TH73870A - สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents
สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์Info
- Publication number
- TH73870A TH73870A TH401004368A TH0401004368A TH73870A TH 73870 A TH73870 A TH 73870A TH 401004368 A TH401004368 A TH 401004368A TH 0401004368 A TH0401004368 A TH 0401004368A TH 73870 A TH73870 A TH 73870A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- type
- ammonium
- cleaning
- clause
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 65
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract 26
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 19
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract 14
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 12
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract 9
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims abstract 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 6
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 30
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 27
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- JDRJCBXXDRYVJC-UHFFFAOYSA-N OP(O)O.N.N.N Chemical compound OP(O)O.N.N.N JDRJCBXXDRYVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 5
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims 3
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 claims 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 3
- ZLRANBHTTCVNCE-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-3-(trifluoromethyl)pyridine Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=C1 ZLRANBHTTCVNCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 2
- GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N alpha-camphorene Chemical compound CC(C)=CCCC(=C)C1CCC(CCC=C(C)C)=CC1 GJYJYFHBOBUTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims 2
- 229940113088 dimethylacetamide Drugs 0.000 claims 2
- WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 125000005342 perphosphate group Chemical group 0.000 claims 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 2
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- MTSQHZHIEDRSOM-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpyridin-2-one Chemical compound CCN1C=CC=CC1=O MTSQHZHIEDRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UGQMRVRMYYASKQ-KQYNXXCUSA-N Inosine Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C2=NC=NC(O)=C2N=C1 UGQMRVRMYYASKQ-KQYNXXCUSA-N 0.000 claims 1
- NDGSBJSAXJUQTE-UHFFFAOYSA-N azane;phosphorous acid Chemical compound N.OP(O)O NDGSBJSAXJUQTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 claims 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L thiosulfate(2-) Chemical compound [O-]S([S-])(=O)=O DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 abstract 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (01/02/48) สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียส และวิธีการใช้สารผสมสำหรับทำความ สะอาดนี้เพื่อทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต, ซึ่งสารผสมนี้สามารถที่จะทำความสะอาด ซับสเตรตดังกล่าวได้อย่างเกือบจะสมบูรณ์ และเกื อบจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนโลหะของธาตุโลหะ ของซับสเตรตดังกล่า วเลย สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียสตามการประดิษฐ์นี้มี (a) น้ำ, (b) แอมโมเนียม และควอเทอร์นารี่แอมโมเนียมไอออนอย่าง น้อยหนึ่งชนิด และ (c) ไฮโป ฟอสไฟต์ (H2PO2) และ/หรือ ฟอสไฟต์ (HPO3 2-) ไอออน อย่างน้อยหนึ่งชนิด สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ยังอาจมีฟลูออไร ด์ไอออนอยู่ด้วยเช่นกัน โดยที่อาจเลือกใช้คือ, สารผสมนี้อาจมีส่วน ประกอบอื่นๆ อยู่ เช่น ตัวทำละลายอินทรีย์, สารออกซิไดซ์, สารลดแรงตึงผิว, สารยับยั้งการกัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเชิงซ้อนกับโลหะ สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียส และวิธีการใช้สารผสมสำหรับทำความ สะอาดนี้เพื่อทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต, ซึ่งสารผสมนี้สามารถท ี่จะทำความสะอาด ซับสเตรตดังกล่าวได้อย่างเกือบจะสมบูรณ์ และเกื อบจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนโลหะของธาตุโลหะ ของซับสเตรตดังกล่า วเลย สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียสตามการประดิษฐ์นี้มี (a) น้ำ, (b) แอมโมเนียม และควอเทอร์นารี่แอมโมเนียมไอออนอย่าง น้อยหนึ่งชนิด และ (c) ไฮโป ฟอสไฟต์ (H2PO2) และ/หรือ ฟอสไฟต์ (HPO3 2) ไอออน อย่างน้อยหนึ่งชนิด สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ยังอาจมีฟลูออไร ด์ไอออนอยู่ด้วยเช่นกัน โดยที่อาจเลือกใช้คือ, สารผสมนี้อาจมีส่วน ประกอบอื่นๆ อยู่ เช่น ตัวทำละลายอินทรีย์, สารออกซิไดซ์, สารลดแรงตึงผิว, สารยับยั้งการกัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเช ิงซ้อนกับโลหะ
Claims (8)
1. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 50 ซึ่งมีกลีเซอรอลอยู่ในสารผสมนี้ใ นปริมาณประมาณ 10% นน. ของสารผสม และมีไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์อยู ่ในสารผสมนี้ในปริมาณประมาณ 0.6% นน. ของสารผสม 5
2. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอสฟอรัส และไฮโป ฟอสฟอรัส และแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 5
3. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอ สฟอรัส และแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ 5
4. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วนป ระกอบเพิ่มเติมอีกอย่าง น้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประ กอบด้วยสารลดแรงตึงผิวและสารยับยั้งการกัดกร่อน 5
5. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 54 ซึ่งสารยับยั้งการกัดกร่อนนี้ประ กอบรวมด้วยแคทีคอล 5
6. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยควอเท อร์นารี่แอมโมเนียม ไอออน 5
7. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยเตตระ แอลคลิแอมโมเนียม ไอออน 5
8. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 57 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอ สฟอรัส และสารประกอบที่ เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยเตตระโพรพิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระบิวทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เตตระโพรพิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ซีทิล ไตรเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, และเตตระเอธานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH73870A true TH73870A (th) | 2005-12-22 |
| TH70923B TH70923B (th) | 2019-07-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI722504B (zh) | 用於TiN硬遮罩的移除及蝕刻殘留物的清潔的組合物 | |
| KR102266832B1 (ko) | TiN 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거 | |
| JP4522408B2 (ja) | マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 | |
| EP2500407B1 (en) | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations | |
| US7235188B2 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| JP5385231B2 (ja) | 水系ストリッピング及び洗浄配合物、並びにその使用方法 | |
| JP2007503115A5 (th) | ||
| US7160482B2 (en) | Composition comprising an oxidizing and complexing compound | |
| JP5691039B2 (ja) | 酸洗浄用腐食抑制剤組成物 | |
| TW200428512A (en) | Reducing oxide loss when using fluoride chemistries to remove post-etch residues in semiconductor processing | |
| KR102375342B1 (ko) | Tin 풀-백 및 클리닝 조성물 | |
| CN1993457A (zh) | 微电子衬底的清洗组合物 | |
| CN101223265B (zh) | 剥离剂组合物 | |
| KR20120133077A (ko) | 평판표시장치용 세정제 조성물 | |
| KR20160000430A (ko) | 티탄 또는 티탄 화합물용의 박리액, 및 배선 형성 방법 | |
| KR20100138800A (ko) | 태양전지용 세정액 조성물 | |
| KR20110028239A (ko) | 평판표시장치 제조용 기판의 세정액 조성물 | |
| JP4045408B2 (ja) | 銅配線基板向け洗浄液およびこれを使用したレジスト剥離方法 | |
| TH70923B (th) | สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ | |
| TH73870A (th) | สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ | |
| KR20010042461A (ko) | 감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거방법 | |
| TW200536936A (en) | Stripping and cleaning compositions for microelectronics | |
| TH37725A3 (th) | สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต | |
| TH30235C3 (th) | สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต |