TH40607A3 - ฟิล์มบางชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริกที่มีความเป็นรูปทรงแบบเตตระโกนอลลดลง - Google Patents
ฟิล์มบางชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริกที่มีความเป็นรูปทรงแบบเตตระโกนอลลดลงInfo
- Publication number
- TH40607A3 TH40607A3 TH9901003525A TH9901003525A TH40607A3 TH 40607 A3 TH40607 A3 TH 40607A3 TH 9901003525 A TH9901003525 A TH 9901003525A TH 9901003525 A TH9901003525 A TH 9901003525A TH 40607 A3 TH40607 A3 TH 40607A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- ferroelectric
- constant
- reduced
- thin film
- ferroelectric thin
- Prior art date
Links
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical group 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (02/12/42) วัสดุชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริก โดยเฉพาะอย่างยิ่งวัสดุที่ประกอบรวมด้วยอยู่ในเซลล์ชนิด เฟอร์โรอิเล็กทริกที่ได้รับ การจัดทิศทางโครงร่างตามแนวแกน ที่เป็น Pb1-xLaxZryTi1-yO3 และ Pb1-xNbxZryTi1-yO3 ที่มีปริมาณของ La หรือ Nb สูงอย่าง เหมาะสม ที่ซึ่งเซลล์หน่วยมีรูปทรงเป็นแบบ เตตระโกนอลน้อย นั่นคือ ใกล้เคียงกับรูปลูกบาศก์มาก เพื่อที่จะลดผลกระทบ ของความเค้น ถ้าจะ ให้ดีมากที่สุดค่าคงที่ c/a จะประมาณ 1.01 ช่วงสำหรับองค์ประกอบตัวอย่างของ x คือ 6% ถึง 20% สำหรับ La คือ 3% ถึง 15% สำหรับ Nb ซึ่งเป็นค่า y คือ 20% แรงดันไฟฟ้าสำหรับความ สามารถในการเกิดสภาพขั้วที่ได้รับการ ทำให้ลดลงนั้นจะคงที่เนื่องด้วยหน่วยความจำชนิด เฟอร์ โรอิเล็กทริกที่ได้รับการประกอบรวมเป็นชิ้นเดียวกันปฏิบัติ การที่แรงดันไฟฟ้า 3.0 โวลต์หรือต่ำ กว่านั้น วัสดุชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริก โดยเฉพาะอย่างยิ่งวัสดุที่ประกอบรวมด้วยอยู่ในเซลล์ชนิด เฟอร์โรอิเล็กทริกที่ได้รับ การจัดทิศทางโครงร่างตามแนวแกน ที่เป็น Pb1-xLaxZryTi1-yO3 และ Pb1-xNbxZryTi1-yO3 ที่มีปริมาณของ La หรือ Nb สูงอย่าง เหมาะสม ที่ซึ่งเซลล์หน่วยมีรูปทรงเป็นแบบ เตตระโกนอลน้อย นั่นคือ ใกล้เคียงกับรูปลูกบาศก์มาก เพื่อที่จะลดผลกระทบ ของความเค้น ถ้าจะ ให้ดีมากที่สุดค่าคงที่ c/a จะประมาณ 1.01 ช่วงสำหรับองค์ประกอบตัวอย่างของ x คือ 6% ถึง 20% สำหรับ La คือ 3% ถึง 15% สำหรับ Nb ซึ่งเป็นค่า y คือ 20% แรงดันไฟฟ้าสำหรับความ สามารถในการเกิดสภาพขั้วที่ได้รับการ ทำให้ลดลงนั้นจะคงที่เนื่องด้วยหน่วยความจำชนิด เฟอร์ โรอิเล็กทริกที่ได้รับการประกอบรวมเป็นชิ้นเดียวกันปฏิบัติ การที่แรงดันไฟฟ้า 3.0 โวลต์หรือต่ำ กว่านั้น
Claims (1)
1. เซลล์ที่เป็นหน่วยความจำชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริกประกอบรวมด้วย ขั้วไฟฟ้าที่หนึ่งที่เป็นออกไซด์ของโลหะ ชั้นชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริกที่ก่อรูปไว้บนขั้วไฟฟ้าที่ หนึ่งดังกล่าว ซึ่งมีโครงสร้างผลึกแบบ พอรอฟสไคต์ และประกอบ รวมด้วย Pb Zr Ti O และมีธาตุกลุ่มแลนทาไนด์เพิ่มเติมอย่าง น้อยที่สุด หนึ่งชนิด ขั้วไฟฟ้าที่สองที่ก่อรูปไว้บนชั้นชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริก ดังกล่าว และ วงจรที่เชื่อมต่ออยู่กับขั้วไฟฟ้าสองขั้วดังกล่าวสำหรับ การจ่ายกำลัง การควบคุมและการอ่าน ค่าประแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH40607A3 true TH40607A3 (th) | 2000-10-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ishiwara et al. | Ferroelectric random access memories: fundamentals and applications | |
| US7834384B2 (en) | Simultaneous conditioning of a plurality of memory cells through series resistors | |
| US6815744B1 (en) | Microelectronic device for storing information with switchable ohmic resistance | |
| Ramesh et al. | Science and technology of ferroelectric films and heterostructures for non-volatile ferroelectric memories | |
| US7304880B2 (en) | Electric switch and memory device using the same | |
| US5273927A (en) | Method of making a ferroelectric capacitor and forming local interconnect | |
| KR101563027B1 (ko) | 천연 또는 합성 셀룰로오스 섬유 또는 그 혼합물에 기반한 종이를 물리적인 지지부로서 생성하고 이용하는 프로세싱 및 활성 반도체 산화물을 이용하여 자체지속가능한 접합형 전계 효과 트랜지스터의 전하를 메모리에 저장하는 매체 | |
| Taylor et al. | Electrical properties of SrBi2Ta2O9 thin films and their temperature dependence for ferroelectric nonvolatile memory applications | |
| EP0490240A2 (en) | Ferroelectric capacitor and method for forming local interconnection | |
| US6225654B1 (en) | Static ferrolectric memory transistor having improved data retention | |
| DE69824293D1 (de) | Ferroelektrische datenverarbeitungsanordnung | |
| EP0982779A3 (en) | Memory structure in ferroelectric nonvolatile memory and readout method therefor | |
| JP3627640B2 (ja) | 半導体メモリ素子 | |
| TH40607A3 (th) | ฟิล์มบางชนิดเฟอร์โรอิเล็กทริกที่มีความเป็นรูปทรงแบบเตตระโกนอลลดลง | |
| KR870007564A (ko) | 얇은 막과 두꺼운 막으로 되는 저항 소자 | |
| KR980006299A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| JP2002525876A (ja) | 正方晶度の低い強誘電体薄膜 | |
| WO1995026570A1 (en) | Ferroelectric memory device | |
| CN100428520C (zh) | 电气开关及使用该电气开关的存储元件 | |
| US5280407A (en) | Linearized ferroelectric capacitor | |
| Seidel et al. | Integration of hafnium oxide-based ferroelectric data storage devices into BEoL for low-power applications | |
| JP2929909B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| JP2000323669A (ja) | 半導体不揮発メモリ素子 | |
| JPH01204295A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH1140759A (ja) | 強誘電体メモリ装置 |