TH37781A3 - วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น - Google Patents
วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้นInfo
- Publication number
- TH37781A3 TH37781A3 TH9901000128A TH9901000128A TH37781A3 TH 37781 A3 TH37781 A3 TH 37781A3 TH 9901000128 A TH9901000128 A TH 9901000128A TH 9901000128 A TH9901000128 A TH 9901000128A TH 37781 A3 TH37781 A3 TH 37781A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- circuit
- column
- voltage
- cell
- low voltage
- Prior art date
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract 2
Abstract
DC60 (05/02/42) วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับ การประเมินค่าตามลำดับ (SAR) จะถูกเปิดเผย วงจรตัวขับดันจะ มีกลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดัน คอลัมน์แต่ละ คอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกยึดอยู่ภายในแต่ละ เซลล์ของกลุ่มเซลล์ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกใช้สำหรับส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าสูง VH หรือ ระดับแรงดันไฟฟ้าต่ำ VL อย่างใดอย่างหนึ่งไปยังคอลัมน์แต่ ละคอลัมน์ของแถว ลำดับของตัวเก็บประจุ ขณะที่ไม่มีการขับดัน กระแส DC วงจรสับสวิตซ์จะประกอบ ด้วย เกตทางผ่านที่แตกต่าง กันโดยสมบูรณ์คู่หนึ่ง เกตทางผ่านจะถูกขับดัน โดย ระบบวงจรที่ไม่ได้อ้างอิงกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้ Vdd ของวงจรรวมของวงจรแปลง A/D และขั้วต่อลงดิน ด้วยเหตุนี้ เกตุทางผ่านแต่ละอันจึงอาจจะปฏิบัติการโดยไม่มี แรงดันไฟฟ้า ภายในช่วง Vdd ถึงขั้วต่อลงดิน ดังนั้นวงจรสับสวิตซ์ จึง ยอมให้มีปฏิบัติ การที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำที่มีช่วงปฏิบัติ การกว้างขึ้น วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับ การประเมินค่าตามลำดับ (SAR) จะถูกเปิดเผย วงจรตัวขับดันจะ มีกลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดัน คอลัมน์แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกยึดอยู่ภายในแต่ละเซลล์ของกลุ่มเซลล์ วงจรสับ สวิตซ์จะถูกใช้สำหรับส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าสูง VH หรือ ระดับแรงดันไฟฟ้าต่ำ VL อย่างใดอย่างหนึ่งไปยังคอลัมน์แต่ ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ ขณะที่ไม่มีการขับดัน กระแส DC วงจรสับสวิตซ์จะประกอบด้วย เกตทางผ่านที่แตกต่าง กันโดยสมบูรณ์คู่หนึ่ง เกตทางผ่านจะถูกขับดัน โดยระบบวงจรที่ไม่ได้อ้างอิงกับแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายให้ Vdd ของวงจรรวมของวงจรแปลง A/D และขั้วต่อลงดิน ด้วยเหตุนี้ เกตุทางผ่านแต่ละอันจึงอาจจะปฏิบัติการโดยไม่มีแรงดันไฟฟ้า ภายในช่วง Vdd ถึงขั้วต่อลงดิน ดังนั้นวงจรสับสวิตซ์ จึง ยอมให้มีปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำที่มีช่องปฏิบัติ การกว้างขึ้น
Claims (1)
1. วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอก/ดิจิตัล (A/D) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์ สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (SAR) ซึ่งมีส่วนประกอบใน ลักษณะที่เป็นลูกผสม ดังนี้ กลุ่มของเซลล์ ซึ่งแต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดันคอลัมน์ แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ และ วงจรลับสวิตซ์ภายใน แต่ละเซลล์จะถูกใช้สำหรับขับดันคอลัมน์ แต่ละคอลัมน์ของแถวลำดับของตัวเก็บประจุ และ วงจรสับสวิตซ์ภายใน แต่ละเซลล์ของกลุ่มเซลล์ดังกล่าวสำหรับ ส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าที่หนึ่ง หรือระดับแรงดันไฟฟ้าที่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH37781A3 true TH37781A3 (th) | 2000-03-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2259406A1 (en) | Multiplexed active biologic array | |
| EP0257926A3 (en) | Electronic arrays having thin film line drivers | |
| WO1996018194A3 (en) | Semiconductor memory with non-volatile memory transistor | |
| UA81599C2 (ru) | Солнечные элементы, которые содержат светопоглощающие цепи | |
| JPS55136726A (en) | High voltage mos inverter and its drive method | |
| US6486816B2 (en) | CDAC operation at low supply voltages | |
| TH37781A3 (th) | วงจรตัวขับดันสำหรับปฏิบัติการที่ใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำของวงจรแปลงแอนะลอกเป็นดิจิตัล (a/d) ที่ขึ้นอยู่กับรีจิสเตอร์สำหรับการประเมินค่าตามลำดับ (sar) และวิธีการของวงจรนั้น | |
| EP0385524A3 (en) | Monolithic integrated structure for a two-stage driving system with level translator circuit component of the driving signal for power transistors | |
| US20040257145A1 (en) | Bootstrap module for multi-stage circuit | |
| EP0899740A3 (en) | Semiconductor device with plural power supply circuits, plural internal circuits, and single external terminal | |
| JPS568968A (en) | Solid-state image pickup unit | |
| CN118444007B (zh) | 电压采样电路、电压变换器及电源设备 | |
| KR20010005545A (ko) | 순차비교형 레지스터 아날로그-디지털 변환기의 저전압동작을 위한 드라이버 회로 및 그를 위한 방법 | |
| WO2005039025A3 (en) | Boost converters, power supply apparatuses, electrical energy boost methods and electrical energy supply methods | |
| CN118367939B (zh) | 一种生物体电信号直接检测方法 | |
| SU1264327A2 (ru) | Коммутатор | |
| CA2216083A1 (en) | High voltage integrated circuit diode with a charge injecting node | |
| JP2861229B2 (ja) | 極性切換型ジョセフソン駆動回路 | |
| SU919087A1 (ru) | Аналоговый ключ | |
| JP2549104B2 (ja) | 半導体装置 | |
| SU1439724A1 (ru) | Устройство управлени с защитой от короткого замыкани | |
| SU1095239A1 (ru) | Аналоговое запоминающее устройство | |
| SU1262695A1 (ru) | Элемент троичной логики | |
| SU452072A1 (ru) | Ключ | |
| SU1398741A1 (ru) | Ключевое устройство |