TW200409147A - Current-carrying electronic component and method of manufacturing same - Google Patents

Current-carrying electronic component and method of manufacturing same Download PDF

Info

Publication number
TW200409147A
TW200409147A TW092126666A TW92126666A TW200409147A TW 200409147 A TW200409147 A TW 200409147A TW 092126666 A TW092126666 A TW 092126666A TW 92126666 A TW92126666 A TW 92126666A TW 200409147 A TW200409147 A TW 200409147A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conducting layer
electron
electron conducting
current
carrying structure
Prior art date
Application number
TW092126666A
Other languages
English (en)
Inventor
Lih-Tyng Hwang
Li Li
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of TW200409147A publication Critical patent/TW200409147A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0263—High current adaptations, e.g. printed high current conductors or using auxiliary non-printed means; Fine and coarse circuit patterns on one circuit board

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

200409147 玖、發明說明： 參考先前申請案 本申請案係於2002年9月2 為第 10/256,789 號。 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於電子裝置 載構造之電子組件及其製造 【先前技術】 日向美國申請專利，其申請案 ’且更特別有關於具有電流運 法0 由於平場對於電子組件之期許仍著衫使其執行速 快且尺寸更小’故設計者持續尋求使電予系統、 组件間:及 組件中增加電子流’而不會增加這些元件尺寸的方法。電 子傳導材料（諸如銅、n、錫與銀）其特徵為高傳導性與 低電子流損失。因而此等電子傳導材料通常係選擇作為電 流運載構造（諸如電子組件中之互連構造、電子組件之間： 互連構造、，以及電子組件中之被動元件）的材料。—電子組 件中I互連構造的範例係包括單層金屬系統與多層金屬系 統；電子組件間之互連構造的範例係包括銲線，且被動元 件之範例則包括感應器、電阻器與電晶體。 私*運載構k通常係以每秒大於约十億次的高頻 運作”、、而，在廷些高頻運作條件下，電流或電子透過一 私⑽運載構傳播分体係因表皮效應（Ah 而影響 表皮效炙使％子向孩電流運載構造之外部表面聚集，並 使，ΐ ® "丨υ運載構造 < 電流運載橫剖面的面積大為降低。表 88366 200409147 皮效應因而視為使能源效率與電流運載& 中之電子億播 降低的因素。 包卞1寻掎 電流運載構造（諸如銲線）之另一問題 $為，銲線具有感應 損失與阻抗。銲線之高損失顯著地影 一 士杜口τ 士丄t 干、、泉運载訊號的能 力，特别在高頻運作時更是如此。因此，且。 /、有向損失之鲜 線大為限制了該銲線能夠用以作為組 ^ U <互連構造的跨 越距離。此外，儘管能夠將多重接地銲線加到一電子組件 中，一具有多重接地銲線之銲線的阻抗並不容易制。’ 能夠藉由增加電流運載組件中每單位距離之表面積，從 而增加此等構造中之電流運載 私仏d回畀干面控制阻抗配置 ’以降低上述之表皮效庫盘 ^ 尤、舁阻杬問題。例如，能夠使用較 見的金屬層達成增加雷蛋I # 、， ㈢，瓜運載検剖面，但是如此會顯著地 增加組件尺寸’尤其是會產生大量的覆蓋區（W_t)。因 此，對於具有電流運載構造之電子組件存有一種需求，使 其能夠增加電流運載剖s穑 乂彳面和同時不會增加該電子組件之 覆蓋區尺寸。 