TW200304019A - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

200304019 ⑴ 跃、發明說明 男、知方式及圖式簡單說明） 技術領| 本^月係關於一種液晶顯示裝置，其中— 由一密封構件宓封為呈古外^ , 展日日材科係猎 呈古 件㈣在一具有-弟-傳導構件之第-基板盍 傳‘構件之弟二基板之間；更特定古之，本 種面積（非顯示面積）得到減小的窄圖框液曰曰 具有一第 發明係關於 顯示裝置。 先前技^ :::二蜂巢式電話和個人計算機為代表的裝有液晶 …裝置愈來愈普遍，隨之即有使液晶顯示裝 ^ f化且成本降低的強烈要求。在強烈要求整個裝 二1 ^的同時，亦要求擴展顯示區段之面積。為此目的 ’：種窄化顯示區段之周邊部分(圖框區段)之寬度的程序 用:vr「圖框窄化」，正在發展中。周邊部分係佈置有 、σ用於一液晶材料之切換的TFT(薄膜電晶體；thln I I ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ - ,|S f, t 日片之端子的一空間，傳統上該空間在處於上邊緣 …右迖、、彖及左邊緣之所有周邊部分均佈置有電路 路。 ^圖框乍化之發展，近來僅在低周邊部分裝有電 、庶另方面，為降低成本，要求減少製造階段所使用之 十之數目M乍為對此要求的響應，已實現使用-單一遮 “圖案化不同材料所構成的層。 ^ 1^契1B頭不當上述圖框窄化及遮罩數目減少均得到 貝、¥的一傳統液晶顯示裝置之範例結構。圖1 A為該裝置 200304019 (2) Π-= _明說钥_議議 之平面圖’圖1Β為該裝置沿_之—直4Uiib_iub的斷面 圖。“府視時，該液晶顯示裝置1〇〇係由一顯示區段ι〇ι及 一圍繞該顯示區段1 〇 1 $ R、真 之周邊邙分102組成。在周邊部分1〇2 之下，周邊部分1G2a上有—電路1G3，其具有電性連接至顯 不&奴101之一顯示區段驅動電路及用於控制該驅動電路 之一控制器，其餘三侧邊無電路，以提高圖框窄化之效果。 圖1B顯示該液晶顯示裝置1〇〇之配置：一液晶材料⑷係 置於二驅動基板111與-相對基板⑵之間，且該液晶材料 141 ί卞猎由一密封構件131密封，該密封構件⑶係位於顯示 區& 101與周邊部分1Q2之間的一邊界區域中。一氧化姻錫 (㈣）接線層1 1 8a及-鉬（Mg)與鉻（Cr)之合金接線層i工⑽ 形成於驅動基板m上，且延伸至驅動基板⑴之—邊緣。 一絕緣層U9係形成於接線層⑴^，且—平展膜ιΐ6係形 成於該絕緣層之上的密封構件13丨内侧。接線層彳丨“與丨丨讣 係藉由一單一遮罩通過圖案化產生。考慮到與密封構件131 之材料黏結，絕緣層119之材㈣使用（例如德切⑸仏） ^另一方面，相對基板121具有一相對電極124、一光屏蔽 膜（黑色矩陣）122及一濾色片123，相對電極124延伸至或幾 近至相對基板12 1之一邊緣。 在該液晶顯示裝置100中，驅動基板lu之末端（分界面） 1 1 a人相對基板12 1之末端1 2 1 a在上述無電路之周邊部分 形成一所謂的齊平結構。在具有電路1〇3之周邊部分1〇2之 下周邊部分102a處，驅動基板ιη較相對基板12丨為大，使 得在驅動基板侧上的接線層n8a&U8b不會正對在相對基 (3) (3)200304019 板上的相對電極124。然而’在無電路存在之區域中，接線 ^8a及丨⑽與相對電極以係相對而置，即使在基板之邊 ..豕亦如&在此區域中’由於上文提及之節省遮罩程序， Γ=二118b之末端係暴露於外，未有任何絕緣層覆 :’故接泉層n8a及⑽之末端會與大氣直接接觸。當在 下驅動該裝置時，互相正對的接線層心及1_ 相對電極124之間因存在電位差显 層Π—直接與大氣接觸部分生？:二接、， ^ Λί- ^ ^ ^ ^ j丨刀曰與大虱中的水分等 ^ =應’故將引起接線層〜"_細題。 =以：：液晶顯示裝置來實現小型化及成本降低的 接線層係由金屬製成時，此問題尤其突出。暴時低田 i明内容 本發明係有#於以上所述問題所實施。本發明之一項目 :=:可實現小型化及成本降低且可提供高可靠性 線居之r:::置，更明確地說’係提供-種周邊部分之接 、曰仵到抑制的高可靠性液晶顯示裝置。 之:據::明之液晶顯示裝置包含-具有-第-傳導構件 於該第：板一二第二板相對而置之第二基板、-置 晶材料所形成二I: 間的密封構件及-藉由-液 有—設定4 ’在該第一基板與該第二基板之間 一基板之Γ值該第二基板在其表面上具有一相對於該第 _封:::::：=構件，該液晶材料係藉 山封在5亥弟一基板與該第二基板之間的空間 (4) (4)200304019 對〜，示裝置之特徵在於：該第-基板之-侧面與 存^一 —基板之側面的㈣二基板之-側面係實質上 侧面之同—平面上’該第一傳導構件延伸至該第-基板之 導構在㈣—基板之侧面之—侧上的該第一傳 延伸至二接Γ氣的可能性，㈣二傳導構件 、、 弟一基板之侧面之一邊緣，以及至少在 5亥山封構件之遠離該液晶 在 之一相對介電質常數之介具有等於或小於5 與該第二傳導構件之間。件係置於該第—傳導構件 因依據本發明之液晶顯示 之侧邊上具有相對八帝所、，1在岔封構件之遠離液晶層 件於第 ,、"兒貝常數等於或小於5之一介電質構 件方、弗—傳導構件與第二傳 ”兒貝構 與弟二傳導構件之間的電位 之間’故弟—傳導構件 且其間所產生的電場亦得到減動期間變得相對較小’ …氣接觸之末端部分的戶二因&，第-傳導體構件 高可靠性。 、肉得到抑制，故而裝置具有 此外，對於依據本發明 好延伸至第一基板之侧面的：::頌示裝置，介電質㈣ 導構件之腐蝕，故可進一 I化、、"。此將更有效抑制第一傳 此外，對於依據本發明之、夜=置之可靠性。 進一步具有凹陷部分或凸^日日頒不裝置，第一基板最好 最好係—從密封構件遠離出：分及-反射膜，卩電質構件 邊的完整構件，該等凹^夜晶層之側邊延伸至液晶層之侧 件所在的同—側邊上空/分或凸出部分在在第—傳導構 上铋互相隔開，該反射膜在凹陷 (5) (5)200304019

部分或凸出部分的影響下變得不均勾，且具有反射光線的 功能，介電質構件係置於該等凹陷部分或凸出部分之間， 且該反射膜係在密封構件之液晶層之侧邊上。對於此一反 射式液晶顯示裝置，介電質構件若係-從密封構件之遠離 液^層之側邊延伸至液晶層之侧邊的完整構件，則將使得 -單-層具#密封構件在其液晶層之側邊上及在其較遠側 邊所具有之各功能。此即簡化了裝置之配置。在此情況下 ，介電質構件最好與密封構件接觸，且介電質構件最好係 由樹脂製成，密封構件最好由熱固性樹脂製成’因如此可 增強二者之間的黏結。 以下將參考附圖，詳細說明本發明之一項具體實施例。 /先將說明依據本發明之一項具體實施例之一液晶顯示 衣置的配置。圖2及3顯示依據該具體實施例之液晶顯示裴 置。當俯視日寺’與上述圖1Α的情況類似，依據該具體實施 例之液晶顯示裝置由一顯示區段與一圍繞該顯示區段之周 邊部分組成’且在該周邊部分之-側邊上裝有—電路。圖2 為f電路存在之周邊部分之區域及其周邊的斷面圖，圖3 為顯示區段之斷面圖。 °亥液日日颁不裝置具有一驅動基板〗丨作為一第一基板，一 與驅動基板η相對而置的相對基板21作為一第二基板，及 f於驅動基板μ與相對基板21之間的—密封構们卜驅動 =反Η與相對基板21之間有一設定空間。一液晶層41係藉 液晶材料形成’該液晶材料藉由密封構件31密封在.驅 (6) 200304019

動基板li與相對基板21之間的空間中。驅動基板u與相對 基板2 1形成一所謂的「齊平結構」於無任何電路之周邊部 刀之區域中（圖2)，其中二者之相應的側面丨1 a與2 1 &係實質 上存在於同一平面中。 在顯示區段中，如圖3所示，驅動基板丨丨在其正對於相對 基板之表面上具有電性連接至相應資料線路之源極⑵盘 沒極12b’二者之間有一空間，且一半導體層uc鄰接於源 極12a與没極12b形《。電性連接至相應的掃描線路（未顯示） t間電極丨4係形成於半導體層⑺之遠離驅動基板"之側 邊上’且-具有一開口之問絕緣膜13係形成於半導體層^ 與閘電極丨4之間。目此’ TFT係在驅動基板】丨之正對：對 基板21之側邊上提供。TFT係以(例如)一矩陣的形式與像素 電極--對應佈置’此將在下文中描述…凹陷部分或凸 ^部分15(其間有一空間）之圖案係形成於閘絕緣膜η及閘 電極η上’且-平展膜16係作為一介電質材料在具有一開 Γ凹陷部分或凸起部分15之圖案上提供一反射膜（反射 (亦作為-像素電極）係形成於平_16上。反㈣ =係通過平展膜16及閉、絕緣膜13之開。與（例如）沒極125 =連接’且制用上述TFT得到供應電壓。驅動基板η 、步具有一方向膜（未顯示），如此等等。 域=、’在該液晶顯示裝置之不存在電路之周邊部分之區 二二#近：域中，接線層18a與剩作為第-傳導構件形 成:驅動，之相對於相對基板21之側邊上，如圖2所示 。此寺接線層W延伸至一構成 a -1()- 200304019

⑺ 之邊緣，具有接觸大氣的可能性。接線層18a係由（例如）ΙΤ〇 構成，且用作顯示區段之一端子。接線層18b係由（例如）鉬 與鉻的合金構成，且形成一資料線路。在接線層…與 上，平展膜16延伸至（例如）構成驅動基板u之側面丨“之邊 緣，且絕緣膜19形成於接線層18b與平展膜16之間。 上述位於驅動基板1:[上的組件係以此一方式產生：（例如)

依次逐m源極12a、沒極12b、接線層⑽及⑽、半 導體層12c、閘絕緣膜13、閘電極14、凹陷部分或凸起部分 15、平展膜16及反射電極17。 w "心^^马第二傳導 構件之相對電極2 4及一太闩腺,土曰 方向腠（未顯示）等係形成於相對其 板2 1之正對驅動基板侧邊矣 則达之表面上。相對電極24延伸至式 ^近至相對基板21之侧面21a之邊緣（鄰近圖2之邊^ 未顯示，但-極化板等係形成於相對基板21 板1 1之側邊上。 t動基 六一人

施例之液晶顯示裝置的特徵部分。 平展膜16係由一介電質構件製成，更明 如)一樹脂製成’該介電質構件之相對介電質常數等; 於5，更佳為等於或小於3 $ 乂， 、吊数寺灰 、J.5 ’例如2至3 5。此平屏 在調整反射膜17因圖宰1吹朕i 口茱化之凹陷部分或凸起 不均勻性（麥考曰本專利 安 刀15 4 , 甲明木唬2001-308737)。在α 貫施例中，由上述介電質構 在赴 干衣成之平展膜〗6gg 驅動基板11之一邊緣， 、6仏放3 有插入在接線層18a及〗8b^ -U - (8) (8)200304019 · · · · ·. · · · · , ·: < « -----— 電極24之間，各自延伸至美拓真 甲全基板之邊緣，因此在驅動期間接 線層18a及18b與相對電㈣之間的電位差係相對較= 其間的電場之強度亦較小。考慮到介電質在 部分的功能，構成平展層16之介 周政 貝構件的相對介雷皙食 數悤小愈佳。將相對介電質常數 貝 〆 吊要文口又置為等於或小於5之片闵 ^若相對介電質常數大於5,則不可能獲得充分的效果， :非大巾罐膜之厚度。平展膜-厚度為(例如 在此具體實施例中，密封構件 μ再什你在平展膜1 6之上裎征* 因此，若平展膜16之材料使=間的黏合度需高。 隶好使用熱固性樹脂。 #午1之材枓 具有如上所述之西P署夕、右 k之配置之液晶顯示裝置係按下述方式作鞏 在此液晶顯示裝置中，一持 A乍業。 e ^ ^ , V ‘電壓係藉由電路順序彳妓# 且週期性通過接線層⑻至閑線路 Μ、二 供庫芦？卢帝厭 根據衫像化號選擇性 ^口 I兒壓至相應的接線層18 係恆定供庫至相#+ + # 貝科、、泉路）。一設定電壓 一順序供應之尸p干广 σκ寺4氚皂壓係通過丁FT(使用 而提供：电壓啟動)至反射電極(像 而長供一電壓至位於相對電㈣與反射 ）7伙 層4 1且允許執$ 私極1 7之間的液晶 干執订所希望的影像顯示。 在此情況下，因由相所* 質構件所制出^ 弘貝吊數等於或小於5之一介電 、 衣成之平展膜ι6形成 ㈣之間的無電路存在之周邊成:接4 f 18a及⑽與相對電 及18b鱼相對+ ★ 口〜。刀之區域中，故接線層〗8a ，、相對電極24之間的電位 走艾侍相对較小，且其間所 -12- 200304019

產生的電場亦減小。此即抑制了接線層18a及i8b之與大氣 接觸區域的腐飯。 '、 如上文所述，依據此具體實施例之液晶顯示裝置在接線 層⑻及18b與相對電極24之間具冑由相對介電質常數等於 或j方、5之"私貝構件所製成之平展膜1 6，因此當一電壓 應用於接線層18a及18b與相對電極24時，互相正對的接線 層18a及18b與相對電極24之間在無電路存在之周邊部分之 ，域中的電位差可減小，且因該電位差在其間所產生的電 場亦可減小。因此，即使接線層⑽及⑽之末端與大氣接 觸’接線層18a及18b與大氣中的水分等之反應亦會得到抑 制，使得接線層l8a及18b之腐蝕速度可大大降低。因此， 此具體實施例可以較少圖案化步驟實現-小型、高可靠性 液晶顯示裝置，且可使之即使在高溫、高濕度作業環境中 亦具有高可靠性。 此外，對於上述液晶顯示裝置，因用於調整反射膜Η之 表面不均勾性之平展膜進一步延伸，在接線層18a及18b與 才對私極24之間插人該介電質構件，gp可能以-簡單結構 、無需提供任何額外膜來抑制接線層18a及18b之腐蝕，且 亦可在此方面實現成本降低。 、夕丨以一樹脂構成平展膜16及以一熱固性樹脂構成密 封構件J 1可提高平展膜16與密封構件3 1二者之間的黏結度 因此可貫現一高可靠性液晶顯示裝置。 、本t明已芩考具體實施例得到說明，但本發明並不侷限 於上述具體實施例，而是可以各種方式更改。例如，上述 -13 - (10) (10)200304019

具體實施例描述了需在顯示區段内部存在的平展膜延伸至 驅動基板之-邊緣的情況，但除平展膜16^、，μμ 周邊部分插入一介電質構件於接線層18a及咐與相對電極 24之間。而且’上述介電質構件並無必要延伸至基板：一 邊緣’若在周邊料t，介電質構件至少在接線層…及⑽ 與相對電極24之間的一部分中提供，則亦可獲得本發明之 效果。 此外，上述具體實施例描述了具有由接線層W及⑽組 成之一多重層結構之第一傳導構件之範例，但第一傳導構 件亦可具有-單-層結構。第二傳導構件可具有—多重層 結構。 曰 此外，上述具體實施例描述了在驅動基板上執行之一圖 案化方法之範例，但若不使用上述圖案化方法，而是使用 其他任何方法，只要所製造之裝置具有此一結構，即接線 層1 8a及1 8b之端面與大氣接觸，則本發明亦有效。 此外，在上述具體實施例中所描述之液晶顯示裝置具有 所謂的頂閘極型TFT，但亦可將該裝置改造成具有所謂的 底閘極型TFT。此外，在上述具體實施例中所描述之液晶 頌不裝置具有一主動矩陣顯示，其使用TFT作為切換元件 ’但亦可將該裝置改造成使用諸如MOSFET (金氧半導體場 政笔日日體 ’ metal oxide semiconductor field effect transistor) 等其他切換元件。而且，本發明亦適用於一不使用任何切 換元件之被動矩陣顯示。 此外 上述具體實施例描述了反射式液晶顯示裝置，作 -14- 01) 200304019

本發明亦適用於具有—複合反射式與透射式 晶顯示裝置，岑呈古口 及具有反射膜17但其厚度得到、 光線得到反射’部/分光線得到透射)之一液晶 且本舍明亦適用於—透射式液晶顯示裝置 亦可以與上述平展膜16相同的方式利用— 在驅動基板上提供’用於提高開放區域比率 i式簡單說明_ 上圖1A為一傳統示範性液晶顯示裝置的平面 邊裝置沿®1A之-直線ιιιβ_ιπβ的斷面圖； 圖2為依據本發明之一具體實施例之一液 昕面圖； 圖3為依據本發明之具體實施例之液晶顯 面圖。 里_式代表符明 之結構之一液 咸小（使得部分 顯示裝置。而 ，在此情況時 平展膜，其係 〇 圖，且圖1B為 晶顯示裝置的 示裝置的另一 11 驅動基板 11a 侧面 12a 源極 12b >及極 12c 半導體層 13 閘絕緣膜 14 閘極 15 凹陷部分或凸起部分 16 平展膜 17 反射膜 18a, 18b 接線層 15 - 200304019

19 絕緣膜 21 相對基板 21a 側面 22 光屏蔽膜 23 濾色片 24 相對電極 3 1 密封構件 41 液晶層 100 液晶顯示裝置 101 顯不區段 102 周邊部分 102a 下周邊部分 103 電路 111 驅動基板 1 11a 末端 1 16 平展膜 118a, 118b 接線層 1 19 絕緣層 121 相對基板 121a 末端 122 光屏蔽膜 123 濾色片 124 相對電極 13 1 密封構件 141 液晶層 發明說钥續買

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Claims (1)

1. 200304019 拾、申請專利範圍 1 一種液晶顯示器裝置，其包含： 第 基板，其具有一第一傳導構件 一第一基板，其係I今® 一甘α 置，且在其座該第一以 板以一設定空間相對而 具有-第二傳㈣件之弟—傳導構件相對之表面上 :密封構件’其係置於該第—基板與該第二基板之間 二Ϊ:構:=由一液晶材料形成，該液晶材料係 封構件爾該第-基板與該第二基板之間 5亥液晶頟示裝置之特徵為： u之一侧面與對應於該第一基板之該側面之 弟二基板之一側面係實質上存在於同一平面中； 該第-傳導構件延伸至該第_基板之該侧 ’該第-傳導構件之在該第—基板之該侧面之—侧;;： 的-端具有接觸大氣之可能性，該第二傳導構件延；至 或幾近至該第二基板之該侧面之一邊緣；及 一具有等於或小於5之一相對介電質常數之介電質構 件，其2置於至少在該密封構件之遠離該液晶層之側邊 上的該第一傳導構件與該第二傳導構件之間。 i 專利乾圍第1項之液晶顯示裝置，其特徵在於該 ”楚資構件延伸至該第一基板之該側面之邊緣。 如申請專利範圍第1項或第2項之液晶顯示裝置，其特徵 為· 、 200304019 _奪«範_績買 /亥第一基板進一步具有凹陷部分或凸出部分及一反射 等凹卩曰"卩分或凸出部分在該第/傳導構件所在之 同側咬上在空間上係互相隔開，該反射膜在該等凹陷 Ρ刀或凸出邛分的影響下變得不均勻，且具有一反射光 線之功能；及 ::電質構件係一從該密封構件之遠離該 :::至4液晶層之侧邊的完整構件，該介電質構件係 心f 構件之液晶層側邊的該等凹陷部分或凸出 邛刀與该該反射膜之間。 一 4 如申明專利範圍第3項之液晶顯示穿 介雷皙据从〆 衣置其特徵在於該 %貝構件係與該密封構件接觸。 如申凊專利範圍第4項之液晶顯示 介雷皙槐μ〆 i … 直具特徵在於該 私貝構件係由一树脂製成，且該密封構 性樹脂製成。 牛钻由一熱固