TW200427863A - Cluster device having dual structure - Google Patents

Description

200427863 五、發明說明（1) 一、 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種薄膜電晶體液晶顯示裝置（Tft-LCD )的製造設備，尤關於一種在薄膜製程的處理模組之 間傳送基板的叢集設備。 本申請案分別主張西元2003年1月1〇日與西元2〇〇3年7 月15日於韓國申睛之第2003 - 0001522號與第2003 - 0048344 號申明案之優先權日’在此將其列入參考資料。 二、 【先前技術】 ^ 一般而言，由於平面顯示器具有輕、薄的特點，故通 常用於可攜式產品之中。在各種平面顯示器中，由於液晶 顯不器（LCD )具有較佳的解析度、彩色顯示功能、及較 佳的晝質，故通常用於可攜式及桌上型電腦。 LCD裝置之上、下基板具有電極且彼此隔開相對，並 在其間充填液晶材料。因此，當對液晶材料施加電場並對 ^厂基板之電極施加電壓時，液晶分子的對準方向將隨 著所施電壓而改變。藉由控制所施電壓，LCD裝置將產生 不同的透光度而顯現影像。 LCD裝置通常用於辦公室自動化（〇A )設備中。在各 ，LCD裝置中，主動矩陣型LCD (AM-LCD )具有薄膜電晶體 ”呈矩，狀配置的像素電極，故可提供較高的解析度及較 佳的動態影像。典型的龍吒⑶面板具有上基板、下基板、 ，充填其間的液晶材料層。上基板通常為彩色濾光基板， "、具有共同電極與彩色濾光片。下基板通常為陣列基板，

第8頁 200427863 五、發明說明（2) -----' 其具有如薄膜電晶體（TFT )之開關元件與像素電極。共 同與像素電極產生電場而使液晶分子重排。 在製造陣列基板與彩色濾光基板時，通常必須在整個 玻璃基板上形成大量的薄膜。此時，必須利用薄膜沈積處 理、光刻處理、圖案化處理、清洗處理而達成。薄膜沈積 處理可在整個基板上形成如導電膜與絕緣膜等複數之薄 膜。光刻與圖案化處理則藉由感光性光阻告除薄膜或使薄 膜殘留而圖案化薄膜。清洗處理則清洗去除殘留雜質並使 基板乾燥。 >

上述處理皆在已最佳化的處理室中進行。尤其，通常 利用複雜的叢集設備進行上述處理。叢集設備具有供進行 上述處理的各種處理室，並具有足以將尚未處理的基板傳 送到處理室且從處理室收取已處理之基板的轉送室。叢集 設備的處理室通常包括電漿強化化學氣相沈積 (PECVD )、乾蝕刻機等等。 此外，上述足以將基板傳送到薄膜沈積處理室、光刻 處理室、蝕刻處理室及清洗處理室的叢集設備亦適用於半 導體裝置的製造。

圖1為習知叢集設備的立體圖，且圖2為圖1之習知叢 集設備的上透視圖。 在圖1及圖2中，叢集設備1具有位在其中心的轉送室 30與位在轉送室30之一側的加載互鎖室20。轉送室3〇用以 傳送及收取基板，而加載互鎖室2 0則具有在處理間隔期間 供收納基板的開縫部。此外，叢集設備1具有複數之處理

200427863 五、發明說明（3) 室 42、43、 理室中對基 板之用的預 42 、 43 、 44 板。再者， 結合在一起 叢集設 室2 〇傳送到 43 、 44 、 45 行所需的處 加载互鎖室 用〇 44、45及46，皆連接至缠 ^ 王得送至3 0，精以在久步 板進行所需的處理。業隹 < 很t | 仕谷處 最渠设備1尚具有預埶I 熱室50，其連接至轉摻^ ,預熱基 «：王得迗至3〇，藉 、45及46對基板進行處 止 至 〜处理之則，先行預埶其 容納複數之基板的基板容 :& 土饥谷器1 〇與加載互鎖室2 〇 〇 備1的—轉送室3G將尚未處理的基板從加載互鎖 預熱室50，並從預熱室5Q傳送到處理室^、 及46。在處理室42、43、44、45及46對基板進 理之後，轉送室30隨即收取基板並將其搬運回 2 0。故，轉送室30當作暫時的儲存區或通道之 圖3為習知叢集設備之加載互鎖室的橫剖面圖。 ’加載互鎖室20可分成上加載互鎖謂a與下加載互^ = 2〇b。上、下加載互鎖室2〇&、2〇b的每—個皆具有第一 置：：開縫部2^ 25，用以收納基板。閑門22、以分 且:加載互鎖室20a、20b的左、右側。各 :縫，24、25。在加載互鎖室的外侧安裝致動用氣壓 ^，藉以在上、下方向上移動第二開縫部25。 、、， 在上述之叢集設備1中，基板將依照下列順序而傳 送。以下假設已將基板收納在上加載互鎖室2 〇 a之中。

首先’藉由可在常壓中操作的（atm )機械手臂12 (如圖2所示）將基板容器1 〇之中的基板搬運到上加載互

200427863 五、發明說明（4) 鎖室2〇a之中，並接著將此基板安裝在上加載互鎖室2〇a的 第一開縫部24之上。此時，為了使第二開縫部25能夠接收 來自轉送室3 0的處理後之基板，故並不提供基板給第二開 縫部2 5。當基板送入加載互鎖室2 〇之中時，加載互鎖室2 〇 之t為常壓狀態。換言之，當基板安裝在第一開縫部24之 上時’第一閘門2 2為敞開且第二閘門2 6關閉。

在第一開縫部2 4收納基板之後，矛一閘n z z隨即關 =，則真空泵（未圖示）隨即將加載互鎖室2 〇的内部抽 =。之後，當加載互鎖室2〇的内部呈真空狀態或當加載 jf20的内部具有與轉送室30或處理室42、43 '44、45 之二：的壓力時，隨即打開第二閘門26。之後，轉送室^ 真空中操作的機械手臂32從處理室42、43、44、4 之上之I:^ Ϊ ίί之基板而放置到空閒的第二開縫部2 50之中。第—開縫部24之上的基板搬運到預熱 基板轉逆至丨Ϊ真 機械手臂32將預熱室5〇之中的 攸轉适到處理室42、43、44 甲的 對基板進行薄膜、、六接考将α 45及46之其中—個，藉以 處理室中進4 ΐίΐίΐ據所欲形成的薄膜而在單-積處理t進…沈積處理或在數個處理室中進行薄膜沈 室20的^ ^32將已處理之基板從處理室搬運到加載互销 主α的弟二開縫部25之上。 出 日日的 戰互鎖 將〜及/或氦氣充入加载互鎖室20 = ^=26關閉，並 領至2 0之中而達到大氣壓力。

後，、43、44、45及46進行薄膜沈積處理之 200427863 五、發明說明（5) 此時’利用A r及/或K等冷卻用氣體冷卻已處理之基板。 在冷卻已處理之基板並加壓之後，隨即打開第一閘門 22、並將已處理之基板送回基板容器iq之中。 雖然圖1及圖2並未顯示，但在轉送室3〇與預熱室50之 間、及轉送室30與處理室42、43、44、45及46係設置有槽 閥。當基板正進入或取出所需的處理室時，槽閥將足以使 所需的處理室敞開。又，槽閥足以關閉所需的處理室而進 行所需的處理。

近來，隨著基板尺寸變大，叢集設備亦必須隨之變 大。然而，這將造成製造與維修成本的增加。故，如何改 善昂貴且大型的叢集設備而提高半導體及/或薄膜裝置的 產能為一重要課題。

當利用圖1至圖3之叢集設備與加載互鎖室來形成三層 式薄膜時（即SiNx層、a-Si : Η層及n+a-Si : Η層），單位時 間的產能為三十基板。當利用圖1至圖3之叢集設備與加 載互鎖室來形成單層薄膜時（即S i Nx層），單位時間的產 能為四十至五十片基板。為了提高單位時間的產能而降低 生產成本，就必須在叢集設備中增設大量的處理室，但如 此一來，將造成叢集設備過.於龐大或造成設備投資成本過 尤其’轉送室通常由紹或不鐘鋼所構成。故，一旦轉 送至隨著基板尺寸的增大而變大時’生產成本勢必大幅增 加、且亦難以製造龐大的叢集設備。 依據習知技術，加壓且冷卻加載互鎖室的時間需四十

