TW200527549A - Ultra-thin wafer level stack packaging method and structure using thereof - Google Patents
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Description
200527549 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明是有關於半導體晶粒封裝技術，且特別是有 關於，超薄晶圓級半導體晶粒之堆疊封裝方法與結構。 先前技術 近幾年來’隨著攜帶式（portable)電子產品、手持 式通訊以及及消費性電子產品之成長性已凌駕於傳統個 人電腦（PC)產品之上，電子元件不斷地朝向高容量、窄 線寬的高密度化、高頻、低耗能、多功能整合方向發 展。而在積體電路（Integrated Circuit, nICn)封裝技
術方面，為配合高輸入/輸出（I / 〇)數、高散熱以及封裝 尺寸縮小化的要求下’使得晶粒級封裝（C h i p S c a 1 e Package， ”CSPn )、晶圓級封裝（wafer level package )等高階封裝技術需求不斷升高，而相關的封裝技術亦 朝輕薄短小、以及低成本方向發展。 其中晶粒級封裝（C S P )，又發展成單晶粒封裝 (Single Chip Package)、堆疊晶粒封裝（Stack Chip Package)與平面多晶粒模組（Planar Multi-Chip P a c k a g e， π P 1 a n a r M C Μ π )等技術。上述方法皆可減少晶 粒封裝後外型之大小，做到晶粒尺寸有多大，封裝尺寸 就約有多大。但堆疊晶粒封裝與平面多晶粒模組必須配 的技術方能
合偵測已知良品（Κ η 〇 w n G ο 〇 d D i e， ’’ K G D 提高良率。 其中晶圓級封裝，或是晶圓級-晶粒級封裝（w a f e r 1 e v e卜C S P， n W L - C S P π )與晶粒級封裝不同之處，在於晶
11116TWF.PTD 第6頁 200527549 五、發明說明（2) 圓級-晶粒級封裝是直接用整片晶圓進行封裝後再切割， 較目前晶粒級封裝中先切割再封裝的方式既經濟又快 速，不但可省下填膠（underfill)、組裝、基板的製 作，還可省略黏晶、打線等製程，不論晶粒大小、腳數 多少，都可在晶圓上直接進行封裝，因此縮短可製造流 程，產品具高效能，符合I C的高速率特性，更可減少成 本，縮短封裝的製程時間。此外，對越大的晶圓進行封 裝，其相對成本越低，符合由8吋進化到1 2吋的晶圓之趨 勢。 為符合科技產品未來朝向微小化與多功能性的需 求，系統單晶粒（S y s t e m ο n C h i p， S 〇 C )與系統封裝 (System in a Package, SiP)技術，已被視為未來半導 體裝置發展的兩大方向。尤其是系統單晶粒（SoC)，更被 視為未來數位資訊產品的關鍵技術。因此，強調小面 積、高頻高速、低成本與生產週期短的多晶粒模組封裝 結構，便成為目前封裝之主要技術。多晶粒模組封裝結 構，目前可應用於需要高頻高速之整合性繪圖晶粒與記 憶體等。此時已知良品之偵測相當重要，技術原理為利 用多個晶粒個別封裝後進行測試，經測試不合格者可先 行汰除，而經過測試後的良品再以表面黏著的方式將其 整合在一顆封裝產品上。如此一來，不但封裝系統的印 刷電路板（P C B )面積可大幅縮減，亦可提高傳統多晶粒模 組封裝結構之良率，並進一步降低客戶成本。因此，一 種超薄晶圓級堆疊晶粒封裝方法與結構是有需要的。
11116TWF.PTD 第7頁 200527549 五、發明說明（3) 發明内容 為達上 晶粒封裝方 圓，具有複 該第二基板 粒， 一晶 一第 黏合 板之 之一 膠， 域， 例如 化該 係由 驟包 晶圓 該第 之一 大於 黏膠 選擇 其晶粒 圓匹配 一表面 ，得到 述之目 法，包 數個基 上可以 之大小 。其次 ，以複 一選擇 的，本發明 括以下步驟 底晶粒’以 不具有晶粒 及位置等已 ，將該第一 數個黏膠與 性黏合晶圓 提供一種超薄晶圓級堆疊 。首先，提供一第 曰曰 及提供一第二基板，其中 數個晶 與該第 晶粒之 ，或是具 預先設計 晶圓含有 該第二基板之一第一表面 該第 間距為該黏膠之一黏膠厚度。其 方法， 該雙面 配置有 說，一 些黏膠 其後， 該基底 括：對 ，其中 一晶圓 第二表 該第二 之厚度 性黏合 包括一 黏膠上 該些黏 加熱固 點膠法，或 ，相對於該 膠。在該些 化（thermal 有一或複 好而可以 該些基底 晶圓與該 中形成該 第二基 些黏膠 是使用預先製作一雙面黏 第一晶圓上特定之一區 黏膠形成後，可以加入， curing)製程來固彳匕並強 形成複數個獨立晶粒組，每一該獨立晶粒組 晶粒與部分該第二基板所組成，而其形成步 該第一晶圓之一第二表面切割該選擇性黏合 切割之深度大於該第一晶圓之厚度，但小於 厚度與該黏膠厚度之和；以及對該第二基板 面切割該選擇性黏合晶圓，其中切除之深度 基板之厚度，但小於該第二基板之厚度與該 之和，以形成該些獨立晶粒組。其中切割該 晶圓之一方法，包括一鑽石刀（diamond _ ill 111 _ϋ 1 11116TWF.PTD 第8頁 200527549 五、發明說明（4) b 1 a d e )切割法或一雷射切割（1 a s e r c u t )法。最後，對該 些獨立晶粒組進行封裝。如此，則可完成本發明之超薄 晶圓級堆疊晶粒封裝方法。 在一選擇實施例中，在如上所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝方法’在提供具有該些基底晶粒之弟一晶圓 時，更包括對該些基底晶粒進行一檢測已知良品（KGD ) 之製程。 在一選擇實施例中，更佳的是，在如上所述之超薄 晶圓級堆疊晶粒封裝方法中，在形成該些獨立晶粒組後 與對該些獨立晶粒組進行封裝之前，更包括提供一或複 數個堆疊晶粒；以及接合該或該些堆疊晶粒與該獨立晶 粒組上之該基底晶粒。更佳的是’在提供該堆豐晶粒之 步驟之時，更包括對該堆疊晶粒進行一檢測已知良品 (Known Good Die, "KGD")之製程。 為達上述之目的，本發明提供一種超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，係由一獨立晶粒組所組成，而該獨立晶 粒組係由一選擇性黏合晶圓切割而得，其中該選擇性黏 合晶圓係由一第一晶圓與一第二基板，以複數個黏膠相 黏合而組成，其中該第一晶圓上具有複數個基底晶粒， 而該第一晶圓與該第二基板之間距為該黏膠之一黏膠厚 度，而該獨立晶粒組則由一基底晶粒與部分該第二基板 所組成。 在一選擇實施例中，如上所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝結構中，更包括一堆疊晶粒，接合於該獨立晶粒
11116TWF.PTD 第9頁 200527549 五、發明說明（5) 組上之該基底晶粒。 在一選擇實施例中，更佳的是，如上所述之超薄晶 圓級堆疊晶粒封裝結構中，更包括複數個堆疊晶粒，接 合於該獨立晶粒組上之該基底晶粒。 在一選擇實施例中，更佳的是，如上所述之超薄晶 圓級堆疊晶粒封裝結構，其中形成該些獨立晶粒組之步 驟包括以下步驟。首先，對該第一晶圓之一第二表面切 割該選擇性黏合晶圓，其中切割之深度大於該第一晶圓 之厚度，但小於該第一晶圓厚度與該黏膠厚度之和。最 後，對該第二基板之一第二表面切割該選擇性黏合晶 圓，其中切除之深度大於該第二基板之厚度，但小於該 第二基板之厚度與該黏膠之厚度之和，以形成該些獨立 晶粒組。 在一選擇實施例中，更佳的是，如上所述之超薄晶 圓級堆疊晶粒封裝方法，其中在得到該選擇性黏合晶圓 後，與切割該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第二表 面前，更包括對該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第 二表面進行研磨。 如上所述之超薄晶圓級堆疊晶粒封裝方法與結構 中，該第一晶圓之厚度，可以介於500mm至200mm之間。 如上所述之超薄晶圓級堆疊晶粒封裝方法與結構 中，在研磨該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第二表 面後，該第一晶圓之厚度介於2 5 0 mm至3 0mm之間。 如上所述之超薄晶圓級堆疊晶粒封裝方法與結構
