TW200305354A - A plasma processing apparatus and method for confining an rf plasma under very high gas flow and RF power density conditions - Google Patents

Description

200305354 ⑴ 玖、發明說明 (發月說明應敘明·發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明 技術領域 本發明與半導體製造有關。更特別言之，本發明與半 體製造期間之電漿處理有關。 、 先前技術 在以半導體為基之裝置（例如積體電路或平面顯示器）之 製造中，可交替沉積材料層於工作部件（例如半導體晶圓戈 破璃面板）表面或自該處蝕刻之。如此技藝中所週知，可以 多種技術達成沉積層之蝕刻，包含電漿強化蝕刻。在電繁 強化蝕刻中，在電漿處理腔内發生工作部件之實際蝕刻。 在蝕刻過程中，自適當蝕刻劑來源氣體形成電漿，以蝕刻 工作部件中未受罩保護之區域，留下所期圖案。 ， 在電漿強化蝕刻中採用之電 與未受限電漿。未受限電漿接 積來自腔壁之原予於工作部件 電漿處理腔壁係由與工作部件 電漿因以某些方法阻止電漿抵 物。故受限電漿具備已知未受 度。 漿類型有二，亦即受限電將 觸電漿處理腔，並可能因沉 上而污染工作部件。典型之 不相容之材料製成。而受限 達腔壁而具少量或不具污染 限電裝所無法提供之清淨程 但由於已證實欲 具向電位。此高電 氣壓有關，會導致 此外，在腔壁内表 射頻能量至限制裝 產生受限電漿著實不 位與反應器之幾何外 氣骨豆之笔朋潰及限制 面上之向射頻返回電 置外之氣體中。此亦 易，因為其對腔壁 型及限制裝置外之 區外之電漿引燃。 流可能感應性耦合 可能導致氣體之電 (2) 200305354

此非所欲狀態稱之為未 朋潰，因此造成電漿散播至腔壁 受限。 典型上’藉由建立多種 場與否，以避“ 不論其本質係電場或磁 乂避免電漿抵達腔壁。#由範例言之，以在腔壁 内（複數個限制環限制雷婿， ^ 衆並义電漿抵達限制環之内限 . 出包水足外。由於限制環係自絕緣材料 故將充電至與電衆相當之電位。因此1自各限制 %刖碲射出排斥電#，以避免電漿進一步向外突破，邁向 腔壁。 在各J私漿蝕刻系統中，已證實採用限制環對半導體生 產而a ’極為適當且有效。此系統之一範例可見於共同受 讓之美國專利第5,534/751號及美國專利第6,019,060號，茲以 引用之方式併入本文。

Lenz等人於美國專利第5,534,751號揭示中，述及採用電漿 限制之電漿蝕刻裝置。該電漿蝕刻裝置包含限制環，其具 園繞於裝置之兩電極間交互作用空間（在裝置運作期間形 成電漿）之石英環。慎選縫隙大小以確保電漿中所耗氣體之 ▼電粒子在離開縫隙時，因離開交互作用空間時與壁之碰 撞而呈中性。採用兩不同頻率之電壓源施加電壓於電極， 其中各電壓源彼此絕緣。Lenz之另一美國專利第6,019,060號 揭示中，亦述及採用限制環，其中利用限制環之升降來促 進工作部件運輸。 具限制環之電漿處理腔之一圖解範例如圖1所示。圖中顯 示具限制環102a與102b之電漿處理腔100之剖面圖。其中雖僅 200305354

頭7^兩限制環，應知可具任意數量限制環。在電漿處理腔 100内’顯示具一第一電極1〇4，代表蝕刻期間，工作部件1〇6 所在處之工作部件支撐體。第一電極104可為任何適當之夾 制系、’’先’例如為絕緣體10 8圍繞之靜電、機械、夾具、真空 等在蚀刻期間，射頻電源110可產生頻率自約2兆赫至約27 兆赫之射頻功率至第一電極104。 在工作邵件1〇6上配置有第二上電極丨12，其耦合至由諸如 銘等傳導材料形成之反應器頂。反應器頂耦合至限制環102 。第二上電極112與接地腔壁U6間為絕緣體U8電其隔離， 並為射頻電源12〇供電，以促進經由氣體線（未圖示）供應之 1虫刻劑來源氣體外之電漿形成。射頻電源120可具任何適當 ^、率 纟者如2兆赫至27兆赫。熟悉此技藝者應知，雖然圖1 之電聚處理腔係表電容性耦合電漿處理腔，惟限制環亦可 於諸如電感性耦合電漿處理腔等其它類型處理腔中操作。 其它限制電漿之方法包含以磁場限制。美國專利第 5,767,628號及美國專利第5,936,352號中均採用磁場限制產生 部分受限電漿，茲以引用之方式併入本文。

