TH37781A3 - วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น - Google Patents

วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น

Info

Publication number
TH37781A3
TH37781A3 TH9901000128A TH9901000128A TH37781A3 TH 37781 A3 TH37781 A3 TH 37781A3 TH 9901000128 A TH9901000128 A TH 9901000128A TH 9901000128 A TH9901000128 A TH 9901000128A TH 37781 A3 TH37781 A3 TH 37781A3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
circuit
column
voltage
cell
low voltage
Prior art date
Application number
TH9901000128A
Other languages
English (en)
Inventor
เอ็ม. ซูแซค นายเดวิด
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH37781A3 publication Critical patent/TH37781A3/th

Links

Abstract

DC60 (05/02/42) วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับ การประเมินค่าตามลำดับ (SAR) จะถูกเปิดเผย วงจรตัวขับดันจะ มีกลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดัน คอลัมน์แต่ละ คอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกยึดอยู่ภายในแต่ละ เซลล์ของกลุ่มเซลล์ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกใช้สำหรับส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าสูง VH หรือ ระดับแรงดันไฟฟ้าต่ำ VL อย่างใดอย่างหนึ่งไปยังคอลัมน์แต่ ละคอลัมน์ของแถว ลำดับของตัวเก็บประจุ ขณะที่ไม่มีการขับดัน กระแส DC วงจรสับสวิตซ์จะประกอบ ด้วย เกตทางผ่านที่แตกต่าง กันโดยสมบูรณ์คู่หนึ่ง เกตทางผ่านจะถูกขับดัน โดย ระบบวงจรที่ไม่ได้อ้างอิงกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้ Vdd ของวงจรรวมของวงจรแปลง A/D และขั้วต่อลงดิน ด้วยเหตุนี้ เกตุทางผ่านแต่ละอันจึงอาจจะปฏิบัติการโดยไม่มี แรงดันไฟฟ้า ภายในช่วง Vdd ถึงขั้วต่อลงดิน ดังนั้นวงจรสับสวิตซ์ จึง ยอมให้มีปฏิบัติ การที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำที่มีช่วงปฏิบัติ การกว้างขึ้น วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับ การประเมินค่าตามลำดับ (SAR) จะถูกเปิดเผย วงจรตัวขับดันจะ มีกลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดัน คอลัมน์แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกยึดอยู่ภายในแต่ละเซลล์ของกลุ่มเซลล์ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกใช้สำหรับส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าสูง VH หรือ ระดับแรงดันไฟฟ้าต่ำ VL อย่างใดอย่างหนึ่งไปยังคอลัมน์แต่ ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ ขณะที่ไม่มีการขับดัน กระแส DC วงจรสับสวิตซ์จะประกอบด้วย เกตทางผ่านที่แตกต่าง กันโดยสมบูรณ์คู่หนึ่ง เกตทางผ่านจะถูกขับดัน โดยระบบวงจรที่ไม่ได้อ้างอิงกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้ Vdd ของวงจรรวมของวงจรแปลง A/D และขั้วต่อลงดิน ด้วยเหตุนี้ เกตุทางผ่านแต่ละอันจึงอาจจะปฏิบัติการโดยไม่มีแรงดันไฟฟ้า ภายในช่วง Vdd ถึงขั้วต่อลงดิน ดังนั้นวงจรสับสวิตซ์ จึง ยอมให้มีปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำที่มีช่องปฏิบัติ การกว้างขึ้น

Claims (1)

1. วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์ สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (SAR) ซึ่งมีส่วนประกอบใน ลักษณะที่เป็นลูกผสม ดังนี้ กลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดันคอลัมน์ แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ และ วงจรลับสวิตซ์ภายใน แต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดันคอลัมน์ แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ และ วงจรสับสวิตซ์ภายใน แต่ละเซลล์ของกลุ่มเซลล์ดังกล่าวสำหรับ ส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่ง หรือระดับแรงดันไฟฟ้าที่แท็ก :
TH9901000128A 1999-01-18 วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น TH37781A3 (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH37781A3 true TH37781A3 (th) 2000-03-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2259406A1 (en) Multiplexed active biologic array
EP0257926A3 (en) Electronic arrays having thin film line drivers
WO1996018194A3 (en) Semiconductor memory with non-volatile memory transistor
UA81599C2 (ru) Солнечные элементы, которые содержат светопоглощающие цепи
JPS55136726A (en) High voltage mos inverter and its drive method
US6486816B2 (en) CDAC operation at low supply voltages
TH37781A3 (th) วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น
EP0385524A3 (en) Monolithic integrated structure for a two-stage driving system with level translator circuit component of the driving signal for power transistors
US20040257145A1 (en) Bootstrap module for multi-stage circuit
EP0899740A3 (en) Semiconductor device with plural power supply circuits, plural internal circuits, and single external terminal
JPS568968A (en) Solid-state image pickup unit
CN118444007B (zh) 电压采样电路、电压变换器及电源设备
KR20010005545A (ko) 순차비교형 레지스터 아날로그-디지털 변환기의 저전압동작을 위한 드라이버 회로 및 그를 위한 방법
WO2005039025A3 (en) Boost converters, power supply apparatuses, electrical energy boost methods and electrical energy supply methods
CN118367939B (zh) 一种生物体电信号直接检测方法
SU1264327A2 (ru) Коммутатор
CA2216083A1 (en) High voltage integrated circuit diode with a charge injecting node
JP2861229B2 (ja) 極性切換型ジョセフソン駆動回路
SU919087A1 (ru) Аналоговый ключ
JP2549104B2 (ja) 半導体装置
SU1439724A1 (ru) Устройство управлени с защитой от короткого замыкани
SU1095239A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
SU1262695A1 (ru) Элемент троичной логики
SU452072A1 (ru) Ключ
SU1398741A1 (ru) Ключевое устройство