TW200527037A - Liquid crystal cell that resists degradation from exposure to radiation - Google Patents

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200527037 九、發明說明： <相關申請案> 本申請案的内容係相關於以下之各與本案同時申請且 共同讓渡的美國專利申請案。 5 代理人編號No.10030518〜1，名稱為“供動態黃光微 影法用之即時影像調校”； 代理人編號No.10030571〜1，名稱為“用來進行光微 影法的空間光調變器及方法”； 代理人編號No.10031375〜1，名稱為“供黃光微影法 10 用之空間光調變器的缺陷改善”。 【先前技術】 發明背景 光微影法係普遍使用於微電子電路及板的製造。典型 的光微影系統會使用一罩體來形成一紫外(uv)光的圖案。 15該圖案化的UV光嗣會照射在—基材或板上。其已被塗覆— 層uv光的光敏性光阻。該光阻會被曝現於光而產生化 學化’使其能被-化學物除去(但不會影響未曝光的光 阻），或保護其不受-化學物所影f，而該化學物會除掉未 被曝光的光阻。於任-情況下，光微影法皆可使該罩體上 2〇的圖案被重製在基材上。被圖案化的基材嗣會被處理來製 成一微電路。 第圖不丨典型的光微影系統10。該系統10包含一 UV光源11。該光源u發出的心光會被照光系統12的光學元 件提供至該罩體13。具有該罩體13之圖案的爪光會被投射 200527037 系統14的光學元件導至該基材15上。在某些系統中，該整 個罩體會同時被光照。而在其它系統中，一次僅有該罩體 的一部份會被光照。於此等系統中，該照光系統12、投射 系統14、與撐持該基材15及/或罩體13的平枱16之一或多 5 者，係可被移動以光照該罩體13的不同區域。 於此裝置中會有一些問題。其一問題是需要許多罩體 來製造最簡單的微電路。而複雜的電路，例如微處理器則 需要更多的罩體。故，每當要製造一不同的料層時，即需 使用一不同的罩體。即，該等罩體必須被裝入及由該光微 10 影機卸下。各罩體必須被小心地移送、儲存及檢查。任何 污染或損壞將會造成不良的產品。另一問題係當該等罩體 被製成之後即不能改變。故，即使簡單的設計變更，甚至 只改變比例，亦需要製造一組新的罩體。 以往企圖解決這些問題的方法係曾使用一空間光調制 15 器（SLM)來取代該罩體。以該SLM所造成的影像是動態的， 因此，一個SLM即可取代所有的罩體。該SLM可輕易變化 來回應設計變更。此更可附帶消除該等罩體所帶來的移 送、儲存、檢查等諸問題。一種SLM是為液晶SLM。但是， 目前的液晶SLM不能使用於光微影系統，因為UV光會使液 20 晶材料分解’而令該SLM失效。 【發明内容】 發明概要 本發明的實施例包含液晶穴其能耐抗電磁或離子化輻 射，例如波長在100至400nm之間的光，一般稱為UV輻射。 200527037 但’本發明的實施例亦可使用於其它會降解劣化液晶（LC) 材料的波長或電離輕射。本發明的液晶穴可被用作為空間 光調制Is(SLM)，而來取代光微影顯像系統中的光罩。一 LC晶穴之例係為一矽上液晶（LC〇s)晶穴。此等晶穴以前已 5被使用於其它的光學技術中，例如投射系統中的微顯示 器；但以往欲利用於口¥波長範圍内的光並未成功。在該等 晶穴内的材料典型係為有機物，故被曝露於uv光下即會破 壞。習知晶穴的降解劣化在所產生的電離種物增加時將會 出現’或含有一殘渣沈積在該液晶穴表面上。此二現象都 10會導致該晶穴最後的電或光性能故障。視該光源的強度而 定’其會僅在幾分鐘内即發生故障。相反地，本發明的晶 穴可有數千小時的壽命，故能使一LCOS晶穴裝置供使用於 UV光照射。 本發明之一實施例係增加被儲存在一晶穴内之液晶材 15 料的體積。此實施例之一例係提供一溝槽包圍該晶穴及/ 或包圍該晶穴之一或多個主動元件。