CN109285755B - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容小的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体内设置有静电卡盘和下部电极。下部电极经由导体管而与高频电源电连接。在静电卡盘内设置有多个加热器。多个加热器经由多个供电线而与加热器控制器电连接。在多个供电线上分别设置有多个滤波器。多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件之类的电子元件的制造中，使用等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、载置台以及高频电源。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。载置台设置在腔室内，构成为对被载置在该载置台上的被加工物进行保持。载置台包括下部电极和静电卡盘。下部电极与高频电源连接。
在等离子体处理装置中执行的等离子体处理中，需要调整被加工物的面内的温度分布。为了调整被加工物的面内的温度分布，在载置台设置多个加热器。多个加热器各自经由多个供电线而与加热器控制器连接。
从高频电源向载置台的下部电极供给高频。被供给到下部电极的高频会流入多个供电线。因而，在多个供电线上分别设置将高频切断或使高频衰减的多个滤波器。如专利文献1所记载的那样，多个滤波器配置于腔室主体的外侧。因而，多个供电线分别包括从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线。
专利文献1：日本特开2014-99585号公报
发明内容
发明要解决的问题
从静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线分别相对于地电位产生寄生电容。其结果是，多个供电线上的滤波器的针对高频的阻抗下降。多个供电线上的滤波器的阻抗的下降带来高频的损失。由于高频的损失，对等离子体处理产生影响。例如，由于高频的损失，产生蚀刻率的下降。因而，需要减小从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容。
用于解决问题的方案
在一个方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室主体、载置台、高频电源、导体管、多个供电线以及多个滤波器。腔室主体提供其内部空间来作为腔室。载置台构成为在腔室内支承被加工物。载置台具有下部电极和静电卡盘。静电卡盘设置在下部电极上。静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与多个加热器电连接的多个端子。高频电源配置于腔室主体的外侧，构成为产生向下部电极供给的高频。导体管将高频电源与下部电极电连接。导体管从下部电极侧延伸到腔室主体的外侧。多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向多个加热器供给。多个滤波器各自的第一部分构成多个供电线。多个滤波器构成为，防止高频从多个加热器向加热器控制器流入。多个滤波器设置于腔室主体的外侧。多个供电线包括将静电卡盘的多个端子与多个滤波器分别连接的多个配线。多个配线穿过导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。
在等离子体处理装置的动作期间，经由导体管从高频电源向下部电极供给高频。因而，在等离子体处理装置的动作期间，导体管的内孔从地电位断开。在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，将多个加热器与多个滤波器分别电连接的多个配线穿过导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。因而，能在导体管的内孔中确保从多个配线的各个配线到地电位的空间距离。因而，多个配线各自的寄生电容变小。