【發明内容】 、為了簡化與清楚說明起見，所附圖示顯示構造之一般型 式並4各為知特性與技術之說明與細節，以避免不必要 地混淆本發明。另外， 口八T < 7C件並不一定按比例繪出 。例如’圖示φ里此- 、 一凡牛 < 尺寸能夠較其他元件誇大顯示 ，以便有助於瞭解本發、> 、 & <男她例。不同圖示中之相同參 考數字代表相同的元件。 88366 說明與申請專利簕 圍中右有術語第一、第二、第三、第 四轉任何類似者，其 认 以區別類似元件，且並不一定用 菩五4寺疋’丨員序或是時間先後次序。應理解到的是，該 、f ;、 〈田N /兄下能夠交換使用，以致於使例如文中所 ^ 此夠以不同於文中所顯示的順序加以 操作。 說明與申請專利範圍中若 、底部、上方、下方與任何 ，且不一定用以說明固定的 等術語在適當情況下能夠交 述之本發明的實施例能夠以 操作。文中所用之術語「結 械方式直接或間接連接。 【實施方式】 有術語左、右、前、後、頂部 類似者，其係作為說明之目的 相對部分。應注意到的是，該 換使用，以致於使例如文中所 不同於文中所顯示的順序加以 合」係界定成以機械或是非機 •、：所揭路之本發明的一實施例中，一電流運載構造 W弟-電子傳導層以及1二電子傳導層，其大致上 沿著第-電子傳導層的整個長度與該第—電子傳導層相接 觸。第二電子傳導層係位M —電子傳導層上，—非電子 傳導層大致上係沿著第__與第二電子傳導層之整個長度盘 孩第-以及第二電子傳導層相接觸。—電流同時行經該第 一與第二電子傳導層。 現在參考圖式，尤其是圖i，一根據本發明之一實施例所 構造的電子組件包含一電流運載構造100，其包含一電子傳 導層110、以及一位於該電子傳導層11〇上方之電子傳導層 88366 200409147 120。此堆疊構造藉著增加電流運載構造ι〇〇之表面積，使 得該電流運載構造100所具有的電流運載橫剖面增加，而不 會增加電流運載構造⑽在其支撐基質上之覆蓋區。電流運 載構造100能夠用以形成晶片間以及晶片内之連接，並能夠 形成於一晶圓（包括矽晶圓與砷化鎵（GaAs)晶圓）之上，或是 形成於一諸如藉由高密度互連（HDI)有機物、玻璃、陶瓷， 以及晶片鑲嵌表面構造所形成之模組或基質上。晶片鑲嵌 構造之一範例係顯示於圖5中。電流運載構造1〇〇亦能夠形 成於一印刷電路板上，其形成方式能夠藉著熟知程序加以 達成，包括噴濺且/或蒸‘氣沉積加上光微影與蝕刻加工、模 板印刷、以及電鍍。 電子傳導層110可由一種或更多的第一電子傳導材料所構 成，且電子傳導層120可由一種或更多第二電子傳導材料所 構成，該第一與第二電子傳導材料可包含相同或不同的傳 導材料。例如，電子傳導材料層11〇與12〇可包含銅、金、銀 、鋁、錫且/或其他金屬。或者，其能夠包含矽添加物或電 子傳導性黏著劑。 在許多其他因素中，電子傳導層110與丨20所使用之特定電 子傳導材料可基於放置該電子傳導層110與120的環境加以 選擇。例如，電子傳導層i 10能夠鄰接一第一層，其具有之 黏著性質係不同於鄰接電子傳導層12〇的一第二層之特徵 。在此一案例中，能夠選擇形成電子傳導層110與120之材料 ’以便就黏著與其他性質而言，使其與個別之鄰接層展現 出良好的配合。 88366 200409147 電子傳導層12〇係電子結合到電子傳導層ιι〇。例如， 傳導層能夠鄰近電子傳導層11G，並大致上”: 導層m之整個長度與其電子接觸。更具體而言，—位於電 子傳導層110與電子傳導層12〇之間的導體對導體邊界包 含一大致上平滑且連績乏4息w , ， 、貝艾邊界，且其中大致上並沒有空隙
0笔子傳導層11 0係為一*對蘇描、生 CT 對％構造，且電子傳導層！2〇亦係為 一對稱構造。 一非電子傳導層130係鄰近電子傳導層U0與電子傳導層 120 ’並與該等電子傳導層電子接觸。在顯示之實施例中， 電子傳導層12〇形成一凹1^播、生 ^凹陷構造，其在電子傳導層120中界 定出-腔室H0。非電子傳導層π〇係位於腔室⑷之内，將 其置於電子傳導層U〇與電子傳導層12〇之間。-導體對介電 質邊界U0係位於非電子傳導層13〇與電子傳導層ιι〇以及 120(間’且導體對介電質邊界16〇對於電流運載構造⑽提 供額外的電子傳導表面積。電子傳導表面積之大小係大於 f用僅具有導體構造的電流運載構造之電子傳導表面積。 …在+過，机運載構造1 00之同時行經該額外的電子傳 導表面積，以降低表皮效應之衝擊。 與導體對導體邊界150類似，導體對介電質邊界16〇包含 -大致上平滑且連續之邊界，且其中大致上並沒有空隙。 m此技藝之人士將體認到’儘管在非電子傳導層13〇 與電子傳導層m以及12G之間的邊界名稱係使用「介電質」 字眼’非電子傳導層13G可包含—種或更多的電子傳導材料 ’無論其是否亦為介電材料。例如，非電子傳導層13〇可包 88366 -10- 200409147 ^ 氮化矽、正矽酸乙酯、氮氧化矽，或是其他 低’丨材料，妹 ^ w 、 碏如水四氟乙~、聚亞醯胺、苯並環丁晞（BCB) ，以及環氧物。 f流運盡播、生，a ,、 、$ 绝1 00一；人運載一個訊號電流或是訊號。該電 匕 '机運載構造100，沿著一長方向或是電流運載構造 之一 #長度仃進，如圖1中之「χ」方向所示。電流或是訊號 ^ 一 ::部分行進通過電子傳導層11G，而電流或訊號之-:15刀仃進通過電子傳導層120，以致於使該電流或訊號 第二部分大致上在同時到達位於電流運載構造 、乂、响處的相同預定目的地。因此，電流或訊號同時通過 或行進I過電子傳導層u〇與電子傳導層120。 ，、同此同時通過或行進之範例，通過電子傳導層1 1 〇中一 争走：占之甩’瓜或吼號大致上會在同一時間通過電子傳導層 120中的-個對應點。此外，電流或訊號大致上係以相同方 式通過每組位於電子傳導層110與120中之對應點。該等電子 傳一層110M 120中之對應點距離電子傳導層1與將電 机引入该電子傳導層丨1〇與12〇的位置大致上係相等。上述之 同步電流或訊號通道係與文中所稱的次序性電流不同，該 次序性電流在本發明中係界定為一種情況，其中電流不會 同時通過帛與第二電子傳導層之對應點。 電子傳導層120包含一側面部分17〇以及一侧面部分⑽ ，且電子傳導層110則包含一側面部分19〇以及一側面部分 195。在圖1;貫施例中，側面部分17〇係鄰接側面部分ι9〇 ，並大致上沿著電子傳導層丨1〇以及12〇之整個長度與該侧面 88366 -11 - 200409147 部分相接觸。同樣的，侧面部分180係鄰接側面部分195， 且亦大致上沿著電子傳導層11 0以及ί 20之整個長度與該側 面部分相接觸。 現在參考圖2，除了電子傳導層110與電子傳導層12〇以外 ’一電流運載構造200尚包含一電子傳導層210。電子傳導 層210係藉由一導體對導體邊界250與電子傳導層12〇隔開 ，且係位於電子傳導層12〇上方，以便保持對電流運載構造 200維持最小覆蓋區所實現的益處。電子傳導層210係為一 對稱構造，且具有一腔室240。電子傳導層2〇〇進一歩包含 一位於腔室240中之非電子傳導層230，其與電子傳導層21〇 以及120相接觸，並在非電子傳導層230與電子傳導層12〇以 及210之間形成一導體對介電質邊界260。 非電子傳導層230可包含與非電子傳導層130相同或不同 4材料，且電子傳導層210可包含與電子傳導層110且/或120 相同或不同之材料。導體對導體邊界25〇與導體對介電質邊 界160„大致上係分別類似於導體對導體邊界150以及導體對 M f邊界16GH實施例中，電流運載構造可包 口表、外的私子傳導層與非電子傳導層（未顯示），以作為各種 應用：諸如成本、*直或高度限制，以及製造能力與其他 因素《考I能夠判足一電子組件的電流運載構造中其電子 傳導層與非電子傳導層的數量。 圖3顯示—電流運載構造之-另擇實施例。圖3中之一電 流運載構造300包含電子傳導層3U)與320,其與一非電子傳 導層330相接觸，且形成導體對導體邊界350以及導體對介 88366 •12- 200409147 電質邊界360。非電子傳導層330係位於電子傳導層320之一 凹處340中。電子傳導層310係為對稱構造，而電子傳導層 3 2 0則並不對稱，以便使電流運載構造形成一朝後的「〔」 开J。電子傳導層3 1 0包括侧面部分3 9 0與3 9 5，且電子傳導層 3 20包括侧面部分370與380。侧面部分37〇係鄰接侧面部分 390，且大致上沿著電子傳導層3 1〇與32〇之整個長度與該側 面部分相接觸。側面部分380與395彼此並不相鄰且沒有接 觸，但是各個侧面部分380與395係相鄰接，並大致上沿著 電子傳導層3 10與320之整個長度與非電子傳導層33〇相接 觸〇 在一另擇實施例中，電流運載構造300可包含額外的電子 傳導層與非電子傳導層，以便形成—「s」<「z」形，或 :電流運载構造300可形成其他形狀，圖7與圖8係分別顯示 「S」與「Z」形之實施例。另外應理解到的是，在具有三 個或更多電子傳導層與兩個或更多非電子傳導層之實施例 中σ個非電子傳導層能夠延伸到該電流運載構造之任— :’：與任何其他非電子傳導層所延伸到的側面無關。另 :::般熟習此技藝之人士將體認到，非電子傳導層 夠延伸到電流運載構 370盘…、 侧，將其置於側面部分 ” 90艾間，而不是側面部分38〇與 ^藝之人士將進—步體認到，分別位二與 -運载構造10。、2。〇與3〇〇能夠以相 的方式形成。 ]万红上下顛倒 圖4顯示根據本發明之一實施例的傳遞線路_。傳遞線 88366 -13- 200409147 路400包含電流運載構造300，其作為傳遞線路400之一訊號 線路。在另一實施例中，傳遞線路400之電流運載構造能夠 分別類似於圖1與圖2的電流運載構造100或200。 圖4中之傳遞線路400進一步包含接地線路440，其在顯示 之實施例中包含一對實心的電子傳導構造，該對電子傳導 構造係位於電流運載構造3 0 0在一水平平面中之兩側上。接 地線路440之其他實施例亦能夠加以使用，例如，接地線路 440可包含一個單獨的實心電子傳導構造，其位於電流運載 構造300之上方、下方或是任一侧。另外，接地線路440亦 可分別類似於圖1、2與3之電流運載構造100、200或300。 圖4中所顯示之傳遞線路400的實施例，其中接地線路440 係位於電流運載構造3 0 0在一水平平面中之兩側上，文中將 其稱之為一接地-訊號-接地構造。一般熟習此技藝之人士將 理解到，傳遞線路400亦可包含接地-訊號-接地構造以外的 構造。例如，在一實施例中，傳遞線路4 0 0可包含一電流運 載構造以及一單獨接地線路，其與該電流運載構造並列於 一水平平面中。在另一實施例中，傳遞線路4 0 0可包含一電 流運載構造，其位於一垂直平面中之接地線路上方。文中 係將此構造稱之為一微帶構造。傳遞線路400之其他實施例 亦能夠加以使用。 圖1、2、3與4之電流運載構造亦能夠個別或一起併入一 多層互連系統，其用以例如與一積體電路（1C)相結合。在一 實施例中，僅有多層互連系統之最高層會包含一電流運載 構造，其係類似於參考圖1、2、3或4所說明之電流運載構 88366 -14- 200409147 造。習用Jl ’此最高層係由長度較低層中之電子傳導段 為長的包子傳導段件所構成，使增加電流運载橫剖面之需 求增加。然而，在其他眘念 1 杜，、他只她例中，一多層互連系統之另外 的層或是所有層能夠包含此等電流運載構造。圖卜2、3與 4之電流運載構造能夠另外用以形成一電流運载帶，諸如捲 帶自動黏合（TAB)中所使用者。 現在參考圖5，—電子組件5〇〇包含一元件或是電子組件 510以及—元件或是電子组件52。，其藉由電流運載構造⑽ 、’δ在起。電子組件500係為一種範例，文中稱之為—晶 片鑲嵌表面構造。電流運載構造1〇〇能夠結合到結合墊片曰 560，其附接到電子組件5 10與520。應理解的是，在另擇眚 施例中，電子組件510與電子組件52〇能夠藉由一具有文〇 說明之任何其他構造的電流運載構造（包括圖丨、2、3與4中 所顯示者）加以結合。多個電流運載構造能夠同時形成於組 件運載構造530上。 、 $考圖5 ’電子組件進—步包含―基質或是組件運載 構造530，其包含一凹處54〇以及一凹處55〇。電子組件Η。 係位於凹處540中，且電子組件520則位於凹處55〇之中。 因此，電子組件510與520能夠視為位於組件運載構造53〇 之「内」。 如la例’電子組件510與520各能夠封裝或解封裝半導體 曰曰片。此外，電子組件5丨〇可具有一積體電路5丨丨，其形成於 半導體基質中且覆蓋該半導體基質，其中積體電路5 1工包 括元件（諸如電晶體），且亦包括一多層互連系統512。同樣 88366 -15- 200409147 地’電子組件520可具有一積體電路521，其形成於一半導 體基質中且覆蓋該半導體基質，其中積體電路5 2 1包括元件 (諸如電晶體），且亦包括一多層互連系統5 2 2。多展互連系 統5 12與522可各具有一個或更多圖1、2、3與4之電流運載 構造。 經發現圖1、2與3之電流運載構造亦能夠用於被動元件形 式的應用，諸如一感應器、電阻器，或是一變壓器。例如 在感應器之案例中’增加電流運載橫剖面係由於電子傳 導層與非電子傳導層之組合降低了感應器中的損失之結果 。降低感應器中之損失致使感應器之品質因素（Q)增加，且 最後成為一更有效率之元件。一般熟習此技藝之人士將會 理解到，具有圖1、2或3之電流運載構造的感應器並不一定 需要厚度約十微米之習用感應器金屬層。然而，其能夠使 用厚度約為一或二微米之習用金屬層。 圖6顯示一流程圖，其顯示一種製造一電子組件的方法 6 0 0 ’该電子組件具有根據本發明之一實施例的電流運載構 造。方法600之一第一步驟610係在一基質中形成一元件， 第二步驟620係在該基質上形成一第一電子傳導層，並使其 電子結合到該元件。方法6〇0之第三步驟630係形成一非電 子傳導層，其與該第一電子傳導層相接觸。方法6〇〇之第四 步驟640係使該非電子傳導層具有圖案，以便露出一，分之 第—電子傳導層。方法600之第五步驟650係形成一第二電 子傳導層，使其大致上沿著第一電子傳導層之整個長度與 該第一電子傳導層相接觸。 88366 -16- 200409147 方能夠料各種程度之電子組件製造。例如，方法 6 0 0能狗用於晶圓芻 ,4 、，，、包括矽與砷化鎵（GaAs)光阻劑加工 0方法6 0 〇亦能狗用於其暂 J Μ万、基貝I造，包括有機物、陶瓷、玻 ，以及晶片鑲嵌表面，並左 八在奸夕万法中使用電鍍、模板印 刷，以及光阻程序進行製造。 