TW200400470A - Retroreflective integrated circuit sealed product - Google Patents

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200400470 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明） 1 .發明所屬之技術領域 本發明揭示一種回復反射性積體電路密封產品，包含具 ~ 有內裝積體電路之積體電路模組、回復反射性元件、及其 v 等之載體層。 詳細地，本發明揭示一種回復反射性積體電路密封產品 ，其中積體電路模組具有內裝射頻識別型積體電路，而且 放置所連接到射頻識別型積體電路之通訊天線；其經由外 · 部端或天線來和積體電路模組交換資訊；而其根據回復反 射性原理來照射在遠距地方之產品或所有人，而尤其在夜 間也可認知本發明產品之位置或產品所有人之趨近。 更明確地，.本發明揭示一種回復反射性電路密封產品， 其上述之通訊天線形成在回復反射性元件的反射表面上。 2 .先前技術 習用I C卡包含：具有內裝積體電路之積體電路模組、以 模組之核心（c ο 1· e )及/或內載體層來形成的載體層（c a I* r y i n g ^ layer)、及用於分別地保護載體層之上表面及下表面的上 保護層及下保護層。本積層經由在上保護層上所設置之外 部接點端、或在載體層上所設置通訊天線，而在積體電路 及外部裝置間交換資訊。 其中設置接點端之習用接觸式I C卡，經由在上保護層上 所設置之外部接點端來和外部讀取及寫入裝置（下文稱爲 讀取寫入器）實施電子信號資訊交換及供給電力，而且供給 200400470 電力到讀取寫入器。 而且，其中設置通訊天線之非接觸式I c卡（在下文也簡 稱天線），在積體電路模組諸如積體電路之例如射頻識別型 ， 積體電路、及外部讀取寫入器間，來實施電力供給及電子 ， 信號資訊之交換。非接觸式I c卡進一步分類成密接式（2 m m 或更小）、近接式（1 〇 C m或更小）、鄰接式（7 0 c m或更小）及 遠距式（7 0 c m或以上）。通常，分別地涵蓋小射頻範圍之密 接式及近接式使用短波、鄰接式使用長波，而遠距式使用 $ 微波。 目前已有提議形成其中設置天線之上述非接觸式I C卡 的各種方法。下述方法是上述眾所週知之各種方法：一種 經由諸如蝕刻方式來局部地去除預先形成之金屬層來形成 天線的方法；一種經由局部形成金屬層來形成天線之方法 ;一種使用導電印墨來形成天線之方法；及一種以繞捲金 屬細導線如線圈來形成天線之方法。 下文所列述爲說明上述天線形成方法之先前技術·· Η 〇 r i ο φ 氏之日本公報專利申請案第1 1 ( 1 9 9 9 ) - 3 4 4 6 1號及其對應之 美國專利第6 J 6 0，5 2 6號；E k e f u j i氏等之日本專利公報申 請案第1 〇 ( 1 9 9 8 ) - 3 2 0 5 1 9號及其對應之歐洲專利申請案公 報第EP 1 0 1 4 3 0 1 A1號；OHhara氏等之日本專利申請案公 報第8 ( 1 9 9 6 ) - 2 8 7 2 0 8號及其對應美國專利第5，7 0 5 , 8 5 2號 ;Ο k a m u r a氏等之日本專利申請案公報第2 0 0 2 - 0 7 4 3 0 1號 及其對應美國專利申請案公報第US 2 0 02/2 44 7 5 A1號；Hayashi 氏等之日本專利申請案公報第2 0 0 0 - 2 5 1 0 4 7號及其對應之 200400470 歐洲專利案公報第E P 1 0 3 3 7 7 8 A 2號；及日本專利申請案公 報第2 0 0 0 - 1 0 5 8 1 0號及其對應之歐洲專利申請案公報第 E P 1 0 3 9 4 1 1 A 1號。假設說明這些專利已說明完整。 · 設置許多回復反射性元件在其上之回復反射性薄片及回 、 復反射性模塑產品（這兩者在下文中簡稱回復反射性薄片）

，分別地使用爲交通標誌、安全工具、反射黏貼物、商用 標誌及光感測反射器、尤其用於在夜間對光源來反射光做 爲安全及指示工具。 I 在上述回復反射性薄片之情形中，許多微小玻璃珠型或 直角稜柱體型之回復反射性元件設置在薄片內，而且薄片 設計使得進入回復反射性元件之光再次反射向光源。 例如，McGrath氏之美國專利第4,0 2 5, 1 5 9號揭示使用微 小玻璃珠型回復反射性元件，而Hoopman氏之美國專利第 4，5 8 8 , 2 5 8號揭示使用直角稜柱體型回復反射性元件。而且 ，M i m 11 r a氏之美國專利揭示使用回復反射斜角度已改良的 直角稜柱體型回復反射性薄片。 φ 而且，至於提供有回復反射性薄片及儲存媒介之產品， Tsukane氏等之日本專利申請案公報第5 9 ( 1 9 8 4 )- 5 8 6 3 0號 揭示一種具有玻璃珠所構成回復反射性層及磁性記錄層之 產品。