Keller等人於美國專利第5,767,628號中揭示之處理裝置，包 含一腔、提供射頻感應電磁場以產生電漿之感應線圈，及 複數個於處理腔内產生受限電漿之磁耦極。

Samukawa等人於美國專利第5,936,352號中揭示之處理裝置 ，包含具第一組與第二組平行電磁構件之電漿腔。供應具 第一相位（振盪能量至第一組平行電磁構件。並供應具相 反相位之振盥能量至第二組平行電磁構件，俾於處理腔中產 200305354 (4) 生相反移動能量場，使得電子受限於腔中產生之電漿中。 雖然已知限制電漿之方法或有不足或已完備，仍需產生 受限電漿用之新穎系統與方法。此需求係因半導體工業已 · 自200毫米晶圓轉為300毫米晶圓。300毫米晶圓所佔面積較 · 200毫米晶圓之兩倍猶有過之。由於300毫米晶圓較大，半導 ， 體製造之運作條件亦隨之具實質變化。產生受限電漿之先 前技藝方法，因氣流及射頻功率位準之提昇而僅適用於200 毫米晶圓，而非300毫米晶圓。 鲁 因此益處在於所提供之裝置可產生大體上佔較大體積之 受限電漿。 附帶言之，益處在於所提供之裝置可限制電漿於以高氣 流運作之處理腔中。 另具益處在於所提供之裝置可限制電漿於以高射頻功率 位準運作之處理腔中。

此外，益處在於所提供之方法可於以高氣流運作之處理 腔中產生受限電漿。 再者，益處在於所提供之方法可於以高射頻功率位準運 作之處理腔中產生受限電漿。 發明内容 本發明包含利用電漿處理腔限制電漿之系統及方法。電 漿處理裝置包括一第一電極、至少一功率產生器、一第二 電極、至少一限制環，及一自電漿邊界汲取電荷之接地延 伸。第一電極裝配以接收工作部件，並具一相關第一電極 面積。功率產生器操作耦合至第一電極，且該功率產生器 -10- 200305354 (5)

裝配以產生傳遞至第一電極之射頻功率。第二電極配置與 第一電極相距。第二電極裝配以提供完整之電氣電路，俾 自第一電極傳遞射頻功率。此外，第二電極具大小隨第一 電極面積變化之第二電極面積。至少一限制環裝配以協助 限制電漿。電漿隨第一電極與第二電極間之射頻功率傳遞 而生。接地延伸自具接地傳導表面之電漿邊界汲取電荷。

此外，本發明包含於電漿處理腔中產生受限電漿之方法 。該方法包含提供一第一電極，其裝配以接收工作部件， 其中第一電極具第一電極面積。第二電極裝配以提供完整 之電氣電路，俾自第一電極傳遞射頻功率。再者，第二電 極具大小隨第一電極面積變化之第二電極面積。該方法接 著提供電源之導入，俾自第一電極與第二電極傳遞複數個 電荷。該方法亦提供在電漿邊界處之複數個電荷之汲取。 電漿邊界提供受限電漿之邊線。 實施方式

在下列詳細敘述中，參閱構成本申請案的一部份之隨附 圖示。圖式中以圖解顯示可實行本發明之特殊具體實施例 。應知在不悖離本發明之範疇下，可採用其它具體實施例 ，並做結構變化。 典型電漿處理腔壁係由與工作部件不相容之材料製成。 而受限電漿因具少量或不具腔壁所致之污染物。故受限電 漿具備已知未受限電漿所無法提供之清淨程度。 欲產生供300毫米應用之受限電漿實非易事，因為在蝕刻 處理期間所施加之射頻功率與氣體流速較高。下述複數個 -11 - 200305354

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具體實施例適用於300毫米應用。此外，熟悉此技藝者應知 所揭益處在於，此處所述裝置及方法不以300毫米應用為限 。該裝置及方法亦適用於在採用高射頻功率位準之高氣流 環境下，需要電漿限制之應用中。在本發明中，高氣體流 速係指近乎1500 seem之流速，而高射頻功率位準則係指近乎 每立方公分電漿體積2瓦（W)之功率位準。