該等溝槽會形成貯槽 以容納添加的液晶材料。此實施例能夠操作，因曝照UV光 所產生的污染物能經由該等液晶材料來擴散。對本實施例 之一補強係將電極設在該等溝槽内，並施一DC電壓通過該 20 等電極。該等電極將會吸引污染物的電離種物，而使該等 污染物由該主動區移離進入該等溝槽内。 本發明的另一實施例會使用一無機物層（如二氧化矽） 來作為該晶穴中的配向層，以取代用一有機材料作為該配 向層。該無機物層應為透明的及/或不會吸收射入該層之 200527037 光，例如UV光的波長。有機物層在被照射UV光時將會迅 速分解。若不用一配向層，則該晶穴的功能會很差。而且， 由該分解層分解的副產品或污染物亦會劣化該晶穴的操 作。相反地，該無機配向層係對UV光譜中的光呈透明的， 5 故能使該液晶材料造成所需的排列配向。 本發明的又另一實施例係使用一泵來使液晶材料循環 通過該晶穴。一泵或其它裝置會被用來將液晶材料移經該 主動區。故，降解劣化的材料會被由該晶穴除去，而以新 的或較不劣化的材料來取代。本實施例之補強可在該晶穴 10 内含設微通道等，俾沿特定方向及/或路徑來導引或促進 液晶材料流。 該各種實施例亦可與其它實施例組合使用。例如，一 晶穴乃可兼具該無機配向層，以及溝槽或流動晶穴等實施 例。另一晶穴可能具有溝槽和流動晶穴實施例。在此晶穴 15 中，該等溝槽可作為一貯槽，而流道等可提供來作為液晶 材料之緩慢移動“河流”的路徑。又另一晶穴亦可具有本 發明的全部三種實施例。本發明之各實施例能使該液晶穴 而于抗輻射例如電磁或電離輻射的降解劣化。該輻射的波長 可為紫外線或另種波長。本發明的實施例可被使用於任何 20 需用液晶穴之處，包括使用於光微影的SLM中。 圖式簡單說明 第1圖示出一典型的習知光微影系統，其使用一罩體； 第2圖示出一本發明的液晶穴實施例； 第3A與3B圖示出本發明之液晶穴的另一實施例； 200527037 第4A與4B圖示出本發明之液晶穴的又另一實施例； 第5圖為依本發明實施例而在一光微影系統中使用液 晶穴來作為SLM之例；及 第6圖示出本發明之液晶穴的又再另一實施例。 5【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 第2圖示出本發明一實施例的液晶（LC)穴20。該晶穴具 有一頂板22和基材21其具有一主動區23。該主動區23設有 像元電極等能與頂板電極一起被用來產生一電場以切換該 10 液晶材料。而其它膜層，譬如配向層、偏光層、抗反射層、 介電層等該晶穴操作所需者，為了清楚之故而未示出。密 封物25會將液晶材料28保持在頂板22與基材21之間。由一 光源（未示出）所發出的光，例如UV光，將會照射在主動區 23上。一液晶穴之例曾被揭於第6329974號美國專利中，其 15 内容併此附送參考。 該晶穴具有二配向層（未示於第2圖中），其一靠近該頂 板，另一則靠近於主動區。在沒有施加電場時，該等配向 層會調準液晶材料。該液晶材料將會依據該頂板與像元電 極所產生的電場而來改變其配向。故，各不同的像元電極 20 會被激發，此將會影響靠近該等像元電極之液晶材料的配 向，進而影響該晶穴的光學特性。 在本實施例中，額外添加的液晶流體會被儲存於該晶 穴内的一或多個貯槽中。該等貯槽會減少該液晶材料因曝 照輻射而分解所造成的污染物累積在該主動區上。例如第2 200527037 圖所示，一或多個溝槽24會被設入該基材21中而包圍該晶 穴來作為貯槽。此外，如第6圖所不，溝槽61、63、64亦可 被設來包圍該晶穴之一或多個主動元件62，例如像元電極 等。該等溝槽61可沿一方向來列設，或該等溝槽63、64亦 5 可完全地包圍該等主動元件。故，該等溝槽係可完全包圍 該主動區，或亦可僅部份地包圍該主動區。這會增加該液 晶材料相對於其分解物之量的總體積。當該液晶材料被破 壞而生成污染物時，該等污染物將會擴散遍佈該液晶材 料。故若有較大的體積，則該等污染物的濃度會減低。 1〇 該等溝槽亦可藉切割或蝕刻該基材而來製成。