現在參考圖7 ’―電流運載構造7⑻包含電子傳導層310與 320,其與非€子傳導層33_接_，並形成導體對導體邊 界350以及導體對介電f邊界36{)。電流運載構造·進一步 包含-電子傳導層71〇,其與—非電子傳導層73_接觸， 並形成-導ff對導體邊界7观及_導體對介電f邊界76〇 :在圖7所顯示之實施例中，非電子傳導層別與非電子傳 導層73 0係位於電流運載構造7〇〇之相反侧上。因&，如圖7 中所不，當以橫剖面顯示電流運載構造7〇〇時，電子傳導層 310、320與710係形成一 rs」形。電子傳導層31〇係為對稱 構造，且電子傳導層32〇與71〇則不對稱。現在參考圖8，一 電流運載構造800包含圖7之電流運載構造7〇〇的鏡射外形 。因此，當以橫剖面顯示電流運載構造800時，電子傳導層 310、320與7 10係形成一 r z」形。 仏ί已級參考特定實施例說明本發明，熟習此技藝之人 士將理解到，其能夠進行各種改變，而不脫離本發明之精 神與範轉。此等改變之各種範例先前已經加以說明。此外 ，如其他範例，圖1中之導體對導體邊界i 5〇與導體對介電 質邊界160、圖2中之導體對導體邊界25〇與導體對介電質邊 界260，以及圖3中之導體對導體邊界wo與導體對介電質邊 88366 17 200409147
界360能夠為不連續，A 實施例的揭霖，、中了具有芝隙。因此，本發明之 、」的揭路内谷係預計作為說明本發明的^峰、 不應作為本發明之服 、輕哥^用，且 申請範圍所要长μ ^/ γ 乾可僅限制於所附專利 …：乾，，，對於-般熟習此技藝之人 夠用於畔$Iη & & 干所成明〈電流運載構造能 夕j川刀、u干夕不同的貫施， 一定代表所右了一 “』祝明之某些實施例並不 表所有可仃貫施例的完整說明。 二二經針對特定實施例說明其益處、其他優 ^的解決方案。“’該等益處、優點、問題之解決方 木，以及任何能夠產生任何益處、停 、 欠 v點，或是產生問題解 決万案或使其更為明顯的元件係不應視為任何或所有專利 申請範圍之關冑、必要或是基本特性或元件。此外，術語 一包含」、「包括」、「具有」’以及其任何變化形式係預計涵 蓋-非唯一的包含範圍，以致於使程序、方法、物件或是 裝置所包含之元件清單並不僅止於那些元件，而能夠包括 其他未特別列出或是該等程序、方法、物件或是裝置所固 有的元件。此外，文中所揭露之實施例與限制如果：（1)未明 示地在申請專利範圍中予以申請及（2)在等效物原則 (doctrine of equivalents)下係為或可能為申請專利範圍中的 明示元件及/或限制之等政物’則此等實施例及/或限制在公 益使用原則（doctrine of dedication)下並未獻予公眾。 【圖式簡單說明】 藉由閱讀以下詳細說明，並結合所附圖示將會更加瞭解 本發明，其中： -18- 88366 200409147 圖1係為根據本發明之一實施例，一電流運載構造之部分 橫剖面等角視圖； 圖2係為根據本發明之另一實施例，一電流運載構造之部 分橫剖面等角視圖； 圖3係為根據本發明之另一實施例，一電流運載構造之部 分橫剖面等角視圖； 圖4係為根據本發明之另一實施例，一傳遞線路之部分橫 剖面等角視圖； 圖5係為根據本發明之另一實施例，一具有電流運載構造 ，且與兩個晶片組件結合在一起之組件運載構造的部分橫 剖面圖； 圖6係為一流程圖，其顯示一種根據本發明之一實施例的 電子組件製造方法； 圖7係為根據本發明之另一實施例，一電流運載構造之部 分橫剖面等角視圖，以及 圖8係為根據本發明之另一實施例，一電流運載構造之部 分橫剖面等角視圖。 【圖式代表符號說明】 100, 200, 3 00, 700, 電流運載構造 800 110，120, 210, 310 電子傳導層 320, 710 13 0, 23 0, 3 3 0, 73 0 非電子傳導層 140, 240 腔室 88366 -19 - 200409147 150, 250, 350, 750 160, 260, 360, 760 170, 180, 190, 195, 370, 380, 395 400 440 500 510, 520 511， 521 512, 522 530 540, 550 600 610, 620, 630, 640, 650 導體對導體邊界 導體對介電質邊界 側面部分 傳遞線路 接地線路 電子組件 元件或電子組件 積體電路 多層互連系統 基質或組件承載構造 凹處 方法 方法步驟 -20- 88366

Claims (1)

  1. 200409147 拾、申請專利範圍： 1. 一種電流運載電子元件，其包含： 一電流運載構造，該電流運載構造包含： 一第一電子傳導層； 一非電子傳導層，其位於該第一電子傳導層上方； 及 一第二電子傳導層，其位於該非電子傳導層與第一 電子傳導層上方，且電子結合到該第一電子傳導層， 其中： 該電流運載構造係構造成沿著電流運載構造之長度 一次運載一個單一電流； 該單一電流之一第一部分行進通過第一電子傳導層； 該單一電流之一第二部分行進通過第二電子傳導層 ;及 該單一電流之第一與第二部分大致上在相同時間到 達一位於電流運載構造尾端處的預定目的點。 2. —種電流運載電子元件，其包含： 一基質；及 一電流運載構造，其位於該基質上方，且包含： 一第一電子傳導層； 一第二電子傳導層，其大致上沿著第一電子傳導層 之整個長度與該第一電子傳導層相接觸；及 一非電子傳導層，其與該第一電子傳導層以及第二 電子傳導層相接觸， 88366 200409147 其中： 一電流同步行進通過該第一電子傳導層與第二電 子傳導層；及 該第二電子傳導層係位於第一電子傳導層上方。 3. 一種製造一電流運載電子元件之方法，該方法包含之步 驟為： 形成一電流運載構造，該電流運載構造包含： 一第一電子傳導層；及 一非電子傳導層，其與該第一電子傳導層相接觸； 使該非電子傳導層具有圖案，以便露出一部分之第一 電子傳導層，同時將一部分之非電子傳導層保持於該第 一電子傳導層上方；以及 在非電子傳導層之該部分上形成一第二電子傳導層 ，並使其電子結合到第一電子傳導層部分，且大致上沿 著第一電子傳導層之整個長度， 其中： 一電流同步行進通過該第一電子傳導層與第二電子 傳導層。 88366
TW092126666A 2002-09-26 2003-09-26 Current-carrying electronic component and method of manufacturing same TW200409147A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/256,789 US6841736B2 (en) 2002-09-26 2002-09-26 Current-carrying electronic component and method of manufacturing same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200409147A true TW200409147A (en) 2004-06-01

Family

ID=32029358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092126666A TW200409147A (en) 2002-09-26 2003-09-26 Current-carrying electronic component and method of manufacturing same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6841736B2 (zh)
JP (1) JP2006501682A (zh)
KR (1) KR20050065558A (zh)
CN (1) CN1307653C (zh)
AU (1) AU2003277778A1 (zh)
TW (1) TW200409147A (zh)
WO (1) WO2004032205A2 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101322198B (zh) * 2006-04-28 2011-06-08 松下电工株式会社 高频电流用馈线
US8032089B2 (en) * 2006-12-30 2011-10-04 Broadcom Corporation Integrated circuit/printed circuit board substrate structure and communications
US9666926B2 (en) * 2009-09-30 2017-05-30 Panasonic Corporation Power supply line for high-frequency current, manufacturing method for same, and power supply line holding structure
CN104021865A (zh) * 2014-05-14 2014-09-03 北京联合大学 可降低交流电阻的圆形导体
CN104036857A (zh) * 2014-05-14 2014-09-10 北京联合大学 可降低交流电阻的矩形导体
CN104409622A (zh) * 2014-10-15 2015-03-11 中国计量学院 一种高频薄膜热电变换器的结构及制作方法
