TH38733A3 - สารผสมและวิธีการสำหรับการแช่กัดแบบเลือกได้ของแผ่นฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ - Google Patents
สารผสมและวิธีการสำหรับการแช่กัดแบบเลือกได้ของแผ่นฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์Info
- Publication number
- TH38733A3 TH38733A3 TH9901002795A TH9901002795A TH38733A3 TH 38733 A3 TH38733 A3 TH 38733A3 TH 9901002795 A TH9901002795 A TH 9901002795A TH 9901002795 A TH9901002795 A TH 9901002795A TH 38733 A3 TH38733 A3 TH 38733A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- infusion
- phosphoric acid
- mixtures
- mixture
- parts per
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมสารอาบแช่กัดแอคเควียสกรดฟอสฟอริกพร้อมด้วย สารผสมซึ่งประกอบด้วยซิลิคอนที่พร้อมละลายสารแช่อาบดังกล่าวได้รับการใช้งานในขั้นตอน การแช่กัดของการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแบบคอมโพสิต การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับสารผสมสารอาบแช่กัดแอคเควียสกรดฟอสฟอริกพร้อมด้วย สารผสมซึ่งประกอบด้วยซิลิคอนที่พร้อมละลายสารแช่อาบดังกล่าวได้รับการใช้งานในขั้นตอน การแช่กัดของการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำแบบคอมโพสิต
Claims (5)
1. สารผสมแอคเควียสที่ใช้ในการแช่กัด, ซึ่งโดยพื้นฐานแล้วประกอบด้วย; A. กรดฟอสฟอริก และ B. กรดเฮกซะฟลูโอโรซิลิสิก
2. สารผสมแอคเควียสที่ใช้ในการแช่กัดตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งสารผสมที่ประกอบด้วย ซิลิคอนจะปรากฏอยู่ในปริมาณตั้งแต่ประมาณ 16 ส่วนในล้านส่วน ถึงประมาณ 500 ส่วนในล้านส่วน
3. สารผสมแอคเควียสที่ใช้ในการแช่กัดตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งกรดฟอสฟอริกดังกล่าวคือ สารละลายแอคเควียส 85%
4. สารผสมแอคเควียสที่ใช้ในการแช่กัดตามข้อถือสิทธิที่ 1, ที่ซึ่งกรดฟอสฟอริก คือ สารละลายแอคเควียส 85% ระดับการใช้งานในเชิงอิเล็กทรอนิก
5. สารผสมแอคเควียสที่ใช้ในการแช่กัด ซึ่งโดยพื้นฐานแล้วประกอบด้วย; A. สารละลายแอคเควียส 85% ของกรดฟอสฟอริกระดับการใช้งานในเชิงอิเล็กทรอนิก และ B. กรดเฮกซะฟลูโอโรซิลิสิกตั้งแต่ 16 ส่วนในล้านส่วน ถึง 500 ส่วนในล้านส่วน
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38733A3 true TH38733A3 (th) | 2000-06-21 |
| TH20292C3 TH20292C3 (th) | 2006-08-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SG85120A1 (en) | A composition and method for selectively etching a silicon nitride film | |
| EP1031884A3 (en) | Resist stripping agent and process of producing semiconductor devices using the same | |
| TW200620460A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor substrate | |
| WO2007143072B1 (en) | Wet etch suitable for creating square cuts in si and resulting structures | |
| KR960030451A (ko) | 확산마스크 및 그것을 이용한 pn접합소자의 제조방법 | |
| TW365025B (en) | Manufacturing method for gallium nitride crystal | |
| TW326572B (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit apparatus | |
| TH38733A3 (th) | สารผสมและวิธีการสำหรับการแช่กัดแบบเลือกได้ของแผ่นฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ | |
| TH20292C3 (th) | สารผสมและวิธีการสำหรับการแช่กัดแบบเลือกได้ของแผ่นฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ | |
| CN103000520A (zh) | Mos表面栅极侧壁层的刻蚀方法 | |
| TW200503297A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR970008397A (ko) | 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법 | |
| KR890005847A (ko) | 실리콘 반도체 장치의 표면 매탈증착전 처리방법 | |
| KR960012576A (ko) | 박막 반도체 장치의 제조방법 | |
| TW200623317A (en) | High aspect-ratio PN-junction and method for manufacturing the same | |
| JPS6421940A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6481381A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR960039184A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR920005355A (ko) | 반도체소자의 소자격리방법 | |
| KR970003656A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막의 형성방법 | |
| JPH118303A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR980006674A (ko) | 고출력 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR950007057A (ko) | 완전매몰 부분산화법에 있어서 새부리가 제거된 실리콘산화막의 형성방법 | |
| KR930008526A (ko) | 반도체 장치의 습식식각방법 | |
| KR970003584A (ko) | 반도체 기판의 세정방법 |