Bantli氏之日本專利申請案公報第9 ( 1 9 9 7 )- 5 0 8 9 8 3號揭 示一種整合式回復反射性電子顯示裝置。根據本專利之說 明揭示一種回復反射性裝置，用於目視及電磁資訊之通訊 ，其提供具有目視資訊之回復反射性薄片，用於回復反射 200400470 入射光；而且包括基底薄片，在其整個表面內埋置單層回 回復反射性微小珠群；回復反射性薄片構成，是由底板或 分別地配置在微小珠群下而通過透明材料之光規則反射裝 置、用於電磁通訊之天線裝置、及允許和天線裝置耦合之 耦合裝置。 而且，Bantli氏之日本專利申請案公報第11(1999)- 5 0 5 0 5 0號揭示一種具有安全識別裝置之電子牌照。根據本 專利之說明，揭示一種使用於電子式車輛通訊裝置之電子 牌照裝置，用於多數遙控交通管理站和電子式牌照的通訊 ，其包括：牌照，包括用於儲存目視識別資訊之識別裝置 ;限定資訊，包括至少一種型式之車輛識別資訊，而且其 不依賴遠距站或車輛而定來能改變；資訊裝置，用於儲存 能視至少其一遠距站或車輛而定來改變之非限定資訊；通 訊裝置，作業上可連接識別裝置及資訊裝置來處理和遠距 站之通訊內容；天線裝置，用於傳發和通訊站之通訊內容 ;及設定裝置，其固定在車輛，而且其可交換地設置車輛 之牌照部份，以便改變牌照部份而不用交換資訊裝置。

Martin氏之日本專利申請案公報第4 ( 1 9 9 2 )- 2 2 9 2 4 4號揭 示一種形成回復反射性微稜柱體薄片之方法，在其部份上 以在回復反射性微稜柱體表面所形成之金屬附著層上局部 地形成黏合層來形成金屬層，而且去除不受黏合層所保護 之金屬層。而且，所述較佳地使用在後述處理之溶劑處理 步驟沒有極度不良影響之壓合膠黏劑，用於局部所形成的 黏合層（保護性塗層材料）。而且，所述印刷方法做爲設置 200400470 方法。 更進一步，Martin氏之日本專利申請案公報第1 ( 1 9 8 9 )-2 3 1 0 0 4號揭示一種形成回復反射性微稜柱體薄片之方法 ’ ，在其上沒有以在回復反射性稜柱體表面上所形成金屬附 v 著層上局部地形成黏合層而局部地形成金屬層，而且去除 沒有黏合層所保護的金屬層；以及一種形成回復反射性微 稜柱體薄片之方法，在薄片上沒有以在回復反射性微稜柱 體表面上局部地設置材料來局部地形成金屬層，然後施加 0 金屬沈積，然後去除局部覆蓋材料。 更進一步，通常使用以雷射來去除沈積層之方法。 G a U η 〇 s氏之美國專利第4，2 0 0，8 7 5號揭示一種方法，根 據預定圖型以雷射法在透鏡曝光型回復反射性薄片上形成 影像。 然而，上述任一專利都沒有揭示回復反射性積體電路密 封產品，包含至少具有內裝積體電路之積體電路模組、回 復反射性元件、及其載體層，明確地，回復反射性積體電 鲁 路密封產品，其中積體電路模組具有內裝射頻識別型積體 電路，而且設置所連接到射頻識別型積體電路之通訊天線 ，更明確地，回復反射性積體電路密封產品，其中通訊天 線形成在回復反射性元件之反射表面上。 發明解決之問題 上述接觸式I C卡具有問題，在於I C卡內所儲存資訊內 容沒有將卡片插入到讀取寫入器內不能通訊。而且，非接 觸式I C卡具有問題，在於I C卡必需接近到無線電波可識 200400470 別該i c卡之距離處，因此，無線電波在識別距離之前不能 先識別1C卡。 更進一步，在收費道路上根據使用非接觸式IC卡之互 動無線電通訊的收費調整系統情形中（下文中稱爲行進車 輛收費系統），問題在於因爲IC卡及讀取寫入器（路邊通訊 天線）間之距離長，所通常必需要以設置車輛安裝單元在車 輛內來支援和I c卡的通訊。 因此，困難在識別具有IC卡之車輛或是付現金之一般車 輛。尤其，問題在夜間時收費員在混合行進自動收費系統 及付現金之收費站尤其不能預先目視地認知車輛。 而且，在具有內裝1C卡之車輛有效標籤（下文稱爲1C標 籤）附著在車輛之玻璃窗等，目的在停車許可證明、會員證 明、繳稅證明或車輛證明之情形中，不是不可能在日間自 遠地來預先認知。然而，尤其在夜間，不可能自遠距離來 確認是否附著標籤。 3 .發明內容 (發明解決之裝置） 本發明以配置許多回復反射性元件在密封積體電路模組 之I C卡上，使得可向光源來反射外部光做爲解決上述問題 之裝置。 更明確地，回復反射性積體電路密封產品包含至少具有 內裝積體電路之積體電路模組、回復反射性元件及其載體 層，使得以配置許多回復反射性元件在任一上述載體層上 ，而可向光源來反射外部光。 本發明所使用之回復反射性元件包含直角稜柱體型回復 -10- 200400470 反射性元件（下文稱爲c c元件）或微小玻璃珠型回復反射 性元件。 本發明較佳模態之回復反射性元件的c C元件，可使用 · 具有相互垂直之三個反射表面，諸如三角錐形c C元件、 ， 六角形C C元件、或帳蓬式C C元件。尤其，三角錐形C C 元件較佳，因爲其可容易地形成微小回復反射性元件，因 而形成薄片產品。 這些c C元件可分別地使用一種平面鏡反射型C C元件， 0 以形成金屬薄膜層如同微小玻璃珠型回復反射性元件，來 使得在稜鏡體反射表面上之光反射；或一種內部全反射型 c C元件，以使用具有小折射係數之層諸如空氣層形成在稜 鏡體背面的元件，而根據內部全反射原理來使得在稜鏡體 反射表面上之光反射。內部全反射型c C元件在預先認知 性較佳，因爲其不必要形成金屬薄膜層如同微小玻璃珠型 回復反射性元件之情形，因而回復反射性積體電路密封產 品不會依視金屬薄膜層之顏色而變黑暗。 · 而且，在非接觸式回復反射性積體電路密封產品之情形 中，內部全反射型c C元件比較上述微小玻璃珠型回復反 射性元件或平面鏡反射型c C元件更佳，因爲金屬薄膜層 不吸收使用於通訊之無線電波。爲防止無線電波被吸收而 可獲得相同優點，除非形成微小玻璃珠型回復反射性元件 之金屬薄膜層。然而，缺點在於預先認知性劣化，因爲回 復反射面積減少。 微小玻璃珠型回復反射性元件可使用埋置式透鏡型式， 200400470 其可以形成樹脂薄層來製備，用於根據必要性而調整較佳 地具有3 0至5 0 0 μηι直徑及1 . 4至2 . 5之折射係數之微小玻 璃珠上的焦點距離，然後以真空沈積法或化學電鍍諸如鋁 _ 、或銀之金屬來處理微小玻璃珠4 0 %到7 0 %的表面積，因 薦 而形成金屬薄膜層。 埋置式回復反射性元件較佳地使用於回復反射性薄片， 其由回復反射部所構成及具有3 0至5 0 0 μ m直徑之微小玻 璃珠型回復反射性元件來形成，其表面平滑而且覆蓋透明 φ 保護層。具有不小於3 0 μηι直徑以下之反射元件較不佳， 因爲繞射作用而光非常散光，而且回復反射性能劣化；或 則具有5 0 0 μ m直徑以上之反射元件也較不佳，因爲薄片厚 度變得太厚。 而且，可使用套管透鏡（c a p s u 1 e 1 e n s )型回復反射性元件 做爲微小玻璃珠型回復反射性元件。回復反射性薄片較佳 地是由回復反射部所構成及具有3 0至5 0 0 μηι之微小玻璃 珠型回復反射性元件來形成，而且構成表面保護層之塑膠 鲁 膜具有平滑及透明。具有小於3 0 μηι直徑之反射元件較不 佳，因爲繞射作用而使得光過度散光，而且回復反射性能 劣化；或則具有大於5 0 0 μ m直徑之反射元件不佳，因爲薄 片厚度變得過厚而且所形成影像之能見度劣化。 其允許構成本發明產品之載體層分成核心層及內層，核 心層用於裝載積體電路模組，而內層用於裝載核心層、回 復反射性元件或天線。而且，可在載體層上形成上及下保 護層來保護本發明產品之表面及背面。 -1 2- 200400470 其可在本發明產品之上及下保護層、核心層及/或內層所 形成載體層上設置積體電路模組及回復反射性元件。 其可在使用於本發明之上及下保護層上設置許多回復反 射性元件，而且形成變質保護層諸如印刷層、非回復反射 性金屬薄膜層、或全息照相層、及磁帶層及凹凸壓印層在 一起。 尤其，全息照相層在預防變質具有效用較優，其可以形 成凹凸層來形成，用於根據眾所週知之方法來形成全息照 相，而且根據必要性在各層上來形成鋁等之金屬薄膜層。 而且，當形成用於全息照相之金屬薄膜層時，在全息照相 金屬薄膜層之下部上可局部地形成矽樹脂等所製成之去除 層。因而，當再次去除本發明之附著產品時，在去除層及 全息照相金屬薄膜層間發生局部去除。因此，用於防止竊 盜有效用。 而且，因爲樹脂使用於上保護層、內層及尤其使用於其 上形成回復反射性元件之層，可使用透明樹脂薄片具有 5 0 %或以上之全光透射比，諸如氯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂 、聚酯樹脂、聚碳酸樹脂、或苯乙烯樹脂。然而，由耐熱 性觀點，使用丙烯酸樹脂、聚酯樹脂或聚碳酸樹脂尤佳。 尤其回復反射性積體電路密封產品設置在車輛內來使用之 情形中，較佳地使用具有高耐熱性之樹脂，使得即使在9 0 °C之高溫時樹脂之回復反射性質也不劣化，因爲產品會曝 露在高溫場所，諸如在熾熱陽光下之停車場。 而且，在上保護層可添加著色劑，諸如各種色料、染料、 200400470 螢光色料及螢光染料，來改良外觀；而且，在上保護層也 可添加紫外線吸收劑、光穩定劑及氧化抑制劑，來改良耐 候性及耐熱性。螢光著色劑較佳，因爲其在白天之能見度 較優。 下列是可摻混之較佳紫外線吸收劑： 對苯二酚: 對苯二酚、雙水楊酸對苯二酚等。 水楊酸 水楊酸苯酯、水楊酸對辛苯酯等。 2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮二羧酸 2 -經基- 4- (n-半氧基）一^本甲酬—殘酸 2 -羥基-4 -甲氧基-2 -羧基二苯甲酮二羧酸 2，4 -二羥基二苯甲酮二羧酸 2.2 -二羥基-4 5 4 -二甲氧基二苯甲酮二羧酸 2 -羥基-4 -苯甲基二苯甲酮二羧酸 2, 2-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮二羧酸 2 -經基-4 -甲氧基-5 -擴基—本甲嗣—殘酸 2，2，紅4 -四羥基二苯甲酮二羧酸 2.2 -二羥基-4，4 -二甲氧基-5 -磺基二苯甲酮二羧酸鈉 4 -十二烷羥基-2 _甲氧基二苯甲酮二羧酸 2 -羥基-5 -氯二苯甲酮二羧酸，等等。 