在一个实施方式中，载置台还具有设置于下部电极的下方的导电构件。导电构件与下部电极电连接，并且在下部电极的下方提供由下部电极和导电构件围成的区域。导体管的一端与导电构件连接。多个配线穿过由下部电极和导电构件围成的区域、以及导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。在本实施方式中，在等离子体处理装置的动作期间，经由导体管和导电构件从高频电源向下部电极供给高频。因而，在等离子体处理装置的动作期间，由下部电极和导电构件围成的区域从地电位断开。在本实施方式中，多个配线穿过该区域和导电管的内孔而被引出到腔室主体的外侧。因而，能在导体管的内孔中以及该区域中确保从多个配线的各个配线到地电位的空间距离。因而，多个配线各自的寄生电容进一步变小。
在一个实施方式中，导体管共享静电卡盘、下部电极以及导电构件的共同的中心轴线。静电卡盘的多个端子设置于静电卡盘的周缘部，并且多个端子的与中心轴线之间的距离相同。多个配线分别从与多个端子中的对应的端子连接的一端起穿过形成于下部电极的孔而向下方延伸，以接近中心轴线的方式延伸并穿过导体管的内孔而延伸到腔室主体的外侧。在本实施方式中，减少多个配线的长度的差异。因而，减少多个供电线上的滤波器的针对高频的阻抗的差异。
在一个实施方式中，等离子体处理装置还具备用于阻抗匹配的匹配器，该匹配器设置于导体管与高频电源之间。匹配器设置于导体管的侧方。在本实施方式中，由于匹配器设置于导体管的侧方，因此能够在导体管的下方确保用于配置多个滤波器的空间。因而，多个配线的长度进一步变短。
发明的效果
如以上所说明的那样，能够减小从具有多个加热器的静电卡盘侧延伸到腔室主体的外侧的多个配线各自的寄生电容。
附图说明
图1是概要地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2是图1所示的等离子体处理装置的载置台的放大截面图。
图3是将图1所示的等离子体处理装置的多个滤波器的电路结构与多个加热器及加热器控制器一并表示的图。
图4是一个实施方式所涉及的滤波器装置的多个线圈的立体图。
图5是图4所示的多个线圈的截面图。
图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大表示的截面图。
图7是表示一个实施方式所涉及的静电卡盘的多个端子的俯视图。
附图标记说明
10：等离子体处理装置；12：腔室主体；12c：腔室；14：载置台；15：支承部；22：排气装置；30：上部电极；50：下部电极；52：静电卡盘；52p：周缘部；52t：端子；HT：加热器；54：导电构件；61：第一高频电源；62：第二高频电源；64：匹配器；68：导体管；70：供电线；72：配线；FT：滤波器；80：线圈；82：电容器；HC：加热器控制器；AX：轴线。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明各种实施方式。此外，对各附图中相同或相当的部分标注相同的标记。
图1是概要地表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。在图1中，将一个实施方式所涉及的等离子体处理装置以其一部分被剖切的状态示出。图1所示的等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置。
等离子体处理装置10具备腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形状，并且提供其内部空间来作为腔室12c。腔室主体12例如由铝或不锈钢形成。腔室主体12接地。在腔室主体12的内壁面、即界定腔室12c的壁面形成有具有耐等离子体性的膜。该膜能够是通过阳极氧化处理而形成的膜、或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。在腔室主体12的侧壁形成有开口12p。被加工物W在向腔室12c搬入时或从腔室12c搬出时通过开口12p。在腔室主体12的侧壁安装有用于对开口12p进行开闭的闸阀12g。此外，被加工物W例如能够是由硅之类的材质形成的圆盘形状的板。
在腔室12c内设置有载置台14。在载置台14上载置被加工物W。载置台14构成为，在腔室12c内支承被加工物W。载置台14由支承部15支承。在一个实施方式中，支承部15具有第一构件15a和第二构件15b。第一构件15a由陶瓷之类的绝缘体形成。第一构件15a具有大致圆筒形状。第一构件15a从腔室主体12的底部向上方延伸。第二构件15b设置在第一构件15a的上端之上。第二构件15b由陶瓷之类的绝缘体形成。第二构件15b具有大致环形板形状。即，第二构件15b具有在圆盘形状的中央开口的大致圆盘形状。载置台14配置在第二构件15b上。载置台14与支承部15以确保腔室主体12内的空间的气密性的方式结合。
筒状部16从腔室主体12的底部向上方延伸。筒状部16由导体形成，具有大致圆筒形状。筒状部16沿支承部15的第一构件15a的外周延伸。筒状部16的电位被设定为接地电位。在筒状部16的上方设置有绝缘构件17。绝缘构件17由石英之类的绝缘体形成，具有大致圆筒形状。绝缘构件17沿载置台14和支承部15的第二构件15b的外周延伸。在筒状部16与腔室主体12的侧壁之间以及绝缘构件17与腔室主体12的侧壁之间形成有排气路18。
在排气路18中设置有隔板19。隔板19具有大致环形板形状。隔板19例如能够通过对铝制的母材覆盖氧化钇等陶瓷材料来构成。在隔板19形成有多个贯通孔。隔板19的内缘部被保持在筒状部16与绝缘构件17之间。隔板19的外缘部与腔室主体12的侧壁结合。在隔板19的下方，排气管20与腔室主体12的底部连接。排气管20与排气装置22连接。排气装置22具有自动压力控制阀之类的压力控制器以及涡轮分子泵等真空泵，能够对腔室12c进行减压。
等离子体处理装置10还具备上部电极30。上部电极30设置于载置台14的上方。上部电极30与构件32一同将腔室主体12的上部开口关闭。构件32具有绝缘性。借助构件32将上部电极30支承于腔室主体12的上部。此外，在后述的第一高频电源与载置台14的下部电极电连接的情况下，上部电极30的电位被设定为接地电位。
上部电极30包括顶板34和支承体36。顶板34的下表面界定出腔室12c。在顶板34设置有多个气体喷出孔34a。多个气体喷出孔34a分别将顶板34沿板厚度方向(铅垂方向)贯通。关于该顶板34，不进行限定，例如由硅形成。或者，顶板34能够具有在铝制的母材的表面设置有耐等离子性的膜的构造。该膜能够是通过阳极氧化处理而形成的膜、或由氧化钇形成的膜之类的陶瓷制的膜。
支承体36是将顶板34以装卸自如的方式支承的部件。支承体36例如能够由铝之类的导电性材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。从气体扩散室36a向下方延伸出多个气体孔36b。多个气体孔36b与多个气体喷出孔34a分别连通。在支承体36形成有用于向气体扩散室36a导入气体的气体导入口36c，该气体导入口36c与气体供给管38连接。
气体供给管38经由阀组42及流量控制器组44而与气体源组40连接。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个阀，流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器分别为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42的对应的阀及流量控制器组44的对应的流量控制器而与气体供给管38连接。等离子体处理装置10能够将来自从气体源组40的多个气体源中选择出的一个以上的气体源的气体以单独调整后的流量供给到腔室12c。
等离子体处理装置10还具备控制部MC。控制部MC为具备处理器、存储装置、输入装置、显示装置等的计算机，用于控制等离子体处理装置10的各部。具体地说，控制部MC执行存储装置中存储的控制程序，基于该存储装置中存储的制程数据来控制等离子体处理装置10的各部。在等离子体处理装置10中，通过利用该控制部MC进行的控制来执行基于制程数据确定的工艺。
下面，对载置台14和等离子体处理装置10中的与该载置台14有关的构成要素详细地进行说明。下面，一并参照图1和图2。图2是图1所示的等离子体处理装置的载置台的放大截面图。如图1和图2所示，载置台14具有下部电极50和静电卡盘52。在一个实施方式中，载置台14还具有导电构件54。
下部电极50具有大致圆盘形状，由铝之类的导体形成。在下部电极50的内部形成有流路50f。从设置于腔室主体12的外部的冷却装置向流路50f供给制冷剂。被供给到流路50f的制冷剂返回冷却装置。