概言之，本發明包含於限制電漿於電漿處理腔内之裝置 及方法。電漿處理腔包括一操作耦合至功率產生器之第一 電極、一第二電極、至少一限制環，及一自電漿邊界沒取 電荷之接地延伸。 電漿處理裝置裝配以接收為電漿處理裝置轉換為電漿之 氣體。舉例而言，以相當高之氣體流速1500 seem泵入電漿處 理腔，但不以之為限。氣體流速低於1500 seem者亦適用之。

第一電極裝配以接收工作部件，並具適於接收工作部件 之相關第一電極面積。第一電及操作搞合於至少一電源。 電源裝配以產生傳遞至第一電極之射頻功率。 第二電極配置與第一電極相距。第二電極裝配以提供完 整之電氣電路，俾自第一電極傳遞射頻功率。此外，第二 電極具大小隨第一電極面積而變之第二電極面積。在一具 體實施例中，第二電極面積大於第一電極面積。 為於電漿處理裝置内產生電漿，故導入電源，且射頻功 率於第一電極與第二電極間傳遞。接著將氣體轉變為供處 理半導體或玻璃基板用之電漿。舉例而言，施加每立方公 分電漿體積2瓦之射頻功率位準，但不以之為限。射頻功率 -12- 200305354 ⑺

位準低於每立方公分電漿體積2瓦亦適用之。 配置至少一限制環於接近第一電極區與第二電極區處 該至少一限制環裝配以協助限制電漿。以第一電極與第 電極間傳遞之射頻功率產生遠水。 接地延伸與第一電極相鄰，且為一介電與第一電極隔離 接地延伸自電漿邊界汲取電荷，並包含一垃u扁增士 ί要地傳導表面 本發明描述四種產生受限電聚之替代具體實施例。四屬 代具體實施例均具特定之共通特徵’亦即均採用兩電極应 -接地延伸’加上至少- Ρ艮制環。第—電極與第二電極々 表面積大小可變。在一具體實施例中，筮 .^ ^ 4 τ 罘一電極面積較驾 二電極小。第一電極裝配以接收工作部杜 ^… 卞，且第一電極才 作耦合至射頻電源。此外’各具體實施例均具自受限電并 邊緣汲取電荷之接地延伸。 ％ ^

對本 受限電 電漿運 理諸如 窗之裝 下述 例、水 及凹口 上述四 配以自 含第一 專利申 漿在内 作之射 半導體 置及方 四具體 平接地 電極具 具體實 受限電 電極， 謂茉足了義題 之處理參數 頻功率及氣 或破璃介電 法。 貫施例包含 延伸具體實 體實施例， 施例均包含 裝邊緣汲取 其裝配以接 空間。特別言之，其係指可限制 流範圍。故本發明提供增加供處 等工作部件用之電漿系統之限制 具哭出物之接地延伸之具體實施 施例、強化區電極具體實施例， 分別述如圖2、圖3、圖4及圖5。 接近第一電極之接地延伸，其裳 電荷。此外，四具體實施例均包 收工作部件，並可具較第二電極 -13- 200305354

發明說明續頁 面積大之第一電極表面積。 為利闡釋之故，本發明採用電容性耦合，以於處理腔中 產生笔漿。熟悉此技藝者應知，本裝置及方法均適於採用 電感性耦合電漿。

此外’僅為利闡釋之故，採用雙頻電源產生施加於氣體 產生電漿之高電位。更特別言之，所示電源係於Lam Research 所製姓刻系統之2兆赫至27兆赫操作之雙功率頻率電源。熟 悉此技藝者應知，亦可採用其它可於處理腔中產生電漿之 電源。熟悉此技藝者應知，本發明不以2兆赫至27兆赫之射 頻頻率為限’於較廣範圍頻率亦適用之。 熟悉此技藝 實施例。在附 以傳遞射頻功 第二電極處偏 應，第一電極 作部件之第一 處在於，藉由 偏壓而達成電 所為。此外’ 附加替代具體 具突出物之接 者應知， 加替代具 率，於處 壓並增加 裝配以傳 供電電極 降低限制 漿限制目 熟悉此技 實施例適 地延伸之

