TW200521995A - Method for magnetic recording on patterned multilevel perpendicular media using thermal assistance and fixed write current - Google Patents

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200521995 九、發明說明： [相關申請案] 本申請案關於下列同時提出共同審理的申請案，其所有内 容係基於一共同說明書： π圖案化多層垂直磁性記錄媒體，，（申請人審理文件目錄 HSJ920030213US1) ”具多層垂直磁性記錄之磁性記錄系統"（申請人審理文件 目錄 HSJ920030214US1) π使用可變寫入電流於圖案化多層垂直媒體上做磁性記 錄之方法”（申請人審理文件目錄HSJ920030215US1) 【發明所屬之技術領域】 本發明關於磁性記錄資料及系統，諸如磁性記錄硬碟 機，更特別關於具有圖案化垂直磁性記錄媒體的媒體及系 統0 【先前技術】 —已經提出圖案化磁性記錄媒體建議方案以增加磁性記查 資料儲存體(例如，硬碟機)中的位元密度。在圖案化媒旁 中’磁性材料被圖案化為小型隔離區塊或隔離島，促使4 各島或"位元”中各具有一單磁域。該單磁域可為一单晶米 ，疋由—強#合的晶粒組成’這些晶粒依據單磁性谱 積來切換磁性狀態。這與傳統上的連續性媒體不同，剌 =予中的單”位元"可具有多重的磁域，而這些磁域係藉由 。化：Τ。第5,82°，769號美國專利說明了各種型式的 ^其法。1997〜卿—r 96097.doc 200521995

Magnetics 第 33 冊第 990-995 頁「Patterned Media: A Viable Route to 50 Gbit/in2 and UP for Magnetic Recording?」，由 R.I· White 等人所提出 具有圖案化媒體的磁性記錄系統的說明及其相關的挑戰課 題。 垂直磁性非等向性的圖案化媒體所具有的屬性在於該磁 矩方位能進出平面，因此藉由磁矩方位能表示兩種可能的 磁化狀態。由報告指出這些狀態具有熱穩定度，並且該媒 體相較於連續性（未圖案化）媒體呈現出具有改良的訊雜比 (SNR)。然而，為達到具有！ Terabit/in2位元密度的圖案化 媒體，在整個2.5英寸的磁碟將需要一個具有25奈米週期的 奈米結構陣列。雖然支援高達3〇〇 Gbit/in2位元密度的製造 方法已經過證實，但仍無法獲取具低瑕疵率及高一致性的 大面積超高密度的磁性圖案。 多層磁性儲存體的用途已經被提出，如美國專利第 5,583,727號所揭示，但是僅適用於連續性的（未圖案化）的 磁性薄膜以及未經圖案化的磁性島。然而，在多層連續磁 性膜中，磁性晶粒的數目（且因此信號與雜訊）被分成多級， 且因此會導致SNR的降低。 需要一種能利用圖案化媒體及多層記錄的磁性記錄媒體。 【發明内容】 本發明是-種使用固定寫錄電流與熱輔助於圖案化垂直 磁性記錄媒體上做記錄之磁性記錄方法，其中每個磁性區 塊或磁性島各包含一堆叠的單獨磁性單元。各單元 是由一種材料或一組材料製成，以提供該單元具有垂直磁 96097.doc 200521995 )生非等向性’並且各單元是—及軍磁性領域磁域。