导电构件54设置于下部电极50的下方。导电构件54由导体、例如铝形成。导电构件54与下部电极50电连接。导电构件54在下部电极50的下方提供由下部电极50和该导电构件54围成的区域RS。在一个实施方式中，导电构件54具有大致环形板形状。在一个实施方式中，导电构件54的中心轴线、下部电极50的中心轴线与静电卡盘52的中心轴线为共同的中心轴线(以下称作“轴线AX”)。此外，在一个实施方式中，轴线AX也是腔室主体12和腔室12c的中心轴线。导电构件54的周缘部突出到比该导电构件54的其它部分靠上方的位置。导电构件54的周缘部与下部电极50的下表面的周缘区域结合。
如图1所示，在一个实施方式中，等离子体处理装置10还具备第一高频电源61和第二高频电源62。第一高频电源61和第二高频电源62设置于腔室主体12的外侧。第一高频电源61主要产生有助于生成等离子体的第一高频。第一高频的频率例如为100MHz。第一高频电源61经由用于阻抗匹配的匹配器64的匹配电路65而与下部电极50电连接。匹配电路65具有构成为使第一高频电源61的输出阻抗与负载侧的阻抗匹配的电路。此外，第一高频电源61也可以经由匹配电路65而与上部电极30连接。
第二高频电源62主要输出有助于对被加工物W引入离子的第二高频。第二高频的频率比第一高频的频率低，例如为13MHz。第二高频电源62经由匹配器64的匹配电路66而与下部电极50电连接。匹配电路66具有构成为使第二高频电源62的输出阻抗与负载侧的阻抗匹配的电路。
等离子体处理装置10还具备导体管68。导体管68由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。导体管68设置为将第一高频电源61及第二高频电源62与下部电极50电连接。导体管68从下部电极50侧延伸到腔室主体12的外侧。
在一个实施方式中，导体管68设置为共享轴线AX来作为其中心轴线。导体管68的一端(上端)与导电构件54连接。导体管68的另一端(下端)经由匹配器64而与第一高频电源61及第二高频电源62连接。在一个实施方式中，匹配器64设置于导体管68的侧方。
如图2所示，在一个实施方式中，导体管68具有第一管路68a、第二管路68b以及第三管路68c。第一管路68a由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。第二管路68b由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。第一管路68a的上端部分嵌入到第二管路68b的内孔中。第二管路68b与导电构件54连接。第三管路68c由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。第一管路68a的下端部分嵌入到第三管路68c的内孔中。第三管路68c经由匹配器64而与第一高频电源61及第二高频电源62电连接。
在腔室主体12的底部的下方，以包围导体管68的方式设置有筒状构件69。筒状构件69由铝之类的导体形成，具有大致圆筒形状。筒状构件69的上端与腔室主体12的底部结合。筒状构件69的电位被设定为接地电位。
静电卡盘52设置在下部电极50上。静电卡盘52构成为，对载置于其上的被加工物W进行保持。静电卡盘52具有大致圆盘形状，具有由陶瓷之类的绝缘体形成的层。静电卡盘52还具有电极52a来作为由绝缘体形成的层的内层。电极52a经由开关55而与电源56连接(参照图1)。当从电源56向电极52a施加电压例如直流电压时，静电卡盘52产生静电引力。静电卡盘52通过该静电引力来保持被加工物W。
如图2所示，静电卡盘52包括中央部52c和周缘部52p。中央部52c为与轴线AX交叉的部分。在中央部52c的上表面之上载置被加工物W。周缘部52p在中央部52c的外侧沿周向延伸。在一个实施方式中，周缘部52p的厚度比中央部52c的厚度薄，周缘部52p的上表面在比中央部52c的上表面低的位置延伸。在周缘部52p上，以包围被加工物W的边缘的方式配置聚焦环FR。
在静电卡盘52内设置有多个加热器HT。多个加热器HT均能够由电阻发热体构成。在一例中，静电卡盘52具有相对于轴线AX同心的多个区域，在该多个区域的各个区域中设置有一个以上的加热器HT。利用多个加热器HT和/或被供给到流路50f的制冷剂来调整被载置在载置台14上的被加工物W的温度。此外，也可以是，在载置台14设置有用于向被加工物W与静电卡盘52之间供给He气体之类的传热气体的气体管线。
在一个实施方式中，在周缘部52p设置有多个端子52t。多个端子52t分别与多个加热器HT中的对应的加热器电连接。多个端子52t分别经由静电卡盘52内的内部配线而与对应的加热器连接。
从加热器控制器HC(参照图1)供给用于驱动多个加热器HT的电力。加热器控制器HC包括加热器电源，构成为向多个加热器HT分别单独地供给电力(交流输出)。等离子体处理装置10具备多个供电线70，以将来自加热器控制器HC的电力向多个加热器HT供给。多个供电线70分别将来自加热器控制器HC的电力向多个加热器HT供给。等离子体处理装置10还具备滤波器装置FD。滤波器装置FD构成为，防止高频经由多个供电线70流入加热器控制器HC。滤波器装置FD具有多个滤波器。
图3是将图1所示的等离子体处理装置的多个滤波器的电路结构与多个加热器以及加热器控制器一并表示的图。下面，一并参照图1、图2及图3。如上所述，多个加热器HT经由多个供电线70而与加热器控制器HC连接。多个供电线70包括多个供电线对。如图3所示，各供电线对分别包括供电线70a和供电线70b。多个加热器HT各自经由一个供电线对、即供电线70a及供电线70b而与加热器控制器HC电连接。
滤波器装置FD设置于腔室主体12的外侧。滤波器装置FD具有多个滤波器FT。另外，滤波器装置FD具有多个线圈80和多个电容器82。多个线圈80中的一个线圈和多个电容器82中的对应的一个电容器构成一个滤波器FT。多个线圈80分别构成多个供电线70的一部分。即，多个滤波器FT各自的一部分构成多个供电线。
多个线圈80被收容在框架84内。如图1所示，框架84为筒状的容器，由导体形成。框架84电接地。多个电容器82被收容在电容器盒86内。电容器盒86与框架84电连接。框架84与电容器盒86也可以一体化。多个电容器82分别连接在对应的线圈80的同加热器HT侧的一端相反一侧的另一端与电容器盒86之间。多个滤波器FT各自的线圈80和框架84构成分布常数线路。即，多个滤波器FT各自具有包括多个谐振频率的阻抗的频率特性。
下面，详细地说明多个线圈80。图4是一个实施方式所涉及的滤波器装置的多个线圈的立体图。图5是图4所示的多个线圈的截面图。图6是将图4所示的多个线圈的一部分放大表示的截面图。多个线圈80均能够为空芯线圈。多个线圈80分别由导体和覆盖该导体的覆膜构成。覆膜由绝缘材料形成。覆膜能够由PEEK(聚醚醚酮)或POLYIMIDE(聚酰亚胺)之类的树脂形成。在一个实施方式中，多个线圈80各自的覆膜能够具有0.1mm以下的厚度。
多个线圈80分别具有引出线80a、引出线80b以及卷绕部80w。卷绕部80w绕中心轴线AXC以螺旋状延伸，具有多个单匝线圈。引出线80a和引出线80b沿着中心轴线AXC所延伸的轴线方向Z延伸。引出线80a与卷绕部80w的一端连续，引出线80b与卷绕部80w的另一端连续。卷绕部80w的另一端为卷绕部80w的、电容器82侧的对应的端部。
多个线圈80的集合体构成线圈组件CA。线圈组件CA包括多个线圈组CG。即，多个线圈80构成多个线圈组CG。多个线圈组CG的个数能够为2以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，多个线圈组CG包括线圈组CG1、线圈组CG2以及线圈组CG3。多个线圈组CG各自包括两个以上的线圈80。多个线圈组CG各自所包括的线圈80的个数能够为2以上的任意的个数。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1包括9个线圈80，线圈组CG2包括13个线圈80，线圈组CG3包括14个线圈80。
多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80设置为，各个线圈80的卷绕部80w绕中心轴线AXC以螺旋状延伸，且沿着轴线方向Z依次重复排列。即，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的卷绕部80w沿着轴线方向Z排列成多层状，且绕中心轴线AXC设置为螺旋状。在一个实施方式中，在多个线圈组CG的各个线圈组CG中，在轴线方向Z上相邻的单匝线圈间的间隙的在轴线方向Z上的距离能够为0.2mm以下。
