TH65544A - อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน - Google Patents
อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานInfo
- Publication number
- TH65544A TH65544A TH201002925A TH0201002925A TH65544A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A TH 201002925 A TH201002925 A TH 201002925A TH 0201002925 A TH0201002925 A TH 0201002925A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silica
- slurry mixtures
- small particles
- particles based
- abrasives
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (29/10/45) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่นๆ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่น ๆ
Claims (2)
1. สารผสมที่ประกอบด้วยวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานและในเรซินองค์ ประกอบเดี่ยว ที่ประกอบด้วยอิลคิลเลเต็ดไตรอะซีนเรซินที่คอนเดนซ์ได้เอง ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิ การเป็นพื้นฐานดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะตามที่มี : ขนาดอนุภาคของค่ากลางโดยเฉลี่ยอย่างน้อย เป็น 20 ไมโครเมตร ; พื้นที่ผิว BET อย่างน้อยเป็น 90 ม2/ก. และ pH อย่างน้อยเป็น 9.5 ในที่ซึ่งสาร ผสมดังกล่าวเกิดในที่ไม่มีรีซอร์ซินอลอยู่
2. สารผสมของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน ประกอบด้วยมแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH65544A true TH65544A (th) | 2004-12-16 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8439995B2 (en) | Abrasive compounds for semiconductor planarization | |
| TW200605985A (en) | Chemical mechanical polishing pad, manufacturing process thereof and chemical mechanical polishing method for semiconductor wafers | |
| JP5510614B2 (ja) | 光変換用セラミック複合体の製造方法 | |
| ATE537558T1 (de) | Bearbeiten von substraten, insbesondere von halbleitersubstraten | |
| DE60030444D1 (de) | Cmp-zusammensetzung enthaltend silanmodifizierte-schleifteilchen | |
| KR20140003475A (ko) | 폴리규소를 연마하기 위한 조성물 및 방법 | |
| TW200720016A (en) | Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing | |
| TW200643157A (en) | Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method | |
| ID24802A (id) | Proses untuk pemolesan kimia mekanik dari suatu lapisan material penghantar aluminium atau campuran aluminium | |
| Lei et al. | Synthesis of Sm-doped colloidal SiO2 composite abrasives and their chemical mechanical polishing performances on sapphire substrates | |
| WO2004055864A3 (en) | Composition and method for copper chemical mechanical planarization | |
| TW200717635A (en) | Polishing method for semiconductor wafer | |
| TW200722378A (en) | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry comprising the same | |
| Wang et al. | Effect of a pH regulator on sapphire substrate CMP | |
| JP2000114211A (ja) | Ｌｓｉデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法 | |
| CN105637986A (zh) | 抛光组合物及印刷线路板的制造方法 | |
| WO2003038862A3 (en) | Pads for cmp and polishing substrates | |
| TH65544A (th) | อนุภาคเล็กๆ ที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน | |
| JP5464834B2 (ja) | 研磨用シリカゾル、研磨用組成物および研磨用シリカゾルの製造方法 | |
| JP2004250710A (ja) | 被覆された発光物質および該発光物質を含む発光装置 | |
| CN106553119B (zh) | 抛光半导体衬底的方法 | |
| CN109822400A (zh) | 化学机械研磨方法 | |
| WO2019012743A1 (ja) | 透明封止部材 | |
| JP7324187B2 (ja) | 研磨組成物 | |
| TW200731373A (en) | Semiconductor chip and cut-out method therefor |