藉由非 磁，間隔層使各單元與島中的其它單元磁性解耗。如此， 各早7〇具有往二個方向之_(進出組成該單元的平面層）的 磁化作用(磁矩)，以及此磁化作用與島内其它單元的磁化作 用無關。所以’透過每個島不同的單元所整合的總磁化作 用在各磁性島内記錄多重磁性位準或狀態。因為各島内的 各單元是單磁域所以不會由於多重磁性位準而導致增加雜 \島内所堆豐的磁性單元數n將導致升高至y個不同的讀 取信號位準。記錄密度也因此以2(n·】）的因數增加。 島内各單元所具有的抗磁力與島内其它單元的抗磁力不 ^可藉由能_用多重寫錄電流進行寫人作業的感應寫 當寫人磁性單元（切換磁性單元的磁化作用），各個寫錄 提供—不同的寫錄磁場。施加的寫錄磁場大於僅部分 抗磁性但#其它單元的抗磁性，這正好能寫錄島 内被選取的單元。施加的寫錄磁場大於最高抗磁性單元的 :磁性:將寫錄島内的所有單元。也能利用-個具有固定 -’··錄電流感應寫錄頭以熱輔助來寫入磁性單元，盆卜亥固 提供一個單寫錄磁場。施加-不具熱輔:的 =心寫錄較低抗磁性的翠元。施加相同但具教輔 助的寫錄磁場將寫錄島内的所有單元， ^ 元的抗磁性低於寫錄磁場，所中因為島內早 且接近其居里溫度。 内早π的溫度上升並 :由空隙或不影響單元磁性屬性且不會 成不利影響的材料，將基板上的磁性島予以間隔。= 96097.doc 200521995 二/、有以同〜磁執圖案化之磁性島的磁性記錄磁碟基 板，或者是一具有以相互垂直列之x_y圖帛所圖案化之磁性 島的探針式陣列儲存系統中所使用的基板。 為更王瞭解本發明的本質及優點，我們將必須進一步 詳細參考下列說明及附圖。 、 【實施方式】 圓案化多層垂直磁性記錄媒體 勺圖1係根據本發明之圖案化磁性記錄媒體之示意圖。媒體 土板12 多層垂直磁性記錄層5 0、一選用之底層 14,及選用之保護外塗層16。記錄層5〇包括複數個島，諸 如以空間60間隔的代表性島 各島係由一 52 、 54 、 56 、 58 具有垂直磁性非等向性的第一層磁性材料2〇、一具有垂直 磁性非等向性的第：層磁性材料4()及—用於將各島内的兩 磁性層20、40分離且使其磁性解耦的間隔層％所組成。因 各島疋種夕層磁性島，而該磁性島具有至少二個堆 ，且且磁性解_之單m島52内單元22、32。各單元 疋一早磁域且利用間隔層30與島内的其它單元分離，以及 利用空間6G所指示的區域與其它島内的單元分離。 、空間60界定磁性島間的區域，以及典型由非磁性材料製 成’但是可由不會對所分離之磁性島的信號記錄及谓測造 成不利影響的鐵磁性材料製成。形成磁性島的方式為，首 先以微影法將圖案化該基板上，在圖案化之光阻上沉積用 於組成記錄層50的各層，接著移除光阻而留下磁性島。或 者’形成磁性島的方式為，首先將用於組成記錄層50的各 96097.doc 200521995 層/儿積在基板上，接著以微影法來圖案記錄層，然後透過 从影光罩來姓刻記錄層’接著移除光阻而留下磁性島。在 這兩個範例中，位於島間區域中的空間的是一些由諸如像 氧化鋁或旋塗式玻璃這類的非磁性材料充填的空隙。接著 可幵/成大致上平坦表面的拓樸。此項製程包含下列步驟： 百先形成磁性島，接著把氧化鋁沉積至一個大於充填空間 60所而的厚度’然後以化學機械拋光法拋光該氧化銘 部份，直到磁性島剛好曝露出來。這會使氧化紹留在空間 60内，並且使得磁性島的頂部大致上能平坦。 圖案化媒體也能利用離子放射穿透光罩以改變放射區域 的屬性所製成。在圖案化媒體離子放射製程的範例中，空 間疋由不致影響磁性島垂直磁性屬性的磁性材料製成。例 如’钻/錄多層的強大垂直磁性非等向性能利用離子放射穿 透光罩中的細孔予以破壞，以便產生具有面内磁化的磁性 材料區域，藉以當做非放射制白多層磁性島之間的空間。 製造圖案化磁性記錄媒體的料放射方法在T列參考文件 中說明：C. Ch_等人的”利用離子放射所得到的平面圖 案化磁性媒體"，刊錄於胸年6月19日的科學雜誌第280冊 的1919-922頁；A. Dietzel等人的"製作磁性材料圖案的離子 投射的直接結構"，於2002年9月5日的IEEE磁性會報第38 冊的19524954頁提出；美國專利第6,331，364及6曰Mu? 號。 5 如代表字母A、B、C、D以及圖！單元中的箭頭所示，在 各島中有四種可能的磁性位準或狀態，各層性狀態依據各 96097.doc -10- 200521995 磁性單元中的磁化方向（磁矩）而定。因此，圖1之雙声實施 例中的各磁性狀恶可被表示為一雙位元之位元組或字組。 如果下層2 0中的單元被選擇當作位元組或字組中的第一位 元’且向上的磁化方向被視為〇，則磁性狀態如下： A : [1，1] B : [〇，1] C : [〇,〇] D ·· [1，〇] 圖1表示二層磁性層的圖形，但3或多層磁性層也可實 行。η層不同磁性層上所聚合的總讀取信號可達211個不同信 號位準，這些信號位準能用於磁性記錄。記錄密度能因此 以2(η·])的因數增加。 為實驗所需，於室溫以濺鍍沉積法將一磁性薄膜沉積在 一個具有150奈米直徑及80奈米高度的六角形Si〇2柱形陣 列上。柱心間的間隔是300奈米。該等柱係藉由以微影法圖 案化在矽基板上形成的Si〇2薄膜所形成。該結構具有由5奈 米厚的把層所隔離的雙層垂直鈷/鈀多層，藉此磁性解輕上 下之多層。該薄膜的組合如下： C(40 A)/Pd(10 A)/[Co(3.3 A)/Pd(8.3 A)]6/Pd(50 A)/[Co(2.5 A)/Pd(6.5 A)]10/Pd(20 A)/Si02 比較此實驗結構與圖1的示意圖，丨〇對鈷/鈀對的多層係 下磁性層20，6對鈷/鈀對的多層係上磁性層40，5奈米厚的 I巴層係間隔層30。非等向性的強度及磁性層的抗磁性能輕 易藉由改變鈷及鈀的厚度來改變。在此結構中，用於組成 96097.doc 200521995 層20、30及40的所有層也被沉積在Si〇2柱間的中的si〇2區 域或"渠溝"内。然而，因為這些層相對於柱頂磁性島的深 度，所以該島的磁性屬性不受渠溝内的磁性材料影響，且 因此介於磁性島之間有'一些空隙。 在此結構的連續未圖案化部份的磁性光學克爾效應 (MOKE)磁滞量測顯示各個㈣e多層在不同施加磁場的不 同切換，如® 2所$。為確認透過二層磁性層之間靜磁搞合 的磁性交互作用能被忽略，也必須量測小型迴路以決定耦 合磁場’但是無法發現耗合指示。因&，#兩個獨立磁性 層的磁滞現象重疊時，得以輕易地瞭解磁滯迴路的形狀。 圖2也緣示出[Co(2.5 A)/pd(6 5 A)h。多層（下層）具有—個約 350 0e的抗磁性’及[c〇(3 3 A)/pd(8 3 A)]6多層（上層俱有 一個約700 〇e的抗磁性。 也可對此島陣列結構實行磁性記錄實驗。該結構固定在 ”階段，此階段是由麼電驅動器以少於2奈米的解析度予 ^ ^制’並且在與記錄頭實際接觸相低速（約5微米/秒） 掃描。習知縱向記錄的A型磁阻（GMR)讀寫頭分別用於約 240奈米及18〇奈米的寫讀頭寬度。該結構首先㈣心的 外部垂直磁場中以直流電磁化。接著記錄頭與磁性島 雖然習知縱向感應讀頭在其磁極間產生—寫錄磁場 :^大致上在媒體平面内），但是在此實驗中，磁極的邊 用石。場的垂直分量被用來改變島内垂直磁化單元的磁化作 圖 人。在媒體任何位置寫錄位元的習知連續媒體相比 96097.doc -12- 200521995 案化媒體的寫錄需要方波寫錄圖案與島圖案同步。能輕易 地由直流抹除磁化島的讀取信號取得島的位置，其中的最 小值指示料分離島的渠溝或空間，如圖3頂部信號所示。 :奈米的讀頭寬度實現從陣列的單獨島讀取信號。在此 只驗例中’配合4〇宅安的固定寫錄電流來使用水平的寫 錄頭#使使用固定的寫錄電流’經由寫錄脈波的適當時 序，其將可施加強度小於極大值的邊緣磁場至磁性島，以 便僅有島内具有低抗磁性的單元改變其磁化作用。最大邊 緣磁場的施加是由於寫錄脈波的時序所產生，並且導致$ % 内二單元磁化作周的切換。所有四個磁性狀態（A、B、C、 D)能以此方式寫錄。圖3之下圖訊號表示該g m r讀頭拖曳通 過島圖案所產生的讀取波形以及顯示四種不同的磁化位準 (A、B、C、D) 〇 上述實驗結果適用於多層的磁性記錄媒體，其中具有垂 直磁性非等向性的磁性單元係鈷/鈀層交替的多層。也能使 用鈷/鉑多層。本發明也完全可應用於提供垂直磁性非等向 性的其它型式磁性記錄材料以及結構。 攀 磁性單元能由一在一特殊生長增強型子層上生長的晶粒 狀多結晶鈷-鉻（CoCr)合金所形成，該特殊生長增強型子層 誘導致結晶C軸垂直於層平面，促使該層具有強垂直磁性結 晶非等向性。可用作鈷鉻晶粒層的生長增強型子層的材料 包括鈦、鈦鉻、碳、鎳鋁、二氧化矽及鈷鉻，其中鉻約35_4〇 - 原子量百分比。 - 磁性單元也能以任何熟知能呈現垂直磁性非等向性的非 96097.doc 13 200521995 、’σ 材料製成，如有鈷釤、铽鐵、铽鐵鈷及釓鐵合金。 、性單元也旎以化學順序編排的銘鉑、銘絶、鐵鉑、鐵 把、CoPt3或Co%製成。化學排序的鈷鉑、鈷鈀、鐵鉑或 鐵鈀口至（以其塊狀型式）係習稱面心四邊形（FCT)L 1 規律 相材料（也稱為銅金材料）。這些材料係因為其高磁結晶非等 向！生及磁矩所知名。L1〇相的〇轴是容易磁化的車由且垂直於 基板，藉此使得該材料適合於垂直磁性記錄媒體。如同鈷/ 鉑及鈷/鈀多層’這些複合層具有非常強的垂直非等向性。 雖然纪可當做上述範例中的間隔層使肖，但基本上可使 用任何非磁性材料，只要其厚度厚到足以確保島内磁性單 元能磁性㈣。銅、銀、金及釕是—些其它可使用於間隔 層的材料。 在使用磁柱讀寫的垂直磁性記錄系統中，通常在磁性層 下方的基板上使用-·，軟性”可穿透底層，以提供磁場由讀 寫磁柱的磁通回送路徑。在使用環形頭讀取的垂直磁性記 錄系統中’可能不需要軟性底層。適合軟性底層的合金材 料包括錄鐵、石夕化鐵紹、氮化叙、氮化鐵、蝴化姑鐵、姑 銼鈮。 使用可變寫錄電流在多層媒體上做記錄之方法 圖4說明感應寫錄頭100在一具有兩個單域磁性單元之磁 性島内記錄四種可能磁性狀態之每種磁1生狀態㈤的方式。 寫錄頭1〇〇係垂直頭並且具有與電流源1〇4連接的線圈 1 02。電流源1 04係寫錄驅動器電路的一 括切換電路，以產生具有至少兩種不同電流位準且二 96097.doc 14 200521995 向寫錄脈波。寫錄電流所產生大致上垂直的磁場係由寫錄 極105返回至回送極107。在雙層媒體的較佳實施例中，下 磁性層20具有一個比上磁性層4〇高的抗磁性。電流位準工1 產生的寫錄磁場大於下層20的抗磁性。如此，如圖4(a)所 示，一正1〗改變雙層20、40中的磁化方向以及產生a狀態。 同樣地，如圖4(b)所示，一負I!寫錄脈波改變雙層2〇、4〇中 的磁化方向並且產生C狀態。為產生D狀態，島必須首先在 A狀恶，在此之後，在”負”方向施加一個具有h值的第二電 流脈波，如圖4(c)所示。此負I2電流脈波產生一個大於上層 40抗磁性但小於下層20抗磁性的寫錄磁場，如此僅有上層 40的磁化作用能被切換。同樣地，為產生b狀態，島必須首 先在C狀態，在此之後，在，，正，，方向施加一個具有匕值的第 二電流脈波，如圖4(d)所示。此正I:電流脈波產生一個大於 上層40抗磁性但小於下層2〇抗磁性的寫錄磁場，如此將有 上層40的磁化作用能被切換。磁性層間抗磁性的實質差值 確保當施加Is脈波時僅有磁性島内上單元被切換。然而，島 内兩個單元的抗磁性能非常接近或者如果媒體的設計使得 下單元與上單元充份遠離，則下單元的抗磁性僅稍大於上 單元的抗磁性。例如，經由適當選擇間隔層3〇的厚度，當 施加I2脈波時，下層20將曝露至一個遠低於上層4〇的寫錄磁 場。 使用熱辅助及固定寫錄電流在多層媒體上做記錄之方法 圖5說明一熱輔助感應寫錄頭1〇〇，在具有兩個單域磁性 單元之磁性島内記錄四種可能的磁性狀態。寫錄頭丨〇〇，具有 96097.doc -15- 200521995 -個垂直頭’且具有與提供固定寫錄電流1〇的電流源ι〇4相 連的線圈102。電流源丨04係寫錄驅動器電路的一部份，其 另外包括切換電路，以產生具有正負電流位準^的雙向寫錄 脈波。寫錄頭100’也包括一個電阻加熱器1〇3，此電阻加熱 器位於寫錄極105及回送極107之間。加熱器1〇3連接至施加 電流脈波的電路，其使得加熱器1〇3產生熱脈波至媒體上的 磁性島。美國專利第6,493，183號揭露—種產生寫錄磁場的 感應寫錄頭及一種加熱媒體的加熱器。寫錄電流“所產生大 致上垂直的磁場係由寫錄極105返回至回送極1〇7。在雙層 媒體之較佳實施例中，下磁性層2〇具有高於上磁性層4〇的 抗磁性。電流位準IG產生一個大於上層40抗磁性但小寫下層 20抗磁性的寫錄磁場。如此不具有來自加熱器1〇3的熱輔 助，僅有上層40中單元的磁化作用係由寫錄磁場予以切 換。然而，當熱由加熱器103施加至媒體時，下層2〇溫度上 升接近下層2 0鐵磁材料的居里溫度，這將會降低下層2 〇的 抗磁性至低於電流10所產生的寫錄磁場。如此，如圖$ (a)所 示’一正1〇電流脈波與來自加熱器1 〇3的熱脈波組合，藉此 改變雙層20、40中的磁化方向並且產生a狀態。同樣地，如 圖5(b)所示，一負1〇電流脈波與來自加熱器1〇3的熱脈波組 合’藉此改變雙層20、40中的磁化方向以及產生c狀態。為 產生D狀態，磁性島首先必須在a狀態，在此之後施加一正 1〇電流脈波，如圖5(c)所示。此負1〇電流脈波產生一個大於 上層40抗磁性但小於下層20抗磁性的寫錄磁場，如此僅有 上層40的磁化作用被切換。同樣地，為產生b狀態，磁性島 96097.doc -16- 200521995 首先必須在C狀態，在此之後施加一正I〇電流脈波，如圖5 (d) 所示。此正IG電流脈波產生一個大於上層40抗磁性但小於下 層20抗磁性的寫錄磁場，如此僅有上層40的磁化作用將被 切換。當施加IG脈波時，磁性層間的實質差值確保僅有磁性 島内的上單元被切換。然而，島内的兩個單元的抗磁性可 能非常接近，或者如果媒體設計使下單元與上單元充份遠 離時，則該下單元的抗磁性僅稍大於上單元的抗磁性。例 如’經由適當選擇間隔層3 〇的厚度，當施加丨◦脈波時，下層 2〇將曝露至一個遠低於上層4〇的寫錄磁場。如此實施例範 例’下層能以6[Co(4 A)/Pd(10 A)]多層形成並且具有約30〇〇 〇e的抗磁性，以及上層以6[c〇(2 5 A)/pd(5 A)]多層形成並 且/、有約2000 〇e的抗磁性。1〇毫安的固定寫錄電流脈波將 產生为3000 〇e的寫錄磁場。數毫瓦的熱脈波將增加雙層的 /JDL度約40 K，這將降低下層的抗磁性至約1 〇〇〇 〇e。 雖然圖5繪示之加熱器103係位於極105、1〇7之間，但是 加熱器也可位於極的任何一側。另外，加熱器可形成縱向 ^貝的份’如美國專利申請案第2刚/⑼m91A1號 A 〇所揭不，其中線圈部份當做連接至加熱器的引線。此 1古加熱器不需是電阻式加熱器而且可為分離式元件，不 :接與感應寫錄頭相連，諸如導引光點至媒體的雷射， 換^皮及寫錄磁場的位置必須確保僅有所想要的線圈切 撰具磁化作用。 的明之多層磁性記錄系統之磁碟機實施例 碟機200具有一用以支撐一致動器230的外殼 96097.doc 200521995 或基座212以及一用以旋轉多層磁性記錄磁碟2 14的驅動馬 達。磁碟214基板可為任何適合的基板，諸如使用於習知磁 碟機的玻璃或鋁鎂（AlMg)基板。致動器230可具有一個音圈 馬達（VCM)旋轉致動器，其具有剛性臂234且沿著箭頭224 所示的樞軸232旋轉。寫錄頭懸吊組件220包括：一懸置件 221 ’而此懸置件的一端連接至致動臂234的一端；以及一 寫錄頭載具222 (諸如氣浮軸承滑動件），其連接至懸置件 22 1的另一端。磁碟214上的磁性島21 5係以多個徑向間隔的 圓形磁軌21 8形式而配置於該基板上。當磁碟2 14旋轉時， 致動器230的移動容許寫錄頭載具222的尾端上之寫錄頭 100存取磁碟214上不同的資料磁轨218，用以記錄磁性島 2 1 5内的多層資料。如前述，圖案化媒體上的寫錄需要寫錄 脈波與島圖案同步。使用磁性島計算寫錄時脈的圖案化媒 體的磁性記錄系統係於第20030107833a1a公告的申請案 揭露，其標題為”圖案化媒體記錄磁碟機以寫錄脈波的時序 感應圖案化媒體，，，於2003年6月12日公告且讓與本申請案 相同的受讓人。 用以記錄圖3所示信號的感應寫錄頭係一般縱向感應寫 錄頭，且說明於圖4的感應寫錄頭係具有寫錄極及回送極的 垂直寫錄頭。另一種使用於本發明的感應寫錄頭是一種磁 力顯微（MFM)探針式的寫錄頭，丨包含一㈣有奈米磁性 尖端於懸臂端的懸臂樑。—種MFM探針型式係揭露於第 5,900,729#b吳國專利且如圖6所示。圖7係探針则的側視截 面圖，其表示與懸臂樑35〇連接的探針體31〇。探針體WO 具有一對極340、342及-感應線圈311。線圈311及極34〇、 96097.doc 200521995 342利用、—般微影技術形成’如熟知的磁碟機薄膜感應寫錄 頭的製造’其中的線圈及極形成於—般磁碟機氣浮轴承滑 動件的尾端。極34G、342利用非磁性氣隙3 i 4間隔。極34〇、 342互連以形成-個輛，由此線圈311能通過。線圈繞阻的 截面端係以線圈311的端視圖表示。#電流通過線圈3ιι 時，磁場感應於軛中且磁通量產生於極34〇、342之間，正 如同一般的縱向薄膜感應寫錄頭。與極34〇或Μ〕至少之一 接萄且&佳另外與氣隙3 14端表面接觸形成的探針尖端 由極端延伸。探針尖端32〇具有至少—表面或側面如，豆 與磁極之_接觸並且由磁性材料製成。探針尖端32G如所示 具有一個大致上圓錐㈣，但其實際形狀能加以改變。如 圖7所示㈣變換方式’線圈可沿著探針尖端咖的螺旋方 式纏繞’探針體31〇或具此結構的懸臂樑35〇由容許線圈所 2磁場導引磁性探針尖端32〇的材料製成。此種mfm探針 藉路於第5,436,448號美國專利。在任何這類利用Mfm當作 感應寫錄頭的配置中’線圈接收來自寫錄驅動器的電流^ 或12,這導致以-種仏仏值所決定磁場強度以某方向來 磁化探針尖端320。當電流方向透過線圈切換時，探針尖端 的磁化方向被反向。這二種磁化方向概略表示^圖 8(a)-8(b)。這二種可能磁化方向及二可能磁場值使得四種 可能磁性狀態(A、B、C、D)以圖4所揭示的相同 於磁性島内。 在利用MFM當作感應寫錄頭之本發明磁碟機的實施例 中，具有探針尖端320的懸臂樑350連接至致動臂幻4(圖5)。 另一種致使MFM探針使用於磁碟機的致動器係揭示於第 96097.doc -19- 200521995 5,804’710號美國專利。然而’肘跟探針式的感應寫錄頭也 容許在掃描探針系統中做多層磁性記錄。掃描探針系統揭 不於"A型環節狀MEM式之掃描探針資料儲存系統”， 年3月2日IEEE磁性會報第39冊第938_945頁。"環節狀”系統 係熱機械式系統，其中資料利用探針尖端記錄以便產生聚 合體健存媒體中的凹坑。根據本發明之多層磁性記錄系統 的掃描探針實施例係如圖9所示。多層磁性記錄媒體係 參考圖1加以說明且包括基板4〇1及磁性島4〇2。島在基 板401上配置成一個具有相互垂直列的”陣列。基板彻支鲁 撐於xyz掃描器的平台4〇2上。與懸臂樑411相連的式探 針大端410陣列製於晶片420上。晶片42〇及媒體可藉由 xyz掃描器在x-y方向彼此相對移動。如此各探針僅與總島 陣列的-段相連，且僅選定段内島的位址。多工驅動器 (MUX)430、432容許電流l單獨傳送至各個mfm。 上述及陳述於圖9的掃描探針系統具有一個探針陣列。然 而’根據本發明之掃描探針多層磁性記錄系統也能僅以單 探針與xyZ掃描器如一般MFM系統方式協同操作。 。 雖然本發明已經參考較佳實施例特別表示及說明，但習 於此技者將要瞭解各中形式及細節的變化可達成而不偏離 本發明的精神與範圍。因此，本發明所揭露僅視為圖示目 的且僅限制於文後請求項所指定之範圍。 【圖式簡單說明】 圖1 i丁、根據本發明之圖案化多層垂直磁性記錄媒體之 面示意圖。 96097.doc -20- 200521995 圖2係磁性記錄媒體去 呆體未經圖案化部份之磁性光學克爾对 應（MOKE)磁滞迴路，表 衣不磁性島内四個可能磁化位準 不為A、B、C及D)的示意圖。 下 圖係在直机磁化樣本（頂部）後及施加一方波寫錄圖案 (中間)後圖案化多層媒體之讀取信號，及表示該讀取信號 (底部）所對應之單元磁化示意圖。 