多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的卷绕部80w共享中心轴线AXC，具有彼此相同的内径。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1所包括的两个以上的线圈80具有相同的内径ID1，线圈组CG2所包括的两个以上的线圈80具有相同的内径ID2，线圈组CG3所包括的两个以上的线圈80具有相同的内径ID3。多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的卷绕部80w的截面形状和截面尺寸能够彼此相同。多个线圈80的截面形状例如为矩形。
多个线圈组CG以共享中心轴线AXC的方式同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1～CG3同轴地设置。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1设置于线圈组CG2的内侧，线圈组CG2设置于线圈组CG3的内侧。即，线圈组CG3的两个以上的线圈80的卷绕部80w的内径ID3比线圈组CG2的两个以上的线圈80的卷绕部80w的外径大，线圈组CG2的两个以上的线圈80的卷绕部80w的内径ID2比线圈组CG1的两个以上的线圈80的卷绕部80w的外径大。
多个线圈组CG中的任意一个线圈组的两个以上的线圈80各自的单匝线圈间的间距比多个线圈组CG中的设置于该一个线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈80各自的单匝线圈间的间距大。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG3的线圈80的单匝线圈间的间距P3比线圈组CG2的线圈80的单匝线圈间的间距P2大，间距P2比线圈组CG1的线圈80的单匝线圈间的间距P1大。在一个实施方式中，多个线圈80的单匝线圈间的间距被设定为使该多个线圈80的电感彼此大致相同。
如上所述，在滤波器装置FD中，分别包括两个以上的线圈80的多个线圈组CG以共享中心轴线AXC的方式同轴状地设置。因而，构成多个线圈组CG的多个线圈80、即线圈组件CA所占据的空间小。因而，能够将多个滤波器FT的线圈80、即线圈组件CA配置在小的空间中。另外，在多个线圈只是单纯地排列的情况下，多个滤波器的阻抗下降，但在滤波器装置FD中，通过多个线圈80间的耦合能够抑制阻抗的下降。并且，外侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距比配置于该线圈组的内侧的线圈组的两个以上的线圈各自的单匝线圈间的间距大，因此能够减少多个线圈80的电感的差异。因而，能够减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。
在一个实施方式中，多个线圈80具有大致相同的线圈长度。线圈长度为多个线圈80各自的卷绕部80w的一端与另一端之间在轴线方向Z上的长度。在一个实施方式中，多个线圈80中的具有最大线圈长度的线圈与具有最小线圈长度的线圈之间的线圈长度之差为该最小线圈长度的3％以下。根据这些实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。
在一个实施方式中，多个线圈80的卷绕部80w的一端(与电容器82侧的端部相反一侧的端部)沿着与中心轴线AXC正交的面设置。在一个实施方式中，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的引出线80a相对于中心轴线AXC沿周向等间隔地设置。在一个实施方式中，多个线圈80的引出线80a相对于中心轴线AXC设置在具有90°以上270°以下的角度的角度范围内。根据这些实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。此外，也可以是，多个线圈组CG各自的两个以上的线圈80的引出线80b相对于中心轴线AXC沿周向等间隔地设置。
