TW200400773A - Organic device - Google Patents

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200400773 玖、發明說明： (一） 、發明所屬之技術領域 本發明係關有機裝置之製造，諸如電激發光或有機發光 二極體（〇 LED)裝置。尤其是，本發明係關於改善電激發光 裝置之封裝，及本發明之又一觀點係關於活性有機材料之 同質性或均勻沉積。 (二） 、先前技術 第1圖係顯示具有一或多個OLED單胞之習知電激發光

W 裝置100。Ο LED單胞係包括透明導電層10 5 (如銦錫氧化物 或ITO)和導電層115之間，有一或多個有機功能層的功能 堆疊。該等導電層係作爲電極。單胞係製造於基板101上 之活性區域185中。該單胞可依需求建構成顯示器或指示 燈。形成電極及銲墊間互連之金屬化層係被提供。該銲墊 係親合至諸如驅動電路，以控制0 L E D單胞之動作。帽蓋 160，係形成孔洞145，而封裝該裝置，緊密地密封0LEd 單胞以保護其對抗環境（如濕氣及/或空氣）。 動作時，電荷載體係經由電極注入用於在功能層中重組。 電荷載體之重組使單胞功能層發射可見輻射光。 用於沉積聚合物之技術包括，如旋塗或刮刀成型（d〇ct(n b 1 a d i n g)。此種技術係塗覆整個基板表面。因聚合物非常軟 且局部易吸濕，故必須自連接至基板的帽蓋區域（即帽蓋連 接區）完全移除。 再者’因銲墊一般係在聚合物材料沉積前形成，該材料 須自銲墊上移除’以露出用於耦合至驅動電路之銲墊。 ~ 6 ~ 200400773 然、而’用於圖樣化聚合物材料之限定技術係爲可能。此 乃s對化學性質（乾或濕）有要求之技術係和光敏性聚酯材 料不相容。通常使用之圖樣化技術係爲鐳射熔削（ablation)。 使用鐳射熔削時，高鐳射強度和較長之照射時間爲必須， 以自基板之選定區域上移除聚合物材料。高鐳射強度和較 長之照射時間，可能會損傷金屬化或聚合物下之銦錫氧化 物層’反而影響該裝置。再者，鐳射熔削並無法完全移除 聚合物材料，因在該層變得較薄時，光的吸收能力會下降。 無法自帽蓋連接區域完全移除聚合物材料可能導致缺陷封 裝，造成失敗。 由上述之討論證明，提供具有可靠封裝的電激發光裝置 是受到期盼的。 再者，0LED裝置之有機功能層包括，如溶解在溶液中之 共軛聚合物。聚合物係藉如旋塗或刮刀成型（doctor blading) 技術或其他沉積/印刷技術沉積於基板上。一般而言，有機 層係非常薄，例如約5 0至4 0 0 n m。因有機層非常薄，在該 層中很小的偏差或不均勻性可能導致裝置動作時的光學缺 陷。 有機層塗覆在備有圖樣化結構的玻璃基板上，諸如金屬 互連和銦錫氧化物電極結構。 不同的結構會在基板表面產生不均勻的形貌。依基板之 形貌，在不同的材料下具有不同的能量，使得提供均勻之 有機層成爲困難。 爲了改善有機層塗覆之均勻性，可採取各種解決方案。 -Ί 一 200400773 此等解決方案包括，藉氧氣或電漿處理基板表面，選擇適 當之金屬使有機層展現較佳之塗覆成果，或修改有機材料 以產生較佳之塗覆特性。然而，此等解決方案是無益的， 此乃因有機材料之較佳塗覆特性之達成係藉由犧牲可製造 性，導致成本提高及/或使功能衰減。 由上所論述之事實，在有機裝置中提供均勻的有機功能 層而不會相反地影響裝置特性或增加製造成本，是更受到 期盼的。 (三） 、發明內窓 本發明係關於電激發光裝置之密封。