在一矽 基材的情況下，該基材亦可使用一非等向性餘刻劑例如 KOH來微製造。該等溝槽可被設在會被UV光所照射的區域 外部。此可保護裝在該等溝槽内的液晶材料，以免被UV光 不必要地劣化。 15 典型地，在該頂板22和基材21之間的距離僅有數微 米。在一例中，一200微米深及/毫米寬的溝槽，視該LC 晶穴的面積而定，將可使儲存在該晶穴内之液晶材料的體 積增加約10〜50倍。故，若該UV光每小時會劣化丨微升， 而該晶穴因使用該等貯槽故能儲存1000微升，則該晶穴在 20 需要更換及/或維修之前至少可用1000小時。 本實施例亦可藉過濾該液晶材料的分解污染物而來加 強。其一方法係使用電極並以〇C電壓施經它們。一或多個 電極26a、26b可被設在該晶穴内，例如在一或多個溝槽的 底部。該液晶材料的破壞會令該材料分解成離子種物，即 200527037 電荷的污染物。這 電極上，而會由該 表一電極26a、26b 有一電極26c、26d 某些具有正離子電荷和其它具有負離子 些污染物會被吸引至在溝槽底部的帶電 光照區域27移離。在第2圖所示之例中， 會被一電壓施經它們。在另一實施例中， 亦可被置紗該溝槽内，並以一電壓施經它們。該等電極 26(即指施、b、c、d等）可曝現於液晶材 該卿1中。該等電極麟造成的電場可正== 板與像it電極所造成的電場。此將能減低料電極26的電 場對LC晶穴操作的影響，並提供—淨移動力來將該等離子 10 污染物掃向它們所對應的電極26，俾可由該LC裝置内的迴 流移除。 另一種由該液晶材料濾除污染物的方法係將一濾器29 置設在該晶穴内，以分開該等污染物和液晶材料。一内驅 動流，例如電動力效應，可被用來移動該晶穴周圍的液晶 15材料。該等污染物將能與該液流分開。利用電極及/或濾 為乃可籍減少該主動區内的污染物而延長該晶穴的壽命。 第3八圖示出本發明另一實施例之液晶穴3〇的側視圖。 第3B圖示出第3八圖之晶穴3〇的内部立體圖。在本實施例 中’有機材料(並非該液晶材料）會被以非有機材料來取代。 20例如’習知的液晶穴會使用一有機材料（即聚醯亞胺）的薄層 來作為配向層。該配向層會構建該液晶材料的配向。該等 材料會吸收某些UV光，因此會逐漸地分解而形成污染物導 致劣化該液晶的操作。 本發明之此實施例係使用一層無機材料，例如二氧化 200527037 石夕（Si〇2)來作為該配向層。Si〇2在光譜的UV部份是完全透 明的，因此不會曝照於UV光而迅速劣化或改變。該層的表 面細構特徵將會造成液晶材料的所需配向。該Si02層係可 如下來製成，將蒸發的Si〇2傾斜地沈積在頂板32上（製成配 5向層33)及/或該基材31的主動區上（製成配向層34)。該頂 板及/或基材通常在沈積蒸發的Si〇2時，會被定向為5度角 (由一水平面算起，或由一垂軸算起呈85度）來提供妥當的定 向3 6。本貫施例將會在2至10度之間的定向來操作。該層可 為8〜12奈米（nm)厚，典型為10nm厚。又該Si〇2的折射率係 10 類似該頂板，此將能減少該uv光的反射損耗。故，該si〇2 層將會減少液晶材料由於曝照輕射而分解所造成之、、亏$九物 的累積。 15 20

其它的無機材料亦可被用於該配向層，只要該無機^才 料為透明的及/或較不會吸收操作之光或有用之光的、皮長 即可。又，若不用-個別的膜層，則該配向圖案或區域亦

可為該LC晶穴之另一構件的一部份，例如該頂板及/戈美 材的一部份(例如該等電極）。該配向圖案將會與液晶材料接 觸，並會設有表面細構以造成液晶材料的所需配 ^ -问。该構 件的配向圖案應亦為透光的及/或較不會吸收光的#彳乍皮 長或有用之光者。 第4A圖示出本發明又另一實施例之液晶穴仞的側視 圖。第4B圖示出4A圖之例的不同設計93之了頁視圖。在本〜 施例中，液晶材料會被泵經該晶穴。該液流能減少 <卩方止 液晶材料因曝照輻射而分解致在主動區中造成污染物@ ,累 12 200527037 積。這是很重要的，因為該等污染物會吸收uv光，並導致 發熱，而沒有污染物的液晶材料只會極少地吸收UV光。