TH70923B - สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents
สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์Info
- Publication number
- TH70923B TH70923B TH401004368A TH0401004368A TH70923B TH 70923 B TH70923 B TH 70923B TH 401004368 A TH401004368 A TH 401004368A TH 0401004368 A TH0401004368 A TH 0401004368A TH 70923 B TH70923 B TH 70923B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- under
- cleaning
- method under
- group
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (01/02/48) สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียส และวิธีการใช้สารผสมสำหรับทำความ สะอาดนี้เพื่อทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต, ซึ่งสารผสมนี้สามารถที่จะทำความสะอาด ซับสเตรตดังกล่าวได้อย่างเกือบจะสมบูรณ์ และเกื อบจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนโลหะของธาตุโลหะ ของซับสเตรตดังกล่า วเลย สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียสตามการประดิษฐ์นี้มี (a) น้ำ, (b) แอมโมเนียม และควอเทอร์นารี่แอมโมเนียมไอออนอย่าง น้อยหนึ่งชนิด และ (c) ไฮโป ฟอสไฟต์ (H2PO2) และ/หรือ ฟอสไฟต์ (HPO3 2-) ไอออน อย่างน้อยหนึ่งชนิด สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ยังอาจมีฟลูออไร ด์ไอออนอยู่ด้วยเช่นกัน โดยที่อาจเลือกใช้คือ, สารผสมนี้อาจมีส่วน ประกอบอื่นๆ อยู่ เช่น ตัวทำละลายอินทรีย์, สารออกซิไดซ์, สารลดแรงตึงผิว, สารยับยั้งการกัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเชิงซ้อนกับโลหะ สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียส และวิธีการใช้สารผสมสำหรับทำความ สะอาดนี้เพื่อทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกซับสเตรต, ซึ่งสารผสมนี้สามารถท ี่จะทำความสะอาด ซับสเตรตดังกล่าวได้อย่างเกือบจะสมบูรณ์ และเกื อบจะไม่ทำให้เกิดการกัดกร่อนโลหะของธาตุโลหะ ของซับสเตรตดังกล่า วเลย สารผสมสำหรับทำความสะอาดชนิดแอคเควียสตามการประดิษฐ์นี้มี (a) น้ำ, (b) แอมโมเนียม และควอเทอร์นารี่แอมโมเนียมไอออนอย่าง น้อยหนึ่งชนิด และ (c) ไฮโป ฟอสไฟต์ (H2PO2) และ/หรือ ฟอสไฟต์ (HPO3 2) ไอออน อย่างน้อยหนึ่งชนิด สารผสมสำหรับทำ ความสะอาดนี้ยังอาจมีฟลูออไร ด์ไอออนอยู่ด้วยเช่นกัน โดยที่อาจเลือกใช้คือ, สารผสมนี้อาจมีส่วน ประกอบอื่นๆ อยู่ เช่น ตัวทำละลายอินทรีย์, สารออกซิไดซ์, สารลดแรงตึงผิว, สารยับยั้งการกัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเช ิงซ้อนกับโลหะ
Claims (2)
1-โพรพิล-
2-ไพโรลิดิโนน, 1-ไฮดรอกซีเอธิล-2-ไพโรลิดิโนน, ไดแอลคิลซัลโฟน, ไดเมธิล ซัลฟอกไซด์, เตตระไฮโดรไธโอฟีน-1,1-ไดออกไซด์, ไดเมธิลอะเซตาไมด์ และไดเมธิลฟอร์มาไมด์ และสารออกซิไดซ์ที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์, เพอร์ซัลเฟต, เพอร์ฟอสเฟต, ไฮโปซัลไฟต์, ไฮโปคลอไรด์ 10. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งประกอบรวมด้วย ทั้งตัว ทำลายอินทรีย์และสารออกซิไดซ์ 11. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งตัวทำละลายอิ นทรีย์นี้ คือ กลีเซอรอล และสารออกซิไดซ์นี้ คือ ไฮโดรเจนเพอร์ ออกไซด์ 12. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งตัวทำละลายอิน ทรีย์นี้ประกอบรวม ด้วยกลีเซอรอล 13. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งสารออกซิไดซ์น ี้ประกอบรวม ด้วยไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์ 14. สารผสมชนิดแอคเควียสตา มข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วน ประกอบเพิ่มเ ติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารล ดแรงตึงผิวและสาร ยับยั้งการกัดกร่อน 15. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ซึ่งสารยับยั้งกา รกัดกร่อนนี้ประกอบ รวมด้วยแคทีคอล 16. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งประกอบรวมเพิ่ มเติมด้วยส่วน ประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจ ากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิวและสาร ยับยั้งการกัดกร่อน 17. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 11 ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วน ประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมา จากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารดแรงตึงผิว, และสารยับยั้ง การกัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเชิงซ้อนกับโลหะ 18. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ซึ่งประกอบรวมแอมโม เนียม ไฮโปฟอสไฟต์, แอมโมเนียมฟอสไฟต์, หรือของผสมของทั้งสองอย่างจากประมาณ 1.8 ถึงประมาณ 6.0% นน., และน้ำจากประมาณ 89 ถึงประมาณ 98 % นน. เทียบกับน้ำหนักของสารผสม 19. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ซึ่งประกอบรวมเพิ ่มเติมด้วย ฟลูออไรด์ไอออนประมาณ 100 ppm 20. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งประกอบรวมเพิ ่มเติมด้วย กลีเซอรอล 21. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งประกอบรวมเพิ่ม เติมด้วย ไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์ 22. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ซึ่งมีกลีเซอรอลอ ยู่ในสารผสมนี้ใน ปริมาณประมาณ 10% นน. ของสารผสม และไฮโดรเจนเพ อร์ออกไซด์อยู่ในสารผสมนี้ในปริมาณ ประมาณ 0.6% นน. ของสารผสม 23. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสารผสมนี้ประก อบรวมด้วยกรด ฟอสฟอรัส และ ไฮโปฟอสฟอรัส และแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 24. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยกร ดฟอสฟอรัส และแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 25. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ซึ่งประกอบรวมเพิ ่มเติมด้วยส่วน ประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมา จากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิว และสาร ยับยั้งการกัดกร่อน 26. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 25 ซึ่งสารยับยั้งกา รกัดกร่อนนี้ประกอบ รวมด้วยแคทีคอล 27. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งสารผสมนี้ประก อบรวมด้วย ควอเทอร์นารี่แอมโมเนียมไอออน 28. สารผสมชนิดแอคเควียสตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ซึ่งสารผสมนี้ประ กอบรวมด้วยเตตระ แอลคลิแอมโมเนียมไอออน 29. สารผสมชนิดแอคเควียส ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยกรดฟอสฟอรัส และสารประกอบที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยเตตระเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระ เอธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระโพรพิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระบิวทิลแอมโมเนียม ไฮดรกไซด์, ซีทิลไตรเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, และเตตระเอธานอลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ 30. กรรมวิธีสำหรับทำความสะอาดไมโครอีเล็กทรอนิคซับสเตรตโดยไม่ทำให้เกิดการ กัดกร่อนของโลหะที่สำคัญแต่อย่างใด, ซับสเตรทนี้มีวัสดุโพลิเมอร์โฟโต้รีซิสต์ และ/หรือ สารตก ค้าง และโลหะ, กรรมวิธีนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเตรทกับสารผสมสำหรับทำความสะอาด เป็นระยะเพียงพอที่จะทำความสะอาดซับสเตรตนี้, โดยที่สารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ ประกอบรวมด้วย : (a) น้ำ, (b) แอมโมเนเนียม และควอเทอร์นารี่แอมโมเนี่ยมไอออนอย่างน้อยหนึ่งชนิด, และ (c) ไฮโปฟอสไฟต์ (H2PO2) และ/หรือ ฟอสไฟต์ (HPO32) ไอออนอย่างน้อยหนึ่งชนิด 31. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ปร ะกอบรวมด้วยน้ำ กับแอมโมเนียม ไฮโปฟอสไฟต์ และแอมโมเนียมฟอสไฟต์ อย่างน้อยหนึ่งชนิด 32. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยฟลูออไรด์ไอออน 33. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยฟลูออไรด์ไอออน 34. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยไฮโดรเจนฟลูออไรด์ 35. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิ ดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยตัวทำละลาย อินทรีย์และสารออก ซิไดซ์ 36. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิ ดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยตัวทำละลาย อินทรีย์และสารออก ซิไดซ์ 37. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ปร ะกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิด ที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยตัวทำละลาย อินทรีย์และสารออกซ ิไดซ์ 38. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์นี้เลือกม าจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย กลีเซอรอล, 2-ไพโรลิดิโนน, 1-เมธิล-2-ไพโรลิดิโนน, 1-เอธิล-2-ไพโรลิดิโนน, 1-โพรพิล-2- ไพโรลิดิโนน, 1-ไฮดรอกซีเอธิล-2-ไพโรลิดิโนน, ไดแอลคิลซัลโฟน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, เตตระ ไฮโดรไธโอฟีน-1,1-ไดออกไซด์, ไดเมธิลอะเซตาไมด์ และ ไดเมธิลฟอร์มาไมด์ และสารออกซิไดซ์ที่ เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์, เพอร์ซัลเฟต, เพอร์ฟอสเฟต, ไฮโป ซัลไฟต์, ไฮโปคลอไรด์, 39. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 38 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยทั้งต ัวทำละลายอินทรีย์ และ สารออกซิไดซ์ 40. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 39 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์นี้ คือ ก ลีเซอรอล และสาร ออกซิไดซ์นี้ คือ ไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์ 41. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์นี้ประกอ ยรวมด้วยกลีเซอรอล 42. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 37 ซึ่งสารออกซิไดซ์นี้ประกอยรวม ด้วยไฮโดรเจน เพอร์ออกไซด์ 43. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิ ดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิว และสารยับยั้ง การกัดกร่อน 44. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 43 ซึ่งสารยับยั้งการกัดกร่อนนี้ประ กอบรวมด้วยแคทีคอล 45. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 32 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิ ดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิว และสารยับยั้ง การกัดกร่อน 46. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ปร ะกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยส่วนประกอบเพิ่มเติมอีกอย่างน้อยหนึ่งชนิด ที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยสารลดแรงตึงผิว, สารยับยั้งการ กัดกร่อน และสารทำให้เกิดเป็นสารเชิงซ้อนกับโลหะ 47. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมด้วย แอมโมเนียมไฮโปฟอสไฟต์, แอมโมเนียมฟอสไฟต์, หรือของผสมของทั้งสองอย่างประมาณ 1.8 ถึง ประมาณ 6 % นน., และน้ำประมาณ 89 ถึงประมาณ 98 % นน. เทียบกับน้ำหนักของสารผสม 48. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยฟลูออไรด์ไอออนประมาณ 100 ppm 49. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 48 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยกลีเซอรอล 50. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 49 ซึ่งสารผสมสำหรับทำความสะอาดนี้ป ระกอบรวมเพิ่มเติม ด้วยไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์ 51. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 50 ซึ่งมีกลีเซอรอลอยู่ในสารผสมนี้ใ นปริมาณประมาณ 10% นน. ของสารผสม และมีไฮโดรเจนเพอร์ออกไซด์อยู ่ในสารผสมนี้ในปริมาณประมาณ 0.6% นน. ของสารผสม 52. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอสฟอรัส และไฮโป ฟอสฟอรัส และแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์ 53. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอ สฟอรัส และแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์ 54. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 53 ซึ่งประกอบรวมเพิ่มเติมด้วยส่วนป ระกอบเพิ่มเติมอีกอย่าง น้อยหนึ่งชนิดที่เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประ กอบด้วยสารลดแรงตึงผิวและสารยับยั้งการกัดกร่อน 55. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 54 ซึ่งสารยับยั้งการกัดกร่อนนี้ประ กอบรวมด้วยแคทีคอล 56. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยควอเท อร์นารี่แอมโมเนียม ไอออน 57. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 56 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยเตตระ แอลคลิแอมโมเนียม ไอออน 58. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 57 ซึ่งสารผสมนี้ประกอบรวมด้วยกรดฟอ สฟอรัส และสารประกอบที่ เลือกมาจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยเตตระโพรพิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระบิวทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซด์, เตตระโพรพิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, เตตระบิวทิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, ซีทิล ไตรเมธิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์, และเตตระเอธานอลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH73870A TH73870A (th) | 2005-12-22 |
| TH70923B true TH70923B (th) | 2019-07-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102285003B1 (ko) | TiN 하드 마스크 제거 및 에칭 잔류물 세정용 조성물 | |
| KR102266832B1 (ko) | TiN 하드 마스크 및 에치 잔류물 제거 | |
| JP6339555B2 (ja) | 高いwn/w選択率を有するストリッピング組成物 | |
| JP5385231B2 (ja) | 水系ストリッピング及び洗浄配合物、並びにその使用方法 | |
| US9443713B2 (en) | Oxidizing aqueous cleaner for the removal of post-etch residues | |
| US20020037820A1 (en) | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices | |
| CN1839355B (zh) | 用于微电子设备的剥离和清洁组合物 | |
| WO2012051380A2 (en) | Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion | |
| JP2009075285A (ja) | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 | |
| KR102375342B1 (ko) | Tin 풀-백 및 클리닝 조성물 | |
| JP5370358B2 (ja) | 残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法 | |
| JP2004510204A (ja) | 芳香族酸阻害剤を含むフォトレジスト除去剤/洗浄液 | |
| JP2008509554A5 (th) | ||
| KR101831452B1 (ko) | 다목적 산성, 유기 용매 기반의 마이크로전자 세정 조성물 | |
| AU2010218275A1 (en) | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers | |
| CN106933067A (zh) | 一种富含水的光阻残留物清洗液组合物 | |
| TW201418913A (zh) | 一種去除光阻殘留物的清洗液 | |
| TH73870A (th) | สารผสมสำหรับลอกและทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์ | |
| WO2006121580A3 (en) | Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist | |
| KR20240137583A (ko) | 포토레지스트 박리 조성물 | |
| JP2006173180A (ja) | 剥離剤組成物 |