第12頁 五、發明說明（6) 秒，且抽真 的前置處理 置處理時間 速度來達成 一旦為了縮 開縫部收納 進行加載互 沈積處理所 而過快地冷 空加载互鎖 時間將嚴重 ’故已經有 ;然而這將 短前置處理 有基板時， 鎖室之中。 形成的薄膜 卻基板的話 室的時間 影響單位 各種對策 引起絕熱 時間而縮 將造成大 而這些水 。又，一 ’將大幅 需三十移、。 時間的產能 。尤其，利 膨脹過程的 短抽真空時 量的微粒因 滴與微粒將 旦為了縮短 降低薄膜的 故，這些額外 。為了縮短前 用提高抽真空 水滴。再者， 間的話，則當 不當的排氣而 嚴重破壞薄膜 基板冷卻時間 穩定性。 三、【發明内容】 傳送：2的二t明係提供一種在薄膜製程的處理模組之間 、：1勺叢集設備，其可免於有習知設備的各種缺點。 J明之傳送基板用的叢集設備之一優點提.古 膑製程的產能。 ^ 4 本發明之傳送基板用的叢集設備之另一優點為 大的基板上形成薄膜。仕更 本發明之傳送基板甩的叢集設備之另一優點為可 溥膜的可靠度並降低其製造成本。 回 本發明之其他目的及優點由隨後之詳細說明及 申請專利範圍當可更加明白。 、 示 口口 一人王、、、口 W〜取求认- 。口 •一卷 器 谷納衩數之基板，且該基板容器係具有—用以 為了達成本發明之上述優點及目的，如以下實施例所 係提供一種雙重結構之叢集設備，包含：一基板容 _ ^ ^ ^ a ^ 搬運該 200427863 五、發明說明（7) 基板之常壓中操作的（ATM )機械手臂；一第一叢集，此 第一叢集更包含：一第一轉送室，具有一真空中操作的機 械手臂；複數之第一處理室，皆連接至該第一轉送室；及 一第一加載互鎖室，連接至該基板容器與該第一轉送室兩 者；及一第二叢集，此第二叢集更包含：一第二轉送室， 位在該第一轉送室之下方；複數之第二處理室，皆連接至 該第二轉送室，且各第二處理室係位在每兩個第一處理室 之間；及一第二加載互鎖室，連接至該基板容器與該第二 轉送室兩者。 依據本發明，第一轉送室與第二轉送室兩者係呈一體 之結構，且該第一與第二轉送室兩者共有一内部空間。 又，第一與第二轉送室兩者互相接合並利用0形環而達密 封效果，且該第一與第二轉送室兩者共有一内部空間。第 一與第二加載互鎖室的每一個之中皆至少具有三個開縫 部。在本發明之叢集設備中，第一與第二加載互鎖室的每 一個尚至少包含位在其外底面的致動用氣壓缸，該致動用 氣壓缸係用以移動至少一個開縫部。各開縫部之上表面皆 具有支撐銷。第二轉送室附設有一真空中操作的機械手 臂。 依據另一實施樣態，第一與第二處理室之其中一個係 用於預熱基板。第一與第二加載互鎖室之每一個的兩側壁 分別具有一入口閘與一出口閘，且其分別面對著該基板容 器與該轉送室。第二轉送室與該第一轉送室具有相同的外 形，且該第二轉送室與該第一轉送室之間具有四十五度的