該電激發光裝置包 括：具有一活性區域而至少一 OLED單胞形成於其上之基 板；圍繞該活性區域之帽蓋連接區域；諸如光阻之保護層， 係提供在帽蓋焊線連接的活性區中。保護層允許用於形成 OLED的聚合物材料自帽蓋連接區域中移除，而不會損壞保 護層以下之各層。此會改善基板和帽蓋之間的密封。 本發明之另一項觀點係關於在有機裝置中之均勻沉積。 該有機裝置包括一基板，其中有機層沉基在基板上，或諸 ® 如電極、金屬互連部的其他層之上。諸如光阻之同質層， 其具有有機材料而呈現良好之塗覆特性，係被提供於有機 層之下。此避免可能影響基板上有機層均勻沉積之下層金 屬，導致例如在OLED單胞中的有害的效應。 (四） 、實施方式 第2圖中係顯示依照本發明之一實施例之有機裝置200。 該裝置包括一基板201，其具有一或多個活性元件形成在其 200400773 之活性區域2 8 5中。在一實施例中，該等活性元件包括一 或多個形成OLED裝置之OLED單胞。 提供具有有機材料之其他型式活性元件，同時可用於形 成其他型式之裝置。 在一實施例中’基板包括諸如玻璃之透明基板。可作爲 支撐OLED單胞之·基板的其他型式透明材料，亦同時可使 用。例如：塑膠薄g吴可應用於當作基板。塑膠材料對於形 成可撓性裝置係特別有用。非透明材料，諸如砍，係同時 可使用，特別是在由帽蓋觀點之應用。 一 OLED單胞包括或多個夾於第一和第二電極205和210 間之有機層（有機堆疊）2 1 0。較佳地，該有機層係包括共軛 聚合物。其他型式有機材料包括··例如低分子材料，寡聚 合物，starburst混合物或dendrimer材料，係亦可使用。該 等材料包括 tris_(8-hydrooxyquinolate)-Aluminun(Alq)， poly(p-phenylene)(PPV)或 polyfluorene(PF)。其他型式包括 螢光或隣光係之功能性有機層，亦可使用。在一實施例中， 一孔洞傳輸層（Η T L)係包括在有機堆疊2 1 0中。該Η T L包 括諸如一般含 P〇lyaniline(Pani)或 polythylendioxythiophene (Pedot)之聚合物混合物。有機堆疊之厚度—般係在2至 5 0 Onm。第一電極作爲諸如陽極，此時第二電極作爲陰極。 至少一個電極包括透明導電材料，如銦錫氧化物（IΤ Ο)。陰 極和陽極可依所需作圖樣化，以形成一或多個0 LE D單胞。 如陰極和陽極分別在第一和第二方向形成條狀，以創造出 像素化的裝置。其他圖樣亦爲有用的。一般而言，第一和 一 9- 200400773 第二方向係彼此垂直。 帽蓋2 6 0係連接至基板中圍繞活性區域的帽蓋連接區 域，封裝〇 L E D單胞。帽蓋產生一孔洞2 4 5以保護單胞免 於因帽蓋受到碰撞而損傷。 裝置之活性區域可能包括，例如用於圖樣化裝置層的成 形墩柱（未顯示）。具有挖除下部的成形墩柱係用於圖樣化 頂部電極。成形墩柱之使用係敘述在例如”結構化電極之生 產”（US200 1 /00 1 75 1 6A1)和”OLED 裝置中電極之圖樣 化”（PCT/SG00/00 1 345)中，其係在此結合而參照到所有使 用目的。 基板係包括位於活性（active)區域2 8 5之外導電互連部 205。該互連部包括，例如金屬。如前所述，金屬互連部可 能不利地影響有機層之均勻性。不平坦的有機層可能自有 機層接觸而金屬層之下的非活性區之外部區域，滲入活性 區域，因此，不利地影響活性元件。 依照本發明之一實施例，同質層275係提供在基板上活 性區域之外。該同質層覆蓋基板之非活性區域中的金屬互 連部。該同質層包括在有機層中用於提升均勻性以形成活 性元件之材料。藉由覆蓋金屬互連部，有機層不均勻之不 利效應係被降低或防止。較佳地，該材料包括防止互連部 短路之絕緣材料。爲了同質層導電之應用，須在保護層之 下提供一同質層。更佳地，同質層係由相容於裝置之製造 方法的材料所形成。例如，該材料須易於沉積在基板上， 或易於選擇性移除以露出所需之下層互連部分。較佳地， - 10 - 200400773 該材料可被沉積或藉使用已用於製造該裝置之製程而易於 移除，因此可避免額外之工具或化學特性需求。在另一實 施例中，同質層包括諸如光阻之光敏性材料。其他型式之 光敏性材料，如聚硫亞胺（polyamide)亦爲有用。非光敏性 材料如樹酯或非光敏性聚硫亞胺亦可被使用。具有良好塗 覆特性之其他形式有機材料，亦被使用。這些包括，如 Novolak 樹酉旨，polybenzoxazole，perylene ° 同質層同時可有利地當作表面保護層。例如，在活性區 域外之有機層部份須被移除，使得在帽蓋連接區域中提升 帽蓋和基板之間的黏著性或露出用於銲墊之下層金屬互連 部。有機層之移除一般係藉鐳雷射熔削達成。然而，鐳射 熔削可能損傷金屬互連部，引起裝置瑕疵或性能之不良影 響。藉提供有機層下方之同質層，金屬互連部可被保護免 於在鐳射熔削製程中受到損傷。同質層之厚度須足夠，以 降低或消除在不均勻有機層上之互連金屬部的不良效應。 另外，同質層須足夠厚，以保護其下方之各層免於在選擇 性移除聚合物材料的製程中受到損傷。一般而言，其厚度 約0.5〜2微米。其他厚度亦可被使用。 第3圖係顯示依照本發明之另一實施例之電激發光裝置 200。該裝置包括一個基板201，其係具有一或多個OLED 單胞形成於其中的活性區域285。在一實施例中，基板包括 和基板相同材質的電激發光裝置係顯示於第2圖中。 顯示於第3圖之0LED單胞同時可能包括和第2圖裝置 相同的功能堆疊，由夾於第一和第二電極205和215之間 200400773 的一或多個有機層（聚合物堆疊）210組成。 陰極和陽極可依第2圖所述之裝置的相同方式，依照需 求圖樣化而形成一或多個OLED單胞。銲墊250係電氣耦 合至陰極和陽極。 帽蓋2 6 0係連接至基板中圍繞活性區域之帽蓋，密封 OLED裝置。該帽蓋產生一孔洞245以保護單胞免於因實際 碰撞帽蓋而損傷。在一實施例中，該帽蓋包括密封環或密 封條（gasket)形成於其上之帽蓋基板。該帽蓋基板可由如玻 璃形成。其他可作爲帽蓋基板之材料，諸如金屬或陶瓷亦 可被使用。該密封環，例如可由光阻形成。其它材料，諸 如矽玻璃’矽氧化物或陶瓷亦可被使用。黏合劑係用作接 合帽蓋至基板。黏合劑包括，諸如環氧樹酯系之樹酯，矽 化物，胺基甲酸酯，丙烯或烯化合物。該樹酯可以是紫外 線或高溫塑形之樹酯。提供由樹酯接合劑形成之密封環係 同時爲有用的。選用地，帽蓋係由例如壓鑄金屬或蝕刻玻 璃，預製形成。 裝置之活性區域可能包括，例如成形墩柱。包括控除下 部之成形墩柱係用於圖樣化頂部電極。成形墩柱之使用係 敘述在例如”結構化電極之生產，，（US2〇〇i/〇〇17516A1) 和’’OLED裝置中電極之圖樣化，，（PCT/SG〇〇/〇〇1345)中，其 係在此結合而參照到所有使用目的。替代地或額外地成形 墩柱’間隔物質可被提供於基板上。間隔物質作爲支撐帽 蓋’防止其與OLED單胞接觸。