11116TWF.PTD 第10頁 200527549 五、發明說明（6) 中，在研磨該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第二表 面後，該第一晶圓之厚度介於8〇mm至30mm之間。 綜上所述，本發明提出一種超薄晶圓級堆疊晶粒封 裝方法與結構，此方法之特色為先將一已製備有複數個 基底晶粒之第一晶圓，選擇性地膠合到晶粒大小及位置 等預先設計好之匹配之一第二基板上，因此即可將第一 晶圓之厚度變薄。第二基板之厚度不用太厚，只需維持 選擇性黏合之晶圓在封裝過程中不會變形即可，因此第 二基板之厚度接近傳統晶圓之厚度。透過先行切割選擇 性黏合之晶圓中之第一晶圓，可避免直接切割研磨後之 第一晶圓厚度太薄所產生之問題。再將所需接合之堆疊 晶粒接合後，最後封裝所得之一積體電路（I C )中至少包 括一基底晶粒與一個或複數個堆疊晶粒，且其大小即為 基底晶粒與堆豐後之堆豐晶粒超出部分之和之大小’其 厚度為第二基板之厚度與研磨後基底晶粒以及黏膠之厚 度和，接近傳統晶圓之厚度，以利封裝之進行。因此， 透過本發明之晶粒封裝方法’可以得到一堆豐晶粒封裝 結構。 再者，透過本發明之晶粒封裝方法，可以將不同製 程所付之晶粒封裝在^一起’因此可將製程相同之電路製 造於同^^晶粒上’可組合不同晶圓流程之晶粒’以及以 堆疊技術達成封裝時輕薄短小之需求。若再加上，在上 述提供該些堆疊晶粒或基底晶粒之步驟中，更包括對該 些堆豐晶粒或基底晶粒’進行一檢測已知良品（K G D )之
11116TWF.PTD 第11頁 200527549 五、發明說明（7) 製程，則更可提高本發明製程之良率，節省成本。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式， 作詳細說明如下： 實施方式 為了達成本發明之目的，以下將列舉實施例，作為 本發明特徵之描述，但是本發明並不僅限於此實施例所 描述之特徵。 第1圖至第8圖繪示一超薄晶圓級堆疊封裝方法之三 視圖，係依照本發明之一實施例。請參照第1圖。在本發 明之一實施例中，提供一種晶粒封裝方法，包括，首先 提供一第一晶圓1 0 2，其具有複數個基底晶粒1 1 2。如圖 所示，每一基底晶粒1 1 2係以第1圖中之晶圓上視圖中一 橫實線與一縱實線所相交之方塊所定義。而後提供一第 二基板1 0 4，其中該第二基板上可以不具有晶粒，或是具 有一或複數個晶粒，其晶粒之大小及位置等已預先設計 好而可以與第一晶圓匹配，此第二基板1 0 4可以是一玻璃 基板、碎晶圓基板、塑膠基板、壓克力基板、聚合物基 板等，以上所有基板可為透明或不透明。接著將第一晶 圓1 0 2之含有基底晶粒1 1 2之表面，以複數個黏膠1 0 6與第 二基板1 0 4黏合，得到一選擇性黏合晶圓1 0 8，其中只有 第1圖中，第一晶圓1 0 2上特定複數個黏合區域有黏合黏 膠1 0 6 ，第一晶圓1 0 2與第二晶圓之一間距為黏膠1 0 6之一 黏膠厚度。其中形成黏膠1 0 6之一方法，包括一點膠法，
11116TWF.PTD 第12頁 200527549 五、發明說明（8) 或是使用預先製作一雙面黏膠，該雙面黏膠，例如說其 形狀可以與第一晶圓1 0 2 —樣，在相對於第一晶圓1 〇 2上 特定之一區域，例如說1 0 6，配置有黏膠1 0 6。在黏膠1 0 6 形成後’可以加入，例如說，一加熱固化（t h e r m a 1 curing)製程來固化並強化黏膠l〇6 。 在本發明之一較佳實施例中，對於所提供具有複數 個基底晶粒1 1 2之第一晶圓1 〇 2 ，再此封裝製程之前更對 這些基底晶粒1 1 2進行一檢測已知良品（κ η 〇 w n G ο 〇 d D i e， K G D )之製程。 以下清參照弟2圖。在本發明之一較佳實施例中，當 以黏膠1 0 6將第一晶圓1 〇 2與第二基板1 〇 4黏合步驟後，更 包括研磨選擇性黏合晶圓1 〇 8之第一晶圓1 〇 2之表面，此 表面係第2圖中之實線切割方向2 2 2所指示之方向。第一 晶圓102具有一厚度在一範圍5〇〇mni至200Π1Π1之間。選擇性 黏合晶圓1 0 8研磨後之第一晶圓丨〇 2，具有一厚度在一範 圍250mm至30mm之間，更佳的是，具有一厚度在一範圍 80mm至30mm之間° 以下，在上述以黏膠1 〇 6將第一晶圓1 〇 2與第二基板 1 0 4黏合步驟後，不論是否有研磨選擇性黏合晶圓丨〇 8之 第一晶圓1 0 2之一表面，均是進行以下步驟。第2圖中所 繪示之圖示，係為選擇性黏合晶圓丨〇 8研磨後之結果。未 研磨之結果，在此就不綠示，但其以下步驟與研磨後之 步驟均相同。 接著，切割選擇性黏合晶圓之第一晶圓丨〇 2之表面，