在一个实施方式中，在多个线圈组CG中的径向、即相对于中心轴线AXC的辐射方向上相邻的任意的两个线圈组之间的间隙的在该径向上的距离为1.5mm以下。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG1与线圈组CG2之间的径向间隙的在该径向上的距离GR1、即线圈组CG1的两个以上的线圈80的卷绕部80w的外径与线圈组CG2的两个以上的线圈80的卷绕部80w的内径之差的1/2为1.5mm以下。另外，线圈组CG2与线圈组CG3之间的径向间隙的在该径向上的距离GR2、即线圈组CG2的两个以上的线圈80的卷绕部80w的外径与线圈组CG3的两个以上的线圈80的卷绕部80w的内径之差的1/2为1.5mm以下。在该实施方式中，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。
在一个实施方式中，设置于多个线圈组CG中的最外侧的线圈组的两个以上的线圈80的内径为设置于多个线圈组CG中的最内侧的线圈组的两个以上的线圈的内径的1.83倍以下。在图4～图6所示的例子中，线圈组CG3的两个以上的线圈80各自的内径ID3为线圈组CG1的两个以上的线圈80各自的内径ID1的1.83倍以下。根据该实施方式，能够进一步减少多个滤波器FT的阻抗的频率特性的差异。
具有多个线圈80的多个滤波器FT设置于腔室主体12的外侧。因而，多个供电线70分别包括多个配线72，以将静电卡盘52的多个端子52t与多个滤波器FT(多个线圈80)连接。以下，参照图1、图2以及图7来详细地说明将多个加热器HT与多个滤波器FT连接的多个配线72。图7为表示一个实施方式所涉及的静电卡盘的多个端子的俯视图。图7中示出下部电极50的下表面和多个端子52t。
如图1、图2以及图7所示，多个配线72的一端与静电卡盘52的多个端子52t分别连接。如图7所示，在一个实施方式中，多个端子52t设置于静电卡盘52的周缘部52p。多个端子52t沿周缘部52p的下表面设置，相对于轴线AX沿周向排列。多个端子52t的与轴线AX之间距离能够相同。在下部电极50形成有多个贯通孔50h，以提供使连接多个端子52t的多个配线72通过的路径。在多个端子52t的正下方，多个贯通孔50h将下部电极50贯通。多个贯通孔50h的个数可以与多个端子52t的个数相同。或者，多个贯通孔50h的个数也可以比多个端子52t的个数少。即，多个贯通孔50h的每个贯通孔50h也可以形成为使两个以上的端子52t露出。如图2所示，在一个实施方式中，利用绝缘构件50i提供用于界定多个贯通孔50h的壁面。通过绝缘构件50i确保多个配线72与下部电极50之间的电绝缘。
多个配线72穿过导体管68的内孔而延伸到腔室主体12的外侧。多个配线72在腔室主体12的外侧与多个滤波器FT的线圈80的一端(引出线80a)连接。在一个实施方式中，多个配线72穿过区域RS而延伸到导体管68的内孔的上方的区域。在下部电极50的下方，多个配线72在由下部电极50和导电构件54围成的区域RS内延伸。在一个实施方式中，多个配线72分别从与多个端子52t中的对应的端子连接的一端穿过对应的贯通孔50h而向下方延伸，在区域RS内以接近轴线AX的方式延伸并穿过导体管68的内孔而延伸到腔室主体12的外侧。
在一个实施方式中，等离子体处理装置10具有连接器73、连接器74、连接器75以及连接器76。连接器73～76各自具有主体和多个端子。连接器73～76各自的主体由绝缘体(例如PEEK)形成。在连接器73～76各自的主体形成有多个贯通孔。在连接器73～76各自的多个贯通孔中分别设置有多个端子。连接器73设置于导电构件54的中央的开口和第二管路68b的内孔之中。连接器74设置在第一管路68a的上端部分的内孔之中。连接器73的多个端子与连接器74的多个端子分别连接。连接器75和连接器76设置于第一管路68a的下端部分的内孔之中。连接器76设置于连接器75的正下方，从第一管路68a的下端穿透筒状构件69而延伸。连接器75的多个端子与连接器76的多个端子分别连接。这些连接器73～76各自的多个端子各自的一部分构成多个配线72。
在以上所说明的等离子体处理装置10的动作期间，来自第一高频电源61和第二高频电源62的高频经由导体管68被供给到下部电极50。因而，在等离子体处理装置10的动作期间，导体管68的内孔从地电位断开。在等离子体处理装置10中，将多个加热器HT与多个滤波器FT分别电连接的多个配线72穿过导体管68的内孔而延伸到腔室主体12的外侧。因而，能在导体管68的内孔之中确保从多个配线72的各个配线72到地电位的空间距离。因而，多个配线72各自的寄生电容小。其结果是，能抑制多个供电线70上的多个滤波器的阻抗的下降，从而抑制高频的损失。
