TWI231724B - OLED device and EL device - Google Patents

Description

1 1231724 玖、發明說明： (一） 、發明所屬之技術領域 本發明係關有機裝置之製造，諸如電激發光或有機發光 二極體（〇 LED)裝置。特別是本發明係關於改善電激發光裝 置之封裝’及本發明之又一觀點係關於活性有機材料之同 質性或均勻沉積。 (二） 、先前技術 第1圖係顯示具有一或多個0 LED單胞之習知電激發光 裝置100。0LED單胞係包括透明導電層1〇5(如銦錫氧化物 或ITO)和導電層115之間，有一或多個有機功能層11〇的 功能堆疊。該些導電層係作爲電極。單胞係製造於基板1 〇 i 上之主動區域185中。該單胞可依需求建構成顯示器或指 示燈。形成電極及銲墊1 5 0間互連之金屬化層係被提供。 該銲墊係耦合至諸如驅動電路，以控制OLED單胞之動作。 帽蓋160,係形成空腔145,而封裝該裝置，緊密地密封0LEd 單胞以保護其對抗環境（如濕氣及/或空氣）。 動作時，電荷載體係經由電極注入用於在功能層中復合。 電荷載體之復合使單胞功能層發射可見輻射光。 用於沉積聚合物之技術包括，如旋塗或刮刀成型（d〇etQl< blading)。此種技術係塗覆整個基板表面。因聚合物非常軟 且局部易潮解，故必須自連接至基板的帽蓋區域（即帽蓋連 接區）完全移除。 再者，因銲墊一般係在聚合物材料沉積前形成，該材料 須自銲墊上移除，以露出用於耦合至驅動電路之靜墊。 -6 - 1231724 然而’此瓶頸技術係用於圖樣化聚合物材料。此乃因對 化學性質（乾或濕）有要求之技術係和光敏性聚酯材料不相 容。通常使用圖樣化之技術係爲鐳射熔削（abiati〇n)。 使用鐳射熔削時，高鐳射強度和較長之照射時間爲必須， 以自基板之選定區域上移除聚合物材料。高鐳射強度和較 長之照射時間，可能會損傷金屬化或聚合物下之銦錫氧化 物層，反而影響該裝置。再者，鐳射熔削並無法完全移除 聚合物材料’因在該層變得較薄時，光的吸收能力會下降。 無法自帽盖連接區域完全移除聚合物材料可能導致缺陷封 裝，造成失敗。 由上述之討論證明，提供具有可靠封裝的電激發光裝置 是受到期盼的。 再者，OLED裝置之有機功能層包括，如溶解在溶液中之 共輛聚合物。聚合物係藉如旋塗或刮刀成型（doctor blading) 技術或其他沉積/印刷技術沉積於基板上。一般而言，有機 層係非常薄，例如約50至400nm。因有機層非常薄，在該 層中很小的偏差或不均勻性可能導致裝置動作時的光學缺 陷。 有機層塗覆在備有圖樣化結構的玻璃基板上，諸如金屬 互連和銦錫氧化物電極結構。 不同的結構會在基板表面產生不均勻的形貌。依基板之 形貌，在不同的材料下具有不同的表面能量，使得提供均 勻之有機層成爲困難。 爲了改善有機層塗覆之均勻性，可採取各種解決方案。 -7- 1231724 此等解決方案包括，藉氧氣或電漿處理基板表面，選擇適 當之金屬使有機層展現較佳之塗覆成果，或修改有機材料 以產生較佳之塗覆特性。然而，此等解決方案是無益的， 此乃因有機材料之較佳塗覆特性之達成係藉由犧牲可製造 性，導致成本提高及/或使功能衰減。 由上所論述之事實，在有機裝置中提供均勻的有機功能 層而不會相反地影響裝置特性或增加製造成本，是更受到 期盼的。 (三） 、發明內容 本發明係關於電激發光裝置之密封。該電激發光裝置包 括：具有一活性區域而至少一 OLED單胞形成於其上之基 板；圍繞該活性區域之帽蓋連接區域；諸如光阻之保護層， 係提供在帽蓋焊線連接的活性區中。保護層允許用於形成 OLED的聚合物材料自帽蓋連接區域中移除，而不會損壞保 護層以下之各層。此會改善基板和帽蓋之間的密封。 本發明之另一項觀點係關於在有機裝置中有機層之均勻 沉積。該有機裝置包括一基板，其中有機層沉積在基板上， 或諸如電極、金屬互連部的其他層之上。諸如光阻之同質 層，其具有有機材料而呈現良好之塗覆特性，係被提供於 有機層之下。此避免可能影響基板上有機層均勻沉積之下 層金屬，導致例如在OLED單胞中的有害的效應。 (四） 、實施方式 第2圖中係顯示依照本發明之一實施例之有機裝置200。 該裝置包括一基板2 0 1，其具有一或多個活性元件形成在其 1231724 之主動區域2 8 5中。在一實施例中，該等主動元件包括一 或多個形成OLED裝置之OLED單胞。提供具有有機材料 之其他型式之主動元件，同時可用於形成其他型式之裝置。 在一實施例中，基板包括諸如玻璃之透明基板。可作爲 支撐OLED單胞之基板的其他型式透明材料，亦同時可使 用。例如：塑膠薄膜可應用於當作基板。塑膠材料對於形 成可撓性裝置係特別有用。非透明材料，諸如矽，係同時 可使用，特別是在由帽蓋觀點之應用。 一 OLED單胞包括1或多個夾於第一和第二電極205和 215間之有機層（有機堆疊）210。較佳地，該有機層係包括 共軛聚合物。其他型式有機材料例如低分子材料，寡聚合 物，starburst混合物或dendrimer材料，係亦可使用。該些 材料包括 tris-(8-hydroxyquinolate)-Aluminun(Alq)， poly(p-phenylenevinylene)(PPV)或 polyfluorene(PF)。其他 型式包括螢光或磷光系之功能性有機層，亦可使用。在一 實施例中，一電洞傳輸層（HTL)係包括在有機堆疊210中。 該 HTL 包括諸如一般含 polyaniline(Pani)或 polythylenedioxythiophene (Pedot)之聚合物混合物。有機 堆疊之厚度一般係在2至500nm。 第一電極205作爲諸如陽極，此時第二電極（2 15)作爲陰 極。至少一個電極包括透明導電材料，如銦錫氧化物（IT0)。 陰極和陽極可依所需作圖樣化，以形成一或多個OLED單 胞。如陰極和陽極分別在第一和第二方向形成條狀，以創 造出像素化的裝置。其他圖樣亦爲有用的。一般而言，第 -9- 1231724 一和第二方向係彼此垂直。 帽蓋260係連接至基板中圍繞活性區域的帽蓋連接區 域，封裝OLED單胞。帽蓋產生一空腔245以保護單胞免 於因帽蓋受到碰撞而損傷。 裝置之主動區域可能包括，例如用於圖樣化裝置層的成 形墩柱（未顯示）。具有挖除下部的成形墩柱係用於圖樣化 頂部電極。成形墩柱之使用係敘述在例如”結構化電極之生 產”（US200 1/00 1 75 1 6A1)和”〇LED 裝置中電極之圖樣 化”（PCT/SG00/00 1 34)中，其係在此結合而參照到所有使用 目的。 基板係包括位於主動（active)區域28 5外側之第一電極205 之導電互連部。該互連部包括，例如金屬。如前所述，金屬 之互連部可能不利地影響有機層之均勻性。此有機層之不 平坦可能會從非活動區域之外側滲透進入此主動區域，其 中有機層係與下面之金屬層接觸，因此，不利地影響活性 元件。 依照本發明之一實施例，同質層275係提供在基板上活 性區域之外側。該同質層覆蓋基板之非活性區域中的金屬 互連部。該同質層包括在有機層中用於提升均勻性以形成 活性元件之材料。