11116TWF.PTD 第13頁 200527549 五、發明說明（9) 其中切割之位置及方向，如第2圖中之實線切割方向2 2 2 所示，切割之深度大於選擇性黏合第一晶圓1 0 2之晶圓厚 度，但小於第一晶圓1 0 2之厚度與黏膠1 0 6之厚度之和， 因此在切割過程中，不會切割到第二基板1 0 4。所得之結 果如第3 A圖與第3 B圖所示。其中切割選擇性黏合晶圓之 一方法，包括一鑽石刀（d i a m ο n d b 1 a d e )切割法或一雷射 切害丨J ( 1 a s e r c u t )法。 以下請參照第3 A圖與第3 B圖，在上述切割選擇性黏 合晶圓之第一晶圓1 0 2之表面之後，第一晶圓1 0 2被切割 成複數個第一基底晶粒3 0 2。緊接著，切割選擇性黏合晶 圓之第二基板104之一表面，其中切割之位置及方向，如 第3A圖或第3B圖中之虛線切割方向324所示，其中切除之 深度大於第二基板1 0 4之厚度，但小於第二基板1 0 4之厚 度與黏膠1 0 6之厚度之和，因此在切割過程中，不會切割 到第一基底晶粒3 0 2。所得之結果各別如第4 A圖與第4 B圖 所示。此時前述之選擇性黏合晶圓，已被切割成複數個 獨立晶粒組，其中至少包括一第一基底晶粒302、一黏膠 1 0 6、以及一切割後第二基板4 0 4。 以下請參照第5 A圖，在如上述第3 A圖與第4 A圖所示 之方向切割選擇性黏合晶圓之第二基板1 0 4之表面後，在 一選擇實施例中，可對每一或是部份的獨立晶粒組，提 供一額外的堆疊晶粒5 0 2，並將堆疊晶粒5 0 2接合 (b i n d i n g )於上述獨立晶粒組之第一基底晶粒3 0 2之表 面，再加以打線與封裝。每一所封裝之一積體電路
11116TWF.PTD 第14頁 200527549 五、發明說明（10) (Integrated Circuit， n 1C")中至少包括一第一基底晶 粒3 0 2與^一堆豐晶粒5 0 2。而晶粒3 0 2與5 0 2 ’係以上下堆 疊之方式接合。而此積體電路之厚度，大約相當於第二 基板4 0 4與基底晶粒3 0 2各別厚度之總和。 在本發明之一較佳實施例中，在上述提供堆疊晶粒 5 0 2之時，更包括對這些堆疊晶粒5 0 2進行一檢測已知良 品（K G D )之製程。 以下清參照弟6 Α圖，在將堆豐晶粒5 0 2接合於獨立晶 粒組之第一基底晶粒3 0 2表面步驟後，即可進行打線與封 裝。每一所封裝之一積體電路（1C)中至少包括一第一基 底晶粒3 0 2與一堆疊晶粒5 0 2，更包括切割後第二基板4 0 4 與其上之一或複數個晶粒5 2 2。而晶粒3 0 2與5 0 2，以及晶 粒5 2 2與第二基板4 0 4，係以上下堆疊之方式接合。此積 體電路之厚度，大約相當於晶粒5 2 2、第二基板4 0 4與基 底晶粒3 0 2各別厚度之總和。 在另一選擇實施例中，請參照第5 B圖所示，在上述 切割選擇性黏合晶圓後，更可對每一獨立晶粒組，提供 複數個堆疊晶粒5 1 2與5 1 4，在此只舉例及繪示使用兩個 額外堆疊晶粒，但實際上亦可使用一個或兩個以上的堆 疊晶粒。並將堆疊晶粒5 1 2與5 1 4與上述獨立晶粒組中第 一基底晶粒3 0 2之表面接合（binding)。而此積體電路之 厚度，亦大約相當於第二基板4 0 4與基底晶粒3 0 2各別厚 度之總和。 在本發明之'^較佳實施例中’在將堆豐晶粒5 1 2與
11116TWF.PTD 第15頁 200527549 五、發明說明（11) 5 1 4與上述獨立晶粒組中第一基底晶粒3 〇 2之表面接合之 前，更包括可對這些堆疊晶粒5 1 2與5 1 4進行一檢測已知 良品（K G D )之製程。 以下請參照第6 B圖，在上述將堆疊晶粒5 1 2與5 1 4與 獨立晶粒組中之第一基底晶粒3 〇 2表面接合步驟後，接著 進行封裝。每一所封裝之一積體電路（Integrated Circuit, " I C ")中至少包括一第一基底晶粒3 0 2與複數個 堆疊晶粒5 1 2與5 1 4，更包括切割後第二基板4 〇 4與其上之 一或複數個晶粒5 2 2。