圖4,包括圖4(a)-4(d)，係-感應寫錄頭於圖案化多層媒 體之磁性島内寫錄四個不同磁化位準之方法的示意圖。 圖5包括圖5(a)-5(d)，係-具有單組性寫錄頭的感應寫錄 頭於圖案化多層媒體之磁性島内寫錄四個不同磁化位準之 方法的示意圖。 圖6係夕層磁性記錄系統之磁碟機實施例的俯視圖，繪示 该記錄磁碟同心磁軌上如點狀的磁性島。 圖7係一種磁力顯微（MFM)探針當作多層磁性記錄系統 之感應寫錄頭的截面圖。 圖8U)及8(b)表示圖7所示MEM探針式感應頭之探針端兩 種不同的磁化圖形。 圖9係多層磁性記錄系統掃描探針實施例的視圖，繪示一 mem探針感應寫錄頭之x_y陣列及具有如陣列所配置之 磁性島的媒體基板，該島以點狀表示。 【主要元件符號說明】 401 基板 14 底層 16 外套 96097.doc 21 200521995 20 第一材料層 22, 32 t?r> — 早兀 30 間隔層 40 第二材料層 50 記錄層 52, 54, 56, 58, 215, 402 島 60 空間 100, 100， 寫錄頭 102, 311 線圈 103 加熱器 104 電流源 105 寫錄極 107 回送極 200 磁碟機 212 外殼，基座 214 多層磁性記錄磁碟 218 磁軌 220 寫錄頭懸吊組件 221 懸置件 222 載具 224 箭頭 230 致動器 232 樞軸 234 致動臂 300 探針 96097.doc -22- 200521995 310 探針體 314 氣隙 320, 410 探針尖端 322 表面，側面 340, 342 極 350, 411 懸臂樑 400 多層磁性記錄媒體 402 平台 420 晶片 430, 432 多工驅動器 A，B, C，D 磁性狀態 1〇,工1，工2 電流位準 96097.doc -23-

Claims (1)

1. 200521995 十、申請專利範圍： 1 · 一種在磁性記錄媒體上記錄多重磁性位準之方法，包含· 提供一具有基板之磁性記錄媒體及配置在該基板上之 複數個間隔的磁性島，各島包含至少二個堆疊的磁性單 元，及該等至少二個單元間的一非磁性間隔層，島内各 單元係一單磁域，且具有一往大致上垂直於該基板之二 相反方向之一導向的磁矩，最接近各島内基板的單元具 有的抗磁性大於島内其它單元的抗磁性； 施加一大於離該基板最遠之單元的抗磁性的磁場至一 島，以切換該島内該最遠單元的磁矩方位，但不切換該 島内最接近基板之單元的磁矩方位。 當加熱一島時，施加該磁場至該島，以切換該島内所 有單元磁矩方位。 2. 3. =口月求項1之方法’其中提供該磁性記錄媒體之步驟包含 提供一具有以個大致上同心圓磁執形式而配置於該基板 上之磁性島磁軌的磁性記錄磁碟。 如請求項1之方法，進一步 ,..^ 〆匕a徒供一感應寫錄頭，及其 中施加該磁場之步驟包含 八 、 /邱匕a以一方向之一施加寫錄電流， 以便在二方向之一產生該磁場。 一縱向感應寫錄頭， 一具有大致上垂直於 如請求項3之方法’其中該寫錄頭係 及其中施加該磁場之步驟包含施加 或基板方位之邊緣磁場。 5. 如請求項3之方法， 及其中施加該磁場 其中該寫錄頭係一垂直感應寫錄頭， 之步驟包含施加—具有大致上垂直於 96097.doc 200521995 該基板方位之磁場。 6.如請求項1之方法，其中加熱該島之步驟包含提供一個緊 鄰該感應寫錄頭之電阻性加熱器及施加電流至該加熱 器。 96097.doc