TH3753A - ผลิตภัณฑ์เคลือบ - Google Patents
ผลิตภัณฑ์เคลือบInfo
- Publication number
- TH3753A TH3753A TH8501000419A TH8501000419A TH3753A TH 3753 A TH3753 A TH 3753A TH 8501000419 A TH8501000419 A TH 8501000419A TH 8501000419 A TH8501000419 A TH 8501000419A TH 3753 A TH3753 A TH 3753A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- glass
- layer
- gas
- oxygen
- glass surface
- Prior art date
Links
Abstract
การประดิษฐ์นี้เกี่ยวกับชั้นเคลือบป้องกันการเคลือบย้ายของไอออนโลหะแอลคาไลจากผิวแก้ว ชั้นเคลือบกั้นจับเกาะโดยไพโรลิซิสของก๊าซซิเลนบนผิวแก้วที่อุณหภูมิสูงกว่า 600 ซํ.เมื่อมีสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซอยู่ด้วย ที่ซึ่งออกซิเจนจากแก้วจะรวมเข้ากับซิลิคอนเพื่อเกิดเป็นชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสที่หนาถึง 50 นาโนเมตรขึ้นบนผิวแก้ว ชั้นเคลือบกั้นนี้ใช้ป้องกันการเคลื่อนย้ายของไอออนโลหะแอลคาไลเข้าสู่ชั้นที่ซ้อนทับอยู่ที่ไวต่อไอออนโลหะแอลคาไล เป็นต้นว่าในแก้วที่เคลือบด้วยชั้นเคลือบสะท้อนแสงอินฟราเรดหรือที่นำไฟฟ้าและในเครื่องแสดงผลที่ใช้ผลึกเหลว
Claims (9)
1. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อที่2 ถึง 10 ที่ซึ่งชั้นที่ไวต่อการแพร่ของไอออนโลหะแอลคาไลจะถูกให้โดยการฉาบ โดยการจับเกาะของไอสารเคมีหรือโดยการพ่นสารปฏิกิริยาในรูปของเหลวหรือของแข็งลงบนผิวแก้วเคลือบ 1
2. วิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 11 ที่ซึ่งชั้นดังกล่าวที่ให้ลงไปเป็นชั้นที่แสงผ่านได้ที่เป็นโลหะ ออกไซด์เจือ 1
3. แก้วแบนราบที่นำไฟฟ้าที่ประกอบด้วยซับสเตรทแก้วที่มีไอออนโลหะแอลคาไลที่ถูกเคลือบด้วยชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสที่หนาถึง 50 นาโนเมตรที่ประกอบด้วยซิลิเจนและออกซิเจนโดยไพโรลิซิสของก๊าซซิเลนบนผิวแก้วที่อุณหภูมิสูงกว่า 600 ซํ. เมื่อมีสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซอยู่ด้วย ที่ซึ่งออกซิเจนจากแก้วจะรวมเข้ากับซิลิคอนเพื่อเกิดเป็นชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสขึ้นบนผิวแก้ว และมีชั้นโลหะออกไซด์นำ ไฟฟ้าที่มีสภาพความต้านทานน้อยกว่า 500 โอห์มต่อตารางพื้นที่ซ้อนทับอยู่บนชั้นกั้น 1
4. แก้วแบนราบที่สะท้อนแสงอินฟราเรด ที่ประกอบด้วยซับสเตรทแก้วที่มีไอออนโลหะแอลคาไลอยู่ ที่ถูกเคลือบด้วยชั้นกั้นโปร่งใสที่หนาถึง 50 นาโนเมตรที่ประกอบด้วยซิลิคอนและออกซิเจนโดยไพโรลิซิสของก๊าซซิเลนบนผิวแก้วที่อุณหภูมิ สูงกว่า 600 ซํ. เมื่อมีสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซอยู่ด้วย ที่ซึ่งออกซิเจนจากแก้วจะรวมเข้ากับซิลิคอนเพื่อเกิดเป็นชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสขึ้นบนผิวแก้ว และชั้นโหละ ออกไซด์เจือที่สะท้อนแสงอินปราเรดและที่ให้แสงผ่านได้ที่ซ้อนทับอยู่บนชั้นเคลือบกั้น 1
5. แก้วที่หนาถึง 2 มม. ที่มีชั้นเคลือบกั้นโปร่งใส่ที่หนาถึง 50 นาโนเมตร ที่ประกอบด้วยซิลิคอนและออกซิเจนที่จับเกาะโดยไพโรลิซิสของก๊าซที่มีซิเลนอยู่บนผิวแก้วที่อุณหภูมิกว่า 600 ซํ. เมื่อมีสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซอยู่ด้วย ที่ซึ่งออกซิเจนจากแก้วจะรวมเข้ากับซิลิคอนเพื่อเกิดเป็นชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสขึ้นบนผิวแก้ว 1
6. แก้วตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 ที่ซึ่งสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซที่ใช้จะไม่มีออกซิเจนอยู่ 1