然而，此積體電路之厚度，亦大約 相當於晶粒5 2 2、第二基板4 0 4與基底晶粒3 0 2各別厚度之 總和。 在另一選擇實施例中，請參照第7圖與第8圖所示。 在如上述第3 B圖與第4 B圖所示之方向切割選擇性黏合晶 圓之第二基板1 0 4之表面後，得到複數個獨立晶圓組。其 中每一獨立晶粒組中，第二基板4 0 4與基底晶粒3 0 2之重 豐之區域大小視製程需要而定’第二基板404上是否包括 晶粒5 2 2，以及是否加上堆疊晶粒5 1 2與5 1 4等，亦視製程 需要而定。 綜上所述，本發明提出一種晶粒封裝結構，以第7圖 與第8圖等作為一實施例之圖示說明。此晶粒封裝結構包 括一基底晶粒3 0 2，具有複數個區域；一第二基板4 0 4，、 藉由黏膠1 0 6黏合於基底晶粒3 0 2之一區域上；一堆疊晶 粒5 0 2或複數個堆疊晶粒5 1 2與5 1 4，接合於基底晶粒3 0 2 上之另一區域。第二基板4 0 4上可以具有一或複數個晶粒
11116TWF.PTD 第16頁 200527549 五、發明說明（12) 5 2 2 。而此積體電路之厚度，亦大約相當於晶粒5 2 2、第 二基板4 0 4與基底晶粒3 0 2各別厚度之總和。 如上所述，本發明提出一種超薄晶圓級堆豐晶粒封 裝方法與結構，該方法之特色為先將一已製備有複數個 基底晶粒之第一晶圓，選擇性地膠合到晶粒大小及位置 等預先設計好之匹配之一第二基板上，因此即可將第一 晶圓之厚度變薄。該第二基板之厚度不用太厚，只需維 持選擇性黏合之晶圓在封裝過程中不會變形即可，因此 該第二基板之厚度接近傳統晶圓之厚度。透過先行切割 選擇性黏合之晶圓中之第一晶圓，可避免直接切割研磨 後之第一晶圓厚度太薄所產生之問題。再將所需接合之 堆疊晶粒接合後，最後封裝所得之一積體電路（I C )中至 少包括一基底晶粒與一個或複數個堆疊晶粒，且其大小 即為基底晶粒與堆疊後之堆疊晶粒超出部分之和之大 小，其厚度為第二基板之厚度與研磨後基底晶粒以及黏 膠之厚度和，接近傳統晶圓之厚度，以利封裝之進行。 因此，透過本發明之晶粒封裝方法，可以得到一堆疊晶 粒封裝結構。 再者，透過本發明之晶粒封裝方法，可以將不同製 程所得之晶粒封裝在一起，因此可將製程相同之電路製 造於同^^晶粒上’可組合不同晶圓流程之晶粒’以及以 堆疊技術達成封裝時輕薄短小之需求。若再加上，在上 述提供該些堆疊晶粒或基底晶粒之步驟中，更包括對該 些堆豐晶粒或基底晶粒’進行一檢測已知良品（K G D )之
11116TWF.PTD 第17頁 200527549 五、發明說明（13) 製程，則更可提高本發明製程之良率，節省成本。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發 明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ❿
11116TWF.PTD 第18頁 200527549 圖式簡單說明 第1圖至第8圖繪示一超薄晶圓級堆疊封裝方法流程 之三視圖，係依照本發明之一實施例。 圖式標記說明： 1 02 第 一 晶 圓 1 04 第 二 基 板 1 06 黏 膠 1 08 選 擇 性 黏合晶圓 1 12 基 底 晶 粒 2 2 2 、3 2 4 :切割方向 3 0 2 :第一基底晶粒 4 0 4 :切割後第二基板 5 0 2、5 1 2、5 1 4 :堆疊晶粒 5 2 2 :晶粒
11116TWF.PTD 第19頁
Claims (1)
- 200527549 六、申請專利範圍 1 . 一種超薄晶圓級堆疊晶粒封裝方法，包括： 提供一第一晶圓，具有複數個基底晶粒； 提供一第二基板，其上之位置已經預先設計好而可 以與該第一晶圓匹配； 將該第一晶圓含有該些基底晶粒之一第一表面，以 複數個黏膠選擇性地將複數個特定之區域，與該第二基 板之一第一表面黏合，得到一選擇性黏合晶圓，該第一 晶圓與該第二基板之一間距為該黏膠之一黏膠厚度； 形成複數個獨立晶粒組，每一該獨立晶粒組係由該 基底晶粒與部分該第二基板所組成，而其形成步驟包 括： 對該第一晶圓之一第二表面切割該選擇性黏合晶 圓，其中切割之深度大於該第一晶圓之厚度，但小於該 第一晶圓厚度與該黏膠厚度之和；以及 對該第二基板之一第二表面切割該選擇性黏合晶 圓，其中切除之深度大於該第二基板之厚度，但小於該 第二基板之厚度與該黏膠之厚度之和，以形成該些獨立 晶粒組；以及 對該些獨立晶粒組進行封裝。 2. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在提供具有該些基底晶粒之第一晶圓 時，更包括對該些基底晶粒進行一檢測已知良品（Known Good Die, KGD )之製程。 3. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶11116TWF.PTD 第20頁 200527549_ 六、申請專利範圍 粒封裝方法，其中在形成該些獨立晶粒組後與對該些獨 立晶粒組進行封裝之前，更包括： 提供一堆疊晶粒；以及 接合該堆疊晶粒與該獨立晶粒組上之該基底晶粒。 4. 如申請專利範圍第3項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在提供該堆疊晶粒之步驟之時，更包 括對該堆疊晶粒進行一檢測已知良品（K G D )之製程。 5. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在形成該些獨立晶粒組後與對該些獨 立晶粒組進行封裝之前，更包括： 41 提供複數個堆疊晶粒；以及 接合該些堆疊晶粒與該獨立晶粒組上之該基底晶 粒。 6. 如申請專利範圍第5項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在提供該些堆疊晶粒之步驟之時，更 包括對該些堆疊晶粒進行一檢測已知良品（K G D )之製 程。 7. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第一晶圓之厚度，介於5 0 0 mm至 2 0 0 m m之間。 8. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在得到該選擇性黏合晶圓後，與切割 該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第二表面前，更包 括對該選擇性黏合晶圓之該第一晶圓之該第二表面進行11116TWF.PTD 第21頁 200527549 六、申請專利範圍 研磨。 9. 如申請專利範圍第8項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在研磨該選擇性黏合晶圓之該第一晶 圓之該第二表面後，該第一晶圓之厚度介於250mni至30mm 之間。 10. 如申請專利範圍第8項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在研磨該選擇性黏合晶圓之該第一晶 圓之該第二表面後，該第一晶圓之厚度介於80mm至30mm 之間。 11. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板，其上具有複數個晶粒大 小，該些晶粒之位置已經預先設計好而可以與該第一晶 圓匹配。 12. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中形成該些黏膠之一方法，包括一點膠 法。 13. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中形成該些黏膠之一方法，包括預先製 作一雙面黏膠，於該雙面黏膠上特定之一區域，配置有 該些黏膠。 14. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中在得到該選擇性黏合晶圓之後，與形 成複數個獨立晶之前，更包括一加熱固化（t h e r m a 1 c u r i n g )步驟用以固化並強化該些黏膠。11116TWF.PTD 第22頁 200527549 六、申請專利範圍 15. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中切割該選擇性黏合晶圓之一方法，包 括一鑽石刀（d i a m ο n d b 1 a d e )切割法以及一雷射切割 (laser cut)法其中之一。 1 6 . 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為一玻璃基板。 17. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為一矽晶圓基板。 18. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為一塑膠基板。19. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為一壓克力基板。 20. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為一聚合物基板。 2 1. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為具有透明特性之材質。 22. 如申請專利範圍第1項所述之超薄晶圓級堆疊晶 粒封裝方法，其中該第二基板為具有不透明之材質。2 3. —種超薄晶圓級堆疊晶粒封裝結構，係由一獨 立晶粒組所組成，而該獨立晶粒組係由一選擇性黏合晶 圓切割而得，其中該選擇性黏合晶圓係由一第一晶圓與 一第二基板，以複數個黏膠相黏合而組成，其中該第一 晶圓上具有複數個基底晶粒，而該第一晶圓與該第二基 板之間距為該黏膠之一黏膠厚度，而該獨立晶粒組則由11116TWF.PTD 第23頁 200527549 六、申請專利範圍 一基底晶粒與部分遠弟 >一基板所組成。 24. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中形成該些獨立晶粒組之步驟包括： 對該第一晶圓之一第二表面切割該選擇性黏合晶 圓，其中切割之深度大於該第一晶圓之厚度，但小於該 第一晶圓厚度與該黏膠厚度之和；以及 對該第二基板之一第二表面切割該選擇性黏合晶 圓，其中切除之深度大於該第二基板之厚度，但小於該 第二基板之厚度與該黏膠之厚度之和，以形成該些獨立 晶粒組。 2 5. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中更包括一堆疊晶粒，接合於該獨立 晶粒組上之該基底晶粒。 2 6. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中更包括複數個堆疊晶粒，接合於該 獨立晶粒組上之该基底晶粒。 27. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第一晶圓之厚度，介於3 Omm至 2 5 0 m m之間。 2 8. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第一晶圓之厚度，介於3 Omm至 8 0 m m之間。 29. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板，其上具有複數個晶粒11116TWF.PTD 第24頁 200527549 六、申請專利範圍 大小，該些晶粒之位置已經預先設計好而可以與該第一 晶圓匹S己。 30. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為一玻璃基板。 3 1. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為一矽晶圓基板。 32. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為一塑膠基板。 33. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為一壓克力基板。 3 4 . 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為一聚合物基板。 35. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為為具有透明特性之材 質。 36. 如申請專利範圍第2 3項所述之超薄晶圓級堆疊 晶粒封裝結構，其中該第二基板為該第二基板為具有不 透明之材質。11116TWF.PTD 第25頁
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| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |