JP6054360B2 - FeMnPt媒体を用いる全光磁気記録システム - Google Patents
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Description
は、高強度の円偏光レーザパルスにより達成できる周波数ωを有する外部回転電場によって材料に誘導される。誘導磁気は、それぞれ、光波の電場およびその複素共役である
および
のベクトル積と比例する。
光によって磁化を切り換える別のメカニズムは、反強磁性(AF)結合に関係する。このメカニズムにおいて、超高速レーザにより、スピン−スピン間相互作用/結合がアクティブで、消磁の原因となるレベルまで電子温度を上げ、その後、冷却時にAF結合が磁化を反転させる。全光スイッチングの実現性は、フェリ磁性の希土類遷移金属(RE−TM)材料、例えば、GdFeCo合金を用いて、いくつかの研究グループによって実証されている。磁化の反転は外部磁化の無い場所に短いレーザパルスを印加することによって達成されることは知られていた。GdFe系等のRE−TM材料のAOSのメカニズムを、(非特許文献1)から転載した図1A〜1Cおよび2A〜2Bで説明する。フェリ磁性体は、逆平行に整列されたスピンを有する2つの磁気副格子を有しているが、第1の副格子の磁気モーメントの大きさは第2のものよりも大きい。従って、材料は最終的な正味の磁気モーメントを持ち、これを用いて磁性状態を読み取り、データを格納し、取得する。GdFeは、FeおよびGdのスピンを示すS1およびS2を有するフェリ磁性体である。図1Aにおいて、高速レーザパルスは、材料の電子格子と相互作用し、10〜100フェムト秒(fs)内で、電子温度を材料のキューリー温度TCurie(図1B)より上に上昇させる。この温度上昇により、2つのフェリ磁性的に整列された副格子同士を減結合し、それらが熱パルスに別々に応答することを可能にする。高い電子温度によって、FeおよびGdは急速に消磁され、それにより、2つの副格子の磁気モーメントが減少する。FeおよびGdは異なる電子構造を有しているため、これら2つの副格子種の消磁プロセス速度は異なり、磁気モーメントを失う速度も異なる。この例において、Fe副格子の磁化は図2Aの曲線100、110で示すようにGd副格子の磁化よりも速く減衰する。この急速な消磁中に重要な現象が生じる。Feの磁気モーメントはこの消磁プロセスの終わりにゼロ値に近づかないどころか、その初期配向とは反対方向の小さいが有限値となる。0.1〜1ピコ秒(ps)という短時間のこの効果により、スピンS1およびS2、および、従って、双方の副格子の磁気モーメントが同じ方向に配向される(図2B、中間部分)。電子温度がTCurie未満に下がると、すなわちレーザパルス後約1ps冷却すると、2つの副格子間の交換相互作用が回復し、スピンが再度互いに対して反対方向に整列し、従って、強制的にGdの磁化も反転させる(図2B、右側部分)。更に室温まで冷却させると、双方の副格子の磁気モーメントは完全に回復するが、ここではレーザパルスが印加される前の初期状態とは反対方向に配向される(図1C)。磁気モーメントはここでは、反強磁性に交換結合される(図1C)。従って、反転プロセスは熱パルスにより開始され、それは2つの副格子の異なる急速な消磁を誘導し、次いで、冷却プロセス中に2つの副格子の反強磁性交換結合を回復することによって完了する。
11 基板
12 記録層
20 スピンドルモータ
21 軸
30 キャリア
31 空気ベアリング面
35 読取りヘッド
37 読取りエレクトロニクス
40 キャリアアクチュエータ
41 剛体アーム
42 ロードビーム
43 フレキシャ
49 円偏光光線
50 光チャネル
51 近接場トランスデューサ
53 アクティブ領域
60 レーザ
61A、61B コリメータ
62 ミラー
63 集束レンズ
64 円偏光子
65 スイッチ
68 ビームスプリッタ
70 導波路
71 出口面
73 誘電クラッド層
80 コントローラエレクトロニクス
81 インターフェースエレクトロニクス
82 ホスト
84 サーボエレクトロニクス
86 パターンジェネレータ
88 書込みクロック
130、130c データアイランド
132 非金属間隔
200 データアイランド
210 非磁性空間
250 データアイランド
260 非磁性空間
Claims (20)
- 全光磁気記録システムであって、
略平面の基板と、前記基板上の連続的な磁気記録層とを備える磁気記録媒体であって、前記記録層はMnが1原子%以上、15原子%以下の量で存在するFeMnPt合金を備える、磁気記録媒体と、
光を生成するレーザと、