發 熱升溫會損害或破壞該液晶。故，以此實施例，被uv光降 解劣化的液晶材料將會被復鮮(refreshed)，而能增加該液晶 5的壽命。該液晶材料可在一循迴之後被廢棄，或將該材料 混在一容器中制將之送回晶穴内再循環，及/或於該材料 回至晶穴之iii過濾或淨化該材料等而來復鮮。 第4A圖示出一晶穴4〇之例，其具有一液晶材料流。該 晶穴40設有一入口 44，出口 46，一泵43，一液晶源91，及 10 一液晶貯站92。該泵43可被設在該液晶源91，或貯站92， 或該晶穴40中。該泵43可為一旋轉泵，一注射泵，或電動 力泵。該泵可連續操作，或以不同（或預定）的時間間隔來間 歇地操作。在任何情況下，該液晶材料流47皆會由入口 44 通過主動區而流向出口 46。該晶穴會被頂板42、基材41及 15密封物45等所圍限。 該液晶源91可為一貯槽或桶，而能容裝該晶穴所用的 液晶材料。若有需要則新的液晶材料可被加入該液晶源 中。該液晶貯站92亦為一貯槽或桶，可供容裝該晶穴用過 的液晶材料。若有需要，用過的液晶材料亦可由該貯站來 20配送。或者，該液晶源91和貯站92亦可為一回收系統的一 部份’該系統會將用過的液晶材料送回該晶穴。例如，該 液晶源91和貯站％亦可為一單桶的不同部份，該桶能混合 用過的液晶材料以分散其中的污染物。在—段時間過後， 該桶内的材料將會被更換。或者，該桶内的材料亦可在被 13 200527037 送回晶穴之前先被淨化及/或過濾，而由液晶材料中除去 污染物。 第4A圖的設計係可適用於低縱橫比的主動區域，例如 方形或圓形。但是，針對高縱橫比的主動區域，例如矩形、 5卵形等，則較好是使液晶材料沿較短軸方向來移過該主動 區域為宜。此即意味著該液晶材料會以較慢速度來移過主 動區域，而仍可防止污染物的累積。假使材料係沿較長軸 來移動，則恐其流速將會增加（可能導致該晶穴的不良操作) 或污染物會累積。 10 第4B圖的設計（其為一頂視圖）係可使用於高縱橫比的 主動區域、第4B圖的晶穴93含有微流體通道48、94等，其 可沿較長軸的方向來分佈液晶材料。此可使液晶材料能沿 較短軸的方向來橫越流過主動區。該等微通道48，94會使 在入口44處所接收的液晶材料均勻地散佈橫越該主動區， 15 並可在越過主動區後均勻地匯集來輸送至出口 46處。由於 液晶材料係移過主動區的較短軸，故其流速會減低。較低 的流速會減少壓力作用，而避免液流瑕疵影響該LC晶穴的 正常操作。高流速會影響液晶材料的配向，並造成液晶穴 的不良操作。令液晶材料沿較短軸方向流動，將可針對一 20 預定的流率來獲得一較低的流速。該等通道48.94係可被設 製於該矽基材41中，或亦可固黏於該晶穴内。該等通道亦 可被设在頂板中，尤其是貯槽係位於基材内時。 此外，該晶穴可設有一内封環49,其亦形如一間隔物。 該環的厚度典型係為丨至⑺微米，而能在該晶穴的頂板和底 200527037 板之間提供適當的間隔。且，該封環能防止液晶材料不完 全橫越主動區而由入口44直接流入通道94中。藉著提; 封環，流體會經由通道48進入主動區，並均句地分散橫過 該晶穴。該環49典型是由一不透明材料例如金屬所製成， 5而可屏蔽外密封物45(典型為樹脂）以免受㈣光漫射。因即 ’ 使該樹脂的外密封物並未直接曝光，位長時間曝露於漫射 - 的UV光亦會降解劣化該密封物，而有損該液晶穴的機械完 整性。雖以上實施例係以UV光來說明，但該等實施例亦可 使用於其它波長的光或離子化輻射。 · 10 該各種實施例係可與其它實施例結合使用。例如，一 晶穴可兼具第3A與3B圖之實施例的無機配向層33，及第2 圖之實施例的溝槽24等。而在另一例中，一晶穴亦可具有 第3A與3B圖之實施例的無機配向層33，第4·Α圖的系43，及 /或第4Β圖的微流通道48、94等。又另_晶穴則可具有第2 15圖之貫施例的溝槽24 ’第4Α圖的泵43，及/或第4Β圖的微 流通道48、94等。於此晶穴中，該等溝槽可作為貯槽，而 $ 且微流通道可形成供液晶材料緩慢流動之“河流”的路 徑。