藉由覆蓋金屬互連部，有機層不均勻之 不利效應係被降低或防止。較佳地，該材料包括防止互連 部短路之絕緣材料。爲了同質層之材料導電之應用，須在 保護層之下提供一同質層。更佳地’同質層係由相容於裝 置之製造方法的材料所形成。例如，該材料須易於沉積在 - 1 0 - 1231724 基板上，或易於選擇性移除以露出所需之下層互連部分。 較佳地，該材料可被沉積或藉使用已用於製造該裝置之製 程而易於移除，因此可避免額外之工具或化學特性需求。 在另一實施例中，同質層包括諸如光阻之光敏性材料。其 他型式之光敏性材料，如聚硫亞胺（polyimide)亦爲有用。 非光敏性材料如樹酯或非光敏性聚硫亞胺亦可被使用。具 有良好塗覆特性之其他形式有機材料，亦能被使用。這些 包括，如 Novolak 樹酯，polybenzoxazole，pery 1 ene ° 同質層同時可有利地當作表面保護層。例如，在主動區 域外之有機層部份可能須被移除，使得在帽蓋連接區域中 提升帽蓋和基板之間的黏著性或露出用於銲墊之下層金屬 互連部。有機層之移除一般係藉鐳射熔削達成。然而，鐳 射熔削可能損傷金屬互連部，引起裝置瑕疵或性能之不良 影響。藉提供有機層下方之同質層，金屬互連部可被保護 免於在鐳射熔削製程中受到損傷。同質層之厚度須足夠， 以降低或消除在不均勻有機層上之互連金屬部的不良效 應。另外，同質層須足夠厚，以保護其下方之各層免於在 選擇性移除聚合物材料的製程中受到損傷。一般而言，其 厚度約〇·5〜2微米。其他厚度亦可被使用。 弟3圖係顯不依照本發明之另一實施例之電激發光裝置 200。該裝置包括一個基板201，其係具有一或多個0LED 單胞形成於其中的主動區域2 8 5。在一實施例中，基板包括 和基板相同材質的電激發光裝置係顯示於第2圖中。 顯示於第3圖之OLED單胞同時可能包括和第2圖裝置 1231724 相同的功能堆疊，由夾於第一和第二電極2 Ο 5和2 1 5之間 的一或多個有機層（聚合物堆疊）2 10組成。 陰極和陽極可依第2圖所述之裝置的相同方式，依照需 求圖樣化而形成一或多個OLED單胞。銲墊250係電氣耦 合至陰極和陽極。 帽蓋260係連接至基板中圍繞主動區域之帽蓋連接區 域，密封該些OLED單胞。該帽蓋產生一空腔245以保護 該些單胞免於因實際碰撞帽蓋而損傷。在一實施例中，該 帽蓋包括密封環或密封條（gasket)形成於其上之帽蓋基板。 該帽蓋基板可由如玻璃形成。其他可作爲帽蓋基板之材料， 諸如金屬或陶瓷亦可被使用。該密封環，例如可由光阻形 成。其它材料，諸如矽玻璃，矽氧化物或陶瓷亦可被使用。 黏合劑係用作接合帽蓋至基板。黏合劑包括，諸如環氧樹 酯系之樹酯，矽化物，胺基甲酸酯，丙烯或烯化合物。該 樹酯可以是紫外線或高溫塑形之樹酯。提供由樹酯接合劑 形成之密封環係同時爲有用的。選用地，帽蓋係由例如壓 鑄金屬或蝕刻玻璃，預製形成。 裝置之主動區域可能包括，例如成形墩柱。包括挖除下 部之成形墩柱係用於圖樣化頂部電極。成形墩柱之使用係 敘述在例如”結構化電極之生產”（US200 1 /00 1 75 1 6A1) 和”OLED裝置中電極之圖樣化”（PCT/SG00/00 1 345)中，其 係在此結合而參照到所有使用目的。可替代地或除了地成 形墩柱之外，間隔物質可被提供於基板上。間隔物質作爲 支撐帽蓋，防止其與OLED單胞接觸。間隔物質之使用， 1231724 係敘述在例如：”電器裝置之封裝，，（USSN09/9 893 62)，”有 機OLED裝置之改善密封”（pCt/SG99/00 1 45)，，，具有改良密 封之〇LED裝置”（PCT/SG99/00 1 43)，其係在此結合而參照 到所有使用目的。 依照本發明之一實施例，用以當做保護層之同質層275 係提供在基板上的帽蓋連接區域之中。該帽蓋係接觸保護 層表面。在保護層下之不同層，如用於各電極之間的金屬 互連部及/或諸如ITO電極，係被保護在聚合物層移除時免 於受到損傷。因保護層當作是封裝的一部份，其須展現充 分的機械穩定度，良好之黏合特性和低滲透率，以確保帽 蓋和基板間較佳之密封。若表面保護層直接在金屬互連部 上’其須由絕緣材料形成。較佳地，表面保護層係由和OLED 製程相容之材料形成。典型地，表面保護層之厚度約爲 0.5〜5 0微米。其他厚度亦爲可用。在一實施例中，表面保 護層包括光阻。其他形式之光敏材料，諸如樹酯或非光敏 聚合物，亦亦爲可用。 第4〜9圖係顯示依照本發明之一實施例之製造〇LED裝 置的方法。參照第4圖，係提供基板3 0 1。在一實施例中， 基板包括透明基板，例如蘇打生石灰或砂酸硼玻璃。其他 形式之透明材料亦可使用當作基板。該基板一般係爲 0.4〜1.1毫米厚。 在另一實施例中，基板包括薄式可撓性基板。薄式可撓 性基板係由例如塑膠膜形成，如PET，PBT，PEN，PC，PT， PSO，PES，PE，PP，PVC，PS，PMMA，亦可使用以形成 1231724 基板。選用的材料包栝，如··超薄玻璃（如厚度介於i 〇〜i 〇〇 微米之間）’包括玻璃和聚合物之合成堆疊或塗覆在非有機 阻障層上之聚合物薄膜，亦可被使用。 基板係備製第一電極3 0 5。第一電極係至少位於在活性 區域。第一電極係作爲，如陽極。陽極之形成可藉如，沉 積及圖樣化基板上之導電層。不同之技術，如光照圖像， 亦可被用於圖樣化導電層。在一實施例中，陽極係以條狀 配置於第一方向中。具有其他圖樣之陽極亦可使用。在一 實例中’導電材料包括諸如銦錫氧化物（ITO)之透明導電材 料。其他透明導電材料，例如銦鋅氧化物、鋅氧化物、錫 氧化物，亦爲可用。 互連部3 7 5係提供於基板上活性區域之外。互連部係耦 合至例如電極。在一實施例中，導電層係沉積於基板上且 圖樣化以形成電氣互連部3 7 5和銲墊。導電層包括例如鋁、 銀、金或鉻。導電層之圖樣化可藉由傳統之光罩和蝕刻技 術達成。 參照第5圖，裝置層43 0係沉積於基板上。在一實施例 中，裝置層包括光阻。不同形式之光阻，例如正或負動作 型，皆可使用。其他形式之光敏材料或提升活性聚合物層 之均勻性的非光敏材料，亦可使用。若裝置層包括導電材 料，在有需要時，須提供一絕緣層於其下方，以防止互連 部短路。 參照第6圖，裝置層係接著圖樣化以形成一同質層575 於活性區域外部之區域。若採用光敏裝置層，依照正或負 -14 一 1231724 光敏材料，選擇性的圖樣化露出部分且移除露出或不需要 的部分’係被採用。另一方面，習知之光罩和蝕科技術可 備用於圖樣化非光敏裝置層。 參照第7圖，係爲後續完成製造OLED裝置之製程。各 種不同之習知技術可用於完成OLED裝置。在一實施例中， 成形墩柱68 5係形成於基板上。該成形墩柱包括挖除下部， 諸如V字形外廓，以在沉積時充分地遮斷導電層。較佳地， 成形墩柱係由一單層材料形成。在一實施例中，成形墩柱 係由包括負光阻之單層材料形成。其他形式之光敏材料亦 可被使用。非光敏材料亦可被使用以形成該成形墩柱。選 用地’該成形墩柱係由多數層所形成，以創造出一 T字形 外廓。該多數層可由光敏及/或非光敏材料形成。 