苯並三唑 2 - ( 2 -羥基-5 -甲基苯基）-苯並三唑 200400470 2 _ ( 2 -羥基-5 -甲基苯基）-5 -羧酸丁基酯苯並三唑 2-(2 -羥基-5-甲基苯基）-5,6 -二氯苯並三唑 2-(2 -經基-5-甲基苯基）-5 -乙磺基苯並三_ · 2-(2 -經基-5-特丁基本基）-5 -氯本並二D坐 « 2-(2 -羥基-5-特丁基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-5-戊基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-3, 5 -二甲基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基- 3,5 -二甲基苯基）-5 -甲氧基苯並三唑 | 2-(2 -甲基-4-羥基苯基）苯並三唑 2-(2 -硬脂醯氧基-3, 5 -二甲基苯基）-5 -甲基苯並三唑 2 - ( 2 -羥基-5 -羧酸苯基）苯並三唑乙基酯 2 - ( 2 -羥基-3 -甲基-5 -二特丁基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-3, 5 -二特丁基苯基）-5 -氯苯並三唑 2-(2 -羥基-5-甲氧基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-5-苯基苯基）-5 -氯苯並三唑 2-(2 -羥基-5-環己苯基）苯並三唑 · 2 - ( 2 -羥基-4,5 -二甲基苯基）-5 -羧酸苯並三唑丁基酯 2-(2 -羥基- 3,5 -二氯苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-4,5 -二氯）苯並三唑 2-(2 -羥基-3, 5 -二甲基苯基）-5 -乙磺基苯並三唑 2 - ( 2 -羥基-5 -苯基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-4-八氧基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-5-甲氧基苯基）苯並三唑 2 - ( 2 -羥基-5 -甲氧基苯基）-5 -甲基苯並三唑 -15- 200400470 2 - ( 2 -羥基-5 -甲基苯基）-5 -羧酸酯苯並三唑 2-(2-酣酸基-5-甲基苯基）苯並三唑 2-(2 -羥基-3, 5 -二特丁基苯基）-5 -氯苯並三唑，等等。 在這些紫外線吸收劑中，二苯甲酮及苯並三唑適用，尤 其，如二苯甲酮，2,3 -二羥基-4,4 -二甲氧基苯並三唑、2,2-二羥基-4 -甲氧基苯基二苯甲酮、及2,2,4，4 -四羥基二苯甲 酮具有效用；如苯並三唑型，2-(2 -羥基-5 -甲基苯基）苯並 三唑、2-(2 -羥基-5·甲基苯基）-5,6 -二氯苯並三唑、2-(2 -羥 基-5-特丁基苯基）苯並三唑、2-(2 -羥基-3-甲基-5-特丁基苯 基）苯並三唑、2-(2 -羥基-3, 5 -二特丁基苯基）-5 -氯苯並三唑 、2-(2 -羥基-5-苯基苯基）-5 -氯苯並三唑、2·(2 -羥基- 3,5· 二特丁基苯基）-5 -氯苯並三唑、2-(2 -羥基-5-八氧基苯基） 苯並三Π坐等具有效用。 而且，做爲商用紫外線吸收劑，可使用苯並三唑型或二 苯甲酮型紫外線吸收劑。如苯並三唑型紫外線吸收劑，可 使用 ShiproKasei有限公司所製造之SEESORB 701、702 、703、704、706 或 709; Asa hi Denka Co.，Ltd.;所製造 A D K S T A B L A 3 1或L A 3 2 ; S u m i t o m o化學有限公司所製造 SUMISORB 250或Kyodo化學有限公司所製造VIOSORB。 更進一步，如二苯甲酮型紫外線吸收劑，可使用Asahi Denka 有限公司所製造 ADKSTAB 1413 或 LA51、Shipro K a s e i有限公司所製造S E E S 0 R B 1 0 1或 1 0 3、或S u m i t 〇 m 〇 化學有限公司所製造s U Μ I S 0 R B 1 1 0 S。 至於較佳之光穩定劑，受阻-胺型光穩定劑尤佳。而且， -16- 200400470 可摻合受阻-胺光穩定劑到本發明回復反射薄片之含螢光 染料層內，使得根據必要性來改善耐候性。如上述受阻-胺光穩定劑，具有叔胺結構分子量6 0 0或以上之氮己環型 · 受阻-胺光穩定劑尤佳，因爲其可保持耐候性。 . 做爲商用項目，可使用日本C i b a專業化學股份有限公司 所製造 TINUVIN 622LD-765、144 或 CHIMASSORB 119FL 、或Asa hi 〇6 111^有限公司所製造八0〖8丁八8 1^八52或1^八62 、或Sankyo有限公司所製造SANOLLS2626。 @ 可摻合各該受阻胺光穩定劑到單獨含螢光染料在〇 . 1至 5 wt % (重量百分比）範圍或和紫外線吸收劑或氧化抑制劑在 一起之層內。 而且，可導入各上述光穩定劑到樹脂骨架內，其構成含 螢光染料具有（甲基）丙烯酸酯形式之層。如上述反應型光 穩定劑，可使用1，2,2,6,6-五甲基氮己環基甲基丙烯酸、及 2，2，6 5 6 -四甲基氮己環基甲基丙烯酸。使得這些光穩定劑之 其一和構成樹脂諸如（甲基）丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、或氯 · 乙烯的其他單體共同聚合，可導入光穩定劑之群組到樹脂 之骨架內。 而且，可摻合苯（甲）酸酯型光穩定劑等到含著色劑諸如 染料或螢光染料之層內，使得提供耐候性。如可使用之苯 酸酯型光穩定劑，可以諸如日本C i b a專業化學股份有限公 司所製造TINUVIN 12 0(商標名稱）之苯酸酯型淬火劑爲範 例。 至於氧化抑制劑，可使用萘胺型、二苯胺型、或苯二胺 -1 7- 200400470 型氧化抑制劑做爲胺型氧化抑制劑，或氮萘型、醌醇型、 一元苯酚型、多苯酚型、或硫代二苯酚型氧化抑制劑做爲 苯酚型氧化抑制劑。 ‘ 也可配置許多回復反射性元件在使用於本發明之下保護 · 層上，而且根據必要性而形成印刷層、金屬沈積或全息照 相之變質保護層、或磁帶或凹凸壓印層。而且，可使用由 氯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸樹脂、或苯 乙烯樹脂所製成之樹脂薄片。然而，由耐熱性之觀點，使 φ 用丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、或聚碳酸樹脂尤佳。 以熱敏黏著劑、壓敏黏著劑或熱固之紫外線固化或電子 束固化交連型黏著劑、或熱熔化之裝置等其中的一，來使 得上述上及下保護層、核心層及內層相互連接。而且，較 佳地在設置內部全反射型c c元件之層的稜柱體回復反射 表面上，來形成空氣層。爲形成空氣層，可使用McGrath 專利所述之方法。 更進一步，可形成黏著劑層，使得IC卡附到外部支架諸 鲁 如在上及下保護層之表面上的玻璃或塑膠。下列適於使用 做爲黏著劑：熱敏黏著劑、壓敏黏著劑或交連型黏著劑。 尤其，爲使得I C卡附著在光透射基體材料諸如車窗內側 ，由光穿透性及耐熱性之觀點，較佳地使用聚（甲基）丙烯 酸樹脂型壓敏黏著劑。而且，較佳地以0 . 〇 5至5 W %之比例 來添加紫外線吸收劑、光穩定劑及氧化抑制劑，如同使用 於上述上保護層。

用於本發明之積體電路模組包含電子電路，諸如C P U -18- 200400470 (中央處理單元）、RAM(隨機存取記憶體）、ROM (唯讀記憶 體）、及E E P R Ο Μ (可電抹除規劃R Ο Μ )及所設計能執行處理 功能、儲存功能及輸入/輸出控制功能之電路。在接觸式I C * 卡之情形中，設置外部接點端。 - 沒有外部接點端之非接觸式I C卡，是本發明之較佳模態 ，其具有內裝之稱爲RF-ID(射頻識別1C)的非接觸式射頻 識別型積體電路。 而且，所設置天線，使得能和外部單元來通訊。以形成 φ 金屬膜或沈積金屬之如網線或環可設置本發明之天線在載 體層（核心層或內層）上。 因爲射頻識別型積體電路及通訊天線密封在本發明之產 品內，所以不需要自外部之供給電力之電源連接器或經由 介電來傳送電子信號之電磁耦合結構。因此，本發明之天 線及積體電路模組直接地或經由跳接線來相互地耦接，可 獲得如薄軟片之產品。 至於耦接方法，可使用導電黏著劑、各向異性接合薄片 ® 、焊接方法、銅焊方法或熔接方法。 非接觸式I C卡視積體電路密封積層及讀取寫入器或所 使用天線型式間之距離而分類成密接式（2 m m或以下）、近 接式（1 0 c m或以下）、鄰接式（7 0 c m或以下）及遠距式（7 0 c m 或以上）。通常，分別涵蓋小射頻範圍之密接式及近接式使 用短波，鄰接式使用長波，而遠距式使用微波。 爲形成本發明所使用之天線，可使用局部形成金屬薄膜 之局部形成法、局部去除金屬薄膜之局部去除法或局部去 -1 9- 200400470 除金屬薄膜之機械加工法。 至於局部設置法，可使用在薄片層上設置面罩，在其上 經由印刷法、罩幕法或石版印刷法來設置天線，然後以真 ‘ 空沈積、濺射、電鍍或化學鍍敷來形成所期望天線形狀之 -金屬薄膜層。 爲根據局部設置法來設置天線在微小玻璃珠型回復反射 性薄片上，可埋置微小玻璃珠在微小玻璃珠型回復反射性 薄片內，設置面罩在所設置微小玻璃珠元件處之側，而經 φ 由樹脂薄膜在微小玻璃珠元件上形成微小玻璃珠之金屬薄 膜層，而同時以真空沈積鋁在同一層上設置天線及金屬薄 膜層。如此所形成天線具有回復反射性能。而且，在稜柱 體型回復反射性薄片之情形中，可在同一層上同時在稜柱 體反射表面上形成天線及金屬薄膜層。 至於局部去除法，可使用根據化學蝕刻法、乾蝕刻法、 或機械去除法諸如雷射法或砂噴來局部去除金屬薄膜層之 方法，以便在其中以真空沈積、濺射、電鍍或化學鍍敷來 鲁 設置天線之薄片上預先形成金屬薄膜層後，來獲得所期望 天線形狀。 爲根據局部去除法在回復反射性薄片上設置天線，較佳 地經由根據習用方法真空沈積，在微小玻璃珠型回復反射 性薄片或稜柱體回復反射性薄片之整個表面上設置鋁；然 後，局部施加飩刻溶液以印刷法設置之天線形狀，而經由 蝕刻來形成天線，然後中性化及淸洗蝕刻溶液。 可使用酸及鹼各種型式之任一種來做爲可使用於化學蝕 -20- 200400470 刻溶液之製劑。可使用酸之實例包括鹽酸、硝酸及磷酸之 水溶液，而可使用鹼之實例包括氫氧化鈉及氫氧化鉀之水 溶液。雖然必要根據酸或鹼型式金屬薄膜層厚度及蝕刻速 · 率，來適當選擇化學蝕刻溶液之濃度，但是5至4 0 wt %可 · 做爲範例。 爲根據印刷法來實施化學蝕刻，較佳地添加各種形式巨 子化合物諸如聚乙二醇、聚丙二醇、藻朊酸鈉、聚丙烯酸 鹽、聚乙烯醇、及各種形式纖維素衍生物諸如羥乙基纖維 | 素、羧化甲基纖維素及甲基纖維素，來做爲黏度改良劑使 得可印刷性改善。可根據印刷法及印刷速率來適當地選擇 可使用黏度改良劑之形式及濃度，因此，其等沒有限制。 而且，較佳地在化學蝕刻溶液添加各種形式表面活化劑 ，使得改良金屬薄膜層之潤濕性及滲透性。可使用之表面 活化劑形式沒有限制。然而，較佳地使用陽離子表面活化 劑諸如胺形式、氨鹽形式、及吡啶衍生物；陰離子表面活 化劑諸如硫酸化油、脂肪酸油、硫酸化酯油及烷基磺酸酯 · 鹽；及非離子表面活化劑諸如脂肪酸及聚羥酸醇之部份酯 及脂肪酸乙烯氧化附加產物。 雖然印刷法沒有限制，較佳地使用照相凹版印刷法、絲 網印刷法、或噴墨法。而且，至於其他去除方法，可使用 乾蝕刻法、或機械去除法諸如雷射法或砂噴法。 至於機械加工法，可使用以沖壓法或雷射加工法使得金 屬薄板形成天線形狀之方法；及以使得薄金屬線對載體層 來形成環之方法所形成設置天線的方法。 -2 1 - 200400470 在任一方法中，因爲金屬使用爲金屬薄膜層或天線之材 料，可單獨地使用鋁、鋁鎂合金、鋁錳合金、銀、銅、鎳 、銅鎳合金、黃銅及磷青銅中之任一種金屬，或使其等組 ‘ 合或積層。尤其，鋁及銅較佳，因爲其等在無線電波接收 -性能較優。 天線部份之金屬薄膜層厚度較佳在〇 . 5至5 0 0 μ m。小於 〇.5μηι之金屬薄膜層厚度不佳，因爲容易造成問題在於射 頻接收性能劣化，或當使用金屬薄膜層做爲回復反射薄片 φ 之反射層時鏡面反射特性劣化。而且，大於5 0 0 μπι之金屬 薄膜層厚度也不佳，因爲容易造成問題，在於薄片厚度變 得過厚而薄片之可撓性劣化，其彎曲性質劣化；或不能容 易地獲得淸楚圖型，因爲形成天線時溶液劣化。 而且，鋁尤佳，因爲當其使用爲回復反射薄片之金屬薄 膜層時顯示較優之光特性。用於鋁金屬薄膜層之連續沈積 系統，包含：真空容器，可保持真空度在9 X 1 0_4 m m H g ;基 底材料薄片，設置在真空容器內；進給器，進給由基底材 · 料薄片之光入射側表面上所積疊表面保護層來構成的稜柱 體原薄片；捲片機，用於捲繞真空沈積之稜柱體原薄片； 及加熱系統，在進給器及捲片機之間，可以電熱器來熔化 石墨鉗鍋內所放置之鋁。具有純度9 9 . 9 9 w t %之純鋁片放置 在石墨鉗鍋內，可以交流電壓3 5 0至3 6 0 V、電流1 1 5至 1 2 0 A及處理速率3 0至7 0 m / m i η (米/分）熔化及蒸汽化之鋁 原子，來沈積厚度〇 . 2至2 μηι之金屬薄膜層在回復反射性 元件的表面上。 -22- 200400470 如此，在稜柱體反射表面上所設置之通訊天線，使得對 光源來回復反射光，不僅可在沒有設置通訊天線處之c c 元件部份內，而且也在設置通訊天線處之c C元件部份內 · ，而且在夜間具有較佳預先可認知性。而且，雖然在習用 · 技術之情形中沒有限通訊天線設置在平滑部份，但是在c C 元件之稜柱體反射表面或微小玻璃珠上設置本發明的通訊 天線，使得可獲得增加天線面積，因爲其具有凹凸形狀， 而且通訊性質較優。 Φ 本發明之載體層包含核心層及/或內層，而本二層或任一 層來固定積體電路模組、通訊天線、或外部端點。而且， 允許在每一載體層上形成許多回復反射性元件。 核心層具有穿透部或凹入部，在穿透部或凹入部內插入 積體模組。雖然使用於核心層之材料可適當地選擇，較佳 地使用具有高透明之材料。例如，可使用由氯乙烯樹脂、 丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸樹脂或苯乙烯樹脂所製成 具有5 0 %或以上全光透射率的透明樹脂薄片。然而，由耐 鲁 熱性之觀點，使用丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、或聚碳酸樹脂 尤佳。 內層使用於安裝積體模組在該層之上或下表面。可適當 地選擇所使用於內層之材料。然而，較佳地使用具有高透 明度之材料。例如，可使用由氯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、 聚酯樹脂、聚碳酸樹脂或苯乙烯樹脂所製成具有5 0 %或以 上全光透明度的透明樹脂薄片。由耐熱性觀點，使用丙烯 酸樹脂、聚酯樹脂或聚碳酸樹脂尤佳。而且，可形成二層 -23- 200400470 或以上之內層。 上述上及下保護層、核心層、內層及黏著劑層沒有厚度 或硬度限制。然而，必需考慮耐熱性、耐候性及光透射率 ' ，而且例如在日本工業標準J I s X 6 3 2 1 - 1 9 9 8版所規範之各 · 種機械強度及靜電特性。 對於產品之形狀，可適當地選擇大片型可撓性形狀，而 沒有限制在所謂一般使用之I C卡大小（8 5 . 6 X 5 4 X 0· 7 6 m m )。 (效用） φ 上述所述構成本發明之回復反射性積體電路密封產品， 可對光源反射外部光，因爲在回復反射性積體電路密封產 品上配置許多回復反射性元件，其中所密封之積體電路模 組做爲認知器之裝置，能在夜間事先認知本發明產品之出 現，而在和讀取寫入器相互通訊之前不用使用任何特別認 知裝置。 