TH42042A - วิธีการทางฟลูออโรเมตริกสำหรับเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการล้างและนำน้ำกลับคืนในการผลิตชิปกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (22/09/49) วิธีการพิจารณากำหนดความสะอาดของเวเฟอร์โดยการตรวจวัดทางฟลูออโรเมตริกหาค่าสิ่ง เจือปนในสารละลายสำหรับล้างเวเฟอร์ชิปกึ่งตัวนำ ชิปที่สะอาดจะมีข้อบ่งชี้คือความเข้มข้นของสิ่ง เจือปนที่เพิ่มขึ้นจะเริ่มมีค่าคงที่ขณะที่กระบวนการล้างชิปดำเนินต่อไป วิธีการนำน้ำที่ระบายออกจาก กระบวนการล้างมาใช้ใหม่หรือรีไซเคิลอย่างเป็นประโยชน์สูงสุด โดยวิธีการนี้วัดสารเจือปนในน้ำได้ อย่างแม่นยำ วิธีการพิจารณากำหนดความสะอาดของเวเฟอร์โดยการตรวจวัดทางฟลูออโรเมตริกหาค่าสิ่งเจือปนในสารละลายสำหรับล้างเวเฟอร์ชิปกึ่งตัวนำ ชิปที่สะอาดจะมีข้อบ่งชี้คือความเข้มข้นของสิ่งเจือปนที่เพิ่มขึ้นจะเริ่มมีค่าคงที่ขณะที่กระบวนการล้างชิปดำเนินต่อไป วิธีการนำน้ำที่ระบายออกจากกระบวนการล้างมาใช้ใหม่หรือรีไซเคิลอย่างเป็นประโยชน์ทสูงสุด โดยวิธีการนี้วัดสารเจือปนในน้ำได้อย่างแม่นยำ

Claims (9)

1.วิธีการปรับปรุงประสิทธิภาพของการทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำ (semiconductorchip)ระหว่างการผลิตชิปกึ่งตัวนำ ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้: a)การทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำโดยกระบวนการล้างเพื่อกำจัดสิ่งเจือปนจากผิวของชิปโดยการจุ่มชิปซ้ำๆ ลงในสารละลายแอคเควียสสำหรับล้าง b)การตรวจวัดสารละลายสำหรับล้างทางฟลูออโรเมตริกเพื่อหาสิ่งเจือปนที่มีฟลูออเรสเซนส์ขณะจุ่มชิปเพื่อหาความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าวในสารละลายสำหรับล้างดังกล่าว c)การหาความสัมพันธ์ของค่าทางฟลูออโรเมตริกสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าวกับปริมาณความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าว d)การสังเกตค่าที่เพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของสิ่งเจือปนระหว่างกระบวนการล้างดังกำหนดในขั้นตอน c)และ e)การพิจารณากำหนดว่าชิปสะอาด เนื่องจากการเสร็จสิ้นกระบวนการล้างจะบ่งชี้ได้เมื่อความเข้มข้นของสิ่งเจือปนในสารละลายสำหรับหยุดเพิ่มขึ้นตามขั้นตอน d) และเริ่มคงที่

2.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 โดยการตรวจวัดทางฟลูออโรเมตริกเป็นเทคนิคทางฟลูออเรสเซนส์ และการตรวจวัดมีค่าการเปล่งแสงฟลูออเรสเซนส์อย่างน้อยหนึ่งค่า

3.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่การทำความสะอาดเกิดขึ้นต่อากกระบวนการขัดเงาในการผลิตชิปกึ่งตัวนำ

4.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชิปถูกจุ่มติดต่อกันในสารละลายสำหรับล้างดังกล่าวที่เรียงลำดับเป็นชุด

5.วิธีการปรับปรุงประสิทธิภาพของการทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำระหว่างการผลิตชิปกึ่งตัวนำ ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้: a)การทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำโดยกระบวนการล้างเพื่อกำจัดสิ่งเจือปนจากผิวของชิปโดยการพ่นชิปซ้ำๆ ด้วยสารละลายแอคเควียสสำหรับล้าง b)การเก็บสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วซึ่งล้างออกมาจากชิป c)การตรวจวัดสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วดังกล่าวในทางฟลูออโรเมตริก เพื่อหาสิ่งเจือปนที่มีฟลูออเรสเซนต์ เพื่อหาความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าวในสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วดังกล่าว d)การหาความสัมพันธ์ระหว่างค่าทางฟลูออโรเมตริกสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าว กับปริมาณความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าว e)การสังเกตการเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของสิ่งเจือปนระหว่างกระบวนการล้างดังกำหนดในขั้นตอน d)และ f)การพิจารณากำหนดว่าชิปสะอาด เนื่องจากการเสร็จสิ้นกระบวนการล้างจะบ่งชี้ได้เมื่อความเข้มข้นของสิ่งเจือปนในสารละลายสำหรับล้างหยุดเพิ่มขึ้นตามขั้นตอน e)และมีค่าคงที่

6.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 5 โดยการตรวจวัดทางฟลูออโรเมตริกดังกล่าวเป็นเทคนิคทางฟลูออเรสเซนส์ และการตรวจวัดมีค่าการเปล่งแสงฟลูออเรสเซนส์อย่างน้อยหนึ่งค่า

7.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 5 โดยที่การทำความสะอาดดังกล่าวเกิดขึ้นต่อจากกระบวนการขัดเงาในการผลิตชิปกึ่งตัวนำ

8.วิธีการเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำระหว่างการผลิตชิปกึ่งตัวนำ ที่ประกอบด้วยขั้นตอนต่อไปนี้: a)การทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำโดยกระบวนการล้างเพื่อกำจัดสิ่งเจือปนจากผิวของชิปโดยการจุ่มชิปซ้ำๆ ลงในสารละลายแอคเควียสสำหรับล้าง b)การตรวจวัดสารละลายสำหรับล้างทางฟลูออโรเมตริกเพื่อหาสิ่งเจือปนที่มีฟลูออเรสเซนต์ c)การหาความสัมพันธ์ของค่าทางฟลูออโรเมตริกสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าว กับปริมาณความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าวและ d)การพิจารณากำหนดว่าสารละลายสำหรับล้างดังกล่าวมีสิ่งเจือปนในความเข้มข้นสูงกว่าหรือต่ำกว่าความเข้มข้นขีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับได้ซี่งกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้วสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าว e)การนำสารละลายสำหรับล้างดังกล่าวมาใช้ใหม่ถ้าความเข้มข้นดังกล่าวของสิ่งเจือปนดังกล่าวต่ำกว่าความเข้มข้นขีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับ ได้ดังกล่าว และ f)การทิ้งสารละลายสำหรับล้างดังกล่าว ถ้าความเข้มข้นดังกล่าวของสิ่งเจือปนดังกล่าวสูงกว่าความเข้มข้นขีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับได้ดังกล่าว

9.วิธีการเพิ่มประสิทธิภาพของกระบวนการทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำระหว่างการผลิตชิปกึ่งตัวนำ ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนต่อไปนี้: a)การทำความสะอาดชิปกึ่งตัวนำโดยกระบวนการล้างเพื่อกำจัดสิ่งเจือปนจากผิวของชิปโดยการพ่นชิปซ้ำๆ ด้วยสารละลายแอคเควียสสำหรับล้าง b)การเก็บสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วซึ่งล้างออกมาจากชิป c)การตรวจวัดสารละลายสำหรับล้างดังกล่าวในทางฟลูออโรเมตริกเพื่อหาสิ่งเจือปนที่มีฟลูออเรสเซนส์ เพื่อหาความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าวในสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วดังกล่าว d)การหาความสัมพันธ์ระหว่างค่าทางฟลูออโรเมตริกสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าว กับปริมาณความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่าว e)การพิจารณากำหนดว่าสารละลายสำหรับล้างที่ใช้แล้วดังกล่าวมีสิ่งเจือปนดังกล่าวในความเข้มข้นสูงกว่าหรือต่ำกว่าความเข้มข้นขีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับได้ซึ่งกำหนดไว้ล่วงหน้าแล้วสำหรับสิ่งเจือปนดังกล่าว และ f)การนำสารละลายสำหรับล้างดังกล่าวมาใช้ใหม่ถ้าความเข้มข้นของสิ่งเจือปนดังกล่างต่ำกว่าความเข้มข้นชีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับได้ดังกล่าว g)การทิ้งสารละลายสำหรับล้างดังกล่าว ถ้าความเข้มข้นดังกล่าวของสิ่งเจือปนดังกล่าวสูงกว่าความเข้มข้นขีดเริ่มเปลี่ยนที่ยอมรับได้ดังกล่าว