間隔物質之使用，係敘述 在例如：”電器裝置之封裝，，（1^3_9/9 8 9 3 62)，，，有機〇1^0 200400773 裝置之改善密封，，（PCT/SG99/00 1 45 )，”具有改良密封之 OLED裝置”（PCT/SG9 9/00 1 43 )，其係在此結合而參照到所 有使用目的。 依照本發明之一實施例，保護層275係提供在基板上的 帽蓋連接區域之中。該帽蓋係接觸保護層表面。在保護層 下之不同層，如用於各電極之間的金屬互連部及/或諸如IT〇 電極’係被保護在聚合物層移除時免於受到損傷。因保護 層當作是封裝的一部份，其須展現充分的機械穩定度，良 好之黏合特性和低滲透率，以確保帽蓋和基板間較佳之密 封。若表面保護層直接在金屬互連部上，其須由絕緣材料 形成。較佳地，表面保護層係由和Ο LED製程相容之材料 形成。典型地，表面保護層之厚度約爲0· 5〜50微米。其他 厚度亦爲可用。在一實施例中，表面保護層包括光阻。其 他形式之光敏材料，諸如樹酯或非光敏聚合物，亦亦爲可 用。 第4〜9圖係顯示依照本發明之一實施例之製造0LED裝 置的方法。參照第4圖，係提供基板3 0 1。在一實施例中， 基板包括透明基板’例如蘇打生石灰或矽酸硼玻璃。其他 形式之透明材料亦可使用當作基板。該基板一般係爲 0.4〜1.1毫米厚。 在另一實施例中，基板包括薄式可撓性基板。薄式可撓 性基板係由例如塑膠膜形成，如P E T，P B T，P E N，P C，P T， PSO’ PES’ PE，PVC，PS，PMMA，亦可使用以形成基板。 選用的材料包括’如：超薄玻璃（如厚度在10〜1〇〇微米）， 200400773 包括玻璃和聚合物之合成堆疊或塗覆在非有機阻障層上之 聚合物薄膜，亦可被使用。 基板係備製第一電極3 0 5。第一電極係位於至少活性區 域。第一電極係作爲，如陽極。陽極之形成可藉如，沉積 及圖樣化基板上之導電層。不同之技術，如光照圖像，亦 可被用於圖樣化導電層。在一實施例中，陽極係以條狀配 置於第一方向中。具有其他圖樣之陽極亦可使用。在一實 例中’導電材料包括諸如銦錫氧化物（ITO)之透明導電材 料。其他透明導電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫 氧化物，亦爲可用。 互連部3 75係提供於基板上活性區域之外。互連部係耦 合至例如電極。在一實施例中，導電層係沉積於基板上且 圖樣化以形成電氣互連部3 75和銲墊。導電層包括例如鋁、 銀、金或鉻。導電層之圖樣化可藉由傳統之光罩和蝕刻技 術達成。 參照第5圖，裝置層43 0係沉積於基板上。在一實施例 中，裝置層包括光阻。不同形式之光阻，例如正或負動作 型，皆可使用。其他形式之光敏材料或提升活性聚合物層 之均勻性的非光敏材料，亦可使用。若裝置層包括導電材 料，在有需要時，須提供一絕緣層於其下方，以防止互連 部短路。 參照第6圖，裝置層係接著圖樣化以形成一同質層575 於活性區域外部之區域。若採用光敏裝置層，依照正或負 光敏材料，選擇性的圖樣化露出部分且移除露出或不需要 -1 4 - 200400773 的部分，係被採用。另一方面，習知之光罩和蝕科技術可 備用於圖樣化非光敏裝置層。 參照第7圖，係爲後續完成製造OLED裝置製程。各種 不同之習知技術可用於完成〇 L E D裝置。在一實施例中， 成形墩柱6 8 5係形成於基板上。該成形墩柱包括挖除下部， 諸如V字形外廓，以在沉積時充分地遮斷導電層。較佳地， 成形墩柱係由一單層材料形成。在一實施例中，成形墩柱 係由包括負光阻之單層材料形成。其他形式之光敏材料亦 可被使用。非光敏材料亦可被使用以形成該成形墩柱。選 用地，該成形墩柱係由多數層所形成，以創造出一 T字形 外廓。該多數層可由光敏及/或非光敏材料形成。 在墩柱形成後，功能性有機層6 1 0係沉積於基板上。在 一實施例中，功能性有機層6 1 0係包括共軛聚合物。其他 形式之有機材料亦可使用。聚合物係藉由例如旋塗（spincoating)而沉積 。其 他沉積 技術亦 爲可用 。外 加之功 能層係 被沉積以形成功能性有機堆疊。不同型式之聚合物可被沉 積以形成多種色彩之0LED裝置。 參照第1 3圖，第二導電層6 1 5係形成於基板上。該導電 層包括例如：鈣、鎂、鋇、銀、鋁或其混合物，或其合金。 特別地，這些包括低工作函數（work function)，亦可被使用 以形成第二導電層。選用地，第二導電層包括離子混合物， 諸如氟化鋰（LiF)、氟化鎂（MgF)或氟化鉋（CsF)。在一實施 例中，第二導電層包括鈣。鈣層係藉例如以1奈米/秒（nm/s) 之熱蒸發和10·5毫巴（mbar)之壓力而沉積。選用地，第二 200400773 導電層包括組合層或多重層之堆疊。例如該堆疊包括第一 鈣層及緊隨在後之銀或鋁的第二導電層。各種沉積技術’ 諸如熱蒸發，濺鍍（PVO)，化學氣相沉積（CVD)，電漿提升 化學氣相沉積（P E C V D )或金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)，可被用於形成第二導電層。較佳地，陰影遮罩 係用於裝置之活性區域5 8 5中，以形成第二導電層。第二 導電層之沉積係由墩柱阻斷，以創造出第二電極或陰極。 該陰極和陽極之交叉點形成OLED單胞（cell)。 在活性區域外之有機層係被移除，如第8圖所示。蝕刻 可藉例如鐳射熔削被執行。在一實施例中，有機材料可在 第二電及形成前被移除。在第二電極形成後圖樣化有機層 亦可被使用。爲確保有機層完全被移除，係施行過度蝕刻。 過度蝕刻同時部分地移除當作表面保護層之同質層。然而， 在金屬互連部，因其受到表面保護層保護，而不會有雷射 熔削所導致的損傷。 如第9圖中所示，〇leD裝置藉由安裝帽蓋860至基板上 之帽蓋連接區域而完成。在〇 LE D裝置封裝後，在活性區 域外之同質層部分可使用習知之濕或乾式蝕刻技術而移 除’以露出聯交至電極之互連部。其它技術，例如鐳射熔 削亦可用於移除同質層。此處可以例如〇 . 3焦耳/平方公分 之能量密度和248奈米之波長完成。 在一較佳實施例中，同質層係形成當作製造〇LED裝置 之現行製程的一部份。例如，在銲墊和互連部形成之後， 同質層之一部份可保留在基板上以當作表面保護層。 -1 6 - 200400773 第1 0〜1 4圖係顯示依照本發明之一實施例之用於製造 Ο LED裝置的製程。參照第10圖，係提供一基板301。在 一實施例中，基板包括一透明基板，包括蘇打石灰或鋇砂 化物玻璃。如第4圖中所述之其他型式透明基板，亦可被 使用。 基板包括形成在其表面上之第一電極3 05。第一電極當 作，例如陽極。陽極可藉沉積和圖樣化基板上之導電層而 形成。各種技術，如光照圖像可被用於圖樣化導電層。在 一實施例中，陽極係在第一方向配製成條狀。具有其他圖 像之陽極亦爲可用。在一實施例中，導電材料包括例如銦 錫氧化物（ITO)之透明導電材料。其它透明導電材料，例如 銦鋅氧化物，鋅氧化物，錫氧化物，亦可使用。銲墊和其 他互連部亦包括在基板之上。銲墊和互連部係藉沉積和圖 樣化導電層而完成。導電層包括諸如錦、銀、金、鉻之類 金屬。圖樣化導電層可使用習知之光罩和蝕刻技術達成。 裝置層3 7 2係沉積於基板上。在一實施例中，表面保護 層包括光阻。各種形式光阻，例如正或負動作型，均可使 用。其他形式之光敏材料或非光敏材料，亦可使用。如第1 1 圖所示’裝置層係接著圖樣化，以形成在基板上的帽蓋連 接區域中之表面保護層47 5。若使用光敏裝置層，依照使用 正或負光敏材料，藉選擇性露出部分且移除該露出或非期 望之部分而圖樣化。另一方面，習知之光罩和蝕刻技術亦 可用於圖樣化非光敏裝置層。 參照第12圖，係爲後續完成製造0LED裝置製程。各種 200400773 不同之習知技術可用於完成〇LED裝置。在一實施例中， 成形墩柱6 8 5係形成於基板上。該成形墩柱包括控除下部， 諸如V字形外廓，以在沉積時充分地遮斷導電層。較佳地， 成形墩柱係由一單層材料形成。在一實施例中，成形墩柱 係由包括負光阻之單層材料形成。其他形式之光敏材料亦 可被使用。非光敏材料亦可被使用以形成該成形墩柱。選 用地’該成形墩柱係由多數層所形成，以創造出一 T字形 外廓。該多數層可由光敏及/或非光敏材料形成。 在墩柱形成後，功能性有基層5 i 〇係沉積於基板上。在 一實施例中，功能性有基層5 1 0係包括共軛聚合物。其他 形式之有機材料亦可使用。聚合物係藉由例如旋塗（spin-coating)而沉積 。其 他沉積 技術亦 爲可用 。外 加之功 能層係 被沉積以形成功能性有機堆疊。不同型式之聚合物可被沉 積以形成多種色彩之0LED裝置。 參照第8圖，第二導電層71 5係形成於基板上。該導電 層包括例如：鈣、鎂、鋇、銀、鋁或其混合物，或其合金。 特別地，這些包括低工作功能，亦可被使用以形成第二導 電層。選用地，第二導電層包括離子混合物，諸如氟化鋰 (LiF)、氟化鎂（MgF)或氟化鉋（CsF)。在一實施例中，第二 導電層包括鈣。鈣層係藉例如以1奈米/秒（nm/s)之熱蒸發 和10·5毫巴（mb a〇之壓力而沉積。選用地，如第8圖所示， 第二導電層包括相同之組合層或多重層之堆疊。如第8圖 所示，各層之配置使用相同方法沉積於基板上° 在帽蓋連接區域之聚合物層，可藉例如鐳射熔削而移除 200400773 或蝕刻。在一實施例中，聚合物係在在第二電極形成前被 移除。爲確保有機層完全被移除，係施行過度蝕刻。過度 蝕刻同時部分地移除表面保護層。然而，在金屬互連部， 因其受到表面保護層保護，而不會有雷射熔削所導致的損 傷。 如第14圖中所示，OLED裝置藉由安裝帽蓋760至基板 上之帽蓋連接區域而完成。表面保護層和帽蓋密封環形成 在帽蓋和基板間之介面。黏合樹酯可用於可用於連接帽蓋 和基板。在一實施例中，黏合劑在基板和帽蓋間呈現良好 之連接和阻障特性，以緊密地密封Ο L E D裝置。黏合劑包 括’諸如環氧樹酯系之樹酯，矽化物，胺基甲酸酯，丙烯 或烯化合物。該樹酯可以是紫外線或高溫塑形之樹酯。藉 由使用保護層，設計一個具有所需特性的密封系統（如黏合 劑’帽蓋材料和保護層材料）是很有彈性的。 在Ο L E D裝置封裝後，在活性區域外之聚合物部分可使 用例如濕式蝕刻技術而移除。因裝置之活性區域係爲密封， 化學作用不會對OLED裝置有不良影響。 在一貫施例中’表面保護層係以既有製程之製造OLED 製程一部份而形成。例如，在銲墊和當做表面當作表面保 護層之互連部形成後，光阻層之一部份可保留在基板上。 選用地，用於形成成形墩柱之裝置層，可有利的圖樣化， 以包括表面保護層。 本發明之保護範圍，並不限於如上所述之實例。本發明 係在各新穎特性和各特性組合之具體化，其包括在申請專 - 1 9 - 200400773 利範圍中所述之任何特徵的各種組合，即使這些特徵的組 合並未在申請專利範圍中詳細敘述。 (五）、示簡單說明 第1圖顯示一習知OLE D裝置； 第2圖顯示本發明之一實施例； 第3圖顯示本發明之一實施例； 第4〜9圖顯示顯示依照本發明之一實施例，製造OLE D裝 置之製程； 第〜14圖顯示顯示依照本發明之另一實施例，製造0LED 裝置之製程； 元件代表符號簡單說明： 100 電激發光裝置 102 基板 105 透明導電層 110 有機功能層 115 導電層 145 孔洞 15 1 銲墊 16 1 帽蓋 1 85 活性區域 200 有機裝置 201 基板 205 第一電極 2 10 有機層 -20- 第二電極 孔洞 銲墊 帽蓋 同質層 主動區域 基板

第一電極 裝置層 互連部 裝置層 表面保護層 功能性有機層 同質層 主動區域 功能性有機層 第二導電層 成形墩柱 第二導電層 帽蓋 -21-

Claims (1)

1. 200400773 拾、申請專利範圍： 1 · 一種裝置，包括： 一具有一活性（active)區域之基板； 一圍繞該活性區域之帽蓋連接區域； 一位於金屬化層之上之同質層，該同質層提升該基板上 有機層之塗覆的均勻性，且因此降低或防止金屬的不良 效應；及 一在該帽蓋連接區域連接至基板的帽蓋。 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 非導電材料。 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括提 升有機層均勻性之材料。 4.如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 光敏材料。 5 ·如申請專利範圍第4項之裝置，其中該光敏材料包括光 阻或聚硫亞胺（polyamide)。 6·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 非光敏材料。 7 ·如申g靑專利範圍第6項之裝置，其中該非光敏材料包括 聚硫亞胺（polyamide)。 8 ·如申阳專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係同時作 爲一表面保護層。 9 ·如甲m專利fe圍％ 9 If之裝置’其中該表面保護層允許 自Ο LED單胞中移除聚硫亞胺材料，而不會損壞裝置層 或保護層以下之各層。 -22- 200400773 1 0 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中一黏合劑係作爲連 接該帽蓋至該基板。 1 1 ·如申請專利範圍第i 〇項之裝置，其中該帽蓋，該保護層 和黏合劑係形成一密封系統。 1 2 ·如申請專利範圍第u項之裝置，其中該密封系統之材料 係可選擇以提供所要的密封特性。 1 3 ·如申請專利範圍第1 0項之裝置，其中該黏合劑包括一樹 脂。 14· 一電激發光裝置，包括： Φ 一具有一活性區域中含有OLED單胞之基板； 一圍繞該活性區域之帽蓋連接區域； 一位於該帽蓋連接區域中之保護層，該保護層允許自該 Ο LED單胞中移除聚硫亞胺材料，而不會損壞裝置層或保 護層以下之各層；及 一在該帽蓋連接區域連接至基板的帽蓋。

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