更詳細地，本發明之回復反射性積體電路密封產品改善 事先認知性，因爲使用積體電路模組所構成回復反射性積 ® 體電路密封產品，可對光源來反射外部光，積體電路密封 產品具有內裝積體電路、由核心層及/或內層所形成用於裝 載模組之載體層及用於保護裝載層之上及下部份之上及下 保護層。 在本發明較佳模態之非接觸式產品的情形中，設置使得 其可和外部單元通訊之天線，而且天線是以形成金屬膜或 沈積金屬如網、線或環來設置在核心層或內層上。因此， 產品可和外部單元來通訊，而在天線及積體電路模組之間， -24- 200400470 不使用任何特外外部耦合器來供給電力或電磁耦合器來支 援電子資訊之交換。 尤其，在配置許多c c元件之本發明產品的情形中，可 、 在c C元件之稜柱體反射元件表面上直接地沈積金屬諸如 · 鋁或銀，而以濺射法或化學鍍敷法來形成天線如線或環而 設置天線。而且，允許以沈積金屬諸如鋁或銀在c C元件 之稜柱體反射元件表面上及以濺射法或化學電鍍法來金屬 塗敷表面，然後以蝕刻等去除一些金屬區域，來形成天線。 Φ 在稜柱體反射表面上所直接設置之天線，使得不僅在設 置天線之c C元件部份，而且也在沒有設置天線之C C元件 部份也可對光源回復反射光，而且在夜間事先認知性較優 。而且，雖然在習用技術之情形中天線設置限制在平整部 份，但在c C元件之稜柱體表面上所設置本發明天線可獲 得約1 . 5倍的天線面積，因爲稜柱體具有凹凸形狀而且實 施較優之通訊。 如上所述，本發明回復反射性產品在事先認知性之目視 ® 改善較優。然而，使用本發明產品之另一模態可使用做爲 反射器，使用在停車場進出門或收費門處做爲光通過感測 器。在本發明之產品上所配置許多回復反射性元件提供收 費器或停車場管理人目視事先認知資訊，而且以回復反射 來自反射型感測器之光源所發射之光到接近光源之光感測 器。 4 .實施方式 本發明之較佳實施例在下文中以參照附圖來說明。 -25- 200400470 第1圖表示使用於比較本發明之習用眾所週知接觸式IC 卡的結構。I C卡包含：具有內裝積體電路之積體電路模組 (5 );載體層（4 )，以核心層（2 )及/或內層（3 )所形成用於裝載 ' 模組；及上保護層（1 )及下保護層（7 )，用於保護載體層（4 ) - 之上表面及下表面，其中積體電路模組（5 )經由在上保護層 所開啓之外部端來實施通訊。 第2圖表示使用於比較本發明之習用眾所週知非接觸式 I C卡的結構。I C卡包含：具有內裝積體電路之積體電路模 | 組（5 );載體層（4 )，由核心層（2 )及/或內層（3 )所形成用於裝 載模組；及上保護層（1 )及下保護層（7 )，用於保護載體層（4 ) 之上表面及下表面，其中通訊天線（6 )設置在核心層（2 )上 ，而積體電路模組（5 )經由通訊天線（6 )來實施和外部單元 之通訊。 第3圖表示本發明接觸式回復反射性積體電路密封產品 之較佳模態。產品包含具有內裝積體電路之積體電路模組 (5 )、用於裝載模組及保護內層（3 )之上部份之上保護層（1 ) · ，而積體電路模組（5 )經由上保護層上所開啓外部端來實施 通訊。 上保護層（1 )使用光透明樹脂，在其上形成用於字符資訊 之印刷層及變質防止層。內層（3 )也使用光透明樹脂，在其 上配置許多回復反射性元件來對光源反射入射光。 第4圖表示本發明非接觸式回復反射性積體電路密封產 品之較佳模態。產品包含：具有內裝積體電路之積體電路 模組（5 );載體層，以核心層（2 )及內層（3 )所形成用於裝載 -26- 200400470 I載體層之 層上所設置 於字符資訊 明樹脂，在 射光。 電路密封產 之積體電路 i (1)及下保 體電路模組 f施通訊。 於字符資訊 面上之光發 電路密封產 之積體電路 Μ 7)，用於 許多直角稜 護上內層之 復反射性元 實施通訊。 於字符資訊 模組；及上保護層（1 )及下保護層（7 )，用於保I 上‘及下部份，其中積體電路模組（5 )經由在核心 之環形通訊天線來實施通訊。 上保護層（1 )使用光透明樹脂，在其上形成用 之印刷層及變質防止層。核心層（2 )也使用光透 其上配置許多回復反射性元件來對光源反射入 第5圖表示本發明非接觸式回復反射性積體 品之較佳模態。產品包含：具有內裝積體電路 模組（5 );內層（3 )，用於裝載模組；及上保護ϋ 護層（7 )，用於保護內層之上及下部份，其中積 (5 )經由在核心層上所設置環形通訊天線（6 )來1 上保護層（1 )使用光透明樹脂，在其上形成用 等之印刷層對光源反射入射光。 而且，透明黏著劑層（8 )附著在車輛玻璃內表 射基底才料。 第6圖表示本發明非接觸式回復反射性積體 品之較佳模態。產品包含：具有內裝積體電路 模組（5 );下內層（3 )，用於裝載模組；下保護月 保護下內層之下表面；上內層（3)，在其上配置 柱體回復反射性元件；及上保護層（1 )，用於保 上表面。積體電路模組（5 )經由上面配置許多回 件之上內層（3 )的下層上所設置環形通訊天線來 上保護層（1 )使用光透明樹脂，在其上形成用 等之印刷層。上內層（3 )也使用光透明樹脂，在其上配置許 200400470 多直角稜柱體回復反射性元件。因爲環形通訊天線（6 )設置 在上內層之下層上，入射光在1C卡整個表面之光源方向中 反射。 ， 而且，附著在車輛玻璃內表面上之光發射基底材料的透 -明黏著層（8 )，形成在上保護層（1 )之表面上，而且附著在 光發射基底材料。 