DE102016212666A1 (de) * 2016-07-12 2018-01-18 Schweizer Electronic Ag Verfahren zur Herstellung eines Leiterplattenelements und Leiterplattenelement

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586757A (en) * 1969-08-14 1971-06-22 Merle Haldeman Jr Flexible stripline transmission line
US3634810A (en) * 1970-02-03 1972-01-11 Reynolds Metals Co Electrical bus bar construction and method of making same
DE3530032A1 (de) * 1985-08-22 1987-02-26 Reiner Mannertz Stromleitungskabel
US5393933A (en) * 1993-03-15 1995-02-28 Goertz; Ole S. Characteristic impedance corrected audio signal cable
US5527999A (en) 1995-02-21 1996-06-18 Delco Electronics Corp. Multilayer conductor for printed circuits
US5574260B1 (en) 1995-03-06 2000-01-18 Gore & Ass Composite conductor having improved high frequency signal transmission characteristics
US5674780A (en) 1995-07-24 1997-10-07 Motorola, Inc. Method of forming an electrically conductive polymer bump over an aluminum electrode
US5675298A (en) 1995-11-21 1997-10-07 Sun Microsystems, Inc. Low-loss, low-inductance interconnect for microcircuits
US6100178A (en) * 1997-02-28 2000-08-08 Ford Motor Company Three-dimensional electronic circuit with multiple conductor layers and method for manufacturing same
US5834995A (en) 1997-05-01 1998-11-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Cylindrical edge microstrip transmission line
US5922514A (en) 1997-09-17 1999-07-13 Dale Electronics, Inc. Thick film low value high frequency inductor, and method of making the same
DE69831549T2 (de) 1997-10-21 2006-06-14 Murata Manufacturing Co Dünnfilm-Mehrschichtelektrode, Hochfrequenzübertragungsleitung, Hochfrequenzresonator und Hochfrequenzfilter
GB9911307D0 (en) * 1999-05-14 1999-07-14 Mantock Paul L Low resistance surface conducting conductor electric cable
SE517916C2 (sv) * 1999-12-17 2002-08-06 Ericsson Telefon Ab L M Chipsbärare, system och förfarande vid tillverkning av chipsbärare

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050065558A (ko) 2005-06-29
US6841736B2 (en) 2005-01-11
CN1307653C (zh) 2007-03-28