在一个实施方式中，如上述的那样，多个配线72穿过区域RS和导体管68而延伸到腔室主体12的外侧。在该实施方式中，在等离子体处理装置10的动作期间，来自第一高频电源61和第二高频电源62的高频经由导体管68和导电构件54被供给到下部电极50。因而，在该实施方式的等离子体处理装置10的动作期间，区域RS从地电位断开。能在所述区域RS中和导体管68的内孔中确保从多个配线72的各个配线72到地电位的空间距离。因而，多个配线72各自的寄生电容更小。其结果是，进一步抑制多个供电线70上的多个滤波器的阻抗的下降，从而进一步抑制高频的损失。
在一个实施方式中，如上述的那样，导体管68共享静电卡盘52、下部电极50以及导电构件54的共同的中心轴线、即轴线AX。另外，静电卡盘52的多个端子52t设置于静电卡盘52的周缘部52p，并且多个端子52t的与轴线AX之间的距离相同。多个配线72分别从与多个端子52t中的对应的端子连接的一端穿过对应的贯通孔50h而向下方延伸，在区域RS内以接近轴线AX的方式延伸并穿过导体管68的内孔而延伸到腔室主体12的外侧。在本实施方式中，多个配线72的长度的差异减少。因而，多个供电线70上的滤波器的针对高频的阻抗的差异减少。结果是，等离子体处理的面内均匀性提高。
在一个实施方式中，如上述的那样，匹配器64设置于导体管68的侧方。在本实施方式中，能在导体管68的下方确保用于配置多个滤波器FT、即滤波器装置FD的空间。因而，多个配线72的长度变短。其结果是，进一步抑制多个供电线70上的多个滤波器的阻抗的下降，从而进一步抑制高频的损失。
以上对各种实施方式进行了说明，但不限定为上述的实施方式，能够构成各种变形方式。例如，变形方式所涉及的等离子体处理装置可以是如电感耦合型的等离子体处理装置、使用微波之类的表面波来生成等离子体的等离子体处理装置那样具有任意的等离子体源的等离子体处理装置。
另外，也可以是，多个线圈80不共享中心轴线AXC。即，也可以是，多个线圈排列为具有彼此平行的单独的中心轴线。

Claims (4)

1.一种等离子体处理装置，具备：
腔室主体，其提供腔室；
载置台，其构成为在所述腔室内支承被加工物，所述载置台具有下部电极和设置在所述下部电极上的静电卡盘，所述静电卡盘具有设置于其内部的多个加热器以及与该多个加热器电连接的多个端子；
高频电源，其配置于所述腔室主体的外侧，产生向所述下部电极供给的高频；
导体管，其将所述高频电源与所述下部电极电连接，从所述下部电极侧延伸到所述腔室主体的外侧；
多个供电线，所述多个供电线设置为将来自加热器控制器的电力向所述多个加热器供给；以及
多个滤波器，所述多个滤波器各自的一部分构成所述多个供电线，并且构成为防止高频从所述多个加热器向所述加热器控制器流入，所述多个滤波器设置于所述腔室主体的外侧，
其中，所述多个供电线包括将所述多个端子与所述多个滤波器分别连接的多个配线，
所述多个配线穿过同一所述导体管的内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述载置台还具有设置于所述下部电极的下方的导电构件，
所述导电构件与所述下部电极电连接，并且在该下部电极的下方提供由该下部电极和该导电构件围成的区域，
所述导体管的一端与所述导电构件连接，
所述多个配线穿过所述区域和所述导体管的所述内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述导体管共享所述静电卡盘、所述下部电极以及所述导电构件的共同的中心轴线，
所述多个端子设置于所述静电卡盘的周缘部，并且所述多个端子的与所述中心轴线之间的距离相同，
所述多个配线分别从与所述多个端子中的对应的端子连接的一端起穿过形成于所述下部电极的孔而向下方延伸，以接近所述中心轴线的方式延伸并穿过所述导体管的所述内孔而延伸到所述腔室主体的外侧。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述等离子体处理装置还具备用于阻抗匹配的匹配器，该匹配器设置于所述导体管与所述高频电源之间，
所述匹配器设置于所述导体管的侧方。
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