在墩柱形成後，功能性有機層6 1 0係沉積於基板上。在 一實施例中，功能性有機層6 1 0係包括共軛聚合物。其他 形式之有機材料亦可使用。聚合物係藉由例如旋塗（spincoating)而沉積 。其 他沉積 技術亦 爲可用 。外 加之功 能層係 被沉積以形成功能性有機堆疊。不同型式之聚合物可被沉 積以形成多種色彩之OLED裝置。在主動區域外側之金屬 層下所存在的同質層，是用以確保聚合物有一良好之均勻 沈積。 參照第 8圖，第二導電層7 1 5係形成於基板上。該導 電層包括例如：鈣、鎂、鋇、銀、鋁或其混合物，或其合 金。特別地，這些包括低工作函數（work function)，亦可 被使用以形成第二導電層。選用地，第二導電層包括離子混 - 15 - 1231724 合物’ S者如親化鋰（LiF)、贏化鎂（MgF)或氟化鉋（CsF)。在 一實施例中，第二導電層包括鈣。鈣層係藉例如以1奈米/ 秒（nm/s)之熱蒸發和1〇·5毫巴（mbar)之壓力而沉積。選用 地’第二導電層包括組合層或多重層之堆疊。例如該堆疊 包括第一鈣層及緊隨在後之銀或鋁的第二導電層。各種沉 積技術，諸如熱蒸發，濺鍍（PVD)，化學氣相沉積（CVD)， 電漿提升化學氣相沉積（PECVD)或金屬有機化學氣相沉積 (MOCVD)，可被用於形成第二導電層。較佳地，陰影遮罩 係用於裝置之主動區域585中，以形成第二導電層。第二 導電層之沉積係由墩柱阻斷，以創造出第二電極或陰極。 該陰極和陽極之交叉點形成OLED單胞（cell)。 在活性區域外之有機層的部分係被移除，如第8圖所示。 蝕刻可藉例如鐳射熔削來被執行。在一實施例中，有機材 料可在第二電極形成前被移除。在第二電極形成後圖樣化 有機層亦可被使用。爲確保有機層完全被移除，係施行過 度蝕刻。過度蝕刻同時部分地移除當作表面保護層之同質 層。然而，在金屬互連部，因其受到表面保護層保護，而 不會有雷射熔削所導致的損傷。 如第9圖中所示，OLED裝置藉由安裝帽蓋860至基板上 之帽蓋連接區域而完成。在OLED裝置封裝後，在活性區 域外之同質層部分可使用習知之濕或乾式蝕刻技術而移 除，以露出聯交至電極之互連部。其它技術，例如鐳射熔 削亦可用於移除同質層。此處可以例如0.3焦耳/平方公分 之能量密度和248奈米之波長完成。 1231724 , 在一較佳實施例中，同質層的形成係爲製造OLED裝置 之現行製程的一部份。例如，在銲墊和互連部形成之後， 同質層之一部份可保留在基板上以當作表面保護層。 第10〜14圖係顯示依照本發明之一實施例之用於製造 O LED裝置的製程。參照第10圖，係提供一基板301。在 一實施例中，基板包括一透明基板，包括蘇打石灰或鋇矽 化物玻璃。如第4圖中所述之其他型式透明基板，亦可被 使用。 基板包括形成在其表面上之第一^電極305。第一*電極當 作，例如陽極。陽極可藉沉積和圖樣化基板上之導電層而 形成。各種技術，如光照圖像可被用於圖樣化導電層。在 一實施例中，陽極係在第一方向被配製成條狀。具有其他 圖像之陽極亦爲可用。在一實施例中，導電材料包括例如 銦錫氧化物（IT0)之透明導電材料。其它透明導電材料，例 如銦鋅氧化物，鋅氧化物，錫氧化物，亦可使用。銲墊和 其他互連部亦包括在基板之上。銲墊和互連部係藉沉積和 圖樣化導電層而完成。導電層包括諸如鋁、銀、金、鉻之 類金屬。圖樣化導電層可使用習知之光罩和蝕刻技術達成。 裝置層3 72係沉積於基板上。在一實施例中，表面保護 層包括光阻。各種形式光阻，例如正或負動作型，均可使 用。