前記レーザ光を偏光するための偏光子と、
前記偏光子を通過した前記レーザ光を前記記録層に向けて前記記録層の領域の磁化を切り換える手段と、を備え、
前記システムは磁界を生成するための書込みヘッドを含まない、
全光磁気記録システム。 - 前記記録層は、(Fe(100-x)Mnx)yPt(100-y)形式の組成を有し、下付き添字は原
子百分率を表し、yは45以上、55以下であり、xは2以上、30以下である、請求項1に記載のシステム。 - 前記記録層は、5nm以上、15nm以下の厚さを有する単一層である、請求項1に記載のシステム。
- 前記記録層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記記録層は、FePt合金を備える少なくとも1つの層とMnPt合金を備える少なくとも1つの層との積層を備える、請求項1に記載のシステム。
- FePt合金を備える前記少なくとも1つの層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備える、請求項5に記載のシステム。
- FePt合金を備える前記少なくとも1つの層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備え、MnPtを備える前記少なくとも1つの層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備える、請求項5に記載のシステム。
- 前記記録層は、複数の個々に離間されるデータアイランドにパターン化され、前記偏光子を通過した前記レーザ光を前記記録層に向けて前記記録層の領域の磁化を切り換える前記手段は、前記偏光子を通過した前記レーザ光を個別のデータアイランドに向ける手段を備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記偏光子は直線偏光子である、請求項8に記載のシステム。
- 前記偏光子は円偏光子である、請求項1に記載のシステム。
- 前記偏光子を通過した前記レーザ光を向ける手段は光チャネルを備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記偏光子を通過した前記レーザ光を向ける手段は近接場トランスデューサを備える、請求項1に記載のシステム。
- 全光磁気記録システムであって、
略平面の基板と、前記基板上で、(Fe(100-x)Mnx)yPt(100-y)形式の組成を有する連続的な記録層とを備える磁気記録媒体であって、下付き添字は原子百分率を表し、yは45以上、55以下であり、xは2以上、30以下である、磁気記録媒体と、
光を生成するレーザと、
前記レーザ光を円偏光するための偏光子と、
前記偏光子を通過した前記レーザ光の光線を前記記録層に向けて、磁界の補助無しで前記記録層の磁化領域を切り換えるためのトランスデューサと、を備える、
全光磁気記録システム。 - 前記記録層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備える、請求項13に記載のシステム。
- 前記記録層は、FePt合金を備える少なくとも1つの層とMnPt合金を備える少なくとも1つの層との積層を備える、請求項13に記載のシステム。
- FePt合金を備える前記少なくとも1つの層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備え、MnPtを備える前記少なくとも1つの層は更に、C、B、BN、SiN、CrN、SiOx、TiOx、TaOx、およびCrOxから選択される1つ以上の分離体を備える、請求項15に記載のシステム。
- 前記記録層は、複数の個々に離間されるデータアイランドにパターン化され、前記記録層の前記磁化領域は前記データアイランドである、請求項13に記載のシステム。
- 前記偏光子を通過した前記レーザ光の光線を前記トランスデューサに向けるための光チャネルを更に備える、請求項13に記載のシステム。
- 前記光チャネルは、キャリア上で、前記媒体基板に面する実質的に平面の表面を有する導波路を備え、前記トランスデューサは、前記実質的に平面の導波路表面上に形成される、請求項18に記載のシステム。
- 前記媒体は回転可能ディスクであり、前記記録層は複数のデータトラックを有し、前記トランスデューサに接続されるキャリアと、前記キャリアを選択されたデータトラックに移動させるための前記キャリアに接続されるアクチュエータとを更に備える、請求項13に記載のシステム。
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