WO2004032205A3 (en) 2004-07-01
AU2003277778A1 (en) 2004-04-23
US20040060724A1 (en) 2004-04-01
CN1685450A (zh) 2005-10-19
WO2004032205A2 (en) 2004-04-15
JP2006501682A (ja) 2006-01-12
AU2003277778A8 (en) 2004-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4675818B2 (ja) パッケージ基板
US9659854B2 (en) Embedded packaging for devices and systems comprising lateral GaN power transistors
CN105448864B (zh) 电子组件
TW200423848A (en) High speed circuit board and method for fabrication
US10506704B1 (en) Electromagnetically-shielded microelectronic assemblies and methods for the fabrication thereof
TW200919633A (en) Semiconductor contact structure
TW201232744A (en) Interconnection structure, apparatus therewith, circuit structure therewith, and method to prevent an interconnection structure from EMI
US20160276242A1 (en) Thermal spreader having inter-metal diffusion barrier layer
JP5111815B2 (ja) 多層構造を持つ埋め込みキャパシタコア
JP2022029417A (ja) トランジスタの活性領域内にｉ／ｏポートを備えるトランジスタ
TW200409147A (en) Current-carrying electronic component and method of manufacturing same
TW200937616A (en) Methods of forming magnetic vias to maximize inductance in integrated circuits and structures formed thereby
JP4148069B2 (ja) マイクロストリップライン構造を有する基板、マイクロストリップライン構造を有する半導体装置、及びマイクロストリップライン構造を有する基板の製造方法
US6677832B1 (en) Connector for differential-mode transmission line providing virtual ground
GB2491446A (en) A contact pad and passivation layer structure offset from a through silicon via to reduce electro-migration.
US8324508B2 (en) Composite circuit board
JP2006042098A (ja) 高周波用配線基板
US20060145350A1 (en) High frequency conductors for packages of integrated circuits
TW200843063A (en) Structure of semiconductor chip and package structure having semiconductor chip embedded therein
TW200820319A (en) Side connectors for RFID chip
TW200931613A (en) Wiring board ready to slot
US20090151986A1 (en) Method of manufacturing wiring board, wiring board, and semiconductor device
TWI247560B (en) Signal transmission structure
CN100401510C (zh) 半导体装置、半导体主体及其制造方法
TWI402958B (zh) 積體電路封裝結構及其製造方法