第7圖表示第6圖所示非接觸式回復反射性積體電路密 封產品的剖面圖示。金屬薄膜層（1 2 )所形成環形通訊天線 $ (6 )直接地設置在直角稜柱體回復反射性元件之反射表面 。積體電路模組（5 )設置在上內層（3 )，在其上以黏著劑層（1 3 ) 來設置許多直角稜柱體回復反射性元件。變質防止層（1 5 ) 形成在上保護層（1 )之表面上，而印刷層（1 1 )形成在層（1 ) 之下部份。 而且，在上內層（3 )上形成許多直角稜柱體回復反射性元 件以下內層（3 )及下表面層（7 )經由產品之四邊來密封，其 上形成空氣層（14)。 φ 第8圖表示非接觸式回復反射性積體電路密封產品，其 中設置本發明密封式玻璃珠型回復反射性元件（9 )，微小玻 璃珠（1 〇)之反射表面上所設置金屬薄膜層（鏡面反射層）局 部去除，而且形成天線（6 )。 而且也允許根據局部去除法諸如蝕刻在微小玻璃珠（1 〇 ) 之反射表面上形成金屬薄膜層（鏡面反射層）、或根據諸如 真空沈積之裝置在微小玻璃珠表面上設置面罩之設置方法 因而形成金屬薄膜層，來獲得天線。 -28- 200400470 天線（6 )直接地接合射頻識別型積體電路模組（5 )，但是 沒有使用經由連接器或介電質之電磁耦合結構。允許積體 電路模組（5 )經由黏著劑來接合微小玻璃珠型回復反射性 t 元件（9 )所形成之載體層。 ， 在微小玻璃珠型回復反射性元件（9 )所形成載體層之情 形中，光透明保護層（1 )積疊在載體層之回復反射表面上， 而下保護層（7 )積疊在載體層之背面上，載體層之兩端根據 黏接法或熱焊接法來接合，使得獲得密封結構。上保護層 φ (1 )及微小玻璃珠型回復反射性元件（9 )以黏著劑來相互連 接。 而且，允許所要附著在車輛玻璃內面上之光發射基底材 料的透明黏著劑層（8 )，形成在上保護層（1 )之表面上，而 且附著在光發射基底材料。 5 .圖式簡單說明 第1圖表示習用接觸式1C卡之圖示； 第2圖表示習用非接觸式IC卡之圖示； · 第3圖表示本發明接觸式回復反射性積體電路密封產品 之圖示，其中許多回復反射性元件配置在內層上； 第4圖表示本發明之非接觸式回復反射性積體電路密封 產品之圖示，其中許多回復反射性元件配置在核心層上； 第5圖表示本發明非接觸式回復反射性積體電路密封產 品之圖示，其中許多回復反射性元件配置在內層，而且黏 著劑層形成在上保護層之表面上； 第6圖表示本發明非接觸式回復反射性積體電路密封產 -29- 200400470 品之圖示，其中許多回復反射性元件配置在內層，而且黏 著劑層形成在上保護層之表面； 第 圖是第6圖之剖面圖示；及 第8圖表示本發明非接觸式回復反射性積體電路密封產 品之圖示，其中許多回復反射性元件配置在內層，而且黏 著劑層形成在上保護層之表面上。 主要部分之代表符號說明 1 2 3 4 5 6 7 9 10 11 12 13 14 上保護層 核心層 內層 載體層 積體電路模組 通訊天線 下保護層 透明黏著劑層 回復反射性元件 微小玻璃珠反射層 印刷層 金屬薄膜層 黏著劑層 空氣層 ❿ 15 變質防止層

Claims (1)

1. 200400470 拾、申請專利範匱 1 . 一種回復反射性積體電路密封產品，包含至少具有內裝 積體電路之積體電路模組、回復反射性元件及其等之載 體層。 2 .如申請專利範圍第1項之回復反射性積體電路密封產品 ，其中該積體電路模組具有內裝射頻識別型積體電路， 而且設置連接到該射頻識別型積體電路之通訊天線。 3 .如申請專利範圍第2項之回復反射性積體電路密封產品 ，其中該通訊天線形成在回復反射性元件之反射表面上。 4 .如申請專利範圍第1至3項中任一項之回復反射性積體 電路密封產品，其中該回復反射性元件包含許多直角稜 柱體型回復反射性元件。 5 .如申請專利範圍第4項之回復反射性積體電路密封產品 ，其中各該直角稜柱體型回復反射性元件包含內部全反 射直角稜柱體。 6 .如申請專利範圍第4項之回復反射性積體電路密封產品 ，其中各該直角稜柱體型回復反射性元件包含由直角稜 柱體所形成之鏡面反射直角稜柱體及在稜柱體上所形成 之金屬薄膜層。 7 .如申請專利範圍第1至3項中任一項之回復反射性積體 電路密封產品，其中該元件包含許多微小玻璃珠型回復 反射性元件。 8 .如申請專利範圍第7項之回復反射性積體電路密封產品 ，其中各該微小玻璃珠型回復反射性元件包含：微小玻 -3 1 - 200400470 璃珠型元件、及在微小玻璃珠型元件上所形成之金屬薄 膜層。 9 .如申請專利範圍第7項之回復反射性積體電路密封產品 ’ ，其中各該微小玻璃珠型回復反射性元件包含：微小玻 · 璃珠型元件、及經過樹脂薄膜層之微小玻璃珠型元件上 所形成的金屬薄膜層。 1 〇 .如申請專利範圍第1至9項中任一項之回復反射性積體 電路密封產品，其中該載體層包含核心層。 | 1 1 .如申請專利範圍第1至9項中任一項之回復反射性積體 電路密封產品，其中該載體層包含內層。 1 2 .如申請專利範圍第1至9項中任一項之回復反射性積體 電路密封產品，其中該載體層包含核心層及內層。

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