TH65544A - Small particles based on silica - Google Patents

Small particles based on silica

Info

Publication number
TH65544A
TH65544A TH201002925A TH0201002925A TH65544A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A TH 201002925 A TH201002925 A TH 201002925A TH 0201002925 A TH0201002925 A TH 0201002925A TH 65544 A TH65544 A TH 65544A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silica
slurry mixtures
small particles
particles based
abrasives
Prior art date
Application number
TH201002925A
Other languages
Thai (th)
Inventor
เอ็ม. โมห์นอท แชนติลัล
อี. สวิฟท์ ฮาโรลด์
ที. ดิว เจมส์
Original Assignee
นายสัตยะพล สัจจเดชะ
นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์
Filing date
Publication date
Application filed by นายสัตยะพล สัจจเดชะ, นายกฤชวัชร์ ชัยนภาศักดิ์ filed Critical นายสัตยะพล สัจจเดชะ
Publication of TH65544A publication Critical patent/TH65544A/en

Links

Abstract

DC60 (29/10/45) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่นๆ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับซิลิกา, สารผสมสเลอรี และวิธีของการเตรียมของมัน โดยเฉพาะซิลิกาของการประดิษฐ์นี้ รวมถึง อนุภาคเบื้องต้นที่เกาะเป็นกลุ่มก้อน สารผสมสเลอรี ซึ่งรวม กับซิลิกา เหมาะสำหรับวัตถุขัดถู และมีประโยชน์โดยเฉพาะ สำหรับการทำระนาบเชิงกล ทางเคมีของซับสเตรตของสารกึ่งตัวนำ และไมโครอิเลคโทรนิกซับสเตรตอื่น ๆ DC60 (29/10/45) This invention involves silica, slurry mixtures and methods of its preparation. Specifically, the silica of this invention includes the bulking elementary particles, slurry mixtures, which combine with silica, suitable for abrasives. And especially useful For making a mechanical plane Chemistry of the semiconductor substrate And other microelectronic substrates The invention involved silica, slurry mixtures and methods of their preparation. Specifically, the silica of this invention includes the bulking elementary particles, slurry mixtures, which combine with silica, suitable for abrasives. And especially useful For making a mechanical plane Chemistry of the semiconductor substrate And other microelectronic substrates

Claims (2)

1. สารผสมที่ประกอบด้วยวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐานและในเรซินองค์ ประกอบเดี่ยว ที่ประกอบด้วยอิลคิลเลเต็ดไตรอะซีนเรซินที่คอนเดนซ์ได้เอง ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิ การเป็นพื้นฐานดังกล่าวมีลักษณะเฉพาะตามที่มี : ขนาดอนุภาคของค่ากลางโดยเฉลี่ยอย่างน้อย เป็น 20 ไมโครเมตร ; พื้นที่ผิว BET อย่างน้อยเป็น 90 ม2/ก. และ pH อย่างน้อยเป็น 9.5 ในที่ซึ่งสาร ผสมดังกล่าวเกิดในที่ไม่มีรีซอร์ซินอลอยู่1. Mixture consisting of a silica-based particle material and in a single-component resin containing self-condensing alkylated triacene resin. Which material of silicones Such a basis is characterized by its presence: the average particle size of at least 20 μm; The BET surface area is at least 90 m2 / g and the pH at least is 9.5 where the mixture is formed in the absence of resorcinol. 2. สารผสมของข้อถือสิทธิ 1 ในที่ซึ่งวัสดุอนุภาคที่มีซิลิกาเป็นพื้นฐาน ประกอบด้วยมแท็ก :2. Mixture of claim 1 where the silica-based particle material Tagged with:
TH201002925A 2002-08-06 Small particles based on silica TH65544A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH65544A true TH65544A (en) 2004-12-16

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100215939B1 (en) Activated polishing composition
US8439995B2 (en) Abrasive compounds for semiconductor planarization
PL1675971T3 (en) Method for coating a substrate surface using a plasma beam
DE60030444D1 (en) CMP COMPOSITION CONTAINING SILANO MODIFIED GRINDING PARTICLES
KR20140003475A (en) Composition and method for polishing polysilicon
EP1542266A4 (en) ABRASIVE FOR SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND POLISHING METHOD
WO2007133894A3 (en) Low dimensional thermoelectrics fabricated by semiconductor wafer etching
Lei et al. Synthesis of Sm-doped colloidal SiO2 composite abrasives and their chemical mechanical polishing performances on sapphire substrates
CN105637986B (en) Polishing composition and manufacturing method of printed wiring board
WO2013008751A1 (en) Method for producing ceramic composite for photoconversion
ID24802A (en) PROCESS FOR MECHANICAL CHEMICAL PROCESSING FROM AN ALUMINUM OR ALUMINUM MIXED MATERIAL COATING
Wang et al. Effect of a pH regulator on sapphire substrate CMP
TW200720016A (en) Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing
KR20130054267A (en) Composition and method for polishing bulk silicon
TW200621965A (en) Polishing composition for a semiconductor substrate
TW200643157A (en) Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method
CN109971356B (en) A chemical mechanical polishing liquid
TH65544A (en) Small particles based on silica
TWI804587B (en) Polishing composition
TW200717635A (en) Polishing method for semiconductor wafer
KR20230044516A (en) Slurry, polishing method and manufacturing method of semiconductor parts
TWI853796B (en) Polishing composition and method for adjusting polishing speed
WO2004073922A3 (en) Abrasives for copper cmp and methods for making
TH74074A (en) Silica and silica-based slurry
WO2019012743A1 (en) Transparent sealing member