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第14頁 200427863 五、發明說明（8) ---—一 ，角。各第二處理室與相鄰之其中一個第一處理室 :二五度的夾角。第〆加載互鎖室係緊貼著該第二二 互鎖室，且與該第二加載互鎖室具有四十五度的夾角。"載 以上所述者，僅為了用於方便說明本發明之較佳 歹1 ’而並非將本發明狹義地限制於該較佳實施例。、也 四、【實施方式】 以下參見各圖式，俾詳細說明本發明之實施例。 業=4。為本發明之叢集設備的立體圖，且圖5為顯示圖^ 木设備的詳細透視圖。在圖4及圖5中，叢集設備ι〇〇 係區分成第一叢集20 0與第二叢集3 00，兩者沿著上、下古 向互相接合。 f上下方 第一叢集20 0具有位在其中心之第一轉送室21〇，並具 有位在第一轉送室21〇之一侧的第一加載互鎖室24〇。第二 轉送室2 1 0則具有用以傳送及收取基板並可在真空中操作 =機械手臂22〇，且第一加載互鎖室24〇則具有在處理間隔 功間供收納基板的開縫部。此外，叢集設備1 〇 〇尚具有複 數之第一處理室260、270及28 0，皆連接至第一轉送室 2 1 0 ’俾能在各第一處理室中對基板進行所需的處理。 第一叢集3 0 0係具有位在第一轉送室21〇之下方的第二 轉送室310，並具有位在第二轉送室310之一側的第二加載 互鎖室340。第二加載互鎖室34〇係緊貼著第一加載互鎖室 40。此外，叢集設備100具有複數之第二處理室36〇、37() 8 0白連接至第一轉送室3 1 〇，俾能在各第二處理室中

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第15頁 ζυυ^ζ/δ〇3 五、發明說明（9) 對基板進行所需的處理。 位在每兩個第一處理室之^第二處理室MO、370及380係 與第一處理室之間。第_^、並位在第一加載互鎖室240 係呈-體之結構，故第m〇與第-轉送室21。兩者 内部空間。又，π π \ ，、弟二轉送室210、310共有一個 -，並互相接合亦= 係附設有-個可在真=加以密封。第二轉送室31〇 如同可在直处φ Ρ说中刼作的機械手臂（未圖示），其 210，第二轉送室31〇 ^ 22 0。如同第一轉送室 鎖室340亦具有在處理取基板。第二加載互 W邮、+ / 期間供收納基板的開縫部。 比呈右、—叙^鬥一與第二加載互鎖室240、340的每一個 ::】縫部’例如三個開縫部。再者，容納有複 H 容11110係與第—與第二加載互鎖室240、 、、、。口在一起。第一與第二加載互鎖室24〇、34〇則具有 分別位在基板容器110與第一與第二加載互鎖室24〇、34〇 之間的入口閘242、342。雖然在圖4及圖5中並未顯示，但 第一與第二加載互鎖室240、340的每一個係具有分別位在 第一與第二加載互鎖室240、340與轉送室之間的出口閘。

如圖4及圖5所示’第一叢集2〇〇之第一加載互鎖室240 及第一處理室2 6 0、2 70、28 0皆連接至第一轉送室2 1 〇，且 彼此之間夾一直角。第二叢集3 0 0之第二加載互鎖室34〇及 第二處理室360、370、380皆連接至第二轉送室31〇，且彼 此之間亦夾一直角。如圖5所示，第二轉送室3丨〇與第一轉 送室210之間係具有四十五度的偏轉角度。第二加載互鎖

第16頁 200427863 五、發明說明（10) 室340及第二處理室360 ' 3 7 0、380的每一個亦與相鄰之第 一加載互鎖室240及第一處理室260、270、280呈四十五度 的夾角。換言之，第二加載互鎖室340及第二處理室36〇、 3 7 0、3 8 0的每一個皆位在每兩個第一加載互鎖室2 4 〇及第 一處理室2 6 0、2 7 0、2 8 0之間。然而，上述之加載互鎖室 與處理室的數目亦可為任意者。根據本發g月，第一與第二 處理室26 0、270、280、及3 6 0、3 7 0、38 0之其中一個係作 為預熱基板之用，俾能在處理室2 6 0、270、280、及360、 3 7 0、3 8 0中對基板進行所需之處理之前，先行預熱基板。 第一與第一轉送室2 1 〇、3 1 0將尚未處理的基板從第一 與第二加載互鎖室240、340轉送到第一與第二處理室 2j0、2 70、280、及360、370、38 0。在各第一與第二處理 室2 6 0、2 70、280、及3 60、3 70、3 80對基板進行所需之處 理之後，隨即收取已處理之基板並搬運回第一與第二加載 互鎖室240、340之中。故第一與第二轉送室21〇、31〇係當 作暫時的儲存區或通道。 圖6為本發明之叢集設備中的加載互鎖室之橫剖面 圖。在圖6中係顯示第一加載互鎖室240。 根據圖6所示，加載互鎖室24()係具有三個以上之開縫 部’例如第一至第三開縫部244、245、246，俾用以收納f 基板。第一至第三開縫部2 4 4、2 4 5、2 4 6之每一個的上表 面皆具有支撑銷247。支撐銷247係用以使基板免於直接接 觸於開縫部244、245、246。將致動用氣壓缸248安裝在加 載互鎖室2 4 0的外底面，藉以移動開縫部2 4 4、24 5、2 4 6。

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的左側壁上設置入 側壁上設置出口閘 係具有與圖6之第 在加載互鎖室240之 口閘242，並在其面 2 4 3。根據本發明， 一加載互鎖室240完 面對著基板容器11 〇 對著轉送室2 1 0的右 第二加載互鎖室340 全相同之構造。 雖然圖6並未顯示，但加載互鎖室240係具有連接至直 空泵的抽氣管，故可使加載互鎖室24〇的内部成為、 態，且加載互鎖室240亦具有連接至氣體源的進氣管^故 可使加載互鎖室2 4 0的内部成為常壓狀態。 、，在上述之叢集設備1 〇 0中，基板將依照下列順序而傳 送。=下假設已將基板收納在第一加載互鎖室24〇之中。 首先，藉由可在常壓中操作的（ATM )機械手臂12〇將 兩個尚今處理的基板從基板容器11 0搬運到加載互鎖室24〇 ,中’並接著分別將此兩個尚未處理的基板安裝在第一與 第二=縫部244、245之上。之後，關閉入口閘242，並啟 動真空果（未圖示）而使加載互鎖室240之内部的真空度 達到轉送室與處理室210、260、27 0及280者。 在抽真空之後，隨即打開出口閘243。之後，利用可 在真空中操作的機械手臂220從處理室2 60、2 70或280中取 出已處理之基板，並將已處理之基板放置在加載互鎖室 240之空閒的第三開縫部246之上。又，機械手臂22〇將尚 未處理的—個基板從第一開縫部244轉送到處理室260、 270或280 ’並接著將另一個已處理之基板從處理室260、

270或f 80搬運到空閒的第一開縫部244之上。機械手臂220 亦將第一開縫部2 3 5之上的剩下之一個未處理的基板搬運

第18頁 200427863 五、發明說明（12) 到處理室26 0、270及280之其中一個。因此，得以使兩個 尚未處理的基板與兩個已處理之基板互換位置。 在基板互換位置之後，即可將兩個已處理之基板收納 到加載互鎖室240之第一與第三開縫部244至246之上。當 出口閘243關閉時，則將N2及/或氦氣通入加載互鎖室240 之中，俾使加載互鎖室240的内部成為常壓狀態。此時， 利用Ar及/或^等冷卻用氣體使已處理之基板冷卻。在加 壓及/或冷卻期間，使收納有已處理之基板第一與第三開 縫部244、246移動到緊貼著未收納基板的第二開縫部

2 4 5，俾能使已處理之基板的高溫能夠傳遞到第二開縫部 2 4 5。如圖6所示，可利用致動用氣壓缸2 4 8而使各開縫部 移動。 在已處理之基板冷卻且加載互鎖室2 4 0加壓之後，隨 即打開入口閘2 4 2並將已處理之基板送回到基板容器11 〇之 中。雖然圖4及圖5並未顯示，但在轉送室210與各處理室 2 6 0、27 0、280之間係設置有槽閥。當尚未處理或已處理 之基板正進入或取出所需的處理室時，槽閥將足以使所需 的處理室敞開。又，槽閥足以關閉所需的處理室而進行所 需的處理。 依據圖4至圖6之本發明的叢集設備，需六十秒即可加 壓並冷卻加載互鎖室，且需四十秒即可將加載互鎖室抽真 空。相較於習知技術而言’本發明所需之加壓、冷卻及抽 真空時間略長。然而，本發明之單位時間的產能卻大幅提 高。當利用本發明形成三層式薄骐時（即S i Nx層、a _ S i : Η