下列具體實施例均具附加替代具f] 體實施例中，第二”接地，，電極裝酉 理腔中產生電漿。但為達成降低〆 在第一 ”供電，，電極處偏壓之所期女 遞較低射頻功率，而非適於接收] 。熟悉此技藝者應知此揭示所具^ 環處偏壓並增加第一 ”供電，，電極方 、者係、由此附加替代具體實施^ 藝者應知此揭示所具益處在於，^ 用於後揭各具體實施例。 具體實施例 參閱圖2，顯示所具接地延伸且办 〜丨τ ”大出物乏泰將 150之剖面圖。此具體實施例包含由傳 / “理案 合至射頻電源I54之第一電極1S2。如:料組成，操竹 上逑，射頻電源15 -14- (9) (9)200305354 發明課明續頁 雙頻電源。舉例而士當 ^ 罘一電極之面積適於接收300毫米工 作部件，但不以之為限。 在作中，供雷箓—^ 、 币—笔極I52裝配以接收工作部件（未圖示 )’並裝配以將工作部件箝制於第-電極152。利用已知系統 ^方法將工作部件靜電箝制或”失制”於第一電極。已知系 ’先.、方法匕s以介電材料塗佈於第一電極Μ]，其併入供夾 制與釋放用之高壓電極（未圖示）。 弟一電極156配置於第—電極152上。概言之，第二電極156 係由與工作部件不相容之材料製成，以避免污》。第二電 極^56連結至接地158，並提供對射頻功率之完整電路。此外 ’罘一電極156具可隨第—電極152而變之表面積。在—具體 只施例中帛一 ％極156之表面積較第一電極⑸大。在另一 具㈣施例中’第二電極156之表面積與第一電極相同。舉 例而言，第二電極156係由諸如矽或碳化矽等傳導材料組成 ’但不以之為限。此外’舉例而$ ’第二電極與第—電極 相距25毫米，但不以之為限。 接地延伸160接近第一電極152。接地延伸16〇具自接地延 伸160平面突出之突出物161。該突出物161係由導體製成， 並與接地延伸160電氣接觸。接地延伸16〇與第一電極為第一 介電環162隔離。第一介電環162裝配以接收第一電極Μ〕及 接地延伸⑽。第二介電環164隔離第一電極152與接地延伸 160。第二介電環164位於與接地延伸160相同平面。 舉例而言，接地延伸圃由諸如銘或石夕等傳導材料組成 ’但不以之為限。此外’舉例而言’突出物161近乎在接地 -15 - 200305354

(ίο) 延伸160平面之上5亳米，但不以之為限。再者，舉例而言 ’接地延伸160與第一電極152相距5毫米，但不以之為限。 此外’舉例而言’第一介電環162與第二介電環164均係由石 英組成’但不以之為限。再者，舉例而言，第二介電環164 ，· 隔離第一電極152與接地延伸16〇之寬度為5毫米，但不以之 ·. 為限。

採用至少一限制環166限制電漿於限制環所侷限之體積 内亦顯示附加限制環168a與168b。限制環提供對處理腔内 產生之私漿之限制。舉例而言，限制環、16“與168b均係 由石央組成。 在操作中，以氣體線（未圖示）將氣體饋送至處理腔中 舉例而τ，氣流高達1500 sccm，但不以之為限。當射頻功 自：-電極152傳遞至處理腔内氣體時即產生電漿。電源 遞高達每立方公分電漿體積2瓦之射頻功率位準。 除限制環166、168&與i之夕卜’出自接地延伸16〇之突 物⑹限制電漿於處理腔中。突出物ΐ6ι與接地延伸⑽在 影響洽在接收工作部件之供電第—電極152上方之電聚 荷密度下’藉由自電漿沒取電荷而限制電聚。故突出物】 與接地延伸160均有助於控制電漿。 在一具體實施例中，接地第二以156之表面積較供電 一電極152大，亦可控制電裝。假設電澉係受控於面積比 亦即第二電極面積除以第一電極面積所定比值，決定箝 於供電射頻電極152之工作部件上之偏壓。接地第二電極ι 與供電射頻電極152間面積比愈Λ，則在供電第一電極^ -16- 200305354 v ; 發明說明續頁 處之偏壓愈高。同理可證，若前述面積比增加，則接地第 二電極156上，尤其是限制環166、168&與“訃處之偏壓降低 。限制環處偏壓降低將使其充電至與電漿相同電位’故較 易抑制電漿遠離環。因此，接地延伸16〇配置接近供電第2 電極级组合，及接地第二電極相對於第一電極之表面積 増加，均造成電漿處理腔之限制窗大小增加。 水平接地延伸具體實施例 於貝不具水 麥閱圖

| ，A .、％ π避工主衮置剖 圖。水平接地延伸具體實施例170與上述具突出物之接地 伸具體實施例15〇類似。但水平接地延伸具體實施例观 一水平接地延伸172。水平接地延伸172不具如圖2所示自 地延伸職伸之突出物161。此外，水平接地延伸⑺之 度W2較具哭出物之接地延伸16〇寬度％寬。 在操作中， 水平接地延伸 作用。 沒取電荷。故 160以類似方式 水平接地延伸172自電漿週邊 以與具突出物之接地延伸 雖然水平接地延伸具體實 接地延伸且“、，*n70表面和較具突出物之 造。水平接妯証从 *〜 &十接地延伸較易製 水千接地延伸具體實施例17〇之製造較 、研磨、纽点式制^ a 易係因無須建構 、。成或I造自接地16〇延伸之突出物 強化區具體實施例 ° 在圖4中’頭不具接地電極(具強化區)之替將 J面圖_ 強化區具體實施例18〇與 之接地延伸JL触Α 圖2具大出物 …例150類似。但強化區具體實施例18。 -17- 200305354

(12) 包括一接地第二電極182，與圖2之接地電極156表面積相較 ，其表面積（亦即”強化”區）較大。由於接地第二電極182之 表面積較大，故絕緣體184内徑較具突出物之替代延伸具體 貫施例150之絕緣體159内徑大。此外，限制環186a、186b與 186c之内徑較限制環166、168a與168b之内徑大。另一差異處 在於強化區具體實施例180包含與圖3所述水平接地延伸172 類似之水平接地延伸189。舉例而言，接地第二電極182外徑 較睡屏接地延伸具體實施例大50毫米，但不以之為限。 在操作中，強化區具體實施例180以與上述具突出物之替 代延伸具體實施例150類似方式運作。但接地電極ι82表面積 大體上大於接地電極156表面積。由於強化區具體實施例18〇 中之接地電極182表面積較大，故接地電極ία對供電電極 188之面積比增加。此面積比增加造成供電電極188偏壓增加 ’且接地電極182與限制環186a、186b與186c偏壓降低。如上 述，限制環186a、186b與186c偏壓降低使得限制電漿之硬體 能力強化，並使限制窗較大。 凹口電極具體實施例 參閱圖5 ’顯示具凹口接地延伸之電漿處理裝置剖面圖。 凹口電極具體實施例190與圖4中所述強化區具體實施例18〇 類似。但凹口電極具體實施例19〇包括一在接地電極194内之 凹口 192。除了接地電極194中之凹口 192相異外，接地電極 概與圖4之接地電極182相同。，凹口 192進一步增加接地電 極194對供電電極196之面積比。如前述，面積比增加造成供 電電極196偏壓增加，且接地電極194與限制環偏壓降低。在 -18- 200305354 _ (13) 發明説明續:夏 接地電極194中之凹口 192亦將稀釋移動至限制環前方之電 漿。進一步降低偏壓與限制環前方之電漿稀釋兩者，導致 限制窗進一步擴增。舉例而言，凹口 192寬10毫米、深15毫 米，但不以之為限。 雖然上述包含諸多規範，但不應有限制本發明範疇之意 ，其僅係提供對部分本發明之現行較佳具體實施例之闡釋 。故本發明之範疇應以隨附之申請專利範圍及其合法等效 品，而非所給圖解範例定之。 圖式簡單說明 本發明之較佳具體實施例示如隨附圖式，其中： 圖1係先前電漿處理腔剖面圖； 圖2係於接地延伸處具突出物之電漿處理裝置剖面圖； 圖3係具大接地延伸之電漿處理裝置剖面圖； 圖4係具大體上面積較工作部件電極大之第二電極之電 漿處理裝置剖面圖； 圖5係具凹口第二電極之電漿處理裝置剖面圖。 圖式代表符號說明 100 電漿處理腔 102, 166, 168, 186 限制環 104, 152 第一電極 106 工作部件 108, 118, 184, 159 絕緣體 110, 120, 154 射頻電源 112 弟二上電極 116 接地腔壁 (14) mmmrn 電漿處理裝置 第二電極 接地 接地延伸 突出物 第一介電環 第二介電環 水平接地延伸具體實施例 水平接地延伸 強化區具體實施例 接地第二電極 凹口電極具體實施例 凹口 接地電極 供電電極 -20-

Claims (1)

1. 200305354 拾、申請專利範圍 1. 一種裝配以接收一氣體之電漿處理腔，包括： 一裝配以接收一工作部件之第一供電電極，該第一供 電電極具一第一電極面積9 一功率產生器，其操作耦合於該第一供電電極，並裝 配以傳遞功率至該第一供電電極； 一配置距離該第一供電電極一距離之第二電極，該第 一供電電極與該第二電極裝配以轉換該氣體為一電漿， 該第二電極具一第二電極面積；及 一與該第一供電電極相鄰並圍繞該第一供電電極之接 地延伸。 2. 如申請專利範圍第1項之電漿處理腔，進一步包括至少一 裝配以限制該電漿之限制環，該至少一限制環圍繞該第 一供電電極。 3 .如申請專利範圍第1項之電漿處理腔，其中該接地延伸進 一步包括一突出物。 4.如申請專利範圍第3項之電漿處理腔，其中該接地延伸圍 繞該第一供電電極。 5 ·如申請專利範圍第4項之電漿處理腔，其中該接地延伸裝 配以自該電漿汲取電荷。 6. 如申請專利範圍第1項之電漿處理腔，其中該接地延伸圍 繞該第一供電電極。 7. 如申請專利範圍第6項之電漿處理腔，其中該接地延伸裝 配以自該電漿汲取電荷。 200305354 申言♦專利範圍續:算 8. 如申請專利範圍第1項之電漿處理腔，進一步包括一大於 1.0之電極面積比’該面積比定為該第二電極面積除以該 第一電極面積，使得該第二電極面積大於該第一電極面 積。 9. 如申請專利範圍第1項之電漿處理腔，其中該第二電極進 一步包括一凹口，該凹口裝配以增加該第二電極面積。

   10. 如申請專利範圍第9項之電漿處理腔，其中該接地延伸圍 繞該第一供電電極。 11. 如申請專利範圍第10項之電漿處理腔，其中該接地延伸 裝配以自該電漿汲取電荷。 12. 如申請專利範圍第11項之電漿處理腔，進一步包括一大 於1.0之面積比，該面積比定為該第二電極表面積除以該 第一電極面積，使得該第二電極表面積大於該第一電極 面積。 13.—種裝配以接收一氣體之電漿處理腔，包括··

   一裝配以接收一工作部件之第一供電電極，該第一供 電電極具一第一電極面積； 一功率產生器，其操作耦合於該第一供電電極，並裝 配以傳遞功率至該第一供電電極； 一配置於該第一供電電極之上之第二電極，該第一供 電電極與該第二電極裝配以轉換該氣體為一電漿，該第 二電極具一第二電極面積； 一與該第一供電電極相鄰並圍繞該第一供電電極之接 地延伸，該接地延伸與該第一供電電極為一介電所隔離 200305354 申讀專滅歡圍績頁 ;及 至少裝配以限制該電漿之限制環，該至少一限制環 圍繞該第一供電電極。 _ 14·如申請專利範固第13項之電漿處理腔，其中該接地延伸 - 裝配以自該電漿汲取電荷。 ， 15. 如申請專利範圍第14項之電漿處理腔，進一步包括一大 於1 ·0之面積比，該面積比定為該第二電極表面積除以該 第〆说極面積’使得該弟一電極表面積大於該第一電極 _ 面積。 16. 如申請專利範園第15項之電漿處理腔，其中該接地延伸 進一步包括一突出物。 17. 如申請專利範圍第16項之電漿處理腔’其中該第二電極進 一步包括一凹口，該凹口裝配以增加咸第二電極面積。 18. —種於一電漿處理腔中產生一受限電漿之方法，包括： 於該電漿處理腔中接收一氣體， 使一第一電極接收一工作部件’該第一電極操作耦合 f 於一電源； 使一第二電極配置距離該第一邊極一距離’以自該第 一電極接收射頻功率，該第二電極具一大於該第一電極 面積之第二電極面積； 導入一電源，以傳遞射頻功率至该第一電極產生一電 漿；及 使一接地延伸與該第一電極相鄰’以自該電漿汲取複 數個電何。 200305354

   19. 如申請專利範圍第18項之方法，進一步包括在一至少一 限制環所界定之電漿邊界處汲取該複數個電荷。 20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該接收該氣體係以 一高達1500 seem之流速傳送。 21. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該導入該電源進一步 包括傳遞高達每立方公分電漿體積2瓦（W)之射頻功率。