式形成部份具有不同之 份二利嶋3項之天線，其中該樣式形成部 1位於貫質上相同之平面中。 之樣專利範圍…之天線，其中構成每個分支 乂成邛份係分別配置於平行平面中。 之中it申請專利範圍"項之天線，其中介於該同心圓 圓間之ΓΓ最内者間之徑向間隔及介於每對相鄰之同心 〈公向間隔實質上相同。 成部份請專利範圍第3項之天線’其中該每個樣式形 8有介於約半圓和約四分之_圓之間之長产。 .如申請專利範圍第i項之天線，其進一步包含在該 30 •200527982 每個分支之末端上之電氣終端。 9 · 一種電漿處理設備，其包含： 一處理腔室，其中引入一作用氣體； 一配置在該腔室下方部份之吸盤，其上支撐一晶圓 以及 一配置在該腔室上之天線，該天線包括複數個分離分 支，其具有實質上相同之形狀，該等分支係相對於一申心

   點來對稱地配置，且該分離分支包含樣式形成部份，其完 全地位於至少二個同心幾何圖形内，該幾何圖形之中心與 該中心點一致。 … …以如申請專利範圍第9項之設備，其中該同心圖形為 同心圓，且天線之每個分支包含複數個弧形樣式形成部份 以及至少-個連接部份，該連接部份係延伸於該樣式形成 部份之間且連接該樣式形成部份，該樣式形成部份分別構 St:該分支係沿著該同心圓延伸’藉此構成該 個刀支之樣式形成部份具有不同的曲率半徑。 ，其中該腔室包含 式形成部份全部仅

   11.如申請專利範圍第1〇項之設備 一實質上平坦之圓形上方壁，以及該樣 於貫質上相同之平面中。 12.如申請專利範圍第1〇項之設備，其中 :圓頂形上方壁’ *且構成該每個分支之樣式形成部^ 刀別配置於平行平面中’其係沿著該圓頂形上方 被間隔開。 土〈向 31