第19頁 200427863 五、發明說明（13) 層及n+a-Si :H層），單位時間的產能將高達三十六片基 板。又’當利用本發明之叢集設備與加載互鎖室形成單層 薄膜（Si Nx層）時，單位時間的產能將高達六十五片基 板。 亦可在第二叢集3 0 0之中設置上述之基板搬運系統。 換言之’可同時在第一與第二叢集2〇〇、3〇〇之中進行第一 與第二加載互鎖室240、340的抽真空及加壓過程、並在處 理至之中進行基板的傳送。因此，由於同時使用雨個加載 互鎖室與兩個轉送室，故可縮短總處理時間及步驟。 本發明之叢集設備係適用於製造液晶顯示器 (LCD )、半導體裝置、電漿顯示器（pDp )及有機電致發 光顯不器。尤其’本發明之叢集設備特別適用於電漿強化 化學氣相沈積（PECVD)與乾蝕刻機。 由於本發明之叢集設備使用兩個轉送室，故本發明足 以大幅提甬薄膜沈積及其圖案化處理時的產能。此外，由 於本發明之叢集設備為雙重之結構，故僅需極小的佔地面 積。本發明之叢集設備亦具有降低製造成本的優點。本發 明之叢集設備更具有處理大型基板的能力。 以上所述者，僅為了用於方便說明本發明之較佳實施 =，而並非將本發明狹義地限制於該較佳實施例。凡依本 餐明所做的任何變更，皆屬本發明申請專利之範圍。

200427863 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 圖1為習知叢集設備之立體圖。 圖2為習知叢集設備之上透視圖。 圖3為習知叢集設備之加載互鎖室的橫剖面圖。 圖4為本發明之叢集設備的立體圖。 圖5為本發明之叢集設備的上透視圖。 圖6為本發明之叢集設備的加載互鎖室之橫剖面圖。 元件符號說明： 1、100 叢集設備 10、110 基板容器 12 、 120 、 220 、 32 機械手臂 20、20a、20b、240 、340 加載互鎖室 22 、 26 閘門 24、25、23 5、244、2 45、246 開縫部 28 > 248 氣壓缸 29 ^ 247 支撐鎖 2 0 0 第一叢集 2 1 0、3 0、3 1 0 轉送室 242、342 入口閘 243 出口閘 260 、 270 、 280 、 360 、 370 、 380 、 42 、 43 、 44 、 45 、 46 處理室 3 0 0 第二叢集

第21頁 200427863 圖式簡單說明 50 預熱室 11111 第22頁

Claims (1)

1. 200427863 六、申請專利範圍 1. 一種雙重結構之叢集設備，包含： 一基板容器，容納複數之基板，且該基板容器係具有 一用以搬運該基板之常壓中操作的（ATM )機械手臂； 一第一叢集，更包含： 一第一轉送室，具有一真空中操作的機械手臂； 複數之第一處理室，皆連接至該第一轉送室；及 一第一加載互鎖室，連接至該基板容器與該第一 轉送室兩者；及 一第二叢集，更包含： 一第二轉送室，位在該第一轉送室之下方； 複數之第二處理室，皆連接至該第二轉送室，且 各第二處理室係位在每兩個第一處理室之間；及 一第二加載互鎖室，連接至該基板容器與該第二 轉送室兩者。 2. 如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該 第一轉送室與該第二轉送室兩者係呈一體之結構，且該第 一與第二轉送室兩者共有一内部空間。 3. 如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該 第一與第二轉送室兩者互相接合並利用〇形環而達密封效 果，且該第一與第二轉送室兩者共有一内部空間。 4. 如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該

   第23頁 200427863 六、申請專利範圍 第一與第二加載互鎖室的每一個之中皆至少具有三個開縫 部。 5. 如申請專利範圍第4項的雙重結構之叢集設備，其中該 第一與第二加載互鎖室的每一個尚至少包含位在其外底面 的致動用氣壓缸，該致動用氣壓缸係用以移動至少一個開 缝部。 6. 如申請專利範圍第5項的雙重結構之叢集設備，其中各 開縫部之上表面皆具有支撐銷。 7. 如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該 第二轉送室附設有一真空中操作的機械手臂。 8.如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該 第一與第二處理室之其中一個係用於預熱基板。

   第24頁 200427863 六、申請專利範圍 1 1.如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中各 第二處理室與相鄰之其中一個第一處理室之間具有四十五 度的夾角。 1 2.如申請專利範圍第1項的雙重結構之叢集設備，其中該 第一加載互鎖室係緊貼著該第二加載互鎖室，且與該第二 加載互鎖室具有四十五度的爽角。

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