7. แก้วตามข้อถือสิทธิข้อที่ 15 หรือ 16 ที่ซึ่งสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซ เป็นโอลีฟินที่มีอะตอมคาร์บอน 2ถึง 4 อะตอม 1
8. แก้วตามข้อถือสิทธิข้อที่ 16 ที่ซึ่งสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซเป็นเอธิลีน 1
9. อุปกรณ์แสดงผลที่ใช้ผลึกเหลวที่ประกอบด้วยชั้นนำไฟฟ้า2 ชั้นที่อยู่ตรงข้ามกันที่มีวัสดุผลึกเหลวอยู่ะรหว่างชั้นที่สองนี้และชั้นปรับแนวที่ทับอยู่บนชั้นนำไฟฟ้าดังกล่าวแต่ละชั้นที่สัมผัสวัสดุผลึกเหลว ที่ซึ่งชั้นนำไฟฟ้าดังกล่าวอย่างน้อยหนึ่งชั้นถูกรองรับอยู่บนซับเสตรทแก้วที่หนาถึง 2 มม. ที่มีไอออนโลหะแอลคาไลอยู่ และระหว่างชั้นนำไฟฟ้าดังกล่าวและแก้วจะให้มีชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสที่หนาถึง 50 นาโนเมตรที่ประกอบด้วยซิลิคอนและออกซิเจนที่จับเกาะอยู่บนผิวแก้วที่อุณหภูมิสูงกว่า 600 ซํ. โดยไพโรลิซิสของซิเลนเมื่อมีสารประกอบให้อิเล็กตรอนที่เป็นก๊าซอยู่ด้วย ที่ซึ่งออกซิเจนจากแก้วจะรวมเข้ากับซิลิคอนเพื่อเกิดเป็นชั้นเคลือบกั้นโปร่งใสขึ้นบนผิวแก้ว
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH3753A true TH3753A (th) | 1987-01-02 |
TH3753EX TH3753EX (th) | 1987-01-02 |
TH6043B TH6043B (th) | 1996-08-26 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR870002029A (ko) | 피복 제품 | |
US5165972A (en) | Coated glass | |
US3511703A (en) | Method for depositing mixed oxide films containing aluminum oxide | |
EP0348185B1 (en) | Coatings on glass | |
Kaneko et al. | Physical properties of antimony‐doped tin oxide thick films | |
RU1830053C (ru) | Способ получени покрытий на стекле | |
US4146657A (en) | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
Manifacier et al. | In2O3:(Sn) and SnO2:(F) films—Application to solar energy conversion; part 1—Preparation and characterization | |
JP4322314B2 (ja) | 板ガラスにスズ酸化物被膜を形成する方法 | |
US3944684A (en) | Process for depositing transparent, electrically conductive tin containing oxide coatings on a substrate | |
Niskanen et al. | Low-temperature deposition of aluminum oxide by radical enhanced atomic layer deposition | |
USRE31708E (en) | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide | |
US4990286A (en) | Zinc oxyfluoride transparent conductor | |
NL7810511A (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van verbeterde tinoxyde- bekledingen, alsmede de aldus gevormde voortbrengselen. | |
US5773086A (en) | Method of coating flat glass with indium oxide | |
US5034795A (en) | Electrically insulating substrate | |
Francisco et al. | Infrared photochemistry of alkyl-and arylsilanes | |
US9249504B2 (en) | Method of passivating ultra-thin AZO with nano-layer alumina | |
TH3753A (th) | ผลิตภัณฑ์เคลือบ | |
TH6043B (th) | ผลิตภัณฑ์เคลือบ | |
SE9602268L (sv) | Glasningspanel med solfiltrerande egenskaper | |
JP2001036117A (ja) | 光電変換装置用基板 | |
US9214254B2 (en) | Ultra-thin AZO with nano-layer alumina passivation | |
KR830003376A (ko) | 전도성 물질의 제조방법 | |
JPH0867980A (ja) | 窒化ケイ素膜の製造方法 |