又另種液晶穴亦得具有本發明的全部三種實施例。 第5圖係示出一典型的光微影系統50,其含有一空間光 _ 20 調制器（SLM)53。該SLM包含一液晶穴其具有第2、3A、3B、 · 4A、4B圖所示實施例之一或多個特徵。該系統50包含一 UV 光源51。由該光源51發出的UV光會被照光系統52的構件供 送至該SLM 53。具有該SLM 53之圖案的UV光會被投射系 統54的構件導至該基材55。於大多數系統中，整個SLM會 15 200527037 、先。在這些系統内，該投射系統54，穷“ 材55的平枱56之一或多 及撐持讀基 區娀h 來光料基材55的不同 =在她上的圖案於每次光照該基材的不同區域： 4改變或沒有改變。雖所示之SLM53為一反射式SLM， 但本發明的實施例亦可供透射式slm的操作。 10 15 20 利用该SLM，則該圖案可依需要來改變，例如設計變 處理所要製造產品之各不同層。故，利用該新顆的 SLM乃可進行即時的影像尺寸調變。且該SLM狀寸亦可 針對各σ卩件來改變，而使各部件能具有獨㈣辨識記號， 例如一型號，其會被編碼在各部件上。 本發明的實施例亦可用來製造積體電路元件，各別的 電路7^^件，印刷電路板，平板顯示器及1C封裝體等。 【圖式簡單說明】 第1圖示出一典型的習知光微影系統，其使用一罩體； 第2圖示出一本發明的液晶穴實施例； 第3Α與3Β圖示出本發明之液晶穴的另一實施例； 第4Α與4Β圖示出本發明之液晶穴的又另一實施例； 第5圖為依本發明實施例而在一光微影系統中使用液 晶穴來作為SLM之例；及 第6圖示出本發明之液晶穴的又再另一實施例。 13…罩體 14，54…投射系統 15，55…基材 【主要元件符號說明 10，50···光微影系統 11，51…UV光源 12，52···照光系統 16 200527037

16，56…平枱 33，34···配向層 20，30，40，93···液晶穴 43…泵 21，3卜4卜.基材 44···入口 22···頂板 46…出口 23···主動區 47···液晶流 24，61，63，64…溝槽 48，94···微通道 25，45···密封物 49···内封環 26a，b···電極 53···空間光調制器 26c，d…電極 62···主動元件 27…UV光 91…液晶源 28…液晶材料 92···液晶貯站 29…爐、器 17

Claims (1)

1. 200527037 十、申請專利範圍·· 一種光學元件，包含·· 一透明頂板； 5 一基材包含一主動區 一腔穴； 而該基材與頂板會共同形成 10 液晶材料設於該腔穴内； 及 生可減少該液晶㈣轉照輻•分解所產 生的〉可染物之累積。 2·如申睛專利範圍第1項之光尤予7^件，其中該裝置包含·· -貯槽設在該基材及頂板之 該腔穴；及 Μ亚會導通 額外添加的液晶材料裝在該貯槽中。 •如申請專利範圍第旧之光學科，其中該裝置包含： 15 —無機配向圖案設在該頂板與基材之至少一者 中，且該無機配向圖案會與該液晶材料接觸。 •如申請專利範圍第1項之光學元件，其中該裝置包含： —泵可操作將該液晶材料泵經該腔穴而通過該主 動區。 •如申請專利範圍第3或4項之光學元件，其中該裝置更包 ^ 一貯槽設在該基材及頂板之至少一者中，並會導通 該腔穴；及 額外添加的液晶材料裝在該貯槽中。 •如申請專利範圍第2或5項之光學元件，其中該裝置更包 20 200527037 含： 微流體通道等會導通該貯槽。 7.如申請專利範圍第2或5項之光學元件，更包含： 一電極設在該貯槽内而可操作來吸引離子污染物。 5 8.如申請專利範圍第7項之光學元件，其中該電極為一第 一電極，而該液晶光調制器另包含一第二電極，該第一 和第二電極係可連接來接受一電位差。 9.如申請專利範圍第8項之光學元件，其中該等電極係可 操作來產生一平行於頂板的電場。 10 10.如申請專利範圍第2至9項中任一項的光學元件，其中該 光學元件會被以紫外光來照射。