200302288 玖、發明說明 [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種濺鍍靶，特別是關於一種以閘極材 料用自動對準矽化物（Salicide)程序來形成矽化物膜時爲適 宜之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶及其製造方法。 [先前技術] 以往，在閘極材料方面係使用自動對準矽化物程序所 形成之WSi2、TiSi2，但WSi2之電阻率相當的高，而喪失利 用上之價値。
TiSi2之電阻率雖較WSi2爲低，在特性上優異，但由於 需要高溫之退火，容易發生矽化物往絕緣膜上之過度生長 ，導致細線電阻上升，此爲缺點所在。又，該TiSi2會因爲 熱處理的做法不同而發生凝集，此成爲電阻上升或接合漏 洩、閘極耐壓惡化之原因。 取而代之者有CoSi2。此（：〇8丨2在矽化物反應時之擴散 種爲Co，所以不易發生過度生長，又細線電阻之上升亦少 ，此爲優點所在。但是，存在著因爲熱處理條件的不同而 容易發生凝集之問題，再者材料昂貴，在成本方面爲不利 的，此爲缺點所在。 基於以上情況，閘極材料使用自動對準矽化物程序所 形成之矽化鎳（NiSi)乃受到囑目。此NiSi與上述CoSi同樣 屬電阻率低者，在矽化物反應時之擴散種爲Ni，所以不易 發生過度生長，又細線電阻之上升亦少，此爲優點所在。 再者，矽化物反應中Si的消耗量少，亦爲其特徵之一。 200302288 但是，此矽化鎳存在著準安定相之NiSi相與安定相之 NiSi2相，在超過70(TC之熱處理溫度下會發生相轉變成爲 安定相之NiSi2相。此NiSi2相之電阻率高、於矽化物化反 應中之Si的消耗量也大，所以相較於以往之閘極材料並無 特別之優點。 [發明內容] [發明之揭示] 基於以上情況，本發明乃提供一種高純度鎳或鎳合金 濺鍍靶及其製造方法，其可活用以自動對準矽化物程序所 形成之矽化鎳（NiSi)做爲閘極材料時的優點，且闡明了轉變 成爲^^以匕相的原因，可有效地抑制該相轉變，特別可做爲 優異的閘極材料。 本發明係提供： 1. 一種高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，其特徵在於，氧、碳 之含有量分別爲20wtppm以下。 2. —種高純度鎳或鎳合金濺鑛靶，其特徵在於，氧、碳 之含有量分別爲lOwtppm以下。 3. —種高純度鎳或鎳合金濺鑛靶，其特徵在於，氧、碳 之含有量分別爲lwtppm以下。 4. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，其 中，氫含有量爲lOwtppm以下。 5. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，其 中，氬含有量爲lwtppm以下。 6. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳或鎳合金濺鎪靶，其 200302288 中，不計合金元素以及氧、氫、氮、碳等之氣體成分之雜 質元素的含有量未滿lOwtppm。 7. 如上述6記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，其中’雜 質之鐵以及鈷的含有量分別爲5ppm以下。 8. 如上述6記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，其中，雜 質之鐵以及鈷的含有量分別爲2ppm以下。 9. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳合金濺鍍靶，其中， 合金元素方面係含有擇自鈦、锆、給、釩、鈮、鉅、鉻、 錳、釕、鈀、鉑、鉬、銶、鎢中至少一種之元素。 10. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳合金濺鍍靶，其中 ，合金元素方面係含有擇自鐵或鈷之至少1種的元素。 11. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳合金濺鍍靶，其中 ，合金元素之含有量爲0,5〜10原子％。 12. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳合金濺鍍靶，其中 ，合金元素之含有量爲1〜5原子％。 13. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶， 其中，係含有鑭系元素0.2〜40ppm。 14. 如上述1〜3任一記載之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶， 其中，係使用於與矽反應形成矽化物膜之自動對準矽化物 程序。 又，本發明係提供： 15. —種高純度鎳濺鍍靶之製造方法，係用以製造上述 1〜8、13、14任一記載之高純度鎳濺鍍靶，其特徵在於，將 粗鎳以電解精製法來去除金屬雜質之後，以電子束熔解等 200302288 之方法來熔解、製作成高純度鎳錠塊，然後藉由鍛造、壓 延等之塑性加工使其厚度成爲7〜10mm之後，在氫環境氣 氛中加熱以進行脫氧、脫碳，進一步在真空環境氣氛中加 熱以進行脫氫處理。 16. —種高純度鎳合金濺鍍靶之製造方法，係用以製造 上述1〜12任一記載之高純度鎳合金濺鍍靶，其特徵在於， 將粗鎳以電解精製法來去除金屬雜質之後，連同高純度合 金元素以電子束熔解等之方法來熔解、製作成高純度鎳合 金錠塊，然後藉由鍛造、壓延等之塑性加工使其厚度成爲 7〜10mm之後，在氫環境氣氛中加熱以進行脫氧、脫碳，進 一步在真空環境氣氛中加熱以進行脫氫處理。 17. 如上述15或16記載之高純度鎳合金濺鍍靶之製造 方法，其中，以電子束熔解等之方法來熔解、製作成高純 度鎳合金錠塊之際，係添加有做爲合金元素之鑭系元素 0.2ppm〜40ppm以提高脫氧效果。 [發明之實施形態] 本發明係關於氧、碳之含有量分別爲20wtppm以下之 高純度鎳或鎳合金濺鍍靶、較佳爲氧、碳之含有量分別爲 lOwtppm以下、更佳爲氧、碳之含有量分別爲lwtppm以下 之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶。 以往之高純度鎳靶，不計氣體成分爲4N5(99.995wt%) 程度之物，氧或是碳含有量分別爲50〜80wtppm，氮含有量 也高達50wtppm。 當使用前述氣體成分、特別是氧含有量高之靶以濺鍍 200302288 方式形成閘極Ni膜，進一步利用熱處理（退火）來形成矽化 鎳膜，亦即藉由自動對準矽化物程序來進行矽化物處理的 情況，鎳會與氧反應形成氧化膜，此氧化膜不僅會阻礙矽 化物反應，且於矽化物膜與矽基板之界面區域會形成具凹 凸之絕緣膜，甚至是該氧化物成爲矽化物膜之凝集原因等 導致之界面粗糙會造成N+/P之接合特性惡化、電阻增加。 特別是，矽化鎳相較於其他之矽化物材料屬非常容易 氧化之物，前述傾向更爲明顯。 關於碳含有量，考慮到其具有還原劑之作用，被認爲 不會造成不良影響，但碳含有量參差不齊的情況，會成爲 界面粗糙度的變動原因，所以必須壓低。 以往，雖嘗試以長膜程序來改善此種接合特性的降低 ，但未能充分地抑制此界面粗糙。本發明係將濺鍍靶中之 氣體成分的氧、碳顯著地降低，藉以一舉解決該問題。 又，高純度鎳或鎳合金濺鎪IE中之氫以lOwtppm以下 爲佳，以lwtppm以下爲更佳。去除此種氣體成分之高純度 鎳或鎳合金濺鎪靶，不僅可如上所述般改善矽化膜之特性 ，且可減少因氧、碳、氮、氫、氟、硫等之氣體成分所造 成之濺鍍中的飛濺（splash)、異常放電、粒子（particle)等之 發生，此爲其所具特徵。 又，藉由將合金元素以及氧、氫、氮、碳等之氣體成 分以外的雜質元素的含有量控制在lOwtppm以下，亦即做 成擁有5N純度之高純度鎳或鎳合金濺鍍靶，則可抑制因雜 質所引起之界面粗糙的惡化，此爲其優異效果所在。 200302288 再者，本發明中做爲高純度鎳或鎳合金濺鑛靶中之合 金元素，係含有擇自鈦、锆、給、釩、鈮、鉬、鉻、鉬、 銶中至少一種之元素。合金元素之含有量爲〇.5〜10原子％ 〇 如上所述，矽化鎳被質疑具有準安定相之NiSi相與安 定相之NiSi2相，在超過700°C之熱處理溫度下會發生相轉 變成爲安定相之NiSi2相，但藉由添加前述合金元素，可減 緩往安定相之NiSi2相的轉變，且在抑制上極爲有效。若未 滿0.5原子％沒有效果，又超過10原子％電阻率會變高所以 必須設定在10原子％以下，較佳爲1〜5原子％。 藉此，可得到抑制電阻率高之NiSi2相的形成以及矽化 物化反應中之Si消耗量的重大效果。 再者在合金元素方面若添加鑭系元素0.2ppm〜40ppm， 則於合金熔解製程可提升脫氧效果。該等元素少量即可有 效地抑制往NiSl2相的相轉變。 於下述實施例以及比較例中，雖顯示上述合金元素當 中鈦與鈮的添加例，但在添加其他元素之合金中也能得到 同樣的效果。 於製造本發明之高純度鎳濺鍍靶之際，係將粗鎳（4N級 )以電解精製法去除金屬雜質，然後以電子束熔解做精製得 到高純度鎳錠塊。 其次，將該錠塊以锻造、壓延等塑性加工薄化成爲厚 度7〜10mm左右之後，將該鎳板於氫環境氣氛中加熱來脫 氧、脫碳，緊接著在真空環境氣氛中加熱，進行脫氫處理。 11 200302288 將所得之鎳板做最終冷壓延以及再結晶退火製造出高 純度鎳濺鍍靶。此最終冷壓延、再結晶退火以使得壓延率 30%以上之壓延與再結晶退火至少反覆進行2次來調整晶粒 爲佳。 於製造高純度鎳合金濺鍍靶的情況，基本上係與上述 同樣，不過是在電子束熔解或在卡爾德-威爾（Cald-well)類 型之熔解爐進行熔解之際對高純度鎳同時添加高純度合金 元素，使其同時熔解製作出高純度鎳合金錠塊。之後經過 同樣的製程，製造出高純度鎳合金濺鍍靶。 藉此，可製造出氧等之氣體成分以及其他雜質元素被 極度降低之高純度鎳濺鍍靶以及高純度鎳合金濺鍍靶。 [實施方式] 以下，基於實施例來說明。又，該等實施例僅用來更 容易掌握本發明，本發明不受該等實施例所限制。 將厚度l〇mm之鎳板在鉬製加熱爐中以1000°C、1050 °C、1100°C、1150°C、120(TC、1250°C 進行氫處理 5 小時之 後，迅速地做氬氣置換緊接著進行真空處理3小時（到達真 空度5Χ10,οιτ)，對氫處理、真空處理所得之脫氧、脫碳 、脫氫效果進行調查。其結果以圖形示於表1。 如圖1之圖形所示般，隨著熱處理溫度之上升，氣體 成分之含有量會降低。於下述實施例中，係使用該等條件 調整適宜的氣體成分。又，於製作厚度3mm之鎳靶時，脫 氧後之厚度必須爲7mm以上。但是，若超過約10mm則脫 氧時間會變長而不適當。 12 200302288 (實施例1) 將粗鎳（純度4N(不計氣體成分），鈉30wtppm、鐵 8wtppm、銘5wtppm)做電解精製來高純度化。 接著，以電子束熔解法在5X10_4〜5〜lOAorr程度之真 空環境氣氛中熔解製作錠塊（(M50X 60mm)。將該錠塊以900 °(：做熱鍛造來破壞熔解凝固組織，進一步做成厚度10mm 板。 將該鎳板以鹽酸去除表面氧化膜，接著以30%之壓延 率做冷壓延，然後以鹽酸做表面淸洗後以325°C進行真空熱 處理（到達真空度5X 10_5t〇rr以下）。之後進一步以30%之壓 延率做冷壓延，然後以鹽酸做表面淸洗後以325°C進行真空 熱處理（真空度5xi(T5ton:以下）。接下來，以機械加工製作 出厚度3mm、φ300ιηιη之高純度鎳靶。 氧、碳、氫以及氣體成分與合金元素以外之雜質的含 有量係示於表1(氣體成分以外，係GDMS(輝光放電質量分 析法）所得之分析結果，以下相同）。 如表1所示般，其氧含量18wtppm、碳含有量16wtppm 、氫含有量12wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質. 含有量9wtppm。 (實施例2) 將粗鎳（純度4N(不計氣體成分），鈉30wtppm、鐵 8wtppm、銘5wtppm)做電解精製來高純度化。 接著，以電子束熔解法在5XKT4〜5〜10，〇π:程度之真 空環境氣氛中熔解製作錠塊（φ150Χ60ππη)。將該錠塊以900 13 200302288 °c做熱锻造來破壞熔解凝固組織’進一步做成厚度1 〇mm 板。 將該鎳板以鹽酸去除表面氧化膜’以鉬製加熱器之熱 處理爐在氫環境氣氛中、1050°C進行5小時熱處理’施行 脫氧、脫碳處理。然後迅速地做氬氣置換緊接著於1050°c 進行3小時真空熱處理（到達真空度5 x 10_5t〇rr)。 將該鎳板以30%之壓延率做冷壓延’然後以鹽酸做表 面淸洗後以325°C進行真空熱處理（到達真空度5xi0_5torr) 。之後進一步以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做表 面淸洗後以325°C進行真空熱處理（到達真空度5xi0_5torr 以下）。然後製作出厚度3mm、Φ300ιηιη之高純度鎳靶。 氧、碳、氫以及氣體成分與合金元素以外之雜質的含 有量同樣地示於表1 °如表1所示般’其氧含量8wtppm、 碳含有量7wtppm、氫含有量5wtppm、氣體成分以及合金成 分以外之雜質含有量7wtPPm。 (實施例3) 將粗鎳（純度4N(不計氣體成分），鈉30wtppm、鐵 8wtppm、鈷5wtppm)做電解精製來高純度化。 接著，以電子束熔解法在5X10·4〜5〜l(T5torr程度之真 空環境氣氛中熔解製作錠塊〇15〇X60mm)。將該錠塊以900 。(：做熱鍛造來破壞熔解凝固組織，進一步做成厚度l〇mm 板。 將該鎳板以鹽酸去除表面氧化膜，以鉬製加熱器之熱 處理爐在氫環境氣氛中、1250°C進行5小時熱處理，施行 200302288
脫氧、脫碳處理。然後迅速地做氬氣置換緊接著於1250°C 進行3小時真空熱處理（到達真空度5XlO_5torr以下）。將該 鎳板以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做表面淸洗後 以325°C進行真空熱處理（到達真空度5xi0_5torr以下）。 之後進一步以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做 表面淸洗後以325t進行真空熱處理（到達真空度5Xl(T5torr 以下）。然後製作出厚度3mm、φ300ππη之高純度鎳靶。 氧、碳、氫以及氣體成分與合金元素以外之雜質的含
有量同樣地示於表1。如表1所示般，其氧含量lwtppm、 碳含有量lwtppm、氫含有量lwtppm、氣體成分以及合金成 分以外之雜質含有量lwtppm。 表1
合金添加元素 一添加量 氧含有量 (wtppm) 碳含有量 (wtppm) 氫含有量 (wtppm) 氣體、合金成分以外之 雜質含有量(wtppm) 界面粗糙度 矽化鎳相變化 溫度fc) 實施例1 無 18 16 12 9 良好 700 實施例2 無 8 7 5 7 最佳 690 實施例3 無 1 1 1 <1 最佳 680 比較例1 無 53 36 22 42 不良 710 比較例2 無 40 28 30 28 不良 705 比較例3 無 35 26 35 8 不良 700 實施例4 鈦-5原子％ 12 11 13 8 良好 760 實施例5 鈦-5原子％ 6 9 6 9 良好 750 實施例6 鈦-5原子％ 1 1 1 <1 最佳 750 比較例4 鈦-5原子％ 60 45 15 43 不良 770 比較例5 鈦_5原子％ 35 32 25 25 不良 760 比較例ό 鈦-5原子％ 32 23 25 9 不良 770 實施例7 鈮-3原子％ 15 12 8 7 良好 760 實施例8 鈮-3原子％ 7 6 4 5 最佳 750 實施例9 鈮-3原子％ 1 1 1 <1 最佳. 740 比較例7 鈮-3原子％ 75 62 12 38 不良 770 比較例8 鈮-3原子％ 45 36 21 31 不良 780 比較例9 鈮-3原子％ 33 26 18 10 不良 770 15 200302288 註）界面粗糙度以30nm以下爲最佳、30〜40nm爲良好、 50nm以上爲不良 註）氣體成分以外係採GDMS(輝光放電質量分析法）所得之 分析結果 使用上述實施例1〜3之高純度鎳靶’在矽膜上以濺鍍 方式形成鎳膜，在氮環境氣氛中於500 °CW RTA(RaPid Thermal Anneal)法做熱處理，製作出矽化鎳膜。 該膜之截面係以TEM觀察界面粗糙度之情況。進一步 將該膜在氮環境氣氛中加熱，利用XRD繞射法對矽化鎳 (NiSi)往NiSi2之結晶結構變化之溫度做調查。 其結果係示於上述表1。 如表1所示般，實施例1〜3之界面粗糙度皆良好（又， 界面粗糙度係以30〜40nm爲良好，50nm以上爲不良。以下 同樣）。 (比較例1) 將純度99.995wt%之高純度鎳板以30%之壓延率做冷壓 延，然後以鹽酸做表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真 空度5 X 10_5t〇rr以下）。 之後進一步以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做 表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真空度5Xl(T5torr以 下）。 然後製作出厚度3mm、φ300ηπη之高純度鎳靶。此時氣 體成分中，氧含量53wtppm、碳含有量36wtppm、氫含有量 22wtppm均高，且氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 16 200302288 量亦高達42wtppm 〇 (比較例2) 將純度99.995wt%之高純度鎳板以30%之壓延率做冷壓 延，然後以鹽酸做表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真 空度5Χΐ0·51οιτ以下）。 之後進一步以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做 表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真空度5xi0_5toir以 下）。 然後製作出厚度3mm、φ300ηιιη之高純度鎳靶。此時氣 體成分中，氧含量40wtppm、碳含有量28wtppm、氫含有量 30wtppm均高，且氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 量亦高達28wtppm。 (比較例3) 將純度99.995wt%之高純度鎳板以30%之壓延率做冷壓 延，然後以鹽酸做表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真 空度5X l(T5torr以下）。 之後進一步以30%之壓延率做冷壓延，然後以鹽酸做 表面淸洗後以325°C進行真空熱處理（真空度5xi0_5torr以 下）。 然後製作出厚度3mm、φ300ιηιη之高純度鎳靶。此時氣 體成分中，氧含量35wtppm、碳含有量26wtppm、氫含有量 35wtppm均高，且氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 量亦高達8wtppm 〇 使用比較例1〜3之鎳靶，與實施例同樣在矽膜上以濺 17 200302288 鍍方式形成鎳膜，進一步在氮環境氣氛中於500°C以RTA 法做熱處理，製作出矽化鎳膜。該膜之截面係以TEM觀察 界面粗糙度之情況。 進一步將該膜在氮環境氣氛中以RTA法加熱，利用 XRD繞射法對矽化鎳往NiSi2之結晶結構變化做調查。 其結果係同樣地示於上述表1。 如表1所示般，比較例1〜3之界面粗糙度皆不良。 (實施例4) 除了在EB熔解時添加Ti 5原子％以外，係以實施例i 之材料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 - 如表1所示般，其氧含量12wtppm、碳含有量liwtppm 、氫含有量l3wtPPm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量8wtppm。 (實施例5) 除了在EB熔解時添加Ti 5原子％以外，係以實施例2 之材料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如表1所不般’其氧含堇6wtppm、碳含有量9wtppm、 氫含有量6wtPPm、氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 量 9wtppm。 (實施例6) 18 200302288 除了在EB熔解時添加ji 5原子％以外，係以實施例3 之材料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地不於表1。 如表1所示般’其氧含量lwtppm、碳含有量lwt卯m、 氫含有量lwtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 量未滿1 wtppm。 使用上述實施例4〜6之高純度鎳靶，在矽膜上以濺鍍 方式形成鎳Μ ’在氮環境氣氛中於500 °C以RTA(Rapid Thermal Anneal)法做熱處理，製作出矽化鎳膜。 該膜之截面係以TEM觀察界面粗糙度之情況。進一步 將該膜在氮環境氣氛中以RTA法加熱，利用XRD繞射法對 矽化鎳（NiSi)往NiSi2之結晶結構變化之溫度做調查。 其結果同樣示於上述表1。 如表1所示般，實施例4〜6之界面粗糙度皆良好。又 ’矽化鎳相變化溫度爲750°C以上，可得到即使受高溫之熱 處理仍可抑制相變化之效果。 藉由做成鎳合金，該溫度會更往高溫側移動，相較於 純鎳具有更良好之特性。 (比較例4) 除了在EB熔解時添加Ti 5原子％以外，係以比較例1 之材料與製造條件來製作出鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 200302288 如表1所示般，其氧含量60wtppm、碳含有量45wtppm 、氫含有量15wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量43wtppm。 (比較例5) 除了在EB熔解時添加Ti 5原子％以外，係以比較例2 之材料與製造條件來製作出鎳合金耙。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如表1所不般，其氧含量35wtppm、碳含有量32wtppm 、氫含有量25wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量25wtppm。 (比較例6) 除了在EB熔解時添加Ti 5原子％以外，係以比較例3 之材料與製造條件來製作出鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如表1所示般，其氧含量32wtppm、碳含有量23wtppm 、氫含有量25wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量未滿9wtppm。 使用上述比較例4〜6之高純度鎳靶，在矽膜上以濺鍍 方式形成鎳膜，在氮環境氣氛中於500°C以RTA(Rapid Thermal Anneal)法做熱處理，製作出砂化鎳膜。 該膜之截面係以TEM觀察界面粗糙度之情況。進一步 將該膜在氮環境氣氛中以RTA法加熱，利用XRD繞射法對 200302288 石夕化鎳（NiSi)往NiSi2之結晶結構變化之溫度做調查。 其結果同樣示於上述表1。 如袠1所示般，比較例4~6之界面粗糙度皆不良。 (實施例7) 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以實施例1 之材料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如袠1所示般，其氧含量15wtppm、碳含有量12wtppm 氫含有量8wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜菅含 有奥 7wtppm。 (貫施例8) 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以實施例2 料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 ^ 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 裹同樣地示於表1。 如袠1所示般，其氧含量7wtppm、碳含有量6wtppm、 有量4wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 毚 5wtPpm。 、 ⑽施例9) 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以實施例3 &柯料與製造條件來製作出高純度鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的a右 4同樣地示於表1。 ^ 21 200302288 如表1所示般，其氧含量1wtPPm、碳含有量1wtPPm、 氫含有量lwtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質含有 量未滿lwtppm。 使用上述實施例7〜9之高純度鎳靶’在矽膜上以濺鍍 方式形成鎳膜，在氮環境氣氛中於500 °c以RTA(RaPid Thermal Anneal)法做熱處理，製作出矽化鎳膜。 該膜之截面係以TEM觀察界面粗糙度之情況。進一步 將該膜在氮環境氣氛中以RTA法加熱，利用XRD繞射法對 矽化鎳（NiSi)往NiSi2之結晶結構變化之溫度做調查。 © 其結果同樣示於上述表1。 如表1所示般，實施例7〜9之界面粗糙度皆良好。又 ，矽化鎳相變化溫度爲740°C以上，可得到即使受高溫之熱 處理仍可抑制相變化之效果。 藉由做成鎳合金，該溫度會更往高溫側移動，相較於 純鎳具有更良好之特性。 (比較例7) 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以比較例i 籲 之材料與製造條件來製作出鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如表1所示般，其氧含量75wtppm、碳含有量62wtppm 、氫含有量12wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量38wtppm。 (比較例8) 22 200302288 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以比較例2 之材料與製造條件來製作出鎳合金耙。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 ^ 如表1所不般，其氧含量45wtppm、碳含有量36wtppm 氫含有量21wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量31 wtppm。 (比較例9) 除了在EB熔解時添加Nb 3原子％以外，係以比較例3 之材料與製造條件來製作出鎳合金靶。 氧、碳、氫、氣體成分與合金元素以外之雜質的含有 量同樣地示於表1。 如表1所市般’其氧含重33wtppm、碳含有量26wtppm 、氫含有量18wtppm、氣體成分以及合金成分以外之雜質 含有量未滿lOwtppm。 使用上述比較例7〜9之高純度鎳靶，在矽膜上以濺鍍 方式形成鎳膜，在氮環境氣氛中於500 °C以RTA(Rapid Thermal Anneal)法做熱處理’製作出砂化鎳膜。 該膜之截面係以TEM觀察界面粗糙度之情況。進一步 將該膜在氮環境氣氛中以RTA法加熱，利用XRD繞射法對 矽化鎳（NiSi)往NiSi2之結晶結構變化之溫度做調查。 其結果同樣示於上述表1。 如表1所示般，比較例7〜9之界面粗糙度皆不良。 [發明之效果] 23 200302288 藉由將高純度鎳或鎳合金濺鍍靶中之氧、碳等之氣體 成分以及其他雜質元素儘可能壓低，則以自動對準矽化物 程序來形成矽化鎳之閘極膜之際之鎳與氧會反應形成氧化 膜之問題、此氧化膜會阻礙矽化物反應之問題、於矽化物 膜與矽基板之界面區域會形成具凹凸之絕緣膜之問題、甚 至是該氧化物成爲矽化物膜之凝集原因等導致之界面粗糙 所造成之N+/P之接合特性惡化、電阻增加之問題這些矽化 鎳現存之問題皆可獲得解決，此爲本發明之顯著效果。 又，藉由於高純度鎳添加合金元素，可減緩、抑制從 準安定相之NiSi轉變爲電阻率高、爲矽化物化反應中Si消 耗量增加原因之安定相之NiSi2相，此爲其優異效果所在。 [圖式之簡單說明] 圖1所示係顯示真空處理溫度與氧、碳、氫之關係的 圖形（圖）。
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