其他形式之光敏材料或非光敏材料，亦可使用。如第1 1 圖所示，裝置層係接著圖樣化，以形成在基板上的帽蓋連 接區域中之表面保護層475。若使用光敏裝置層，依照使用 正或負光敏材料，藉選擇性露出部分且移除該露出或非期 -17- 1231724 望之部分而圖樣化。另一方面，習知之光罩和蝕刻技術亦 可用於圖樣化非光敏裝置層。 參照第1 2圖，係爲後續完成製造〇LED裝置製程。各種 不同之習知技術可用於完成OLED裝置。在一實施例中， 成形墩柱5 84係形成於基板上。該成形墩柱包括挖除下部， 諸如V字形外廓，以在沉積時充分地遮斷導電層。較佳地， 成形墩柱係由一單層材料形成。在一實施例中，成形墩柱 係由包括負光阻之單層材料形成。其他形式之光敏材料亦 可被使用。非光敏材料亦可被使用以形成該成形墩柱。選 用地，該成形墩柱係由多數層所形成，以創造出一 T字形 外廓。該多數層可由光敏及/或非光敏材料形成。 在墩柱形成後，功能性有機層5 1 0係沉積於基板上。在 一實施例中，功能性有機層5 1 0係包括共軛聚合物。其他 形式之有機材料亦可使用。聚合物係藉由例如旋塗（spin-coating)而沉積 。其 他沉積 技術亦 爲可用 。外 加之功 能層係 被沉積以形成功能性有機堆疊。不同型式之聚合物可被沉 積以形成多種色彩之OLED裝置。 參照第1 3圖，第二導電層6 1 5係形成於基板上。該導 電層包括例如：鈣、鎂、鋇、銀、鋁或其混合物，或其合 金。特別地，這些包括低工作功能，亦可被使用以形成第 二導電層。選用地，第二導電層包括離子混合物，諸如氟 化鋰（LiF)、氟化鎂（MgF)或氟化絶（CsF)。在一實施例中， 第二導電層包括鈣。鈣層係藉例如以1奈米/秒（nm/s)之熱 蒸發和1〇·5毫巴（mb ar)之壓力而沉積。選用地，如第8圖 1231724 .. 所示，第二導電層包括相同之組合層或多重層之堆疊。如 第8圖所示，各層之配置使用相同方法沉積於基板上。 在帽蓋連接區域之聚合物層，可藉例如鐳射熔削而移除 或鈾刻。在一實施例中，聚合物係在在第二電極形成前被 移除。爲確保有機層完全被移除，係施行過度蝕刻。過度 蝕刻同時部分地移除表面保護層。然而，在金屬互連部， 因其受到表面保護層保護，而不會有雷射熔削所導致的損 傷。 如第14圖中所示，OLED裝置藉由安裝帽蓋760至基板 鲁 上之帽蓋連接區域而完成。表面保護層和帽蓋密封環形成 在帽蓋和基板間之介面。黏合樹酯可用於連接帽蓋和基板。 在一實施例中，黏合劑在基板和帽蓋間呈現良好之連接和 阻障特性，以緊密地密封OLED裝置。黏合劑包括，諸如 環氧樹酯系之樹酯，矽化物，胺基甲酸酯，丙烯或烯化合 物。該樹酯可以是紫外線或高溫塑形之樹酯。藉由使用保 護層，設計一個具有所需特性的密封系統（如黏合劑，帽蓋 材料和保護層材料）是很有彈性的。 鲁 在OLED裝置封裝後，在活性區域外之聚合物部分可使 用例如濕式蝕刻技術而移除。因裝置之活性區域係爲密封， 化學作用不會對OLED裝置有不良影響。 在一實施例中，表面保護層係以既有製程之製造OLED 製程一部份而形成。例如，在銲墊和當作表面保護層之互 連部形成後，光阻層之一部份可保留在基板上。選用地， 用於形成成形墩柱之裝置層，可有利的圖樣化，以包括表 -19- 1231724 面保護層。 本發明之保護範圍，並不限於如上所述之實例。本發明 係在各新穎特性和各特性組合之具體化，其包括在申請專 利範圍中所述之任何特徵的各種組合，即使這些特徵的組 合並未在申請專利範圍中詳細敘述。 (五）、圖示簡單說明 第1圖顯示一習知OLED裝置； 弟2圖顯不本發明之一*實施例； 第3圖顯示本發明之一實施例； 第4〜9圖顯示顯示依照本發明之一實施例，製造OLE D裝 置之製程； 第10〜14圖顯示顯示依照本發明之另一實施例，製造〇LED 裝置之製程； 元件代表符號簡單說明： 100 電激發光裝置 102 基板

