TR201820500T4 - Saf silisyumun üretilmesi için reaktör ve yöntem. - Google Patents

Saf silisyumun üretilmesi için reaktör ve yöntem. Download PDF

Info

Publication number
TR201820500T4
TR201820500T4 TR2018/20500T TR201820500T TR201820500T4 TR 201820500 T4 TR201820500 T4 TR 201820500T4 TR 2018/20500 T TR2018/20500 T TR 2018/20500T TR 201820500 T TR201820500 T TR 201820500T TR 201820500 T4 TR201820500 T4 TR 201820500T4
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
reactor
silicon
partition wall
disclosed
inner chamber
Prior art date
Application number
TR2018/20500T
Other languages
English (en)
Inventor
Kerat Uwe
Original Assignee
Schmid Silicon Tech Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schmid Silicon Tech Gmbh filed Critical Schmid Silicon Tech Gmbh
Publication of TR201820500T4 publication Critical patent/TR201820500T4/tr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
    • C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Burada, silisyum içeren bir bileşiğin yüksek ısıtılmış silisyum çubukları üzerinde termik parçalanması yardımı ile silisyum üretilmesi için, bir reaktör tabanını ve onun üzerine monte edilmiş, birlikte içinde termik parçalanmanın gerçekleştiği bir reaktör iç odacığını saran, çıkartılabilir bir reaktör üst kısmını içeren bir reaktör açıklanmaktadır ki burada reaktör tabanı içine silisyum çubuklarının sabitlendiği tutuculara sahiptir. Bu reaktör tutucuların reaktör tabanında altıgenlerden oluşan bir desen oluşturuyor ve / veya reaktör iç odacığının kılıf şeklinde bir bölme duvarı ile, tercihen içine silisyum çubuklarının yerleştirildiği bir merkezi, silindirik iç bölüme ve bunu radyal yönde saran, tercihen halka parçası şeklinde dış bölüme ayıran, iki kısmi bölüme sahip olması, bu kısmi bölümlerin yukarı doğru açık veya bölme duvarı üzerindeki geçitler üzerinden birbiri ile bağlantı halinde olması ile karakterize edilmektedir. Ayrıca silisyum üretilmesi için, böyle bir reaktör içinde uygulanabilecek, bir yöntem açıklanmıştır.
TR2018/20500T 2011-12-22 2012-12-21 Saf silisyumun üretilmesi için reaktör ve yöntem. TR201820500T4 (tr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011089695A DE102011089695A1 (de) 2011-12-22 2011-12-22 Reaktor und Verfahren zur Herstellung von Reinstsilizium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201820500T4 true TR201820500T4 (tr) 2019-01-21

Family

ID=47522601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2018/20500T TR201820500T4 (tr) 2011-12-22 2012-12-21 Saf silisyumun üretilmesi için reaktör ve yöntem.

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP2794087B1 (tr)
KR (1) KR102015491B1 (tr)
CN (1) CN104245116B (tr)
DE (1) DE102011089695A1 (tr)
HK (1) HK1205047A1 (tr)
TR (1) TR201820500T4 (tr)
WO (1) WO2013093051A2 (tr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015209008A1 (de) 2015-05-15 2016-11-17 Schmid Silicon Technology Gmbh Verfahren und Anlage zur Zersetzung von Monosilan
CN109399640A (zh) * 2018-12-25 2019-03-01 亚洲硅业（青海）有限公司 多晶硅还原炉硅芯安装装置以及安装方法
DE102019209898A1 (de) 2019-07-04 2021-01-07 Schmid Silicon Technology Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bildung von flüssigem Silizium
JP2023008110A (ja) 2021-07-05 2023-01-19 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンロッドの製造装置及び製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3634150A (en) * 1969-06-25 1972-01-11 Gen Electric Method for forming epitaxial crystals or wafers in selected regions of substrates
GB2028289B (en) 1978-08-18 1982-09-02 Schumacher Co J C Producing silicon
US4676967A (en) 1978-08-23 1987-06-30 Union Carbide Corporation High purity silane and silicon production
US4681652A (en) * 1980-06-05 1987-07-21 Rogers Leo C Manufacture of polycrystalline silicon
US4643890A (en) * 1984-09-05 1987-02-17 J. M. Huber Corporation Perforated reactor tube for a fluid wall reactor and method of forming a fluid wall
JP2002241120A (ja) * 2001-02-15 2002-08-28 Sumitomo Titanium Corp 多結晶シリコン製造用反応炉及び多結晶シリコン製造方法
DE102004038718A1 (de) * 2004-08-10 2006-02-23 Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium
JP5428145B2 (ja) * 2006-10-31 2014-02-26 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
DE102009003368B3 (de) * 2009-01-22 2010-03-25 G+R Polysilicon Gmbh Reaktor zur Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess
CN102134745B (zh) * 2010-04-08 2013-07-10 江苏中能硅业科技发展有限公司 用于生产多晶硅的反应器及系统
US9315895B2 (en) * 2010-05-10 2016-04-19 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus for producing polycrystalline silicon
EP2423352A1 (en) * 2010-08-24 2012-02-29 Centesil S.L. Thermal shield for silicon production reactors
CN201962075U (zh) * 2011-03-28 2011-09-07 四川瑞晟光伏材料有限公司 多晶硅还原炉
CN102249241B (zh) * 2011-06-14 2013-04-17 上海森松新能源设备有限公司 多晶硅还原炉

Also Published As

Publication number Publication date
CN104245116A (zh) 2014-12-24
DE102011089695A1 (de) 2013-06-27
EP2794087B1 (de) 2018-11-07
EP2794087A2 (de) 2014-10-29
WO2013093051A2 (de) 2013-06-27
HK1205047A1 (en) 2015-12-11
KR102015491B1 (ko) 2019-10-21
CN104245116B (zh) 2016-02-24
WO2013093051A3 (de) 2013-08-22
KR20140107555A (ko) 2014-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TR201820500T4 (tr) Saf silisyumun üretilmesi için reaktör ve yöntem.
EA201790668A1 (ru) Кольцевой поддерживающий контейнер для катализатора для применения в трубчатом реакторе
EA201590879A1 (ru) Арилконденсированные и гетероарилконденсированные лактамы
EA201591506A1 (ru) Гетероциклические амины в качестве ингибиторов киназы
AR091424A1 (es) Compuestos triciclicos sustituidos como inhibidores de receptores del factor de crecimiento del fibroplasto (fgfr)
MY161332A (en) Chucks for supporting solar cell in hot spot testing
EA201590629A1 (ru) Новые лиганды rig-i и способы их получения
EA201000883A1 (ru) Производные индолинона и способ их получения
UA111687C2 (uk) Гетероароматичні сполуки як ліганди допаміну d1
EA201400182A1 (ru) Производные пиридин-2(1н)-она в качестве ингибиторов jak
TR201907789T4 (tr) Kalkobutrol hazirlanişina yöneli̇k yöntem
IT1399383B1 (it) Bruciatore ad elevata stabilita' di fiamma, particolarmente per il trattamento termico di manufatti ceramici.
PL412210A1 (pl) Silnie fluorescencyjne substancje heterocykliczne i sposób ich syntezy
CL2009000946A1 (es) Compuestos derivados de 1,3-dihidro-2h-pirrolo[3,2-b]piridin-2-ona; procedimiento de preparacion de estos; composicion farmaceutica que los comprende; utiles para el tratamiento ees, afecciones del snc, dismenorrea primaria y secundaria, del snc, dismenorrea primaria y secundaria, entre otras.
EA201591496A1 (ru) Способ установки монолитов в реактор для проведения гетерогенно-каталитических газофазных реакций
CL2014002860A1 (es) Producto sinterizado hecho de carburo de silicio denso; y su proceso de fabricacion.
CL2015000280A1 (es) Un sistema de horno porque comprende: por lo menos una seccion radiante inferior que comprende una camara de combustion colocada alli adentro; por lo menos una seccion radiante superior colocada encima de la por lo menos una seccion radiante inferior, la por lo menos una seccion radiante superior comprende una segunda camara de combustion.
SG10201907363YA (en) Methods Of Chemical Synthesis Of Diaminophenothiazinium Compounds Including Methylthioninium Chloride (Mtc)
MY184337A (en) Reactor for depositing polycrystalline silicon
EA201792060A1 (ru) Кипящий водяной реактор
MX2016012936A (es) Proceso para la preparacion de n-[3-(bencilcarbamoil)fenil]-1h-pir azol-5-carboxamidas.
EA201201647A1 (ru) Способ получения f-18 меченных лигандов бета-амилоида
CO6511200A2 (es) Proceso para la preparación de derivados de primidinilacetonitrilo e intermediarios para la sintesis de estos
RU2015106899A (ru) Охлаждение камеры сгорания
ITUB20161242A1 (it) Prolunga siliconica per una bobina di accensione per motori endotermici, bobina di accensione contenente detta prolunga siliconica e metodo di assemblaggio di detta bobina di accensione