105 透明導電層 no 有機功能層 115 導電層 145 空腔 151 銲墊 161 帽蓋 185 主動區域 2〇〇 有機/電激發光裝置 1231724 20 1 基 板 205 第 一 電 極 210 有 機 層 2 15 第 二 電 極 245 空 腔 250 靜 墊 260 帽 蓋 275 同 質 層 285 主 動 區 域 301 基 板 305 第 一 電 極 372 裝 置 層 3 75 互 連 部 430 裝 置 層 475 表 面 保 護 層 5 10 功 能 性 有 機 層 575 同 質 層 585 主 動 域 610 功 能 性 有 機 層 615 第 二 導 電 層 5 84,685 成 形 墩 柱 715 第 二 導 電 層 860 帽蓋

Claims (1)

1. —籍ΓΓ▼請專利範圍： 第92 1 1 2 1 28號「OLED裝置和電激發光裝置」專利案 (93年11月修正） 1 . 一種OLED裝置，包括： 一具有一活性（active)區域之基板； 一圍繞該活性區域之帽蓋連接區域； 一位於金屬化層之上之同質層，該同質層提升該基板上 有機層之塗覆的均勻性，且因此降低或防止金屬的不良 效應，及 一在該帽蓋連接區域連接至基板的帽蓋。 2 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 非導電材料。 3 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括提 升有機層均勻性之材料。 4 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 光敏材料。 5 ·如申請專利範圍第4項之裝置，其中該光敏材料包括光 阻或聚硫亞胺（polyamide)。 6 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係包括一 非光敏材料。 7 ·如申請專利範圍第6項之裝置，其中該非光敏材料包括 聚硫亞胺（polyamide)。 8·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該同質層係同時作 爲一表面保護層。 其中該表面保護層允許

   9 ·如申請專利範圍第S項之裝置， 一卜 1231724 自OLED單胞中移除聚硫亞胺材料，而不會損壞裝置層 或保護層以下之各層。 如申請專利範圍第9項之裝置’其中一黏合劑係作爲連 接該帽蓋至該基板。 如申請專利範圍第10項之裝置，其中該帽蓋，該保護層 和黏合劑係形成一密封系統。 1 2 ·如申請專利範圍第11項之裝置，其中該密封系統之材料 係可選擇以提供所要的密封特性。

   1 3.如申請專利範圍第1 0項之裝置，其中該黏合劑包括一樹 M· —電激發光裝置，包括： 一具有一活性區域中含有0LED單胞之基板； 一圍繞該活性區域之帽蓋連接區域； 一位於該帽蓋連接區域中之保護層，該保護層允許自該 0LED單胞中移除聚硫亞胺材料，而不會損壞裝置層或保 護層以下之各層；及 一在該帽蓋連接區域連接至基板的帽蓋。

   -2-